JP2008231185A - シンチレータ組成物及びその製造方法並びに放射線検出器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物からなることを特徴とするシンチレータ組成物及びその製造方法並びに放射線検出器。
一般式(1) ATaO4
(式中、Aはランタノイド元素、Sc、Yのうちのいずれか1〜5種の元素を表す。)
【選択図】なし
Description
(式中、Aはランタノイド元素、Sc、Yのうちのいずれかから選ばれる1〜5種の元素を表す。)
2.上記一般式(1)のA以外の希土類元素を賦活剤として含むことを特徴とする前記1に記載のシンチレータ組成物。
本発明のシンチレータ組成物は、前記一般式(1)で表される化合物である。一般式(1)において、Aは、ランタノイド元素、Sc、Yのうちのいずれかから選ばれる1〜5種の元素を表すが、Bi、Gdが好ましい。
シンチレータ組成物の気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法、その他を用いることができるが、本発明では特に蒸着法が好ましい。
単結晶の製造方法は、特に限定されるものではないが、例えば、CZ法単結晶引上装置により育成することができる。原料をRF誘導加熱方式による引上炉内に設置されたイリジウムるつぼ内に充填し、過熱溶融する。溶融原料に直径数mmのイリジウムワイヤあるいは数mm角の種結晶を浸漬させ、前記溶融原料から単結晶を育成する。育成に際しては、回転速度、温度(RFパワー)および結晶の引上速度等の条件を制御する。
原料(BiTaO4:Ce(Ce1モル%))を図1に示す抵抗加熱ルツボからなるに蒸発源3に充填し、基板ホルダ4に基板11としてイリジウム板を設置し、抵抗加熱ルツボと基板との間隔を400mmに調節した。続いて真空容器2内を一旦排気し、Arガスを導入して0.8Paに真空度を調整した後、10rpmの速度で基板を回転しながら基板の温度を250℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して蛍光体を蒸着し蛍光体層の膜厚が15mmとなったところで蒸着を終了した。蒸着後、イリジウム板からシンチレータを剥離し、フォトダイオードと組み合わせて相対解像度の評価を行った。
相対解像度は次のように求めた。511keVのγ線を照射して周波数特性を測定、比較例1を100として相対解像度を算出した。
原料(GdTaO4:Pr(Pr20モル%))を実施例1と同様の方法で蒸着し、実施例1と同様の方法で解像度の評価を行った。
厚さ15mmのBiTaO4:Ce(Ce1モル%)の単結晶をフォトダイオードと組み合わせて解像度の評価を行った。
厚さ15mmのBGO(Bi4Ge3O12)単結晶をフォトダイオードと組み合わせて解像度の評価を行った。
厚さ15mmのNaI:Tl(Tl5モル%)単結晶をフォトダイオードと組み合わせて解像度の評価を行った。
2 真空容器
3 蒸発源
4 基板ホルダ
5 基板回転機構
5a 回転軸
6 真空ポンプ
7 シャッタ
11 基板
Claims (6)
- 下記一般式(1)で表される化合物からなることを特徴とするシンチレータ組成物。
一般式(1) ATaO4
(式中、Aはランタノイド元素、Sc、Yのうちのいずれかから選ばれる1〜5種の元素を表す。) - 上記一般式(1)のA以外の希土類元素を賦活剤として含むことを特徴とする請求項1に記載のシンチレータ組成物。
- 前記シンチレータの賦活剤が、Ce、Prのうちの1種または2種の元素であることを特徴とする請求項1または2に記載のシンチレータ組成物。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載のシンチレータ組成物を基板上に気相堆積法により形成して製造することを特徴とするシンチレータ組成物の製造方法。
- 請求項4に記載のシンチレータ組成物の製造方法により製造されたシンチレータ組成物を使用することを特徴とする放射線検出器。
- 請求項4に記載のシンチレータ組成物の製造方法により製造されたシンチレータ組成物を使用することを特徴とするPET装置用放射線検出器。
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