JPS62100450A - 相分離ガラスおよびその製造方法 - Google Patents

相分離ガラスおよびその製造方法

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JPS62100450A
JPS62100450A JP61241157A JP24115786A JPS62100450A JP S62100450 A JPS62100450 A JP S62100450A JP 61241157 A JP61241157 A JP 61241157A JP 24115786 A JP24115786 A JP 24115786A JP S62100450 A JPS62100450 A JP S62100450A
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glass
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bao
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    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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    • C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
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    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
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    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
    • C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は平板ディスプレイ装置のためのバリウムおよび
／またはストロンブウムアルミノシリケート結晶含有ガ
ラスに関する。
（従来技術と発明が解決しようとする問題点）２つの最
近の技術的進歩は、平板ディスプレイ装置について明ら
かに実際的な次に示す可能性を大きくした。すなちわ、
（１）改良された物理的特性を示す液晶の調製：および
（２）微粒ポリシリコンの表面層の製造である。
液晶の発達は、小型カラーテレビ受像機を液晶から製造
し、非常に大きな情報ディスプレイパネルが技術的に可
能な程十分に進歩した。しかし、液晶は本来、電気信号
に対して遅い応答を示すので、能動マトリックスディス
プレイを組立てるためには電気的刺激に対して素早く応
答する「スイッチ」が必要である。薄膜トランジスタ（
ＴＦＴ）がこの機能を果たす。
ＴＰＴが単結晶シリコンから製造できることは良く認め
られているが、単結晶シリコンのその性質によって、そ
れから作られるＴＰＴの大きさに制限がある。基板上に
付着させた微粒ポリシリコン層をレーザーのような熱源
を用いてスキャンすることにより、粗粒ポリシリコンに
再結晶できることが見出された。さらに、粗粒ポリシリ
コンから製造されたＴＦＩは電気特性において、中結晶
シリコンから作られたＴＰＴが示４同じ特性と比べ、わ
ずかな悪化しか示さず、また液晶ディスプレイを多重送
信する場合、極めて満足に働くことが認められた。
粗粒ポリシリコン能動マトリックスディスプレイは透明
で、平らで、滑らかで、不活性であり、熱膨張に関して
シリコンと一致しており、また少なくとも８５０℃、好
ましくはそれ以上、すなわち１０００℃付近の温度まで
の処理温度に耐えられる基板が必要である。「平板ディ
スプレイ用ストロンチウムアルミノシリケートガラス基
板」の表題でこれと同時に出願された米国出願番号第７
９０，３６９号は、三成分系３ｒ　ＯＡｆＬ２０３−８
！　０２の非常に狭い範囲のガラス、ｒＪなわち、粗粒
ポリシリコン能動マトリックス用の基板として有効な、
酸化物を基礎とするモルパーセントで表された９〜１２
％の５ｒＯ１９〜１２％のＡ９Ｊ２ｏ３および７７〜８
１％の３ｔＯｚから本質的に成り、８５０℃以上、好ま
しくは８７５℃以上のアニール点を有するガラスについ
て開示している。実際に、このガラスを実施可能な基板
として推薦した。しかし、技術が進むにつれ、一層高い
処理温度に対する抵抗がおそらく要求されるだろう。従
って、２５°〜３００℃の範囲で約３０〜４０Ｘ１０−
７／℃の線熱膨張係数を示し、９００℃以上１０００℃
までの処理温度に耐えられる組成のガラスが非常に望ま
しい。
上記のため、本発明の１ユな目的は、シリコンに対し化
学的に不活性で、しかも２５°〜３００℃の範囲で約３
０〜４０ｘ　１０”　／　’Ｃの線熱膨張係数を示す熱
膨張に関してシリコンと一致し、９００℃以上、好まし
くは９５０℃以上のアニール点を示す透明なガラス質材
料を捉供づることである。
〈問題点を解決するための手段） ４一 本発明の目的は、ＢａＯおよび／または５ｒＯＡ　９Ｊ
ｚ　０３−　Ｓ　！　０２系の狭い範囲の組成から成り
アルカリ金属酸化物を殆ど含まない相分離ガラスであっ
て、ガラスマトリックス中に均質に分散した極めて微粒
な結晶から本質的に成る相分離ガラスによって達成され
ることを見出した。最も一般的な言い方では、本発明の
製品は所望の結晶をその場で発生させる適当な組成の先
駆物質ガラス製品を熱処理することによって調製され、
前記結晶は最終製品に少量含まれている。
先駆物質ガラスの組成は１つの非常に望ましい特性を示
す、づなわち、これらは約１８００℃以下の温度で溶融
し、透明なガラス体に成形することができる。１８００
℃付近の温度は白金およびそれらの合金および酸化雰囲
気１；で用いられる大抵のセラミック耐火物と接触する
溶融バッチについての実際的な制限を意味する。
先駆物質ガラス体は約９００’〜１１００℃の間、熱処
理したガラス体の部分に結晶がその場で成長するのに十
分な長さの時間、熱処理することによつて相を分１１１
１１づ−６，０，５時間はどの処理時間で結晶が成長し
始めるが、実質的に完全な成長を確保づ−るために約２
時間の時間が実際的な最小値である。
一層長い時間を採用できるが、そこからは重要な利点が
見出されない。
結晶は極めて微粒である、すなわち、光散乱を最小にす
る光の波長よりも直径が短い。従って、ガラスはほぼ透
明のままである。
本発明の結晶含有ガラスのアニール点に見られる実質的
な上行の基礎となる機構は、明らかにされていない。２
つの可能な機構が仮定された。つまり、一層高いアニー
ル点をもたらすガラス粘度の増加は、単にガラス中の結
晶の摩擦効果による。
他方、結晶は非常に小さいので、その正確な同定が困難
になる。ムライト（３Ａ９Ｊｚ０３　・２Ｓｉ０２）が
同定された。しかし、相分離体のアニール点は約１００
°〜１５０℃で上社するので、少なくとも一部のＢａＯ
および／またはＳｒＯがガラス組成から取除かれ、Ａ９
．ｚｏ３と５ｆＯｚ含量が高い残存ガラス質相を残寸と
仮定された。それにもかかわらず、機構がいかに複雑で
も、１０００℃を超えるアニール点を示す透明な製品を
成形する熱処理が可能である。
上記目的を満足するガラスは、酸化物を基礎どするモル
パーセントで表された約２〜６％のＢａＯおよび／また
は５ｒＯ１１８＝２６％のＡＪＩ’２０３、および６８
〜８０％のＳ！Ｏｚから本質的に成るアルカリ金属酸化
物を殆ど含まない組成から調製できる。ここに示した範
囲は厳しく従わなければならない。例えば、５ｔＯｚ濃
度が８０％を超えると、ガラスを１８００℃で溶融する
のが非常に困難になる。
逆に、Ｓｉ０ｇ水準が６８％以上では、アニール点が低
ずぎおよび／またはガラスが乳白色になる、フなわち半
透明から不透明になる。ＡＬｚＯ３含量が２６％以上の
場合、組成物は１８００℃で透明なガラスに溶融できな
い。Ｓ！Ｏｚと同様に、Ａ党２０３濃度が１８％以下で
は、ガラスが熱処理によって乳白になる。約６％以上の
ＢａＯおよび／またはＳｒＯ水準では、アニール点が満
足できない値に下がり、また、２％以下の水準では一般
に、１８００℃でガラスを溶融するのが困難になり、熱
処理によって乳白色になるガラスが生じる。
モルパーセントで表された組成範囲を重量パーセントで
表された範囲に正確に変換することはできないが、重量
パーセントで示された実施可能な三成分系の近似値は、
約４〜１３％のＢａＯ１２５〜３６％のＡ９．ｚ０３お
Ｊ、び５４〜６８％の５ｔＯｚ、または、約３〜１０％
の５ｒ０１２°〜３７％のＡ９Ｊ２゜３および５５〜７
１％の５ＩＯ２である。
一般に、ＢａＯだ（）を含むガラスはＳｒＯだけを含む
ものよりやや高いアニール点を示す。しかし、ＢａＯだ
けを含む製品の線熱膨張係数は、ＳｒＱだけが存在する
ものより高い特徴を示す。他方、ＢａＯはかなりの程度
までガラスの粘度を減らさずに、ガラスの液相線温度を
下げる非常に望ましい性能を示す。このＢａＯの性能は
、ＢａＯとＳｒＯの水準のバランスによって、ガラスの
熱膨張係数を制御された方法で変えることができるので
、極めて実際的な意義がある。
残念なことに、ＢａＯは１８００℃付近およびそれ以上
の温度で揮発する。従って、工程（パは環境汚染を最小
にしなければならない、ＳｒＯは、この問題を受けにく
い。
認められるように、本発明のガラスを成形する方法は、
次に示す一般的な三工程を含む。
（１）適当な系のバッチを溶融づ−る：（２）　　この
溶融体を冷却し、同時に所望の形状のガラス製品をそこ
から成形する；および （３１このガラス体を約９００°〜１１００℃で熱処理
し、その場で結晶を発生させる。
従来技術と本発明との比較 ３ａ　０−ＡＬ２０ｓ　　Ｓ！　０２および５ｒＯ−Ａ
　９Ｊ２０３−　Ｓ　ｉ　０２ガラスがこの分野に知ら
れている：［セラミストのための相図」レビン〈１−ｅ
ｖｉｎ）　、ｏビンス（Ｒｏｂｂｉｎｓ）　、およびマ
クマーディー（ＭＣＭｕｒｄｉｅ　）　、アメリカセラ
ミック学会、コロンブス、オハイオ（１９６４年）、１
９５および２５７ページ。しかし、本発明の狭い範囲に
あるガラスの意外な有用性については示されていない。
米国特許第３，４６７．５３４号は、−成分のＢａＯ−
５ｆＯｚが優勢な結晶相を含むガラスセラミック製品の
調製１ついて開示している。Ａ９．ｚ　０３は３重量％
までの分量の随意成分として述べられている。この濃度
は、本発明に必要な最小量よりはるかに低いものである
。
米国特許第４，１８０，６１８号は、重量パーセントで
５５〜７５％（７）　Ｓ　ｌ　０２　、５〜２５％（Ｄ
Ａ　Ｌ２０：＋　、サラニ、９〜１５％のＣａＯ１１４
〜２０％のｓｒ　ｏ、および１８〜２６％のＢａＯの割
合で示された群から選ばれた少なくとも１種のアルカリ
土類酸化物から本質的に成るガラスで作られた基板上に
付着させたシリコンの薄膜から成る電子装置の製造を開
示している。ＳｒＯとＢａＯの水準は、本発明のガラス
に許容できるものより高い。さらに、極めて微粒の結晶
を成長さゼるガラスの熱処理に関しては何も示されてい
ない。
（実　施　例〉 表１は、酸化物を基礎とザるモルパーセントで表された
ガラス組成のｉｔを示し、本発明のパラメーターを例示
する。実際のバッチ成分は酸化物または、共に溶融した
時適当な割合で所望の酸化物に変化する他の化合物の任
意の材料を含む。以下に示すラボ実験では、バッチ材料
は高純度砂、ＡＱ、ｚ　０３　、Ｓｒ　ＣＯ３およびＢ
ａＣ０：ｓから成る。
表ＩＡは表１の組成を酸化物を基礎と覆る重量パーセン
トで表して示す。
バッチ材料を配合し、均質な溶融体を得るために共にボ
ールミル粉砕し、白金−ロジウムるつぼに充填した。る
つぼを約１８００℃で操作する気体酸素点火炉に入れ、
約１６時間バッチを溶融した。その後、この溶融体を鉄
の鋳型に流し込み、約３０．５ｃＩＲ（１２インチ）の
直径と約１，９ｃＩＲ（０，７５インチ）の厚さの円形
スラブを成形し、これらのスラブをすぐに焼なましに移
した。
人一よ ニ１２３　　二１５６ ＳｔＯｚ　　　　　６８　　６８　　６８　　７０　　
７０　　７０Ａ９．Ｊｚ０３２５　　２７　　２８　　
２０　　２２　　２３ＢａＯ７５４１０８７ ＳｆＯｚ　　　　　７０　　７０　　７０　　７０　　
７０　　６５ＡＬｚＯ３２４２５２６２７２８２５ ＢａＯ６５４３２１０ ＳｉＯ２６５６５６５７２７２７２ Ａ応。０３２７　　３０　　３２　　２２　　２３　　
２４ＢａＯ８５３６５４ Ｓｉｎ２７２　　７２　　７３　　７３　　７５　　７
５Ａ９Ｊ２０３２５　　２６　　２２　　２４　　１５
　　１７Ｂａ０　　　　　３　　　２　　　５　　　３
　　１０　　　８人二Ｉ（Ｉ出 Ｓｉｎ２７５　　　７５　　　７５　　　７５　　　７
５　　　７７Ａ９Ｊ２０３１９　　２０　　２１　　　
２２　　２３　　　１８Ｂａ０　　　　　６　　　５　
　　４　　　３　　　２　　　５ＳｉＯ２７７７７７７
７９７９７９ Ａ見ｚｏ３１９　　２０　　２１　　　１６　　　１７
　　１８Ｂａ０　　　　　４　　　３　　　２　　　５
　　　４　　　３ＳｉＯｚ　　　　　７９　　７０　　
７０　　７０　　７０　　　７０Ａ９Ｊｚ０３１９　　
２５　　２６　　２４　　２３　　２２ＢａＯ２−−−
−− ８ｒＯ−５４６７８ 人−工へ 」−」Ｌ≦Ｌ二り工」Ｌ Ｓ！Ｏｚ　　　　５３．０　５３．７　５４．１　５４
ｊ　　５４，８　５５．１Ａ９Ｊ２０ａ　　　３３，１
　３６，２　３７，８　２６，２　２９，２　３０，８
ＢａＯ１３，９ｔｏ、１　　８．１　１９．７　１６，
０　１４．にし　８９１虹」二」虹 ５ｉｏ２５５．５　５５．９　５６．３　５６，７　５
７，０　４８．９Ａ９ＪｚＯ３３２，３３３，９３５，
５３７，ｔ　　３８．８　３１．９ＢａＯ１２，２１０
，２８，２６，２４，２１９，２８＋０２　　　４９，
５　５０，５　５１．２　５７，７　５８，１　５８．
５ＡｆＬｚＯ３３４，９３９，６４２，８３０，０３１
，６３３，２ＢａＯ１５，６９，９６，０１２，３１０
，３８，３ＳｉＯｚ　　　　　５８，９　５９．４　５
９．２　６０．１　５９，５　６０．３Ａ９ＪｚＯ３３
４，８３６，４３０，４３３，６２０，２２３，２Ｂａ
Ｏ６，３４，２１０，４６，３２０，３１６，５表　Ｉ
Ａ（続） ＳｔＯ２６１，２６１，６６２，０６２，５６２，９６
４，０△９ＪｚＯ３２６，３２７，９２９，５３１，１
３２，８２５，４ＢａＯ１２，５１０，５８，５６，４
４，３１０，６８１０２６４，４６４，８６５，４６６
，４６６，９６７，４Ａ９ＪｚＯ３２７，０２８，７３
０，３２２，９２４，５２６ｊＢａ０　　　　　８，６
　　６，５　　４，３　１０，７　　８，６　　６，５
ＳｔＯｚ　　　　　６７．９　５７，８　５７，８　５
７，８　５７，７　５６，９Ａ免。０３　　　２７．７
　３５．１　　３６．５　３３．７　３２．３　３１，
８ＢａＱ　　　　　　４．４　　　−　　　−　　　−
　　　−　　　−８ｒＯ−７，１５，７８，５１０，０
１１，３各ガラススラブから試料を切り取った。これら
試料の若干を約１０００℃で約４時間、他のものを約１
０００℃で約３２時間熱処理した。熱処理した試料と熱
処理しない試料を共に視覚で検査し、次に従来の方法を
用いて物理的特性を測定した。℃で表されたアニール点
はＡＳＴＭ　　Ｃ５９８に記述されているビーム曲り法
に従って求めた。ｘｌｏ−７／℃で表された２５°〜３
００℃の範囲の線熱膨張係数は、溶融シリカ膨張計を用
いるＡＳＴＭ　　Ｅ　２２８に従って求めた。視覚によ
る外観の定性的な評価は約２ｍ厚さの磨いたプレー１〜
で行い、５５０ｒ＋ｍでのガラスの透過率パーセントは
Ｑａｒｙ分光光度計を用いて約２ｔｔｍ断面の磨いたプ
レー１−で測定した。外観に関して、Ｃは透明、１なわ
ノ５殆ど曇りがないことを示づ。１」は少量の曇りがあ
るが、製品が８０％以上の可視光透過率を示すことを意
味する。
Ｈ＋は可視光透過率が８０％以下の程痘で曇りが存在す
る製品を示す。また、０は不透明体を示で。
友」ニ アニール点　　　　　　　線熱膨張係数熱処理　　　熱
処理 例　　なし　４時間　３２時間　　なし　４時間　３２
時間１　　８６９　９０１　　９３６　　　３０．７　
　３７，５　　３８．２２　　８７３　９２８　　９３
９　　　２８．７　　３８，８　　３８．６３　　　　
　　溶融体からの冷却で失透した４　　　８６８　　−
　　８６８　　　３３．０−−５　　８６７　　−　　
９６４　　　３０．３　　　−３８．８６８６５　　−
　　９５８　　　２８．８　　　−　　３８．９７　　
８６８　　−　　９４２　　　２７．７　　　−　　３
６．２８　　８８１　９７６　　９６５　　　２７．７
　　　−　　３５，６９　　８８０　　−　　９７５　
　　２６．０　　　−　　３４．４１０　　　　　　　
溶融体からの冷却で失透した１１　　　　　　　溶融体
からの冷却で失透した１２　　８６８　８７１　　９７
１　　　３３．１　　３３，１　　４２，３１３　　８
７４　８８７　　９３５　　　３１．２　　３９．０　
　４１．９１４　　　　　　　溶融体からの冷却で失透
した１５　　　　　　　溶融体からの冷却で失透した１
６　　８７８　８９０　　９５８　　　２６．８　　３
０，６　　３７．２１７　　８８１　９１６　　９６６
　　　２５．９　　３３，３　　３３，６１８　　９８
７　９８５　　１０３１　　　３１．９　　３３，８　
　３３，８１９　　８７５１０００　　９９４　　　２
５．０　　３１，４　　３２，５２０　　９２１１０２
０　　　−　　　２５，８　　２９，５　　２９，９２
１　　８８７　９２４　　９７２　　　２６．３　　３
０，５　　３４，８表　工■（続） アニール点　　　　　　　線熱膨張係数熱処理　　　熱
処理 例　　なし　４時間　３２時間　　なし　４時間　３２
時間２２　　１００２１０００　　１０１５　　　２８
．７　　３０，６　　３０．４２３　　８８４　　ｇ８
１　　８８４　　　３４．１　　３４．７　　３５．０
２４　　８７８　８７６　　８８１　　　２９．３　　
２９，６　　２８，７２５　　８７６　９０３　　９５
７　　　２５．５　　２５，９　　３４．１２６　　８
９０　　−　　９７０　　　２４．５　　　−　　　−
２７　　９０８　９７２　　９７８　　　２７．０　　
３１．５　　３２，７２ｇ　　　９０１　１００４　　
１００５　　　２２．３　　３０，８　　２９，７２９
　　９７８１０２１　　１０１７　　　２６．０　　２
７，１　　２８，４３０　　８８１　８８４　　９１０
　　　２２．５　　２７．８　　３３．２３１　　８９
６　９７９　　９８７　　　２３ｊ　　　３０，２　　
３０，４３２　　１００３１００６　　１００６　　　
２６．８　　３０，３　　２９，５３３　　１０１５１
０１６　　１０２２　　　２４．２　　２６，１　　２
６．７３４　　８８５　８８３　　８８９　　　２２．
６　　２３．５　　２３．５３５　　８８９　９１１　
　９ｇ５　　　２１．６　　２９，８　　２９．４３６
　　９０６　９９１　１００９　　　２１．８　　２６
．８　　２ｇ、６３７　　９１６１０１２　　１０２８
　　　２１．２　　２９．９　　２６Ｊ１３８　　８８
１　　−　　９６５　　　２６．６　　　−　　３３．
５３９　　８７０　　−　　９４０　　　２７．４　　
　−　　３４．９４０　　８５５　　−　　８８９　　
　２７．４　　　−　　３５．９４１　　８５２　　−
　　９０２　　　２７．１　　　−　　３７．１４２　
　８４７　　−　　９４２　　　２８．９　　　−　　
３８．３表　ＩＩ（続） 外　観　　　透過率 熱処理　　　熱処理 例　　なし　４時間　３２時間　　なし　４時間　３２
時間Ｉ　　　　ＣＨ”　　　ｌ−１”　　　　９１　　
５５　　　７４２　　　　ＣＣＨ”　　　　８９８６　
　　７３３　　　　　　　　　　　失　　　　透Ｃ−Ｃ Ｃ−０− ６０−〇 Ｇ−０ ８ＣＣＨ９０８８８２，５ Ｃ−Ｃ １０失　　　　透 １１　　　　　　　　　　　　失　　　　透１２　ＣＨ
Ｏ８９８５０ １３Ｃ１−１０８８８４０ １４失　　　　透 １５　　　　　　　　　　　　失　　　　透１６　ＣＧ
　Ｏ９１８９０ １７ＣＨＨ８９８６８４ １８ＣＨ”　Ｈ８９８６７４ １９ＣＨＨ９０，５８３８２ ２０１−Ｉ　Ｈ”　Ｈ”　８３７６７２２１　ＣＨＨ”
　９１８４７７ 表　ＩＨ続） 外　観　　　透過率 熱処理　　　熱処理 例　　なし　４時間　３２時間　　なし　４時間　３２
時間２２　　　　ＣＨＨ！１１０８６　　　８６２３　
　　　ＣＣＣ９１９１８９ ２４ＣＣＨ８９９１８５ ２５ＣＨ−９１６１− ６ＣＯ− ２７ＣＨ）−１９１８６８７ ２８０Ｈ”　　　Ｈ８７７０８５ ２９ＨＨ”　　　Ｈ”　　　　８５　　７８　　　７８
３０　　　　ＨＨｌ−１ ３１ＣＣＣ９１９１８９ ３２ＣＣＨ＋　　　　９１　　９０　　　６９３３　　
　　ＣＣＨ”　　　　９２　　８８　　　６９３４　　
　　ＨＨＨ”　　　　８５８５　　　−３５　　　０　
　　ＣＩ−１９２８８８２３６Ｃト１”　　　　　　ｌ
−１９２７０８７３７０Ｈｌ−１”　　　　８９　　８
４　　　６３羽　　　−−１−１” ３９　　　−　　−　　　　Ｃ ４０−−１−１” ４１　　　−　−　　　〇− ４２−−Ｑ ＝２０− 表工と■を共に検討すると、約１８００℃以下の温度で
溶融でき、約９００°〜１０５０℃で熱処理した場合、
極めて微粒の結晶がその場で発生するように相分離する
ガラスを製造するために、Ｂａ　Ｏ，Ｓｒ　Ｏ，ＡｊＬ
ｚ　０３　、およびＳ！Ｏｚ水準を規定した範囲内に保
つことの必要性をはっきりと示している。結晶は含まれ
るが、全生成物のうち少ない割合、実質的に５０容量％
以下で含まれる。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ガラスマトリックス中に均質に分散した極めて微
    粒の結晶から成り、透明性、９００℃以上のアニール点
    、２５°〜３００℃の温度範囲で約３０〜４０×１０＾
    −＾７／℃の線熱膨張係数を示し、酸化物を基礎とする
    モルパーセントで表された６８〜８０％のＳｉＯ＿２、
    １８〜２６％のＡｌ＿２Ｏ＿３、２〜６％のＢａＯおよ
    び／またはＳｒＯから本質的に成り、アルカリ金属酸化
    物を実質的に含まない相分離ガラス。
  2. （２）ガラスマトリックス中に均質に分散した極めて微
    粒の結晶から本質的に成り、透明性、９００℃以上のア
    ニール点、および２５°〜３００℃の温度範囲で約３０
    〜４０×１０＾−＾７／℃の線熱膨張係数を示す相分離
    ガラスを製造する方法が、 （ａ）約１８００℃以下の温度で溶融でき、アルカリ金
    属酸化物を殆ど含まず、酸化物を基礎とするモルパーセ
    ントで表された６８〜８０％のＳｉＯ＿２、１８〜２６
    ％のＡｌ＿２Ｏ＿３、２〜６％のＢａＯおよび／または
    ＳｒＯから本質的に成るガラスのバッチを溶融し、 （ｂ）溶融体を冷却し、同時にそこから所望の形状のガ
    ラス製品を成型し、次に （ｃ）ガラス製品をその場で結晶の成長が起こるに十分
    な長さの時間、約９００°〜１１００℃で熱処理する工
    程から成る相分離ガラスの製造方法。
  3. （３）大きな結晶ポリシリコン半導体フィルムを上に成
    長させるために平らで透明な基板を有する平板ディスプ
    レイ装置において、前記基板がガラスマトリックス中に
    均質に分散した極めて微粒の結晶から本質的に成る相分
    離ガラスであり、前記相分離ガラスがアルカリ金属酸化
    物を実質的に含まず、９００℃以上のアニール点、２５
    °〜３００℃の温度範囲で約３０〜４０×１０＾−＾７
    ／℃の線熱膨張係数を示し、酸化物を基礎とするモルパ
    ーセントで表された６８〜８０％のＳｉＯ＿２、１８〜
    ２６％のＡｌ＿２Ｏ＿３、２〜６％のＢａＯおよび／ま
    たはＳｒＯから本質的に成る平板ディスプレイ装置。
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