KR101043181B1 - 알루미늄 실리코포스페이트 유리 - Google Patents

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Abstract

P2O5-SiO2-Al2O3의 삼원구조 유리를 포함하는 평면 패널 디스플레이용 기판으로서, 상기 삼원구조 유리는 높은 변형점 온도와 실투현상에 대한 저항성, 양호한 화학적 내구성, 뛰어난 절연성 및 열팽창계수로 실리콘의 조건을 만족시키며, 전통적인 방법으로 형성가능한 액상선 점도를 가지는 안정한 유리를 산출한다. 상기 유리는 산화물 기준으로 33 ∼ 75중량%의 P2O5, 2 ∼ 52중량%의 SiO2 및 8 ∼ 35중량%의 Al2O3의 조성물을 포함한다.
삼원구조, 액상선, 점도, 디스플레이, 알루미늄

Description

알루미늄 실리코포스페이트 유리{Aluminum silicophosphate glasses}
본 출원은 2003년 12월 31일 제출된 미국 가출원 제 60/533,784호의 우선권 을 주장하며, 관련 내용이 포함된다.
본 발명은 Al2O3-P2O5-SiO2 유리에 관한 것으로, 상기 유리는 실리콘에 적합할 수 있도록 고 변형점 및 열팽창계수로 특정되며, 이의 액상선(liquidus) 온도에서의 고(high) 점도를 나타내며, 평면 패널 디스플레이 장치에 대한 기판으로서 사용되기 위하여 특히 적합하다.
액정디스플레이(LCDs)는 외부 광원의 조명에 의지하는 수동적 디스플레이이다. 가장 흔하게, LCD는 다이오드의 배열, 금속-절연체-금속(MIM)장치 또는 박막 트랜지스터(TFTs)가 각 픽셀에 대한 전기 스위치에 공급하는 포맷이 새겨진 활성 매트릭스에서 제조된다. 두 개의 유리시트가 상기 디스플레이의 구조를 형성한다. 상기 시트의 분리정도는 액정물질을 함유하는 5 내지 10㎛의 임계적 간극 치수에 해당한다. 간극 치수의 일정성을 유지하기 위하여, 극도로 정밀한 평편성을 가지는 유리시트가 요구된다.
활성 매트릭스 액정 디스플레이(AMLCDs)는 다이오드 또는 박막 트랜지스터와 같은 활성 장치를 각 픽셀에 사용함으로써 높은 대비성 및 높은 응답속도를 가지도록 한다. 비록 현재 많은 디스플레이 장치들이 450℃이하의 온도에서 수행되는 공정을 가지는 무정형 실리콘(a-Si)을 사용함에도 불구하고, 다결정질-실리콘(poly-Si)공정이 선호된다. Poly-Si는 훨씬 더 높은 구동 전류와 전자 운동성을 가짐으로 인하여 픽셀의 응답시간을 증가시킨다. 더구나, Poly-Si공정을 사용하는 것은, 유리 기재상에 직접적으로 디스플레이 구동 회로를 형성하는 것을 가능하게 한다. 이와는 대조적으로, a-Si는 통합된 회로 패키지 기술을 사용하여 디스플레이 주변에 부착하여야 하는 분리 구동 칩을 요한다. Poly-Si 공정 방법은 a-Si TFT에서 사용되는 것보다 높은 온도에서 수행된다. 그러한 공정은 높은 전자 운동성(빠른 스위칭에 대하여) 및 넓은 면적에 걸친 뛰어난 TFT 균일성을 가지는 Poly-Si 필름의 형성을 가능하게 한다. 요구되는 활성온도는 TFT를 제조하는데 이용되는 특정한 공정에 의해 정해진다. 증착된 게이트 절연체를 갖는 그러한 TFT는 열적 산화물600 내지 650℃를 요하나, 열적 산화물(thermal oxide)를 갖는 것은 약 800℃를 요한다.
a-Si 및 Poly-Si공정 모두 정교한 연속 사진석판식(photolithograghic) 패턴의 정렬을 요하며, 그것으로 인하여 기판의 열수축이 낮게 유지됨을 수반한다.
온도요건은 600℃이상의 온도에서의 열 변형을 회피하기 위한 고 변형점을 보이는 유리의 사용에 달려있다.
일반적으로 유리가 LCD용 기판의 필요조건을 완전히 만족시키기 위하여 나타나는 필수적인 4가지 성질이 인정되고 있다:
첫째, 상기 유리는, 기판으로부터 알칼리 금속이 트랜지스터 매트릭스로 전 이될 수 있는 가능성을 회피하기 위하여 의도적으로 추가되는 알칼리 금속 산화물이 필수적으로 없어야 한다;
둘째, 상기 유리 기판은 TFT증착 공정에서 사용되는 시약에 대하여 충분히 화학적으로 내구성이 있어야 한다;
셋째, TFT배열상에 존재하는 유리와 실리콘 사이의 팽창불일치(expansion mismatch)는 기판 확대(substrate increase)를 위한 공정 온도에서도 상대적으로 낮은 수준을 유지하여야 한다; 및
넷째, 상기 유리는 낮은 비용으로 고품질의 박막 시트 형상으로 제조되는 것이 가능하여야 한다; 즉, 필요한 표면처리를 확실히 하기 위한 광범위한 연마 및 세련이 필요하지 않아야 한다.
마지막의 요건은 특히 달성하기 어려운데, 미국특허 제 3,682,609호에서 설명된 과류 하방 연신(overflow downdraw) 시트 제작공정과 같은, 필수적으로 처리된 유리 시트를 생산하는 것이 가능한 시트 유리 생산 공정이 요구되기 때문이다. 그러한 공정은, 유리가 액상선 온도에서의 매우 높은 점도와 더불어 장기간, 즉 용융 및 성형 온도에서의 실투현상(devitrification) 없이, 30일간의 안정성을 보일 것을 요한다.
현재까지 상기에 개시된 요건을 만족시키는 대부분의 유리는 알칼리 토 보로알루미노실리케이트((alkaliearth boroaluminosilicate) 구조의 공융혼합물 (eutectic composition)에 기초하고 있다.
디스플레이 장치에 대한 기판으로서의 사용에 대한 이익은 본 발명이 조사한 조성물 영역에 따른 하기의 설명으로서 명확해 질 것이다.
발명의 요약
본 발명은 높은 사용 온도, 실투현상에 대한 저항성, 화학적 내구성, 뛰어난 절연성, 실리콘과 일치하도록 구성될 수 있는 열팽창계수 및 전통적인 방법으로 형성가능하도록 액상선 점도를 가지는 안정한 유리를 산출하는 P2O5-SiO2-Al2O3 구조에서의 유리 형성 영역에 관한 것이다. 상기 유리는 산화물 기준으로 33 ∼ 75중량%의 P2O5, 2 ∼ 52중량%의 SiO2 및 8 ∼ 35중량%의 Al2O3중량%의 조성물을 포함하며, 여기서 P/Al의 원자비는 1.3 내지 4.0이다.
삼원의 유리-형성 시스템의 거의 대부분은 이미 전반적으로 평가가 되었다. 더욱이, 알칼리 또는 알칼리 토 양이온을 함유하지 않는 조성물 구조가 안정하고, 실투현상이 없는 뛰어난 유리로 알려진 것은 거의 없다.
신규한 유리-형성 영역은 P2O5-SiO2-Al2O3의 기본 구조에서 밝혀졌다. 결정성 화합물 Si2AlO(PO4)3를 용융시켜 합성하려는 시도 과정에서, 뛰어난 유리가 놀랍게도 형성되었다. 유리-형성 영역은 Al(PO3)3-SiO2의 결합을 따라서, 그리고, 더한층 용융시킨 시도에 의하여 이러한 결합의 Al2O3가 풍부한(과(過) 알루미늄 함유, peraluminous)측면에서 확장되었다(표 1 참조). 이러한 결합으로부터 Al2O3가 더 적은 유리(부(副) 알루미늄함유, subaluminous)는 화학적 내구성의 관점에서 의심스러운 것으로 여겨졌다.
이러한 유리의 중요한 특징은 이들의 열적 안정성이며, 특히 위상분리; 실투현상; 800℃에서의, 심지어는 900℃에서의 변형에 대한 저항성이다. 열팽창계수는 개략적으로 25 ∼ 55 ×10-7/℃이며, 실리콘의 열팽창계수와 맞추어 형성될 수 있다. 이러한 유리에는 알칼리 또는 알칼리 토 양이온이 존재하지 않아서, 뛰어난 절연 거동을 보이게 된다. 더욱이, 바람직한 조성물 범위에서 SiO2, AlPO4, 및 Al(PO3)3 상의 사이의 양쪽 배열(cotectic) 경계를 따라 낮은 액상성 값이 기대된다. 여기에 개시된 과(過) 알루미늄 함유 유리는 끓는 물에 대한 뛰어난 저항성을 보여주고 있다.
이러한 성질은 알칼리 및 관계된 유리 개질제(modifier)의 부재가 요구(낮은 절연성의 기판과 같은)되는 실리콘이나 다른 기판에 대하여 상대적으로 내화성(refractory)이 있으며, 저 밀도의 기판으로 인하여 전위적(potentially)으로, 특히 중요한 것으로 인식되고 있었다. 변형 및 고온에서의 실투현상에 대한 저항성이 있고, 이동성 양이온(mobile cation)이 없으며, 열팽창 계수의 유용한 범위를 가지는, 쉽게 용융가능한 유리의 필요성이 있다.
이러한 유리의 이점은 전통적인 유리에 대한 우월한 변형 저항성을 포함한다는 것이다. 이는 특별한 변형 없이 800℃ 또는 심지어 900℃로 가열하는 것이 가능하다. 많은 조성물의 어닐점(anneal point)은 750℃를 초과한다.
25 내지 55 ×10-7/℃범위의 유리(열팽창계수)의 확장은 실리콘과 부합되도록 형성될 수 있다. 상기 유리는 알칼리 또는 알칼리 토금속을 함유하지 않으며, 상대적으로 저렴한 뱃치 물질로부터 제조될 수 있다. 이러한 많은 유리는 낮은 액상선 온도를 가지며 넓은 범위의 형성 공정에 적합하다.
삼원 유리 조성물영역은 중량%로 다음과 같이 규정된다:
SiO2 2 ∼ 52
Al2O3 8 ∼ 35
P2O5 33 ∼ 75, 여기서 1.3 < P/Al < 4.0
또한, 붕소산화물, B2O3 부가물이, 다른 경우라면 800℃이상에서 변형될 수 있는 유리의 경직화(stiffnening)에 효과적이라는 것이 밝혀졌다. 더욱이, B2O3는 더 낮은 액상선 온도와 실투현상에 대하여 유리를 더욱 안정시키는 것으로 기대된다. 삼원 조성물에 부가된 B2O3의 수준은 일반적으로 10중량%까지이다. 이러한 조성물이 첨가됨으로써, 더욱 광범위한 사원(quaternary) 유리 조성물이 다음과 같이 제시된다:
SiO2 2 ∼ 52
Al2O3 8 ∼ 35
P2O5 30 ∼ 75
B2O3 0 ∼ 10, 여기서 1.3 < P/Al < 4.0
B2O3부가물이 BPO4 유닛과 같은 유리 구조에서 P2O5를 고정시키는 것을 조장하며, 그로 인하여 경직성(stiffness)을 향상시키고 화학적 내구성을 증진시키는 것으로 여겨진다. ZrO2와 같은 다른 산화물은 적당한 곳에 6%까지 첨가될 수 있다. 이러한 유리는 또한 전위적(potentially)으로 유용한 광학 성질을 보이는 전이 원소나 희토류 양이온으로 도핑될 수 있다.
즉, 상기 조성물 영역의 유리는 절연 상수가 4.5(및 온도와 KHz에 대하여 균일(flat)하다)로 낮고, 250℃에서 고유저항(resistivities)이 1014 ∼ 1016.5로서 뛰어난 절연성을 가진다. 대표적인 유리(908 ZCP)에 대한 절연 상수 곡선이 도 5에서 보여지고 있다.
도 1은 요업기술자(ceramist)(American Ceramis Society)를 위한 위상 다이어그램으로 주어진 바와 접하는 SiO2-P2O5, SiO2-Al2O3-Al2O3-P2O5 및 AlPO4-SiO2에 따른 이원 구조 데이터로부터 P2O5-SiO2-Al2O3 구조에서의 내삽된 액상선 위상 관계(굵은 검은 선)를 보여준다. 본 발명에서 청구하는 유리-형성 영역은 다각형의 외곽선이며; 점들은 우수한 유리를 나타낸다.
도 2는 Cr-,V-,Fe- 및 Mn-도핑된 유리의 흡수 곡선을 나타낸다(기본 조성물= 표1에서의 YVF).
도 3은 실시예 조성물에 대한 온도범위에 걸친 점도에 대한 도표이다.
도 4는 SiO2 농도범위에 걸친 유리에 대한 변형점 및 어닐점을 나타내는 도표이다.
도 5는 대표적인 유리 조성물에 있어서의 절연 상수 v를 나타내는 절연 상수 곡선이다.
도 6은 본 발명의 실시예 조성물과 하방 연신(down draw) 공정을 이용하여 제조되는 상업적으로 이용가능한 유리를 비교하는 온도범위에 걸친 점도를 나타내는 도표이다.
본 발명에 따른 유리는 1600 ∼ 1650℃의 온도에서 백금도가니에서 용융되며(많은 이러한 유리에 대하여 더 낮은 온도가 사용될 수 있음에도 불구하고), 작은 주물단위(patties)로 주조되고, 750℃에서 어닐된다. 대체로 P2O5의 감손은 약 1%이다. 용융된 것 및 실질적으로 열처리 된 유리에 대한 상세한 정보는 표 1에서 개시된다. 현재까지 파악된 물리적 성질에 대해서도 상기 표에 열거되었다.
도 2는 다양한 이온으로 도핑된 일반적인 알루미노실리코포스페이트 유리(표 1의 908 YVF)의 흡수 곡선을 보여준다. 상기 유리는, Fe2 +와 같은 철이 현저하게 존재하고, Cr3 +와 같은 크롬(및 UV 가장자리로부터 확인되는 바와 같이 Cr6 +가 존재하지 않는)을 가지는, 약간 감소하는 분위기를 제공하는 것으로 보인다. Cr3 +의 650㎚ 흡수는, 또한 적색 편이(red-shifted) 되는데, 전통적인 소다 라임 또는 알루미노실리케이트 유리에서 얻어지는 것보다 더 약한 결정 영역임을 시사한다.
도 3은 실시예 조성물 908ZCA에 대한 점도 곡선을 나타낸다.
당업자에게 자명한 바와 같이, 상기 조성물은 액상선(liquidus)에서, 1,000,000 포이즈(poise)를 초과하는 매우 높은 점도를 가진다. 이는 하방연신(down draw) 제조 공정(예를 들어, 용융 또는 슬롯 연신 공정(fusion or slot draw process))에 대한 훌륭한 자격을 부여한다. 본 발명에 따른 유리에 대한 바람직한 제조 공정은 하방 연신 시트 제조 공정(예를 들어, 용융 또는 슬롯 연신 공정)을 통한 것으로서, 이는 하부 방향으로 이송되는 동안에 유리 시트가 형성되는 것이다. 용융이나 과류(overflow) 하방 연신 형성 공정에서는, 용융된 유리가 반죽통(trough)에 흘러들어 가고, 그 다음 흘러넘쳐서 양쪽 파이프로 흘러 떨어지고, 루트(root)라고 불리는 것(파이프의 끝과 유리의 두 개의 흘러넘친 부분이 재결합하는 부분)에서 함께 용융되어 냉각될 때까지 하방으로 연신된다. 상기 과류 하방 연신 시트 제조공정은 미국특허 제 3,338,696호 및 미국특허 제 3,682,609호에서 실시예로 개시되어 있다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 조성물(908ZAU)에 대한 점도 곡선을 보여준과한다. 이러한 낮은 액상선 유리는 1400 내지 1450℃와 같은 낮은 온도에서, 특히 용융중에 인(phosphorous)의 휘발성을 최소화 시키면서 용융될 수 있다. 비교의 목적으로, 용융 공정(fusion process)에 의해서 제조된(코닝사의 코드1737), 상업적으로 생산된 유리에 대한 점도 곡선은 도 6에 포함되어 있다.
Figure 112006054689596-pct00001
Figure 112006054689596-pct00002
추가적인 일련의 용융실험이 1600 내지 1650℃에서 4시간 동안 백금 도가니에 담긴 SiO2,Al(PO3)3 및 Al2O3의 적당한 혼합물의 500 내지 1000gm 뱃치에서 수행되었다. Al(PO3)3-SiO2결합에 대한 조성물에서, 투명한 유리가 SiO2성분이 7 내지 30중량%와 함께 형성될 수 있다. 더욱이, 투명한 유리는 SiO2 농도와 근사한 범위에 걸쳐 형성가능하나, 약 35%까지 함유되는 Al2O3 성분 보다 높은 경우는 그렇지 않으며, 따라서 우수한 화학적 내구성이 기대된다. 이러한 유리에 대한 어닐점(Ta), 변형점(Tstr) 및 열팽창계수(CTE)를 포함하는 물리적 성질에 대한 데이터는 하기 표 2와 같이 제공된다.
코드 %Al2O3 % P2O5 % SiO2 Ta(℃) Tstr(℃) CTE 25∼
500℃(×10-7/℃)
891HHM 17.9 74.7 7.4 757 709 59
891HHN 17.4 72.4 10.2 756 714 55
891HHO 16.8 70 13.2 755 707 56
891HHP 16.2 67.5 16.3 758 718 56
891HHQ 15.5 64.8 19.7 743 694 56
891HHR 14.8 61.9 23.3 741 697 55
891HHS 14.1 58.8 27.1 731 683 59
891HLX 18.6 64.9 16.5 725 679 55
891HLY 21.2 62.2 16.6 701 656 51
891HLZ 23.7 59.5 16.8 680 631 46
891HMA 20.4 66.2 13.4 721 678 51
891HMC 25.4 61 13.6 - - -
891HOQ 26 66.3 7.7 - - -
891HOT 25.1 70 4.9 - - -
891HOW 26.6 71 2.4 - - -
상기에서 주어지고, 도 4에서 보여지는 데이터는 가장 높은 변형점이, (1)Al2O3/P2O5가 1/3의 비율(즉, Al(PO3)3-SiO2결합(join)상에 주어지는) 및 (2) 바람직한 조성물을 가진 891HHP 유리에 관한 SiO2 성분이 7 ∼ 18%을 가진 유리에 대해서 달성된다. 18%를 초과하는 SiO2에서의 더 낮은 변형점 쪽으로의 경향은, 일부 더 높은 SiO2 농도에서의 SiO2 및 Al(PO3)3를 포함하는 이원 공융 혼합물(binary eutactic)의 존재의 반영일 수 있다.
유사하게는, 일정한 SiO2 수준에서 증가한 Al2O3 성분과 함께 변형점의 하방 경향은 Al(PO3)3 및 AlPO4의 액상선 표면 사이의 열 곡부(thermal valley)의 존재에 기인할 수 있다.
주지되는 바와 같이, 몇개의 플럭스(fluxes)(개질 산화물(modifying oxide))라도 다른 바람직한 특성을 부여하기 위하여 뱃치에 추가할 수 있다. 이러한 플럭스가 일반적으로 원 유리(native glass)의 변형점을 낮추는 동안, 때때로 다음 목적의 전부 또는 일부를 필요로 한다; CTE를 높히고, 액상선 온도를 낮추며, 특정 파장에서의 흡수, 압밀구조(compaction)에 대한 바람직한 변형점을 확보하며, 용융을 늦추고(ease), 밀도 또는 내구성을 조절하는 것이다.
특정한 산화물이 유리의 물리 화학적 특성에 갖는 효과는 일반적으로 알려져 있다. 플럭스는 15%까지의 양으로, 또는 용해성에 의해 제한된 양으로 추가될 수 있다. 플럭스는 바람직하게는 총 10%이하의 양으로 추가된다. 따라서 상기 유리 조성물은 다음과 같이 규정된다;
SiO2 2 ∼ 52
Al2O3 8 ∼ 35
P2O5 30 ∼ 75
RO 0 ∼ 15
개질 산화물은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 전이 금속 및 란탄계열의 산화물로부터 선택될 수 있다. 특정의 예는 Y2O3, ZrO2, HfO2, MgO, CaO, SrO, BaO, As2O3, SnO2, Li2O, La2O3, GeO2, Ga2O3, Sb2O3, Na2O, K2O, Rb2O, Cs2O, BeO, Sc2O3, TiO2, Nb2O5, Ta2O5, ZnO, CdO, PbO, Bi2O3, Gd2O3, LU2O3 및/또는 B2O3이다. 개시되는 바와 같이, 몇 개의 대표적인 유리 예는 다양한 플럭스를 함유하여 용융된다. 따라서, 본 발명의 목적을 위하여, R은 Mg, Ca, Y, Sr, Zr, Hf, As, Sn, Li, La, Ge, Ga, Sb, Ba, Sb, Ti, Ta, Zn, 또는 상기 적합한 개질제의 정의에 부합하는 어떤 다른 원소가 될 것이다.
중량% ZHR ZIR ZIT ZIU ZIV ZIW ZIX ZIY ZKH ZJB
SiO2 23.2 22.3 22.8 22.0 22.9 22.4 22.6 22.1 21.3 25.9
Al2O3 15.1 14.5 14.9 14.4 14.9 14.6 14.7 14.4 13.9 12.4
P2O3 56.9 54.6 55.8 53.9 56.1 54.9 55.3 54.1 52.2 51.6
B2O3 4.8 4.6 4.7 4.5 4.7 4.6 4.6 4.5 4.4 4.5
ZrO2 4.0 3.8
CaO 1.9
La2O3 5.2
MgO 1.3
SrO 3.4
ZnO 2.7 4.8
SnO2 4.9
Y2O3 8.7
Sb2O3 0.9
액상선온도
(℃)		 990 ∼1240
밀도 2.470
CTE 51 47 50 51
어닐 736 738 705 724 727
변형 686 685 654 675 670
개시된 실험 자료로부터 용이하게 이해될 수 있는 바와 같이, 개시된 유리 조성물은 디스플레이 응용장치에 대한 뛰어난 자격을 제공한다. 이것은 현재 상업적으로 사용되는 알칼리 토(alkaline earth) 보로알루미노실리케이트 (boroalumino-silicate) 유리에 비하여 약간 높은 변형점을 가진다. 또한 1600℃에서 더 낮은 점도를 가지는 이점을 제공하여, 자가 청징(self-fining)하게 한다. P2O5의 부분적인 휘발(약 1%의 양으로)이 유리의 정련에 도움이 되는 것으로 여겨진다. 결론적으로, 비소 또는 다른 일반적인 청징제(fining agent)가 상기 제조 공정 중에 필요하지 않을 수 있을 것이다.
고 변형점 및 열팽창계수를 가지며, 유리가 액상선 온도에서의 매우 높은 점도와 더불어 장기간, 즉 용융 및 성형 온도에서의 실투현상(devitrification) 없이 제조가능하여, 특히, 평면 패널 디스플레이 장치에 대한 기판으로서 사용되기 위하여 적합하다.

Claims (11)

  1. 산화물기준의 뱃치로부터 계산되는 30 ∼ 75중량%의 P2O5, 2 ∼ 52중량%의 SiO2 및 8 ∼ 35중량%의 Al2O3의 조성물을 포함하며, 알칼리 금속을 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 평면 패널 디스플레이 장치용 기판.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판 조성물은, 1.3 내지 4.0 P/Al의 원자비를 갖는 것을 특징으로 하는 기판.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은, 25 내지 500℃의 온도범위에 걸쳐 25 ∼ 55×10-7/℃의 선형 열팽창계수를 갖는 것을 특징으로 하는 기판.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은, 600℃이상의 변형점을 갖는 것을 특징으로 하는 기판.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은, 적어도 650℃의 변형점을 갖는 것을 특징으로 하는 기판.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은, 적어도 700℃의 변형점을 갖는 것을 특징으 로 하는 기판.
  7. 2.5g/㎤ 이하의 밀도 및 650℃ 이상의 변형점을 보이며, 산화물 기준으로 2 ∼ 52중량%의 SiO2 , 8 ∼ 35중량%의 Al2O3 및 30 ∼ 75중량%의 P2O5의 조성물을 포함하고, 알칼리 금속을 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 알루미늄 실리코포스페이트 유리.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 조성물은, 산화물 기준으로 적어도 하나의 개질 산화물을 15중량% 이하로 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 실리코포스페이트 유리.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 개질 산화물은 CaO, La2O3, MgO, SrO, Sb2O5, BaO, Y2O3, ZrO2 및 B2O3로 이루어진 그룹 중에서 선택되며, 총중량이 10중량%를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 알루미늄 실리코포스페이트 유리.
  10. 제 7항에 있어서, 상기 유리는, 25 내지 500℃의 온도 범위에 걸쳐 25 ∼ 55×10-7/℃의 열 팽창계수를 더욱 나타내는 것을 특징으로 하는 알루미늄 실리코포스페이트 유리.
  11. 산화물 기준의 뱃치로부터 계산되는 30 ∼ 75중량%의 P2O5, 2 ∼ 52중량%의 SiO2 및 8 ∼ 35중량%의 Al2O3의 조성을 포함하며, 알칼리 금속을 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 전자 디스플레이 장치용 유리 기판.
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