JPS6198787A - 放射線像変換方法およびその方法に用いられる放射線像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明は、放射線像変換方法およびその方法に用いられ
る放射線像変換パネルに関するものである。さらに詳し
くは、本発明は、輝尽性のビスマス賦活希土類タンタル
酸塩もしくはニオブ酸塩系蛍光体を使用する放射線像変
換方法、およびその方法に用いられる放射線像変換パネ
ルに関するものである。

［発明の技術的背景］ 従来、放射線像を画像として？’）る方法として、銀塩
感光材料からなる乳剤層を有する放射線写真フィルムと
増感紙（増感スクリーン）との組合わせを使用する、い
わゆる放射線写真法が利用されている。上記従来の放射
線写真法にかわる方法の一つとして、たとえば、特開昭
５５−１２１４５号公報等に記載されているような輝尽
性蛍光体を利用する放射線像変換方法が知られている。

この方法は、被写体を透過した放射線、あるいは被検体
から発せられた放射線を輝尽性蛍光体に吸収させ、その
のちにこの蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波（励
起光）で時系列的に励起することにより、蛍光体中に蓄
積されている放射線エネルギーを蛍光（輝尽発光）とし
て放出ζせ、この蛍光を光電的に読取って電気信号を得
、この電気信号−を画像化するものである。

」二記放射線像変換方法によれば、従来の放射線写真法
を利用した場合に比較して、はるかに少ない被曝線量で
情報量の豊富なＸ線画像を得ることができるという利点
がある。従って、この放射線像変換方法は、特に医８２
診断を目的とするＸ線撮影などの直接医療用放射線撮影
において利用価値か非常に高いものである。

１−記の放射線像変換方法においては、Ｘ線などの放射
線を照射したのち可視乃至赤外領域の電磁波の励起によ
り発光（輝尽発光）を示す輝尽性蛍光体が用いられる。

そのような輝尽性蛍光体上しては、従来より、二価ユー
ロピウム賦活アルカリ−１−類金属弗化ハロゲン化物蛍
光体（Ｍ”ＦＸ：Ｅ　ｕ２＋　、ただし、ＭｌｌはＭｇ
、ＣａおよびＢａからなる群より遭ばれる少なくとも一
種のアルカリ土類金属であり、Ｘは０文、ＢｒおよびＩ
からなる群より選ばれる少なくとも一種の）＼ロゲンで
ある）、ユーロピウムおよびサマリウム賦活硫化ストロ
ンチウム蛍光体（ＳｒＳ：Ｅｕ、Ｓｍ）；−Ｌ−ロピウ
ムおよびサマリウム賦活オキシ硫化ランタン蛍光体（Ｌ
　ａ　２０２Ｓ：　Ｅ　ｕ　、　Ｓ　ｍ　）　　；　ユ
ーロピウム賦活酸化アルミニウムバリウム蛍光体（Ｂａ
Ｏ＠ＡＭ２０３　：Ｅｕ）；ニーｏピウム賦活アルカリ
土類金属ケイ酸塩蛍光体（Ｍ２＋Ｏ・５ｉ０２：Ｅｕ；
ただし、Ｍ２＋はＭｇ、Ｃａ５よびＢａからなる群より
選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属である）：
セリウム賦活焉土類オキシハロケン化物蛍光体（ＬｎＯ
Ｘ：Ｃｅ；ただし、ＬｎはＬａ、Ｙ、ＧｄおよびＬｕか
らなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素であ
り、ＸはＣｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少
なくとも一種の／＼ロゲンである）などが知られている
。

［発明の要旨］ 本発明は、新規な輝尽性イ１２光体を使用する放射線像
変換方法およびその方法に用いられる放射線像変換パネ
ルを提供することを目的とするものである。

木発明者は、輝尽性蛍光体の探索を行なってきたがその
結果、新たに下記組成式（Ｉ）で表わされるビスマスに
より賦活された希土類のタンタル酎ｊｉ：もしくはこオ
ブ酊塩系ｊ１光体が輝尽発光を示すことを見出し、本発
明に到達したものである。

すなわち１本発明の放射線像変換方法は、被写体を透過
した、あるいは被検体から発せられた放射線を、下記組
成式（Ｉ）で表わされるビスマス賦活６土類タンタル醒
塩もしくはニオブ＃環系蛍光体に吸収させたのち、この
蛍光体に４５０〜８００ｎｍの波長領域のＴＬ＆ｉ波を
照射することにより１．ｙ、、−１光体に蓄積されてい
る放射線エネルギーをヱ゛光として放出させ、そしてこ
の蛍光を検出することを特徴とする。

組成式（Ｉ）： Ｌ　ｎ　Ｔ　ａ　１−　ｚ　Ｎ　ｂ　Ｘ　Ｏａ　：　Ｖ
　Ｂ　ｉ　　　　（Ｉ　）（ただし、ＬｎはＹ、Ｌａ、
ＧｄおよびＬｕからなる群より選ばれる少なくとも一種
の希土類元素であり；そしてＸは０≦ｘ≦１．０の範囲
の数値であり、ｙは１０１≦ｙ≦１０〜１の範囲の数値
である） また、本発明の放射線像変換パネルは、支持体上、この
支持体上に設けられた輝尽性蛍光体を分散状Ｅで含有支
持する結合剤からなる蛍光体層とから実質的に構成され
ており、該蛍光体層が、上記組成式（Ｉ）で表わされる
ビスマス賦活希土類タンタル酸塩もしくは、ニオブ酸塩
系蛍光体を含有することを特徴とする。

従来より、ビスマス賦活希土類タンタル酸塩（Ｌ　ｎＴ
ａｏ、：　Ｅ　ｉ）およびどスマス賦活希土類ニオブ酸
塩（Ｌ　ｎＮ　ｂｏａ　：　Ｂ　ｉ）は、紫外線および
電子線などの放射線で励起すると可視債誠に瞬時発光を
示す蛍光体であることが知られてい木発明者の検討によ
れば、上記組成式（Ｉ）で表わされる集光体は、Ｘ線な
どの放射線を照射したのも４５０〜８０　Ｑ　ｎｍの波
長領域の電磁波で励起したときに蛍光を示すことが新た
に見出された。すなわち、この蛍光体は輝尽性を示す蛍
光体であり、上記の条件下で輝尽発光を示すことから放
射線像変換方法に使用することができるものである。

［発明の構成］ 第１図は、本発明の放射線像変換方法に用いられるビス
マス賦活希土類タンタル酸塩もしくはニオブ酸塩系蛍光
体の具体例であるビスマス賦活タンタル酸ガドリニウム
（Ｇ　ｄ　Ｔ　ａ　Ｏａ　：０．００１Ｂｉ”）蛍光体
の輝尽励起スペクトルである。

第１ＶＪから明らかなように、本発明に用いられるＧ　
ｄ　Ｔ　ａ　Ｏａ　：０．００１Ｂ　ｉ　”蛍光体は、
放射線の【；ｑ射後４５０〜８００ｎｍの波長領域の電
磁波で励起すると輝尽発光を示す、特に、４６０〜６５
０ｎｍの波長領域の電磁波で励起した場合に高輝度の輝
尽発光を示す９本発明の放射線像変換方法において、励
起光として用いられる電磁波の波長を４５０〜８００ｎ
ｍと規定したのは、このような事実に基づいてである。

また第２図は１本発明の放射線像変換方法に用いられる
ビスマス賦活６土類タンタル醒塩もしくはニオブ酸塩系
蛍光体の具体例であるＧｄＴａ０　ａ　：０．０ＯＩＢ
　ｉ　３＋蛍光体（実ｙｉ）およびＧｄＴａ０　ａ　：
　０．ＯＩＢ　ｉ　”蛍光体（点線）の輝尽発光スペク
トルである。

第２図から明らかなように、本発明に用いられるＧ　ｄ
　Ｔ　ａ　Ｏａ　：　Ｂ　ｉ　３＋蛍光体は青色領域に
輝尽発光を示す。

以上特定の蛍光体を例にとり、本発明に用いられるビス
マス賦活希土類タンタルＩ！’１！もしくはニオブ酸塩
系蛍光体の輝尽発光特性について説Ｅ月したが１本発明
に用いられるその他の蛍光体についてもその輝尽発光特
性は上記の蛍光体の輝尽発光特性と類似しており、放射
線の照射後４５０〜８００ｎｍの波長領域の電磁波で励
起すると青色領域に輝尽発光を示すことが確認されてい
る。

本発明の放射線像変換方法において、上記組成式（Ｉ）
で表わされるビスマス賦活希土類タンタル酸塩もしくは
ニオブ酸塩系蛍光体は、それを含有する放射線像変換パ
ネル（蓄積性蛍光体シートともいう）の形態で用いるの
が好ましい。

放射線像変換パネルは、基本構造として、支持体上、そ
の片面に設けられた少なくとも一層の蛍光体層とからな
るものである。蛍光体層は、ＩＥｇ尽性蛍光体上この輝
尽性蛍光体を分散状態で含有支持する結合剤からなる。

なお、この蛍光体層の支持体上は反対側の表面（支持体
に面していない側の表面）には一般に、透明な保護膜が
設けられていて　蛍光体層を化学的な変質あるいは物理
的な衝撃から保護している。

すなわち、本発明の放射線像変換方法は、前記の組成式
（ｉで表わされるビスマス賦活希土類タンタル酸塩もし
くはニオブ酸塩系蛍光体からなる蛍光体層を有する放射
線像変換パネルを用いて実施するのが望ましい。

組成式（Ｉ）で表わされる輝尽性蛍光体を放射線像変換
パネルの形態で用いる未発１ｕｌｌの放射線像変換方法
においては、被写体を透過した。あるいは被検体から発
せられた放射線は、放射線像変換パネルの蛍光体層に吸
収され、放射線像変換パネル上には被写体あるいは被検
体の放射線像が放射線エネルギーの蓄積像として形成さ
れる。この蓄積像は、４５０〜８００ｎｍの波長領域の
電磁波（励起光）で励起することにより、輝尽発光（蛍
光）として放射させることができ、この輝尽発光を光電
的に読み取って電気信号にｆ換することにより、放射線
エネルギーの蓄積像を画像化することが可能となる。

本発明の放射線像変換方法を、組成式（Ｉ）で表わされ
る輝尽性蛍光体を放射線像変換パネルの形態で用いる態
様を例にとり、第６図に示す概略図を用いて具体的に説
明する。

第６図において、１１はＸ線などの放射線発生装置、１
２は被写体、１３は上記組成式（Ｉ）で表わされる輝尽
性蛍光体を含イｉする放射線像変換パネル、１４は放射
線像変換パネル１３上の放射線エネルギーの蓄積像を蛍
光として放射させるための励起源としての光源、１５は
放射線像変換パ不ルエ３より放射された蛍光を検出する
光電変換装置、１６は光電変換装置１５で検出された光
電変換装置を画像として再生する装置、１７は再生され
た画像を表示する装置、そして、１８は光源１４からの
反射光を透過させないで放射線像変換パネル１３より放
射された蛍光のみを透過させるためのフィルターである
。

なお、第６図は被写体の放射線透過像を得る場合の例を
示しているが、被写体１２目体が放射線を発するもの（
本明細書においてはこれを被検体上いう）である場合に
は、上記の放射線発生装置１１は特に設置する必要はな
い、また、光電変換装Ｂ、　１５〜画像表示装置１７ま
では、放射線像変換パネル１３から蛍光として放射され
る情報を何らかの形で画像として再生できる他の適当な
装置に変えることもできる。

第６Ｕ；４に示されるように、被写体１２に放射線発生
装置１１からＸ線などの放射線を照射すると、その放射
線は被写体１２をその各部の放射線透過率に比例して透
過する。被写体１２を透過した放射線は、次に放射線像
変換パネル１３にス射し、その放射線の強弱に比例して
放射線像ｆ換パネル１３の蛍光体層に吸収される。すな
わち、放射線像変換パネル１３上には放射線透過像に相
当する放射線エネルギーの蓄積像（−耳のＷＩ像）が形
成される。

次に、放射線像変換パネル１３に光源１４を用いて４５
０〜８００ｎｍの波長領域の電磁波を照射すると、放射
１１ａ、像変換パネル１３に形成された放射線エネルギ
ーのａ７積像は、蛍光として放射される。この放射され
る蛍光は、放射線像変換パネル１３の蛍光体層に吸収さ
れた放射線エネルギーの強弱に比例している。この蛍光
の強弱で構成される光信号を、たとえば、光電子増倍管
などの光電変換ＪＡ；１７１５で電気信号に変換し１画
像再生装置１６によって画像として再生し、画像表示装
置１７によってこの画像を表示する。

放射線像変換パネルに蓄積された画像情報を蛍光として
読み出す操作は、一般にレーザー光でパネルを時系列的
に走査し、この走査によってパネルから放射される蛍光
を適当な集光体を介して光電子増倍管等の光検出器で検
出し、時系列電気信号を得ることによって行なわれる。

この読出しは観察読影性能のより優れた画像を得るため
に、低エネルギーの励起光の照射による先読み操作と高
エネルギーの励起光の照射による本読み操作とから構成
されていてもよい（特開昭５８−６７２４０号公報参照
）、この先読み操作を行なうことにより本読み操作にお
ける読出し条件を好適に設定することができるとの利点
がある。

また、たとえば光電変換装置として光導電体およびフォ
トダイオードなどの固体光電変換素子を用いることもで
きる（特願昭５８−８６２２６号、特願昭５８−８６２
２７号、特願昭５８−２１９３１３号および特願昭５８
−２１９３１４号の各明則書、および特開昭５８−１２
１８７４号公報参照）。この場合には、多数の固体光電
変換素子がパネル全表面を覆うように構成され、パネル
と一体化されていてもよいし、あるいはパネルに近接し
た状態で配置されていてもよい、また、光電変換装置は
複数の光電変換素子が線状に連なったラインセンサであ
ってもよいし、あるいは一画素に対応する一個の固体光
電変換素子から構成されていてもよい。

上記の場合の光源としては、レーザー等のような点光源
のほかに、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザー
等を列状に連ねてなるアレイなどの線光源であってもよ
い、このような装ごを用いて読出しを行なうことにより
、パネルから放出される蛍光の損失を防ぐと同時に受光
立体角を大きくしてＳ／Ｎ比を高めることができる。ま
た、得られる電気信号は励起光の時系列的な照射によっ
てではなく、光検出器の電気的な処理によって時系列化
されるために、読出し速度を速くすることが可能である
。

画像情報の読出しが行なわれた放射線像変換パネルに対
しては、蛍光体の励起光の波長領域の光を照射すること
により、あるいは加熱することにより、残存している放
射線エネルギーの消去を行なってもよく、そうするのが
好ましい（特開昭５６−１１３９２号および特開昭５６
−１２５９９号公報参照）、この消去操作を行なうこと
により、次にこのパネルを使用した時の残像によるノイ
ズの発生を防止することができる。さらに、読出し後と
次の使用直前の二度に渡って消去操作を行なうことによ
り、自然放射能などによるノイズの発生を防いで更に効
率良く消去を行なうこともできる（４￥開昭５７−１１
６３００号公報参照）。

本発明の放射線像変換方法において、被写体の放射線透
過像を得る場合に用いられる放射線としては、上記蛍光
体がこの放射線の照射を受けたのち」−足型磁波で励起
された時において輝尽発光を示しうるちのであればいか
なる放射線であってもよく、例えばＸ線、電子線、紫外
線など一般に知られている放射線を用いることができる
。また、被検体の放射線像を得る場合において被検体か
ら直接発せられる放射線は、同様に上記蛍光体に吸収さ
れて輝尽発光のエネルギー源となるものであればいかな
る放射線であってもよく、その例としてはγ線、α線、
β線、中性子線などの放射線を挙げることができる。

被写体もしくは被検体からの放射線を吸収した蛍光体を
励起するための励起光の光源としては、４５０〜８００
ｎｍの波長領域にバンドスペクトル分布をもつ光を放射
する光源のほかに、たとえばＡｒイオンレーザ−、Ｋｒ
イオンレーザ−２Ｈｅ−Ｎｅレーザー、ルビー・レーザ
ー、半導体レーザー、ガラス・レーザー、ＹＡＧレーザ
−、色素レーザー等のレーザーおよび発光ダイオードな
どの光源を使用することもできる。なかでもレーザーは
、単位面積当りのエネルギー密度の高いレーザービーム
を放射線像変換パネルに照射することができるため、本
発明において用いる励起用光源として好ましい、それら
のうちでその安定性および出力などの点から、好ましい
レーザーはＨｅ−Ｎｅ１ｚ−ザー、Ａｒイオンレーザ−
およびＫｒイオンレーザ−である、また、半導体レーザ
−は小型であること、駆動電力が小さいこと、直接変調
が可能なのでレーザー出力の安定化が簡単にできること
、などの理由により励起用光源として好ましい。

また、消人に用いられる光源としては、輝尽性ｊｌ光休
体励起波長領域の光を放射するものであればよく、その
例としてはタングステンランプ、蛍光灯、ハロゲンラン
プ、高圧ナトリウムランプを挙げることができる。

／に′発明の放射線像変換方法は、輝尽性蛍光体に放射
線のエネルギーを吸収蓄積させる蓄積部、この蛍光体に
励起光を照射して放射線のエネルギーを蛍光として放出
させる光検出（読出し）部、および蛍光体中に残存する
エネルギーを放出させるための消去部を−°つの装置に
内蔵したビルトイン型の放射線像変換装置に適用するこ
ともできる（特願昭５７−８４４．３６号および特願昭
５８−６６７３０号明細書参照）、このようなビルトイ
ン型の装置を利用することにより、放射線像変換パネル
（または輝尽性蛍光体を含有してなる記録体）を循環再
使用することができ、安定した均質な画像を得ることが
できる。また、ビルトイン型とすることにより装置を小
型化、軽量化することができ、その設置、移動などが容
易になる。さらにこの装置を移動車に搭載することによ
り、巡回放射線撮影が可能となる。

次に、本発明の放射線像変換方法に用いられる放射線像
変換パネルについて説明する。

この放射線像変換パネルは、前述のように、実質的に支
持体上、この支持体上に設けられた前記組成式（Ｉ）で
表わされるビスマス賦活晶土類タンタル酸塩もしくはニ
オブ酸塩系蛍光体を分散状態で含有支持する結合剤から
なる蛍光体層とから構成される。

上記の構成を有する放射線像変換パネルは、たとえば、
次に述べるような方法により製造することができる。

まず、放射線像変換パネルに用いられる上記組成式（Ｉ
’）で表わされるビスマス賦活希土類タンタル酸塩もし
くはニオブ酸塩系蛍光体について説明する。

このビスマス賦活希土類タンタル酸塩もしくはニオブ酸
塩系蛍光体は、たとえば、次に記載するような製造法に
より製造することができる。

蛍光体原料として。

■）Ｙ２Ｏ２・、Ｌａ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３およびＬｕ２
Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類酸
化物、 ２）Ｔａ２０５およびＮｂ２Ｏ５からなる群より選ばれ
る少なくとも一種の酸化物、 ３）酸化物、ハロゲン化物などのビスマスの化合物から
なる群より選ばれる少なくとも一種の化合物、 を用いて、化学量論的に１組成式（Ｉ）　　二Ｌ　ｎ　
Ｔ　ａ　１−　Ｘ　Ｎ　ｂ　）ｃ　Ｏａ　：　’ｌ　Ｂ
　ｉ　　　　（Ｉ　）（ただし、ＬｎはＹ、Ｌａ、Ｇｄ
およびＬｕからなる群より選ばれる少なくとも一種の希
土類元素であり；そしてＸはＯ≦ｘ≦１４０の範囲の数
（Ｉ（であり、ｙは１０−”≦ｙ≦１０−１の範囲の数
値である） に対応する相対比となるように秤量混合して、蛍光体原
料の混合物を調製する。

次に、この蛍光体原料混合物を空気などの酸化性雰囲気
、あるいは窒素ガスなどの中性雰囲気中で、８００〜１
９００℃の範囲の温度で０．５〜２４時間焼成する。

上記焼成によって粉末状の蛍光体が得られる。

なお、硫酸リチウム、塩化リチウムなどのフラックスを
用いて８００〜１４００℃の温度で０．５〜２４時間焼
成を行なって充分にＢｉを拡散させたのち、フラックス
を水洗、乾燥して前記条件で焼成を行なってもよい、ま
た、得られた粉末状の蛍光体については、必要に応じて
さらに、洗顔、乾燥、ふるい分けなどの蛍光体の製造に
おける各種の一般的な操作を行なってもよい。

輝尽発光輝度の点から１組成式（Ｉ）で表わされるビス
マス賦活希土類タンタル耐塩もしくはニオブ酸塩系蛍光
体においてろ土類元素を表わすＬｎはＹおよびＧｄのう
ちの少なくとも一種であるのが好ましい、また、Ｎｂの
含有呈を表わすＸ１＋ｔｆは０≦ｘ≦０．５の範囲であ
るのが好ましく、特に好ましくはｘ＝Ｏ１すなわちタン
タル酸塩の場合である。同じく輝尽発光輝度の点から、
組成式（Ｉ）においてビス−マスの賦活量を表わすｙ値
は１０→≦ｙ≦ｌｏ４の範囲であるのが好ましい。

次に、蛍光体層の結合剤の例としては、ゼラチン等の蛋
白質、デキストラン等のポリサッカライド、またはアラ
ビアゴムのような天然高分子物質；および、ポリビニル
ブチラール、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチ
ルセルロース、塩化ビニリデンｅ塩化ビニルコポリマー
、ポリアルキル（メタ）アクリレート、塩化ビニル・酢
酸ビニルコポリマー、ポリウレタン、セルロースアセテ
ートブチレート、ポリビニルアルコール、線状ポリエス
テルなどような合成高分子物質などにより代表される結
合剤を挙げることができる。このような結合剤のなかで
特に好ましいものは、ニトロセルロース、線状ポリ二°
ステル、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ニトロセ
ルロースと線状ポリエステルとの混合物、およびニトロ
セルロースとポリアルキル（メタ）アクリレートとの混
合物である。

蛍光体層は、たとえば、次のような方法により支持体上
に形成することができる。

まず粒子状の輝尽性蛍光体上結合剤とを適当な溶剤に加
え、これを充分に混合して、結合剤溶液中にｊｉｌｔ尽
性蛍光性蛍光体に分散した塗布液を調製する。

塗布Ｒ１ｙＪ製用の溶剤の例としては、メタノール、エ
タ／−ル、ｎ−プロパツール、ｎ−ブタノ−／Ｌ／　ｇ
どの低級アルコール：メチレンクロライド、エチレンク
ロライドなどのに！１素原子含有炭化水素；アセトン、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケ
トン；酢酸メチル、＃酸エチル、酢酸ブチルなどの低級
脂肪酸と低級アルコールとのエステル；ジオキサン、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテルなどのエーテル：そして、それ
らの混合物を挙げることができる。

塗布液における結合剤と輝尽性蛍光体上の程合比は、目
的とする放射線像変換パネルの特性、蛍光体の種類など
によって異なるが、一般には結合剤と蛍光体上の混合比
は、ｌ：ｌ乃至１：１００（重量比）の範囲から選ばれ
、そして特に１：８乃全１：４０（ｆｉＱ比）の範囲か
ら選ぶのが好ましい。

なお、塗布液には、該塗布液中における蛍光体の分散性
を向上させるための分散剤、また、形成後の蛍光体層中
における結合剤と蛍光体上の間の結合力を向上させるた
めの可塑剤などの種々の添加剤が混合されていてもよい
、そのような目的に用いられる分散剤の例としては、フ
タル酸、ステアリン酸、カプロン酸、親油性界面活性剤
などを挙げることができる。そして可塑剤の例としては
、燐酸トリフェニル、燐酸トリクレジル、燐酸ジフェニ
ルなどの嬶酸エステル轡フタル酸ジエチル、フタル酩ジ
メトキシエチルなどのフタル酸エステル：グリコール酸
エチルフタリルエチル、グリコール准ブチルフタリルブ
チルなどのグリコール酸エステル；そして、トリエチレ
ノクリコールとアジピン酸とのポリエステル、ジエチレ
ングリコールとコハク酸とのポリエステルなどのポリエ
チレングリコールと脂肪族二塩基酸とのポリエステルな
どを挙げる−ことができる。

上記のようにして調製された蛍光体上結合剤とを含有す
る塗布液を、次に、支持体の表面に均一に塗布すること
により塗布液の塗膜を形成する。

この塗布操作は１通常の塗布手段、たとえば、ドクター
ブレード、ロールコータ−、ナイフコーターなどを用い
ることにより行なうことができる。

支持体上しては、従来の放射線写真法における増感紙（
または増感スクリーン）の支持体上して用いられている
各種の材料、あるいは放射線像変換パネルの支持体上し
て公知の材料から任意に選ぶことができる。そのような
材料の例としては、セルロースアセテート、ポリエステ
ル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイ
ミド、トリアセテート、ポリカーボネートなどのプラス
チック物質のフィルム、アルミニウム箔、アルミニウム
合金箔などの金属シート、通常の紙、ノ曳ライタ紙、レ
ジンコート紙、二酸化チタンなどの顔料を含有するピグ
メント紙、ポリビニルアルコールなどをサイジンブレだ
紙などを挙げることができる。

ただし、放射線像変換パネルの情報記録材料としての特
性および取扱いなどを考慮した場合、本発明において特
に好ましい支持体の材料はプラスチ、クフィルムである
。このプラスチックフィルムにはカーボンブラックなど
の光吸収性物質が練り込まれていてもよく、あるいは二
酸化チタンなどの光反射性物質が練り込まれていてもよ
い、前者は高鮮鋭度タイプの放射線像変換パネルに適し
た支持体であり、後者は高感度タイプの放射線像変換パ
ネルに適した支持体である。

公知の放射線像変換パネルにおいて、支持体上蛍光体層
の結合を強化するため、あるいは放射線像変換パネルと
しての感度もしくは画ＩＡ（鮮鋭度１粒状性）を向上さ
せるために、蛍光体層が設けられる側の支持体表面にゼ
ラチンなどの高分子物質を塗布して接着性付与層とした
り、ある（ｒ）ｌ±二酸化チタンなどの光反射性物質か
らなる光反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸
収性物質からなる光吸収層などを設けること力く知られ
ている０本発明において用いられる支持体につしλても
、これらの各種の層を設けること力くできる。

さらに、特開昭５８−２００２００号公報に記載されて
いるように、得られる画像の鮮鋭度を向上させる目的で
、支持体の蛍光体層側の表面（支持体の蛍光体層側の表
面に接着性付与層、光反射層あるいは光吸収層などが設
けられてし＼るｊ結合には、その表面を意味する）には
微小の凹凸力く形成されていてもよい。

上記のようにして支持体上に塗膜を形成したのち塗膜を
乾燥して、支持体上への輝尽性蛍光体層の形成を完了す
る。蛍光体層の層厚は、目的とする放射線像変換パネル
の特性、蛍光体の種類、＃４〜合剤と蛍光体上の混合比
などによって異なる力く。

通常は２０ｐｍ乃至ｉｎｍとする。ただし、この層厚は
５０乃至５００　ｐｍとするのが好ましｌ、％。

また、ＦＴ尽性蛍光体層は、必ずしも上記のように支持
体上に塗布液を直接塗布して形成する必要はなく、たと
えば、別に、ガラス板、金属板、プラスチックソートな
どのシート上に塗布液を塗！σし乾燥することにより蛍
光体層を形成したのち、これを、支持体上に押圧するか
、あるいは接着剤を用いるなどして支持体上蛍光体層と
を接合してもよい。

輝尽性蛍光体層は一層だけでもよいが、二層以上を重層
してもよい０重層する場合にはそのうちの少なくとも一
層が組成式（Ｉ）のビスマス賦活石土類タンタル酸塩も
しくはニオブ酸塩系蛍光体を含有する層であればよく、
パネルの表面に近い方に向って順次放射線に対する発光
効率が高くなるように複数の蛍光体層を重層した構成に
してもよい。また、単層および重層のいずれの場合も。

上記蛍光体上ともに公知の輝尽性蛍光体を併用すること
ができる。

そのような公知の輝尽性蛍光体の例としては、前述の蛍
光体のほかに、特開昭５５−１２１４２号公報に記載さ
れているＺｎＳ：Ｃｕ、Ｐｂ、ＢａＯ・ｘＡｌ２Ｏ３：
Ｅｕ　（ただし、０．８≦ｘ≦１０）、および、Ｍ　”
　Ｏ＃Ｘ　Ｓ　ｉ　Ｏ２：　Ａ（ただし、ＭｌｌはＭｇ
、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、またはＢａであり、ＡはＣ
ｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔ１．Ｂｉ、またはＭ　
ｎ　テあり、Ｘは、０．５≦ｘ≦２．５である）、 特開昭５５−１２１４３号公報に記載されている（　Ｂ
　ａ　１−　ｘ　−ｙ　、　Ｍ　ｇ　ｘ　、　Ｃａ　ｙ
　）　Ｆ　Ｘ　：ａＥｕ２＋　（ただし、ＸはＣ１およ
びＢｒのうちの少なくとも一つであり、Ｘおよびｙは、
Ｏ＜Ｘ＋ｙ≦０．６、かつｘｙ＃ｏであり、ａは、１０
−’≦ａ≦５ＸＩＯ−”’ｒある）、および、特開昭５
５−１２１４４号公報に記載されているＬｎＯＸ：ｘＡ
（ただし、ＬｎはＬａ、Ｙ。

Ｇｄ、およびＬｕのうちの少なくとも一つ、ＸはＣ１お
よびＢｒのうちの少なくとも一つ、ＡはＣｅおよびＴｂ
のうちの少なくとも一つ、そして、Ｘは、０＜ｘ＜０．
１である）、 などを挙げることができる。

通常の放射線像ｆ換パネルにおいては、前述のように支
持体に接する側とは反対側の蛍光体層の表面に、蛍光体
層を物理的および化学的に保護するための透明な保護膜
が設けられている。このような透明保護膜は、本発明の
放射線像変換パネルについても設置することが好ましい
。

透明保護膜は、たとえば、酢酸セルロース、ニトロセル
ロースなどのセルロース誘導体；あるいはポリメチルメ
タクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリカーボネート、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニ
ル・酢障ビニルコポリマーなどの合成高分子物質のよう
な透明な高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶
液を優先体層の表面に塗布する方法により形成すること
ができる。あるいは、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミドなどから
別に形成した透明な薄膜を蛍光体層の表面に適当な接着
剤を用いて接着するなどの方法によっても形成すること
ができる。このようにして形成する透明保３４１１５＋
の膜厚は、約０．１乃至２０μｍとするのが望ましい。

次に本発明の実施例を記載する。ただし、これらの各実
施例は本発明を制限するものではない。

［実施例１］ 酸化ガド’）＝ラム（Ｇｄ２０３）１８１　ｇ、五酸化
タンタル（Ｔａ２０５）２２１ｇおよび酸化ビスマス（
Ｂｉ２０３）０．２３３ｇをボールミルを用いて充分に
混合した。

次に、得られた蛍光体原料混合物をアルミナルツボに充
填し、これを高温電気炉に入れて焼成を行なった。焼成
は、空気中にて１４５０℃の温度で１．５時間かけて行
なった。焼成が完了したのち焼成物を炉外に取り出して
冷却した。このようにして、粉末状のビスマス賦活タン
タル酸ガドリニウム蛍光体（Ｇ　ｄ　Ｔ　ａ　Ｏ４：０
．００１Ｂ　ｔ　”）を得た。

［実施例２］ 実施例１において酸化ガドリニウムの代りに、酸化ガド
リニウム９０．６ｇおよび酸化イツトリウム（ＹｚＯ３
）５６．５ｇを用いること以外は実施例１の方法と同様
の操作を行なうことにより、粉末状のビスマス賦活タン
タル酸ガドリニウムイツトリウム蛍光体［（Ｇｄｏ、ｓ
Ｙｏ、ｓ）丁ａＯａ　＋０．００１Ｂ　ｉ　３＋］　を
得た。

［実施例３．４］ 実施例１において酸化ガドリニウムの代りにそれぞれ、
酸化イツトリウム１１３ｇおよび酸化う７りｙ　（Ｌａ
２０３）１６３ｇを用いること以外は実施例１の方法と
同様の操作を行なうことにより、各種の粉末状のビスマ
ス賦活希土類タンタル酸１ｎ蛍光体を得た。

実に例３　：　Ｙ　Ｔ　ａ　Ｏａ　：０．００１Ｅ　ｉ
　”実に例４　：　ＬａＴａＯ４：０．００１Ｂｉ″〔
実施例５．６コ 実施例１において五酸化タンタルの代りにそれぞれ、五
酸化タンタル２１９ｇと五酸化ニオブ（Ｎｂ２０５）１
．３３ｇ、および五酸化タンタルＩＬ１ｇ＋！：五酸化
ニオブ（Ｎｂ２０５）６６　。

５ｇを用いること以外は実施例１の方法と同様の操作を
行なうことにより、各種の粉末状のビスマス賦活タンタ
ルニオブ酸ガドリニウｔ１蛍光体を（ｌた。

実施例５　：　Ｇｄ　（Ｔａｏ、＊５Ｎｂｏ、ｏ　５）
０４：０．００１Ｂ　ｉν 実施例６　：　Ｇ　ｄ　（Ｔ　ａ　Ｏ，ｓ　Ｎ　ｂ　ｏ
、　ｓ　）　Ｏａ：Ｑ、００１Ｂ　＋？ ［実施例７］ 実施例１において、五酸化タンタルの代りに五酸化ニオ
ブ１３３ｇを用いること以外は実施例１の方法と同様の
操作を行なうことにより、粉末状のビスマス賦活ニオブ
酸ガドリニウム（ＧｄＮｂＯａ　：０．００１Ｂ　ｉ　
”　）　蛍光体’ｔ　４５７’：、＝〔実施例８．９ｊ 実施＠７において酸化ガドリニウムの代りにそれぞれ、
酸化イツトリウム１１３ｇおよび酸化ランタン１６３ｇ
を用いること以外は実施例７の方法と同様の操作を行な
うことにより、各種の粉末状のビスマス賦活希土類こオ
ブ酸塩蛍光体を得た。

実施例８　：　Ｙ　Ｎ　ｂ　Ｏａ　：０．０ＯＩＢ　ｉ
舅実施例９　：　Ｌ　ａ　Ｎ　ｂ　Ｏ４：０．００１Ｂ
　Ｉ　３＋［実施例１０〜１２］ 実施例１において、酸化ビスマスの量をそれぞれ２３．
３ｇ、２．３３ｇ、０．０２３３ｇとすること以外は実
施例１の方法と同様の操作を行なうことにより、各種の
粉末状のビスマス賦活タンタル酸ガドリニウム蛍光体を
得た。

実施例ＬＯ：ＧｄＴａＯ４：０．ｌＢＩ３＋実施例１１
　：ＧｄＴａＯ４：０．０１Ｂｒ”実施例１２：ＧｄＴ
ａ０ａ：０．００（ｌｌＢｆ”次に、実施例１で得られ
た蛍光体に管電圧８０ＫＶｐのＸ線を照射した後、４５
０〜８０Ｑｎｍの波長領域の光で励起した詩の４２０Ｂ
ｍの発光線長における輝尽励起スペクトルをＩＮ足した
。その結果を第１図に示す。

第１図は、　Ｇ　ｄ　Ｔ　ａ　Ｏ４：０．００１Ｂ　ｉ
　”蛍光体の輝尽励起スペクトルを示す図である。

また、実施例１〜３，７〜９および１１で得られた各蛍
光体に管電圧８０ＫＶｐのＸ線を照射したのち、Ｈｅ−
Ｎｅレーザー（波長、６３２．８ａｍ）で励起したとき
の輝尽発光スペクトルを測定した。その結果を第２〜５
図に示す。

第２図は、Ｇ　ｄ　Ｔ　＆　Ｏａ　：０．００１Ｂ　ｉ
　３＋ｆｊｔ光体（実線）およびＧ　ｄ　Ｔ　＆Ｏａ　
：　Ｏ，ＯＩＢ　＋　３＋蛍光体（点線）の輝尽発光ス
ペクトルを示す。

第３図は、（Ｇｄｏ、ｓＹｏ、５）ＴａＯａ：０．００
１Ｂｉ”ｉ光体の輝尽発光スペクトルを示す。

第４図は、Ｙ　Ｔ　ａ　Ｏａ　：０．００１Ｂ　ｉ　”
蛍光体（実線）およびＹ　Ｎ　ｂ　Ｏ４：０．００１Ｂ
　ｉ　３＋蛍光体（点線）の輝尽発光スペクトルを示す
。

第５図は、Ｇ　ｄ　Ｎ　ｂ　Ｏａ　：０．００１Ｂ　ｉ
　”ｉ光体（実線）およびＬａＮｂ０ａ：０．００１Ｂ
＋”蛍光体（点１１）の輝尽発光スペクトルを示す。

［実施例１３〜２４］ 実施例１−１２で得られた各々のビスマス賦活希土類タ
ンタル酸塩もしくはニオブ醸塩蛍光体の粒子と線状ポリ
エステル樹脂との混合物にメチルエチルケトンを添加し
、さらに硝化度１１．５％のニトロセルロースを添加し
て蛍光体を分散状態で含有する分散液を調製した６次に
、この分散液に燐酸トリクレジル、ｎ−ブタノールそし
てメチルエチルケトンを添加したのち、プロペラミキサ
ーを用いて充分に攪拌混合して、蛍光体が均一に分散し
、かつ結合剤と蛍光体上の混合比がｌ　：１０、粘度が
２５〜３５ＰＳ（２５℃）の塗布液を調製した。

次に、ガラス板上に水平に置いた二酩化チタン練り込み
ポリエチレンテレフタレートシート（支持体、厚み：２
５０ｐｍ）の上に塗布液をドクターブレードを用いて均
一に塗４１シた。そして塗布後に、塗１１Ｑが形成され
た支持体を乾燥器内に入れ、この乾燥器の内部の温度を
２５℃から１００°Ｃに徐々に上昇させて、塗膜の乾燥
を行なった。

このようにして、支持体上に層厚が２５０μｍの蛍光体
層を形成した。

そして、この蛍光体層の上にポリエチレンテレフタレー
トの透明フィルム（厚み：１２←ｍ、ポリエステル系接
着剤が付与されているもの）を接ｆｉＭ層側を下に向け
て置いて接着することによす、透明保護膜を形成した。

このようにして、支持体、蛍光体層および透明保護膜か
ら構成された各種の放射線像変換パネルを製造した。

次に、実施例！３〜２４で得られた各放射線像変換パネ
ルに管電圧８０ＫＶｐのＸＳＱを照射したのちＨｅ−Ｎ
ｅレーザー光（波長：６３２．８ａｍ）で励起して、パ
ネルの感度（輝尽発光輝度）を測定した。その結果をｉ
１表に示す。

１フ、下金白 第１表 実施例　　　　蛍光体　　　　　　　　相対感度１３　
　ＧｄＴａ０ａ　：０．００１Ｂｉ：））１００１４　
　（Ｇｄｏ、　ｓ　　Ｙｏ、　ａ　）ＴａＯ２：０．０
０１Ｂｉ”　　　　９０１５　　　ＹＴａＱａ　：０．
００＋Ｂｉ３＋１２０１６　　ＬａＴａ０４：０．００
１８ｉ”　　　　　　　　　　７１７Ｇｄ（Ｔａｏ、　
ｓ　ｓ　Ｎｂｏ、　ｏ　ｔ　）０４：０．０ＯＩＢｉ”
　　７０１８　Ｇｄ（Ｔａｏ、　ｓ　Ｎｂｏ、　５　）
Ｏａ　：０．００１Ｂｉ”　　　　　９１９　　ＧｄＮ
ｂ０ａ　：０．００１Ｂｉ計　　　　　　　　　７２０
　　　ＹＮｂＯ４：ｏ、ｏｏｔＢｉ”　　　　　　　　
　　６２１　　　ＬａＮｂ０４：０．００１Ｂ＋”　　
　　　　　　　　８２２　　ＧｄＴａ０４：０．ＩＢｉ
”　　　　　　　　　　３０２３　　ＧｄＴａ０ａ　：
　０．０１Ｂｉ”　　　　　　　　　３０２４　　Ｇｄ
Ｔａ０ａ　：　０．０００１Ｂｉ″　　　　　　　５０

【図面の簡単な説明】

ｍ１図は１本発明に用いられるビスマス賦活希土類タン
タル酸塩もしくはニオブｍ環系蛍光体の具体例であるＧ
　ｄ　Ｔ　ａ　Ｏａ　：０．００１Ｂ　ｉ　”蛍光体の
輝尽励起スペクトルを示す図である。 第２図は、本発明に用いられるビスマス賦活希土類タン
タル酸塩もしくはニオブ酸塩系蛍光体の具体例であるＧ
　ｄ　Ｔ　ａ　Ｏａ　：Ｏ，０ＯＩＢ　ｉ　：Ｓ＋蛍光
体（実線）およびＧ　ｄ　Ｔ　ａ　Ｏａ　：　０．０１
Ｂ　ｉ　３＋蛍光体（点線）の輝尽発光スペクトルを示
す図である。 第３図は、本発明に用いられるビスマス賦活希土類タン
タル酸塩もしくはニオブ酸塩系蛍光体の具体例である（
Ｇｄｏ、ｓＹｏ、５）ＴａＯａ：０．００１Ｂ　ｉ　ｐ
蛍光体の輝尽発光スペクトルを示す図である。 第４図は、本発明に用いられるビスマス賦活希土類タン
タル酸塩もしくはニオブ酸塩系蛍光体の具体例であるＹ
　Ｔ　ａ　Ｏａ　：０．０ＯＩＢ　＋　’−光体（実線
）およびＹ　Ｎ　ｂ　Ｏａ　：０．００１Ｂ　ｉ　”蛍
光体（点線）の輝尽発光スペクトルを示す図である。 第５図は１本発明に用いられるビスマス賦活希土類タン
タル酸塩もしくはニオブ酸塩系蛍光体の具体例であるＧ
　ｄ　Ｎ　ｂ　Ｏａ　：０．００１Ｂ　＋訃蛍光体（実
線）オヨびＬ　ａ　Ｎ　ｂ　Ｏａ　：Ｏ，ＱＯＩＢ　ｉ
　３＋！゛＋ｉ光体（点ｍ）の輝尽発光スペクトルを示
す図である。 第６図は、本発明の放射線像変換方法を説明する概略図
である。 ｌｌ：放射線発生装置、１２：被写体、１３：放射線像
変換パネル、１４：光源、１５：光電変換装置、１６：
画像再生装置、エフ：画像表示？ｉ装置、１８ニフイル
タ一特許出願人　富士写真フィルム株式会社代理人　　
　ブＰ理士　　　柳川泰男 第１図 波長（ｎｍン 第２図 波長（ｎｍ） 第３図 第４図 波長（ｎｍ） 第５図

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 　１．被写体を透過した、あるいは被検体から発せられ
   た放射線を、下記組成式（ I ）で表わされるビスマス
   賦活希土類タンタル酸塩もしくはニオブ酸塩系蛍光体に
   吸収させた後、この蛍光体に４５０〜８００ｎｍの波長
   領域の電磁波を照射することにより、該蛍光体に蓄積さ
   れている放射線エネルギーを蛍光として放出させ、そし
   てこの蛍光を検出することを特徴とする放射線像変換方
   法。 　組成式（ I ）： 　ＬｎＴａ＿１＿−＿ｘＮｂ＿ｘＯ＿４：ｙ＿Ｂｉ　（
   I ）　（ただし、ＬｎはＹ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕか
   らなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素であ
   り；そしてｘは０≦ｘ≦１．０の範囲の数値であり、ｙ
   は１０＾−＾６≦ｙ≦１０＾−＾１の範囲の数値である
   ）
2. 　２．組成式（ I ）におけるＬｎがＹおよびＧｄのう
   ちの少なくとも一種であることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の放射線像変換方法。
3. 　３．組成式（ I ）におけるｘが０≦ｘ≦０．５の範
   囲の数値であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の放射線像変換方法。
4. 　４．組成式（ I ）におけるｙが１０＾−＾５≦ｙ≦
   １０＾−＾２であることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の放射線像変換方法。
5. 　５．上記電磁波が４６０〜６５０ｎｍの波長領域の電
   磁波であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の放射線像変換方法。
6. 　６．上記電磁波がレーザー光であることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の放射線像変換方法。
7. 　７．支持体と、この支持体上に設けられた輝尽性蛍光
   体を分散状態で含有支持する結合剤からなる蛍光体層と
   から実質的に構成されており、該蛍光体層が、下記組成
   式（ I ）で表わされるビスマス賦活希土類タンタル酸
   塩もしくはニオブ酸塩系蛍光体を含有することを特徴と
   する放射線像変換パネル。 組成式（Ｉ）： ＬｎＴａ＿１＿−＿ｘＮｂ＿ｘＯ＿４：ｙＢｉ　（Ｉ）
   （ただし、ＬｎはＹ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕからなる群
   より選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり；そし
   てｘは０≦ｘ≦１．０の範囲の数値であり、ｙは１０＾
   −＾６≦ｙ≦１０＾−＾１の範囲の数値である）
8. ８．組成式（Ｉ）におけるＬｎがＹおよびＧｄのうちの
   少なくとも一種であることを特徴とする特許請求の範囲
   第７項記載の放射線像変換パネル。
9. ９．組成式（Ｉ）におけるｘが０≦ｘ≦０．５の範囲の
   数値であることを特徴とする特許請求の範囲第７記載の
   放射線像変換パネル。
10. １０．組成式（Ｉ）におけるｙが１０＾−＾５≦ｙ≦１
    ０＾−＾２であることを特徴とする特許請求の範囲第７
    項記載の放射線像変換パネル。