JPS6199916A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS6199916A JPS6199916A JP21993684A JP21993684A JPS6199916A JP S6199916 A JPS6199916 A JP S6199916A JP 21993684 A JP21993684 A JP 21993684A JP 21993684 A JP21993684 A JP 21993684A JP S6199916 A JPS6199916 A JP S6199916A
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- JP
- Japan
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- etching
- sio2
- substrate
- film
- thin film
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特にその絶
縁層の形成及びパターン化に関するものである。
縁層の形成及びパターン化に関するものである。
（ロ）従来の技術
例えば、第２図は２ターンと１ターンの導体層を積層し
た３ターンのコイル部をもつ薄膜磁気ヘッドを示し、斯
る薄膜磁気ヘッドは以下の工程を経て作製される。即ち
、フェライト等の軟磁性材よりなる下部コア用としての
基板（１）（或いは、下部コア用としての磁性層が形成
された非磁性材よりなる基板）上に第１絶縁層（２）（
例えば、８ｉ０２）を形成する工程→第１導体１％１（
３）（例えば、上下に接着層として厚さ１ｘｆのＴｉを
有するＣｕ ）を形成する工程→第２絶縁＊＋＋ｉ（例
えば、５ｉｎｓ）成する工程→第゛３絶縁層（６）（例
えば、８ｉ０りを形成する工程→上下コア接続用スルー
ホール（７）を形成する工程→ギャップ形成用の第４絶
縁層（８）を形成する工程→上部コア用としての磁性層
（９）を形成する工程等を経て作製される。ここで、各
層は蒸着、スパッタ等の既成の薄膜形成技術を用いて形
成し、またそのパターン化は既成の写真蝕刻技術を用い
て必要部分をレジストで覆り、プラズマ、イオンビーム
及び腐食溶液を用いて不要部分を除去することによって
行なう。尚、図中０ｅは第１、第２導体層＜３１ （５
）の接続用スルーホールである。
た３ターンのコイル部をもつ薄膜磁気ヘッドを示し、斯
る薄膜磁気ヘッドは以下の工程を経て作製される。即ち
、フェライト等の軟磁性材よりなる下部コア用としての
基板（１）（或いは、下部コア用としての磁性層が形成
された非磁性材よりなる基板）上に第１絶縁層（２）（
例えば、８ｉ０２）を形成する工程→第１導体１％１（
３）（例えば、上下に接着層として厚さ１ｘｆのＴｉを
有するＣｕ ）を形成する工程→第２絶縁＊＋＋ｉ（例
えば、５ｉｎｓ）成する工程→第゛３絶縁層（６）（例
えば、８ｉ０りを形成する工程→上下コア接続用スルー
ホール（７）を形成する工程→ギャップ形成用の第４絶
縁層（８）を形成する工程→上部コア用としての磁性層
（９）を形成する工程等を経て作製される。ここで、各
層は蒸着、スパッタ等の既成の薄膜形成技術を用いて形
成し、またそのパターン化は既成の写真蝕刻技術を用い
て必要部分をレジストで覆り、プラズマ、イオンビーム
及び腐食溶液を用いて不要部分を除去することによって
行なう。尚、図中０ｅは第１、第２導体層＜３１ （５
）の接続用スルーホールである。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
上記した薄膜磁気ヘッドの作製工程中で、上下コア接続
用スルーホールの形成工程ではそれまでの工程でその上
下コア接続用スルーホール部分に積層された絶縁層をエ
ツチングするわけでめるが、Ｓ ｉＱ、を絶縁層として
用いた場合には一般的にＣＦ４ガスを用いたプラズマ・
エツチング法や沸酸を用いたウェット・エツチング法が
用いられている。しかし、この様なエツチング方法は単
層或いは２層程度の積層をした比較的薄い８ｉ０．膜に
対しては有効であるが、更に多数の積層を行った８ ｉ
ｏ、膜に対しては次の様なエツチング不良が生じていた
。即ち、第３図のものはフェライト基板上に膜厚１声ｍ
ｏ８ｉ０．層をスパッタ法にて４層積層したものをＣＦ
、ガスを用いたプラズマ・エツチング法によ）パターン
化したものであるが、そのエツチングは約３．５ ）ｔ
ｍの部分でストップしており基板表面には約α５声ｍの
Ｓｉｎ、の凹凸が生じている。同様に、沸酸を用いたウ
ェット・エツチングにおいてもその基板表面の凹凸はや
や小さくなるが、そのエツチングは途中でストップする
。
用スルーホールの形成工程ではそれまでの工程でその上
下コア接続用スルーホール部分に積層された絶縁層をエ
ツチングするわけでめるが、Ｓ ｉＱ、を絶縁層として
用いた場合には一般的にＣＦ４ガスを用いたプラズマ・
エツチング法や沸酸を用いたウェット・エツチング法が
用いられている。しかし、この様なエツチング方法は単
層或いは２層程度の積層をした比較的薄い８ｉ０．膜に
対しては有効であるが、更に多数の積層を行った８ ｉ
ｏ、膜に対しては次の様なエツチング不良が生じていた
。即ち、第３図のものはフェライト基板上に膜厚１声ｍ
ｏ８ｉ０．層をスパッタ法にて４層積層したものをＣＦ
、ガスを用いたプラズマ・エツチング法によ）パターン
化したものであるが、そのエツチングは約３．５ ）ｔ
ｍの部分でストップしており基板表面には約α５声ｍの
Ｓｉｎ、の凹凸が生じている。同様に、沸酸を用いたウ
ェット・エツチングにおいてもその基板表面の凹凸はや
や小さくなるが、そのエツチングは途中でストップする
。
この様な現象は、下部コア用としての基板と上部コア用
としての磁性層との後端部における磁気的結合、前端部
におけるギャップ突き合わせ而の平行度が要求される薄
膜磁気ヘッドにおｈて非常に不都合である。
としての磁性層との後端部における磁気的結合、前端部
におけるギャップ突き合わせ而の平行度が要求される薄
膜磁気ヘッドにおｈて非常に不都合である。
に）問題点を解決するための手段
本発明は上記した問題点を解決するために、基板上に絶
縁層、導体層、上部コア用の磁性層等を積層して薄膜磁
気ヘッドパターンを形成する工程において、その絶縁層
をＳｉＯ２膜とし、その形成時の基板表面温度を３００
℃以下としたものである。
縁層、導体層、上部コア用の磁性層等を積層して薄膜磁
気ヘッドパターンを形成する工程において、その絶縁層
をＳｉＯ２膜とし、その形成時の基板表面温度を３００
℃以下としたものである。
（ホ）作 用
上記した様に本発明薄膜磁気ヘッドでは、５ｉＯ１の絶
縁層形成時の基板表面温度を３００℃以下として、その
後の上下コア接続用スルーホール形成時のＳｉＯ□エツ
チングを良好に行なわせるよ゛うにしたものである。
縁層形成時の基板表面温度を３００℃以下として、その
後の上下コア接続用スルーホール形成時のＳｉＯ□エツ
チングを良好に行なわせるよ゛うにしたものである。
（へ）実 施 例
以下、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明
する。
する。
即ち、上記した様な薄膜磁気ヘッドの作製工程中に積層
形成される８１０２の各絶縁層は強い付着強度を得るた
め一般に高温下で行なわれ、例えばスパッタ法にて形成
する場合には基板温度を３００℃程度にするのが一般的
であるが、この場合基板表面ではターゲットからの放射
熱或いは高エネルギー原子の入射等により更に５０℃程
度の昇温かあるため、実際には約５５０℃程度の高温下
で５ｉＱ２が形成されている。
形成される８１０２の各絶縁層は強い付着強度を得るた
め一般に高温下で行なわれ、例えばスパッタ法にて形成
する場合には基板温度を３００℃程度にするのが一般的
であるが、この場合基板表面ではターゲットからの放射
熱或いは高エネルギー原子の入射等により更に５０℃程
度の昇温かあるため、実際には約５５０℃程度の高温下
で５ｉＱ２が形成されている。
そのため、本発明者は実験的に３００℃の基板温度で５
ｉｙｘ膜を形成した後真空中４００℃で熱処理を行ない
更に５１０２膜を積層したものをエツチングしたところ
、エツチングのストップ度合は極めて強く熱処理を施し
たＳｉＯ！膜の表面でエツチングはストップし、凹凸も
殆んど生じないことが判明した。このことから、エツチ
ングをストップさせるＳｉＯ□膜質を変化させる一要因
として高温状態での放置が予想される。そこで、本発明
者は更に実験を重ねＳｔｏｗ膜形成時の基板温度を２５
０℃（即ち、基板表面温度は３００℃）とし膜厚１メｍ
のＳｔ、、膜をスパッタ法にて４層積層したものを従来
と同様のエツチング法によシバターン化したところ、第
１図に示す如くフェライト表面が露出しその表面凹凸も
８ｉ０．膜形成前の基板表面粗度と略同様１ｏｏＸ以内
になった。また、基板温度を２８０℃（即ち、基板表面
温度は３３０℃）とした同様の実験では第３図の如き強
いエツチング障害は見られないが、やはυ部分的にエツ
チング残りがあり凹凸を生じている。
ｉｙｘ膜を形成した後真空中４００℃で熱処理を行ない
更に５１０２膜を積層したものをエツチングしたところ
、エツチングのストップ度合は極めて強く熱処理を施し
たＳｉＯ！膜の表面でエツチングはストップし、凹凸も
殆んど生じないことが判明した。このことから、エツチ
ングをストップさせるＳｉＯ□膜質を変化させる一要因
として高温状態での放置が予想される。そこで、本発明
者は更に実験を重ねＳｔｏｗ膜形成時の基板温度を２５
０℃（即ち、基板表面温度は３００℃）とし膜厚１メｍ
のＳｔ、、膜をスパッタ法にて４層積層したものを従来
と同様のエツチング法によシバターン化したところ、第
１図に示す如くフェライト表面が露出しその表面凹凸も
８ｉ０．膜形成前の基板表面粗度と略同様１ｏｏＸ以内
になった。また、基板温度を２８０℃（即ち、基板表面
温度は３３０℃）とした同様の実験では第３図の如き強
いエツチング障害は見られないが、やはυ部分的にエツ
チング残りがあり凹凸を生じている。
このことから、基板表面温度を３００℃以下としてＳｉ
ｎ、膜を形成すれば、斯るＳｉＯｘ膜を多数積層しても
単層或いは２層程度の積層を行なった比較的薄い８ｉＱ
１膜のエツチング時と同様、エツチング残りを生じるこ
となく完全なエツチングを行なうことが出来る。
ｎ、膜を形成すれば、斯るＳｉＯｘ膜を多数積層しても
単層或いは２層程度の積層を行なった比較的薄い８ｉＱ
１膜のエツチング時と同様、エツチング残りを生じるこ
となく完全なエツチングを行なうことが出来る。
尚、この様に基板温度を２５０℃として絶縁層用のＳｔ
ｏｗ膜を形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、所定の薄膜
工程並びにダイヤモンド・ブレードを使用した切断工程
等を行なったが、膜はがれ等の不良は生じていない。
ｏｗ膜を形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、所定の薄膜
工程並びにダイヤモンド・ブレードを使用した切断工程
等を行なったが、膜はがれ等の不良は生じていない。
（ト）発明の効果
上述した如く本発明に依れば、絶縁層としてのＳ ｓ
Ｏｘ Ｉｌｌ形成時の基板表面温度を３００℃以下に抑
えているので、斯るｓｌｏ、Ｉｌを多数積層しても完全
なエツチングを行なうことが出来、下部コア用としての
基板と上部コア用としての磁性層との後端部における良
好な磁気的結合と、前端部における平行なギャップ突き
合わせ面を得ることが出来る。
Ｏｘ Ｉｌｌ形成時の基板表面温度を３００℃以下に抑
えているので、斯るｓｌｏ、Ｉｌを多数積層しても完全
なエツチングを行なうことが出来、下部コア用としての
基板と上部コア用としての磁性層との後端部における良
好な磁気的結合と、前端部における平行なギャップ突き
合わせ面を得ることが出来る。
第１図は本発明方法によシ形成した５ｉＱ１膜のエツチ
ング完了状態を示す図、第２図（ａ）（ｂ）は一般的な
薄膜磁気ヘッドの平面図及びＸ−に断面図、第５図は従
来方法により形成したｓ ｉｏ、膜のエツチング完了状
態を示す図である。 （１）・・・基板、＋２１ （４）（６）（８１・・・
ＩＪｌ、第２．第５、第４絶縁層、＋３）＋５１・・・
第１、第２導体層、（９）・・・磁性層。
ング完了状態を示す図、第２図（ａ）（ｂ）は一般的な
薄膜磁気ヘッドの平面図及びＸ−に断面図、第５図は従
来方法により形成したｓ ｉｏ、膜のエツチング完了状
態を示す図である。 （１）・・・基板、＋２１ （４）（６）（８１・・・
ＩＪｌ、第２．第５、第４絶縁層、＋３）＋５１・・・
第１、第２導体層、（９）・・・磁性層。
Claims (1)
- （１）基板上に絶縁層、導体層、上部コア用の磁性層等
を積層して薄膜磁気ヘッドパターンを形成する工程にお
いて、その絶縁層をＳｉＯ＿２膜とし、その形成時の基
板表面温度を３００℃以下とした事を特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21993684A JPS6199916A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21993684A JPS6199916A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199916A true JPS6199916A (ja) | 1986-05-19 |
Family
ID=16743341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21993684A Pending JPS6199916A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6199916A (ja) |
-
1984
- 1984-10-18 JP JP21993684A patent/JPS6199916A/ja active Pending
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