JPS6199925A - 磁気記憶体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記憶体およびその製造方法Info
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- JPS6199925A JPS6199925A JP21987084A JP21987084A JPS6199925A JP S6199925 A JPS6199925 A JP S6199925A JP 21987084 A JP21987084 A JP 21987084A JP 21987084 A JP21987084 A JP 21987084A JP S6199925 A JPS6199925 A JP S6199925A
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- Japan
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- magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は磁気的記憶装置(磁気ディスク装置または磁気
ドラム装置な−ど)に用いられる磁気・記憶体およびそ
の製造方法に関する。
ドラム装置な−ど)に用いられる磁気・記憶体およびそ
の製造方法に関する。
(従来技術とその問題点)
一般に記録再生磁気ヘッド(以下ヘッドと呼ぶ)と磁気
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
をする方法である(コンタクト・スタート・ストップ方
式。
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
をする方法である(コンタクト・スタート・ストップ方
式。
以下C8S方式と呼ぶ)。この方法では操作終了時に磁
気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面
は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面
は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、ヘッド詔よび磁気記憶体を摩耗させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
に生じる摩擦力は、ヘッド詔よび磁気記憶体を摩耗させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
この傷の発生を防ぐために従来から特公昭42−200
25に示す様にコバルト−燐又はコバルト−ニッケル燐
合金の表面を高湿度に保ち表面にCo、O,の保@膜層
を形成させたり、また特公昭49−29445に示す様
lこコバルト−燐合金の表頁を硝酸などで調整した彼、
200〜290℃の温度で焼成してCOs 04 、c
o、os、cooなどからなる保護膜層を形成させるこ
とが知られているが、いずれも耐摩耗性が不十分で多数
回のC8Sの繰り返しにおいて磁気記憶体の傷の発生を
防ぐことが出来なかった。また高湿度の雰囲気において
コバルト酸化物は容易に水分の浸水を許し、耐食性に問
題があった。特にコバルト酸化物は500A以下の薄い
膜lこおいて耐久性と耐食性の劣化が著るしい。
25に示す様にコバルト−燐又はコバルト−ニッケル燐
合金の表面を高湿度に保ち表面にCo、O,の保@膜層
を形成させたり、また特公昭49−29445に示す様
lこコバルト−燐合金の表頁を硝酸などで調整した彼、
200〜290℃の温度で焼成してCOs 04 、c
o、os、cooなどからなる保護膜層を形成させるこ
とが知られているが、いずれも耐摩耗性が不十分で多数
回のC8Sの繰り返しにおいて磁気記憶体の傷の発生を
防ぐことが出来なかった。また高湿度の雰囲気において
コバルト酸化物は容易に水分の浸水を許し、耐食性に問
題があった。特にコバルト酸化物は500A以下の薄い
膜lこおいて耐久性と耐食性の劣化が著るしい。
(発明の目的)
本発明の目的は100A以下の超薄膜においても耐摩耗
性に優れ、かつ耐食性に優れた保護層を有する磁気記憶
体とその製造方法を提供することにある。
性に優れ、かつ耐食性に優れた保護層を有する磁気記憶
体とその製造方法を提供することにある。
(発明の構成)
すなわち本発明の磁気記憶体は下地体の上にCr又はf
i、eを含む磁性媒体が被覆され、該媒体上に100A
以下のクロム酸化物又はレニウム酸化物を含む酸化物か
らなる保護層が浴数されてなる構造の磁気記憶体と、下
地体の上にRe又は(rを含む合金からなる磁性媒体が
被覆され、該媒体の表面に、。
i、eを含む磁性媒体が被覆され、該媒体上に100A
以下のクロム酸化物又はレニウム酸化物を含む酸化物か
らなる保護層が浴数されてなる構造の磁気記憶体と、下
地体の上にRe又は(rを含む合金からなる磁性媒体が
被覆され、該媒体の表面に、。
100^以下のクロム酸化物又はレニウム酸化物を含む
酸化層が形成され、該酸化層の上に潤滑剤が被覆されて
なる構造の磁気記憶体であり、また本発明の磁気記憶体
の製造方法は下地体の上にcr又はReを含む磁性媒体
を被覆し、酸素イオンを含むプラズマ中でその表面を酸
化することを特徴とする磁気記憶体の製造方法と下地体
の上にOr又はReを含む磁性媒体を被覆し酸素を有す
る雰囲気中で焼成することにより、その表面を酸化する
ことを特徴とする磁気記憶体の製造方法である。
酸化層が形成され、該酸化層の上に潤滑剤が被覆されて
なる構造の磁気記憶体であり、また本発明の磁気記憶体
の製造方法は下地体の上にcr又はReを含む磁性媒体
を被覆し、酸素イオンを含むプラズマ中でその表面を酸
化することを特徴とする磁気記憶体の製造方法と下地体
の上にOr又はReを含む磁性媒体を被覆し酸素を有す
る雰囲気中で焼成することにより、その表面を酸化する
ことを特徴とする磁気記憶体の製造方法である。
(構成の詳細な説Ffi)
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の磁気記憶体の部分断面図で下地体1は
アルミ合金又は、陽極酸化アルマイト、N1−pメッキ
膜、Cra F e N 1 、 MOまたはW等を被
覆のアルミ合金、又はポリエステル、ポリイミドポリア
ミドイミド、ポリサルフォン、芳香族ポリエーテルなど
のプラスチック、又はcr J’eNi IMO,Wな
どの金属、又はガラス板又はセラミックスである。次に
この下地体1の上に磁性媒体2としてcocr、C0N
iCr 、C0PtCr、(:ope(r 、c。
アルミ合金又は、陽極酸化アルマイト、N1−pメッキ
膜、Cra F e N 1 、 MOまたはW等を被
覆のアルミ合金、又はポリエステル、ポリイミドポリア
ミドイミド、ポリサルフォン、芳香族ポリエーテルなど
のプラスチック、又はcr J’eNi IMO,Wな
どの金属、又はガラス板又はセラミックスである。次に
この下地体1の上に磁性媒体2としてcocr、C0N
iCr 、C0PtCr、(:ope(r 、c。
PdCr 、 C0Ru Cr 、 covc r 、
(::oMn (r、 C0WCr。
(::oMn (r、 C0WCr。
cooscr、CoTaCr、(’oTiCr、CoC
u(:r、c。
u(:r、c。
B1Cr、CoCdCr、CoBeCr、CoZnCr
+Co’MgCr、C0RhCr、C08CCr、co
ycr、C0RECr(RE:希土類元素)、FeRI
Cr、NIRECrmFeCr、NiCrなどのCrを
含む合金又はC0Re#C0NiRe*CoRePtC
oN1ReP、CoNiMnRePsC。
+Co’MgCr、C0RhCr、C08CCr、co
ycr、C0RECr(RE:希土類元素)、FeRI
Cr、NIRECrmFeCr、NiCrなどのCrを
含む合金又はC0Re#C0NiRe*CoRePtC
oN1ReP、CoNiMnRePsC。
crRe m FeRe 、NiReなどのReを含む
合金かめつき法、スパッタリング法又は真空蒸着法、イ
オンプレーテインク法などによって被覆される。
合金かめつき法、スパッタリング法又は真空蒸着法、イ
オンプレーテインク法などによって被覆される。
該磁性媒体2の表面にCrt03.C0Cr、Q番、l
i’eOr!04を始めとするクロム酸化物あるいはf
eeαhCOReOsなどのレニウム酸化物を含む酸化
物層3 ゛が熱酸化法あるいはプラズマ酸化法に
より形成される。
i’eOr!04を始めとするクロム酸化物あるいはf
eeαhCOReOsなどのレニウム酸化物を含む酸化
物層3 ゛が熱酸化法あるいはプラズマ酸化法に
より形成される。
該酸化物層の上に潤滑層4が回転塗布法、蒸着法、スプ
レー法、浸漬法、転写法、などにより被覆される。
レー法、浸漬法、転写法、などにより被覆される。
該潤滑層を形成する潤滑剤はパーフロロアルキルポリエ
ーテル、官能基を有するパーフロロアルキルポリエーテ
ル、パーフロロアルカン、ポリトリフロロクロルエチレ
ン、ポリテトラフロロエチレン、ポリテトラフロロエチ
レンテロマー、パーフロロカルボン酸、パーフロロアル
コール、パーフロロカルボン酸エステル、パーフロロア
ルコールノ脂肪酸エステル、パーフロロアルキルアルコ
キシシラン、70口シリコーン、パーフロロアルキルス
ルホン酸、パーフロロアルキルスルホン酸アンモニウム
、脂肪族アルキルアルコキシシラン高級脂肪酸、高級脂
肪アルコール、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸アミド
脂肪アミン、不飽和高級脂肪酸、長鎖脂肪族炭化水素、
ポリアルキレングリコール、シリコーンオイル、ポリオ
キシエチレン、ネオペンチルポリオール脂肪酸エステル
、ポリフェニルエーテルなどがある。
ーテル、官能基を有するパーフロロアルキルポリエーテ
ル、パーフロロアルカン、ポリトリフロロクロルエチレ
ン、ポリテトラフロロエチレン、ポリテトラフロロエチ
レンテロマー、パーフロロカルボン酸、パーフロロアル
コール、パーフロロカルボン酸エステル、パーフロロア
ルコールノ脂肪酸エステル、パーフロロアルキルアルコ
キシシラン、70口シリコーン、パーフロロアルキルス
ルホン酸、パーフロロアルキルスルホン酸アンモニウム
、脂肪族アルキルアルコキシシラン高級脂肪酸、高級脂
肪アルコール、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸アミド
脂肪アミン、不飽和高級脂肪酸、長鎖脂肪族炭化水素、
ポリアルキレングリコール、シリコーンオイル、ポリオ
キシエチレン、ネオペンチルポリオール脂肪酸エステル
、ポリフェニルエーテルなどがある。
前記クロム酸化物あるいはレニウム酸化物を含む酸化物
は、硬度が高く、耐摩耗性に優れているだけでなく、優
れた不働体として働き、100A以下の薄い膜厚におい
ても磁性媒体を腐食から防ぐことが出来る。
は、硬度が高く、耐摩耗性に優れているだけでなく、優
れた不働体として働き、100A以下の薄い膜厚におい
ても磁性媒体を腐食から防ぐことが出来る。
第2図は、本発明の別の磁気記憶体の部沙断面図である
。第2図において、下地体1.アよび磁性媒体2.およ
び醸化/II3は第1図と同じであるが、第1図におけ
る潤滑層4が被覆されていない。
。第2図において、下地体1.アよび磁性媒体2.およ
び醸化/II3は第1図と同じであるが、第1図におけ
る潤滑層4が被覆されていない。
実施例
次に実施例により本発明の詳細な説明する。
(実施例1)
ニッケルー燐めっき膜が被覆され表面祖さ0.02μm
に鏡面仕上げされた下地体1の上に磁性媒体2としてC
rを15重量%含むCOCr合金をr、f・スパッタリ
ング法により0.3μm被覆した。さらに咳磁性媒体を
被覆したディスク状円板を290℃で2時間空気中で焼
成することによりCrおよびCOの酸化物からなる酸化
層を20λ厚に形成し、磁気ディスクを作った。
に鏡面仕上げされた下地体1の上に磁性媒体2としてC
rを15重量%含むCOCr合金をr、f・スパッタリ
ング法により0.3μm被覆した。さらに咳磁性媒体を
被覆したディスク状円板を290℃で2時間空気中で焼
成することによりCrおよびCOの酸化物からなる酸化
層を20λ厚に形成し、磁気ディスクを作った。
実施例2
実施例1と同様にして但し磁性媒体2としてC0Cr合
金を被覆した後、10−”torrのNoガスを含む高
周波プラズマ雰囲気に基板温度200℃で1分間さらす
ことにより該媒体表面に5OAのCrおよびCOの酸化
物からなる酸化層を形成させ磁気ディスクを作った。
金を被覆した後、10−”torrのNoガスを含む高
周波プラズマ雰囲気に基板温度200℃で1分間さらす
ことにより該媒体表面に5OAのCrおよびCOの酸化
物からなる酸化層を形成させ磁気ディスクを作った。
実施例3
実施例2と同様にして但し10−” torrの0!ガ
スを含む高周波プラズマ雰囲気を用いて磁気ディスクを
作った。
スを含む高周波プラズマ雰囲気を用いて磁気ディスクを
作った。
実施例4
実施例1と同様にして但し磁性媒体2としてCoNlR
eP合金を無電解めっき法により0.5μm被覆した。
eP合金を無電解めっき法により0.5μm被覆した。
さらに該磁性媒体を被覆したディスク状円板を250℃
で3時間空気中で焼成することによりReおよびCOお
よびNiの酸化物からなる酸化層を3OAに形成し、磁
気ディスクを作った。
で3時間空気中で焼成することによりReおよびCOお
よびNiの酸化物からなる酸化層を3OAに形成し、磁
気ディスクを作った。
実施例5
実施例4と同様にして但し磁性媒体2としてC0N1R
eP合金を被覆した後、10−” torrのNoガス
を含む高周波プラズマ雰囲気に基板温度220℃で5分
間さらすことにより該媒体表面に10OAのReおよび
COおよびNiの酸化物からなる酸化層を形成させて磁
気ディスクを作った。
eP合金を被覆した後、10−” torrのNoガス
を含む高周波プラズマ雰囲気に基板温度220℃で5分
間さらすことにより該媒体表面に10OAのReおよび
COおよびNiの酸化物からなる酸化層を形成させて磁
気ディスクを作った。
実施例6
実施例5と同様にして但し10−torrの0!ガスを
含む高周波プラズマ雰囲気を用いて磁気ディスクを作っ
た。
含む高周波プラズマ雰囲気を用いて磁気ディスクを作っ
た。
実施例7
実施例1と同様にして但しCrおよびCoの酸化物から
なる酸化層の上に次の構造のパーフロロアルキルポリエ
ーテルの0.1重量%トリクロルトリフロロエタン(以
下フレオンを称する)溶液を回転塗布法により50λ厚
に塗布して潤滑層を形成し磁気ディスクを作った。
なる酸化層の上に次の構造のパーフロロアルキルポリエ
ーテルの0.1重量%トリクロルトリフロロエタン(以
下フレオンを称する)溶液を回転塗布法により50λ厚
に塗布して潤滑層を形成し磁気ディスクを作った。
H,C00CCF、−0÷C2F4吻千CF2O古CF
。
。
C00CR。
実施例8
実施例2と同様にして但しCrおよびCOの酸化物から
なる酸化層の上に次の構造のパーフロロアルキルポリエ
ーテルの0.5重量%フレオン溶液を回転塗布法により
Zoo^厚に塗布して潤滑層を形成し磁気ディスクを作
った。
なる酸化層の上に次の構造のパーフロロアルキルポリエ
ーテルの0.5重量%フレオン溶液を回転塗布法により
Zoo^厚に塗布して潤滑層を形成し磁気ディスクを作
った。
Fs CO+Ct F4−0士世CF、O±。CF。
実施例9
実施例4と同様にして但しReおよびCO詔よびNiの
酸化物からなる酸化層の上に次の構造のパ−フロロアル
キルポリエーテルの0.3重量%フレオン溶液を回転塗
布法により30^厚に塗布して潤滑層を形成し磁気ディ
スクを作った。
酸化物からなる酸化層の上に次の構造のパ−フロロアル
キルポリエーテルの0.3重量%フレオン溶液を回転塗
布法により30^厚に塗布して潤滑層を形成し磁気ディ
スクを作った。
HOCHz CFt −O+Cz F4−0 ++CF
t O÷7CF、CHIOH 実施例10 実施例5と同様にして但しReおよびCOkよびNiの
酸化物からなる酸化層の上に次の構造のシリコーンオイ
ルの0.1重量%)ルエン溶液を回転塗布法によりIO
A厚に塗布して潤滑層を形成し磁気ディスクを作った。
t O÷7CF、CHIOH 実施例10 実施例5と同様にして但しReおよびCOkよびNiの
酸化物からなる酸化層の上に次の構造のシリコーンオイ
ルの0.1重量%)ルエン溶液を回転塗布法によりIO
A厚に塗布して潤滑層を形成し磁気ディスクを作った。
比較例1
実施例1と同様にして但し下地体の上に磁性媒体2とし
てco−p合金を無電解めっき法により0.2μm厚に
被覆し、特公昭49−29445に開示されたものと同
様な方法で該磁性媒体表面にCo酸化物からなる保護層
を形成させ、磁気ディスクを作った。
てco−p合金を無電解めっき法により0.2μm厚に
被覆し、特公昭49−29445に開示されたものと同
様な方法で該磁性媒体表面にCo酸化物からなる保護層
を形成させ、磁気ディスクを作った。
比較例2
比較例1と同様にして但しCOP合金による磁性媒体2
の上に特公昭42−20025に開示されたものと同様
な方法で該磁性媒体表面にCo酸化物からなる保護層を
形成させ、磁気ディスクを作った。
の上に特公昭42−20025に開示されたものと同様
な方法で該磁性媒体表面にCo酸化物からなる保護層を
形成させ、磁気ディスクを作った。
(発明の効果)
実施例1〜10及び比較例1.2で示した磁気ディスク
を用いて荷重15fのA40.・TiC製コアを有する
ヘッドスライダを用いて多数回のコンタクト・スタート
・ストップ(C8S)の繰り返し摩耗試験を行ない傷が
生じた回数を次表に示す。
を用いて荷重15fのA40.・TiC製コアを有する
ヘッドスライダを用いて多数回のコンタクト・スタート
・ストップ(C8S)の繰り返し摩耗試験を行ない傷が
生じた回数を次表に示す。
また相対湿度98 %、温度90℃において10日間環
境試験を行ない、エラーの増加率を調べた上記の結果よ
り実施例1〜lOのCr又はReを含む磁性媒体上にC
r又は’Reの酸化物を含む酸化層が形成されたまたは
該酸化層の上に潤滑層が被覆された磁気ディスクは比較
例1または2のコバルト酸化物からなる保護膜を有する
磁気ディスクに比べ飛躍的に耐久性と耐食性が向上する
ことが分る。
境試験を行ない、エラーの増加率を調べた上記の結果よ
り実施例1〜lOのCr又はReを含む磁性媒体上にC
r又は’Reの酸化物を含む酸化層が形成されたまたは
該酸化層の上に潤滑層が被覆された磁気ディスクは比較
例1または2のコバルト酸化物からなる保護膜を有する
磁気ディスクに比べ飛躍的に耐久性と耐食性が向上する
ことが分る。
以上の様に実施例1〜10で示した磁気ディスクは磁気
ディスク装置の信頼性を飛躍的に向上出来ることが分っ
た。
ディスク装置の信頼性を飛躍的に向上出来ることが分っ
た。
、なお本発明の実施例では磁気ディスクについて述べた
がフロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも本
発明が有効であることは明らかである。
がフロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも本
発明が有効であることは明らかである。
第1図及び第2図は本発明を示す部分断面図である。図
において 1・・・下地体、2−a性媒体、3−・・酸化層、4・
・・潤滑層。 潤滑層 下地体 下地体
において 1・・・下地体、2−a性媒体、3−・・酸化層、4・
・・潤滑層。 潤滑層 下地体 下地体
Claims (4)
- (1)下地体上にCr又はReを含む合金からなる磁性
媒体が被覆され、該媒体の表面に100Å以下のクロム
酸化物又はレニウム酸化物を含む酸化層が形成された構
造を有することを特徴とする磁気記憶体。 - (2)下地体の上にRe又はCrを含む合金からなる磁
性媒体が被覆され、該媒体の表面に100Å以下のクロ
ム酸化物又はレニウム酸化物を含む酸化層が形成され、
該酸化層の上に潤滑剤が被覆されてなる構造を有するこ
とを特徴とする磁気記憶体。 - (3)下地体の上にCr又はReを含む磁性媒体を被覆
し、酸素イオンを含むプラズマ中でその表面を酸化する
ことを特徴とする磁気記憶体の製造方法。 - (4)下地体の上にCr又はReを含む磁性媒体を被覆
し、酸素を有する雰囲気中で焼成することによりその表
面を酸化することを特徴とする磁気記憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21987084A JPS6199925A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21987084A JPS6199925A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6199925A true JPS6199925A (ja) | 1986-05-19 |
Family
ID=16742345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21987084A Pending JPS6199925A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6199925A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1132499A2 (en) * | 2000-03-07 | 2001-09-12 | Ebara Corporation | Alloy coating, method for forming the same, and member for high temperature apparatuses |
CN112226661A (zh) * | 2020-10-16 | 2021-01-15 | 内蒙金属材料研究所 | 一种耐烧蚀钼合金及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5633810A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Sony Corp | Preparation of magnetic recording medium |
JPS57167133A (en) * | 1981-04-08 | 1982-10-14 | Hitachi Maxell Ltd | Production for magnetic recording medium |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP21987084A patent/JPS6199925A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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