JPH0195183A - 放射線像変換方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明は、放射線像変換方法に関するものである。さら
に詳しくは、本発明は、輝尽性のセリウム賦活ガドリニ
ウムオキシクロライド蛍光体を使用する放射線像変換方
法に関するものである。

［発明の技術的背景］ 従来、放射線像を画像として得る方法として、銀塩感光
材料からなる乳剤層を有する放射線写真フィルムと増感
紙（増感スクリーン）との組合わせを使用する、いわゆ
る放射線写真法が利用されている。上記従来の放射線写
真法にかわる方法の一つとして、たとえば、特公昭５９
−４４３３３号公報等に記載されているような輝尽性蛍
光体を利用する放射線像変換方法が知られている。この
方法は、被写体を透過した放射線、あるいは被検体から
発せられた放射線を輝尽性蛍光体に吸収させ、そののち
にこの蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波（励起光
）で時系列的に励起することにより、蛍光体中に蓄積さ
れている放射線エネルギーを蛍光（輝尽発光）として放
出させ、この蛍光な光電的に読取って電気信号を得、こ
の電気信号を画像化するものである。

上記放射線像変換方法によれば、従来の放射線写真法を
利用した場合に比較して、はるかに少ない被曝線量で情
報量の豊富なＸ線画像を得ることができるという利点が
ある。従フて、この放射線像変換方法は、特に医療診断
を目的とするＸ線撮影などの直接医療用放射線撮影にお
いて利用価値が非常に高いものである。

上記の放射線像変換方法においては、Ｘ線などの放射線
を照射したのち可視乃至赤外領域の電磁波の励起により
発光（輝尽発光）を示す輝尽性蛍光体が用いられる。そ
のような輝尽性蛍光体としては、従来より、二価ユーロ
ピウム賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物蛍光体（
Ｍ”ＦＸ：Ｅ　ｕ　”　；ただし、ＭｌはＭｇ、Ｃａお
よびＢａからなる群より選ばれる少なくとも一種のアル
カリ土類金属であり、ＸはＣｌｌ、ＢｒおよびＩからな
る群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンである）：
ユーロピウムおよびサマリウム賦活硫化ストロンチウム
蛍光体（ＳｒＳ：Ｅｕ、Ｓｍ）；ユーロピウムおよびサ
マリウム賦活オキシ硫化ランタン蛍光体（Ｌａ２０２Ｓ
：Ｅｕ、Ｓｍ）；ユーロピウム賦活酸化アルミニウムバ
リウム蛍光体（ＢａＯ・Ａｌ２２０３　：Ｅｕ）；ユー
ロピウム賦活アルカリ土類金属ケイ酸塩蛍光体（Ｍ　２
＋Ｏ・５ｉ０２：Ｅｕ；ただし、Ｍ２＋はＭｇ、Ｃａお
よびＢａからなる群より選ばれる少なくとも一種のアル
カリ土類金属である）などが知られている。

また、特公昭５９−４４３３９号公報には、ＬａＯＢ　
ｒ　：　０．０００５Ｃｅ及びＬ　ａ　ＯＣ１１：　０
．ＯＯＯ＋Ｃｅが開示されているが、それらのＸ線吸収
量および蝉尽発光量は必ずしも充分ではない。

［発明の要旨］ 本発明は、新規な輝尽性蛍光体を使用する放射線像変換
方法を提供することを目的とするものである。

本発明者は、輝尽性蛍光体の探索を行なってきたがその
結果、新たにセリウムにより賦活されたガドリニウムオ
キシクロライド蛍光体はＸ線吸収量が多い上に優れた輝
尽発光を示すことを見出し、本発明に到達したものであ
る。

すなわち、本発明の放射線像変換方法は、被写体を透過
した、あるいは被検体から発せられた放射線を、下記組
成式（Ｉ）で表わされるセリウム賦活ガドリニウムオキ
シクロライド蛍光体に吸収させた後、この蛍光体に４５
０〜８５０ｎｍの波長領域の′電磁波を照射することに
より、・該蛍光体に蓄積されている放射線エネルギーを
蛍光として放出させ、そしてこの蛍光を検出することを
特徴とする。

組成式（■）： Ｇｄ０ＣＩｌ：　ｘＣｅ”　　　　　　（Ｉ）（ただし
、ＸはＯ＜ｘ≦０，２の範囲の数値である）。

［発明の構成］ 本発明の放射線像変換方法において、上記組成式（Ｉ）
で表わされるセリウム賦活ガドリニウムオキシクロライ
ド蛍光体は、それを含有する放射線像変換パネル（８積
性蛍光体シートともいう）の形態で用いるのが好ましい
。

放射線像変換パネルは、基本構造として、支持体と、そ
の片面に設けられた少なくとも一層の蛍光体層とからな
るものである。蛍光体層は、輝尽性蛍光体とこの輝尽性
蛍光体を分散状態で含有支持する結合剤からなる。なお
、この蛍光体層の支持体とは反対側の表面（支持体に面
していない側の表面）には一般に、透明な保護膜が設け
られていて、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な
衝撃から保護している。

すなわち、本発明の放射線像変換方法は、前記の組成式
（Ｉ）で表わされるセリウム賦活カドリニウムオキシク
ロライド蛍光体からなる蛍光体層を有する放射線像変換
パネルを用いて実施するのが望ましい。

組成式（Ｉ）で表わされる輝尽性蛍光体を放射線像変換
パネルの形態で用いる本発明の放射線像変換方法におい
ては、被写体を透過した、あるいは被検体から発せられ
た放射線は、その放射線量に比例して放射線像変換パネ
ルの蛍光体層に吸収され、放射線像変換パネル上には被
写体あるいは被検体の放射線像が放射線エネルギーの蓄
積像として形成される。この蓄積像は、４５０〜８５０
ｎｍの波長領域の電磁波（励起光）で励起することによ
り、輝尽発光（蛍光）として放射させることができ、こ
の輝尽発光を光電的に読み取って電気信号に変換するこ
とにより、放射線エネルギーの蓄積像を画像化すること
が可能となる。

本発明の放射線像変換方法を、組成式（Ｉ）で表わされ
る輝尽性蛍光体を放射線像変換パネルの形態で用いる態
様を例にとり、第１図に示す概略し１を用いて具体的に
説明する。

第１図において、１１はＸ線などの放射線発生装置、１
２は被写体、１３は上記組成式（Ｉ）で表わされる輝尽
性蛍光体を含有する放射線像変換パネル、１４は放射線
像変換パネル１３上の放射線エネルギーの蓄積像を蛍光
として放射させるための励起源としての光源、１５は放
射線像変換パネル１３より放射された蛍光を検出する光
電変換装置、１６は光電変換装置１５で検出された光電
変換信号を画像として再生する装置、１７は再生された
画像を表示する装置、そして、１８は光源１４からの反
射光を透過させないで放射線像変換パネルエ３より放射
された蛍光のみを透過させるためのフィルターである。

なお、第１図は被写体の放射線透過像を得る場合の例を
示しているが、被写体１２自体が放射線を発するもの（
本明細書においてはこれを被検体という）である場合に
は、上記の放射線発生装置１１は特に設置する必要はな
い。また、九′賀変換装置１５〜画像表示装置１７まで
は、放射線像変換パネル１３から蛍光として放射される
情報を何らかの形で画像として再生できる他の適当な装
置に変えることもできる。

第１図に示されるように、被写体１２に放射線発生装置
１１からＸ線などの放射線を照射すると、その放射線は
被写体１２をその各部の放射線透過率に比例して透過す
る。被写体１２を透過した放射線は、次に放射線像変換
パネル１３に入射し、その放射線の強弱に比例して放射
線像変換パネル１３の蛍光体層に吸収される。すなわち
、放射線像変換パネル１３上には放射線透過像に相当す
る放射線エネルギーの蓄積像（一種の潜像）が形成され
る。

次に、放射線像変換パネル１３に光源１４を用いて４５
０〜８５０ｎｍの波長領域の電磁波を照射すると、放射
線像変換パネル１３に形成された放射線エネルギーの蓄
積像は、蛍光として放射される。この放射される蛍光は
、放射線像変換パネル１３の蛍光体層に吸収された放射
線エネルギーの強弱に比例している。この蛍光の強弱で
構成される光信号を、たとえば、光電子増倍管などの光
電変換装置１５で電気信号に変換し、画像再生装置１６
によって画像として再生し、画像表示装置１７によって
この画像を表示する。

放射線像変換パネルに蓄積された画像情報を蛍光として
読み出す操作は、一般にレーザー光でパネルを時系列的
に走査し、この走査によってパネルから放射される蛍光
を適当な集光体を介して光電子増倍管等の光検出器で検
出し、時系列電気信号を得ることによって行なわれる。

この読出しは観察読影性能のより優れた画像を得るため
に、低エネルギーの励起光の照射による先読み操作と高
エネルギーの励起光の照射による本読み操作とがら構成
されていてもよい（特開昭５８−６７２４０号公報参照
）。この先読み操作を行なうことにより本読み操作にお
ける読出し条件を好適に設定することができるとの利点
がある。

また、たとえば光電変換装置として光導電体およびフォ
トダイオードなどの固体光電変換素子を用いることもで
きる（特開昭５９−２１１２６３号、特開昭５９−２１
１２６４号、特開昭６０−１１１５６８号および特開昭
６０−１１１５７１号の各公報、および特開昭５８−１
２１８７４号公報参照）。この場合には、多数の固体光
電変換素子がパネル全表面を覆うように構成され、パネ
ルと一体化されていてもよいし、あるいはパネルに近接
した状態で配置されＣいてもよい。また、光電変換装置
は複数の光電変換素子が線状に連なったラインセンサで
あってもよいし、あるいは一画素に対応する一個の固体
光電変換素子から構成されていてもよい。

Ｆ記の場合の光源としては、レーザー等のような点光源
のほかに、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザー
等を列状に連ねてなるアレイなどの線光源であってもよ
い。このような装置を用いて読出しを行なうことにより
、パネルから放出される蛍光の損失を防ぐと同時に受光
立体角を大きくしてＳ／Ｎ比を高めることができる。ま
た、得られる電気信号は励起光の時系列的な照射によっ
てではなく、光検出器の電気的な処理によって時系列化
されるために、読出し速度を速くすることが可能である
。

画像情報の読出しが行なわれた放射線像変換パネルに対
しては、蛍光体の励起光の波長領域の光を照射すること
により、あるいは加熱することにより、残存している放
射線エネルギーの消去を行なってもよく、そうするのが
好ましいく特開昭５６−１１３９２号および特開昭５６
−１２５９９号公報参照）。この消去操作を行なうこと
により、次にこのパネルを使用した時の残像によるノイ
ズの発生を防止することかできる。さらに、読出し後と
次の使用直前の二度に渡フて消去操作を行なうことによ
り、自然放射能などによるノイズの発生を防いて更に効
率良く消去を行なうこともできる（特開昭５７−１１６
３００号公報参照）。

本発明の放射線像変換方法において、被写体の放射線透
過像を得る場合に用いられる放射線としては、上記蛍光
体がこの放射線の照射を受けたのち上記電磁波で励起さ
れた時において輝尽発光を示しつるものであればいかな
る放射線であってもよく、例えばＸ線、電子線、紫外線
など一般に知られている放射線を用いることができる。

また、被検体の放射線像を得る場合において被検体から
直接発せられる放射線は、同様に上記蛍光体に吸収され
て輝尽発光のエネルギー源となるものであればいかなる
放射線であってもよく、その例としてはγ線、α線、β
線などの放射線を挙げることができる。

被写体もしくは被検体からの放射線を吸収した蛍光体を
励起するための励起光の光源としては、４５０〜８５０
ｎｍの波長領域にバンドスペクトル分布をもつ光を放射
する光源のほかに、たとえばＡｒイオンレーザ−１Ｋｒ
イオンレーザ−１Ｈｅ−Ｎｅレーザー、ルビー・レーザ
ー、半導体レーザー、ガラス・レーザー、ＹＡＧレーザ
−、色素レーザー等のレーザーおよび発光ダイオードな
どの光源を使用することもできる。なかでもレーザーは
、単位面積当りのエネルギー密度の高いレーザービーム
を放射線像変換パネルに照射することができるため、本
発明において用いる励起用光源としては各種のレーザー
が好ましい。それらのうちでその安定性および出力など
の点から、好ましいレーザーはＨｅ　−Ｎ　ｅレーザー
、Ａｒイオンレーザ−およびにｒイオンレーザ−である
。また、判導体レーザーは小型であること、駆動電力が
小さいこと、直接変調が可能なのでレーザー出力の安定
化が簡単にできること、などの理由により励起用光源と
して好ましい。

また、消去に用いられる光源としては、輝尽性蛍光体の
励起波長領域の光を放射するものであればよく、その例
としてはタングステンランプ、蛍光灯、ハロゲンランプ
を挙げることができる。

本発明の放射線像変換方法は、輝尽性蛍光体に放射線の
エネルギーを吸収蓄積させる蓄積部、この蛍光体に励に
光を照射して放射線のエネルギーを蛍光として放出させ
る光検出（読出し）部、および蛍光体中に残存するエネ
ルギーを放出させるための消去部を一つの装置に内蔵し
たビルトイン型の放射線像変換装置に適用することもで
きる（特開昭５８−２００２６９号および特開昭５９−
１９２２４０号公ｆ′ｆｌＩ参照）。このようなビルト
イン型の装置を利用することにより、放射線像変換パネ
ル（または輝尽性蛍光体を含有してなる記録体）を循環
再使用することができ、安定した均質な画像を得ること
ができる。また、ビルトイン型とすることにより装置を
小型化、軽量化することができ、その設置、移動などが
容易になる。さらにこの装置を移動車に搭載することに
より、巡回放射線撮影が可能となる。

次に、本発明の放射線像変換方法に用いられる放射線像
変換パネルについて説明する。

この放射線像変換パネルは、前述のように、実質的に支
持体と、この支持体上に設けられた前記組成式（Ｉ）で
表わされるセリウム賦活ガドリニウムオキシクロライド
蛍光体を分散状態で含有支持する結合剤からなる蛍光体
層とから構成される。

上記の構成を有する放射線像変換パネルは、たとえば、
次に述べるような方法により製造することかできる。

まず、放射線像変換パネルに用いられる上記組成式（Ｉ
）で表わされるセリウム賦活ガドリニウムオキシクロラ
イド蛍光体について説明する。

このセリウム賦活ガドリニウムオキシクロライド蛍光体
は、たとえば、次に記載するような製造法により製造す
ることができる。

まず、蛍光体原料として、 １）Ｇｄ２０．． ２）セリウムのハロゲン化物、酸化物、硝酸塩、硫酸塩
などの化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の
化合物、及び ３）塩化アンモニウム を用意する。

蛍光体の製造に際しては、上記ｌ）〜３）の各成分を、
化学量論的に、組成式（ＩＩ）：Ｇｄ０Ｃｎ：ｘＣｅ　
　　　　　（ＩＩ）（ただし、ＸはＯ＜ｘ≦０．２の範
囲の数値である）、 に対応する相対比となるようにあるいは塩素が過剰とな
るようにＪｆ−ｆｉｔ混合して、蛍光体原料の混合物を
調製する。

蛍光体原料混合物の調製は、 ｉ）上記１）〜３）の蛍光体原料を単に乾式混合するこ
とによって行なってもよく、あるいは、ｉｉ）まず、上
記１）〜３）の蛍光体原料を溶液乃至スラリーの状態で
混合し、この溶液乃至スラリーを加温下（好ましくは５
０〜２００℃）で減圧乾燥、真空乾燥、噴霧乾燥などに
より乾燥することによってもよい。

上記ｉ）、およびｉｉ）のいずれの方法においても、混
合には、各種ミキサー、■型ブレンダー、ホールミル、
ロンドミルなどの通常の混合機が用いられる。

次に、上記のようにして得られた蛍光体原料混合物を石
英ポート、アルミナルツボ、石英ルツボなとの耐熱性容
器に充填し、電気炉中で焼成を行なう。焼成温度は５０
０〜１５００℃の範囲が適当であり、好ましくは７００
〜１４００℃の範囲である。焼成時間は蛍光体原料混合
物の充填量および焼成温度などによっても異なるが、一
般には０．５〜６時間が適当である。焼成雰囲気として
は、少（」１の水素ガスを含有する窒素ガス雰囲気、あ
るいは、−酸化炭素を含有する二酸化炭素雰囲気などの
弱還元性の雰囲気を利用する。上記２）の蛍光体原料と
して、セリウムの価数が四価のセリウム化合物が用いら
れる場合には、焼成過程において上記弱還元性の雰囲気
によって四価のセリウムは三価のセリウムに還元される
。

上記焼成によって、さらに必要に応じて粉砕することに
よって、粉末状の蛍光体が得られる。なお、得られた粉
末状の蛍光体については、必要に応じて、さらに、洗浄
、乾燥、粉砕、ふるい分りなどの蛍光体の製造における
各種の一般的な操作を行なってもよい。

なお。輝尽発光輝度の点から、組成式（Ｉ）においてセ
リウムの賦活！辻を表わすＸ値は１０−５≦Ｘ≦１０−
２の範囲にあるのが好ましい。

次に、セリウム賦活ガドリニウムオキシクロライド蛍光
体がその中に分散せしめられて形成される蛍光体層の結
合剤の例としては、ゼラチン等の蛋白質、デキストラン
等のポリサッカライド、またはアラビアゴムのような天
然高分子物質；および、ポリビニルブチラール、ポリ酢
酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化
ビニリデン・塩化ビニルコポリマー、ポリアルキル（メ
タ）アクリレート、塩化ビニル・酢酸ビニルコポリマー
、ポリウレタン、セルロースアセテートブチレート、ポ
リビニルアルコール、線状ポリエステルなどような合成
高分子物質などにより代表される結合剤を挙げることが
できる。このような結合剤のなかで特に好ましいものは
、ニトロセルロース、線状ポリエステル、ポリアルキル
（メタ）アクリレート、ニトロセルロースと線状ポリエ
ステルとの混合物、およびニトロセルロースとポリアル
キル（メタ）アクリレートとの混合物である。

以下令トｌ 蛍光体層は、たとえば、次のような方法により支持体に
に形成することができる。

まず粉末状の輝尽性蛍光体と結合剤とを適当な溶剤に加
え、これを充分に混合して、結合剤溶液中に輝尽性蛍光
体が均一に分散した塗布液を調製する。

塗布液調製用の溶剤の例としては、メタノール、エタノ
ール、ｎ−プロパツール、ｎ−ブタノールなどの低級ア
ルコール：メチレンクロライド、エチレンクロライドな
どの塩素原子含有炭化水素：アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級ア
ルコールとのエステル；ジオキサン、エチレンクリコー
ルモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチル
エーテルなどのエーテル；そして、それらの混合物を挙
げることができる。

塗布液における結合剤と輝尽性蛍光体との混合比は、目
的とする放射線像変換パネルの特性、蛍光体の種類など
によって異なるが、一般には結合剤と蛍光体との混合比
は、！：１乃至１：１００（ｔｆ＜量比）の範囲から選
ばれ、そして特にｌ：８乃ｉ１：４０（重量比）の範囲
から選ぶのが好ましい。

なお、塗布液には、該塗布液中における蛍光体の分散性
を向上させるための分散剤、また、形成後の蛍光体層中
における結合剤と蛍光体との間の結合力を向上させるた
めの・可塑剤などの種々の添加剤が混合されていてもよ
い。そのような目的に用いられる分散剤の例としては、
フタル酸、ステアリン酸、カプロン酸、親油性界面活性
剤などを挙げることができる。そして可塑剤の例として
は、燐酸トリフェニル、燐酸トリクレジル、燐酸ジフェ
ニルなどの燐酸エステル：フタル酸ジエチル、フタル酸
ジメトキシエチルなどのフタル酸エステル：グリコール
酸エチルフタリルエチル、グリコール酸ブチルフタリル
ブチルなどのグリコール酸エステル：・そして、トリエ
チレングリコールとアジピン酸とのポリエステル、ジエ
チレングリコールとコハク酸とのポリエステルなどのポ
リエチレングリコールと脂肪族二塩基酸とのポリエステ
ルなどを挙げることができる。

上記のようにして調製された蛍光体と結合剤とを含有す
る塗布液を、次に、支持体の表面に均一。

に塗布することにより塗布液の塗膜を形成する。

この塗布操作は、通常の塗布手段、たとえば、ドクター
ブレード、ロールコータ−、ナイフコーターなどを用い
ることにより行なうことかてきる。

支持体としては、従来の放射線写真法における増感紙（
または増感用スクリーン）の支持体として用いられてい
る各種の材料、あるいは放射線像変換パネルの支持体と
して公知の材料から任意に選ぶことができる。そのよう
な材料の例としては、セルロースアセテート、ポリエス
テル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリ
イミド、トリアセテート、ポリカーボネートなどのプラ
スチック物質のフィルム、アルミニウム箔、アルミニウ
ム合金箔などの金属シート、通常の紙、バライタ紙、レ
ジンコート紙、二酸化チタンなどの顔料を含有するピク
メント紙、ポリヒニルアルコールなどをサイジングした
紙などを挙げることかできる。

ただし、放射線像変換パネルの情報記録材料としての特
性および取扱いなどを考慮した場合、本発明において特
に好ましい支持体の材料はプラスチックフィルムである
。このプラスチックフィルムにはカーボンブラックなど
の光吸収性物質が練り込まれていてもよく、あるいは二
酸化チタンなどの光反射性物質が練り込まれていてもよ
い。前者は高鮮鋭度タイプの放射線像変換パネルに通し
た支持体であり、後者は高感度タイプの放射線像変換パ
ネルに適した支持体である。

公知の放射線像変換パネルにおいて、支持体と蛍光体層
の結合を強化するため、あるいは放射線像変換パネルと
しての感度もしくは画質（鮭鋭度、粒状性）を向上させ
るために、蛍光体層が設けられる側の支持体表面にゼラ
チンなどの高分子物質を塗布して接着性付与層としたり
、あるいは二酸化チタンなどの光反射性物質からなる光
反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性物質
からなる光吸収層などを設けることが知ら打ている。本
発明において用いられる支持体についても、これらの各
種の層を設けることができ、そわらの構成は所望の放射
線像変換パネルの目的、用途などに応じて任意に選択す
ることができる。

さらに、特開昭５８−２００２００号公報に記載されて
いるように、得られる画像の鮮鋭度を向上させる目的で
、支持体の蛍光体層側の表面（支持体の蛍光体層側の表
面に接着性付与層、光反射層あるいは光吸収層などが設
けられている場合には、その表面を意味する）には微小
の凹凸が形成されていてもよい。

上記のようにして支持体上に塗膜を形成したのち塗膜を
乾燥して、支持体上への輝尽性蛍光体層の形成を完了す
る。蛍光体層の層Ｊゾは、目的とする放射線像変換パネ
ルの特性、蛍光体の種類、結合剤と蛍光体との混合比な
どによって異なるが、通常は２０μｍ乃至１ｍｍとする
。ただし、この層厚は５０乃至５００μｍとするのが好
ましい。

また、輝尽性蛍光体層は、必ずしも上記のように支持体
−トに塗布液を直接塗布して形成する必要はなく、たと
えば、別に、ガラス板、金属板、プラスチックシートな
どのシート上に塗布液を塗布し乾燥することにより蛍光
体層を形成したのち、これを、支持体上に押圧するか、
あるいは接着剤を用いるなどして支持体と蛍光体層とを
接合してもよい。

輝尽性蛍光体層は一層だけでもよいが、二層以１こを重
層してもよい。重層する場合にはそのうちの少なくとも
一層が組成式（Ｉ）のセリウム賦活ガドリニウムオキシ
クロライド蛍光体を含有する層であればよく、パネルの
表面に近い方に向フて順次放射線に対する発光効率が高
くなるように複数の蛍光体層を重層した構成にしてもよ
い。また、ｊｐ−層および重層のいずれの場合も、上記
蛍光体とともに公知の輝尽性蛍光体を併用することがで
きる。そのような公知の輝尽性蛍光体の例としては、＋
Ｔｆ述の蛍光体のほかに、特公昭６０−９５４２号公報
に記載されているＺｎＳ　：　Ｃｕ。

Ｐｂ、ＢａＯ・ｘＡｌ　２０２　：Ｅｕ　（ただし、０
．８≦Ｘ≦１０）、および、Ｍ”０−ｘＳｉ０２：Ａ　
（ただし、ＭｌはＭｇ％Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、また
はＢａであり、ＡはＣｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔ
ＩＬ、Ｂｉ、またはＭｎであり、Ｘは、０．５≦Ｘ≦２
．５である）、 特公昭６０−４２８３７号公報に記載されている（Ｂａ
＋−ｘ−ｙ、Ｍｇｘ、Ｃａｙ）ＦＸ：ａＥｕ”（ただし
、ＸはＣ２およびＢｒのうちの少なくとも一つであり、
Ｘおよびｙは、０くｘ＋ｙ≦０．６、かつｘｙ≠０であ
り、ａは、１０−６≦ａ≦５Ｘ１０−’である）、およ
び、特公昭５９−４４３３９号公報に記載されているＬ
ｎＯＸ　：　ｘＡ　（ただし、ＬｎはＬａ、Ｙ、および
Ｌｕのうちの少なくとも一つ、ＸはＣＩおよびＢｒのう
ちの少なくとも一つ、ＡはＣｅおよびＴｂのうちの少な
くとも−・つ、そして、Ｘは、０＜ｘ＜０．１である）
、 などを挙げることができる。

通常の放射線像変換パネルにおいては、前述のように支
持体に接する側とは反対側の蛍光体層の表面に、蛍光体
層を物理的および化学的に保護するための透明な保護膜
が設けられている。このような透明保護膜は、本発明の
放射線像変換パネルについても設置することが好ましい
。

透明保護膜は、たとえば、酢酸セルロース、ニトロセル
ロースなどのセルロース誘導体；あるいはポリメチルメ
タクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリカーボネート、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニ
ル・酢酸ビニルコポリマーなどの合成高分子物質のよう
な透明な高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶
液を蛍光体層の表面に塗布する方法により形成すること
ができる。あるいは、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリアミドなどから別に形成した透明な薄膜を
蛍光体層の表面に適当な接着剤を用いて接着するなどの
方法によっても形成することができる。このようにして
形成する透明保、１１１２の膜厚は、約０．１乃至２０
μｍとするのが望ましい。

次に本発明の実施例を記載する。ただし、これらの各実
施例は本発明を制限するものではない。

［実施例１］ 酸化ガドリニウム（Ｇｄ２０．）３．６３ｇ（０，０１
モル）、塩化アンモニウム２．１４ｇ（０，０４モル）
および塩化セリウム（ＣｅＣｆｌ　、−７８２０）７．
５ｍｇ　（２Ｘ　１０−５モル）を、乾式混合した。

次に、得られた蛍光体原料混合物をアルミナルツボに充
填し、これを高温電気炉に入れて焼成を行なった。焼成
は、−酸化炭素の還元性雰囲気中にて１．３００℃の温
度で２時間かけて行なった。

焼成が完了したのち焼成物を炉外に取り出して冷却し、
手で粉砕した。このようにして、粉末状のセリウム賦活
ガドリニウムオキシクロライド蛍光体（ＧｄＯＣＩｌ：
０．００１Ｃｅ”）を得た。

上記セリウム賦活ガドリニウムオキシクロライド蛍光体
の粉末粒子と線状ポリエステル樹脂との混合物にメチル
エチルケトンを添加し、さらに硝化度１１．５％のニト
ロセルロースを添加して蛍光体を分散状態で含有する分
散液を調製した。次に、この分散液に燐酸トリクレジル
、ｎ−ブタノール、そしてメチルエチルケトンを添加し
たのち、プロペラミキサーを用いて充分に攪拌混合して
、蛍光体が均一に分散し、かつ結合剤と蛍光体との混合
比か１　：ｌＯ１粘度が２５〜３５ＰＳ（２５℃）であ
る塗布液を調製した。

次に、ガラス板上に水平に置いた二酸化チタン練り込み
ポリエチレンテレフタレートシート（支持体、Ｊゾみ：
２５０μｍ）の上に塗布液をドクターブレードを用いて
均一に塗布した。そして塗布後に塗膜が形成された支持
体を乾燥器内に入れ、この乾燥器の内部の温度を２５℃
から１００℃に徐々に上昇させて、塗膜の乾燥を行なっ
た。このようにして、支持体上に層厚が２５０μｍの蛍
光体層を形成した。

そして、この蛍光体層の旧にポリエチレンテレフタレー
トの透明フィルム（厚み：１２μｍ、ポリエステル系接
着剤が付与されているもの）を接着剤層側を下に向けて
置いて接着することにより、透明保護膜を形成し、支持
体、蛍光体層および透明保護膜から構成された放射線像
変換パネルを製造した。

次に、この放射線像変換パネルに管電圧８０ＫＶｐのＸ
線を照射した後、これをＨｅ−Ｎｅレーザー光（６３３
ｎｍ）で励起し、パネルから放射される輝尽発光光を受
光器（分光感度Ｓ−５の光電子増倍管）で受光すること
により輝尽発光Ｈ１１を測定した。その結果を第１表に
示す。

［実施例２］ 蛍光体原料混合物の焼成温度を１４００℃に変えた外は
、実施例１におけると同様にして粉末状のセリウム賦活
ガドリニウムオキシクロライド蛍光体（Ｇ　ｄ　ＯＣＩ
Ｉ　：０．００１Ｃｅ　’°）を得た。

この蛍光体を使用し、実施例工におけると同様にして製
造した放射線像変換パネルの輝尽発光１【１を第１表に
示す。

［実施例３］ 蛍光体原料混合物の焼成温度を８００℃に変えた外は、
実施例１におけると同様にして粉末状のセリウム賦活ガ
ドリニウムオキシクロライド蛍光体（ＧｄＯＣｎ：０．
１）０１Ｃｅ”）を得た。

この蛍光体を使用し、実施例１におけると同様にして製
造した放射線像変換パネルの輝尽発光量を第１表に示す
。

［比較例１］ 蛍光体原料混合物として酸化ランタン（Ｌａ　２０３）
３．２６ｇ（０，０１モル）、臭化アンモニウム３．９
２ｇ　（０，０４モル）および臭化セリウム（Ｃｅ　Ｂ
　ｒ　２　・５Ｈ２０）　９．４ｍｇ（２Ｘ　１０−５
モル）の乾式混合物を使用した外は、実施例１における
と同様にして粉末状のセリウム付活ランタンオキシブロ
マイド蛍光体（ＬａＯＢｒ：　０．００１　Ｃｅ　”　
）を得た。

この蛍光体を使用し、実施例１におけると同様にして製
造した放射線像変換パネルの輝尽発光かを第１表に示す
。

「比較例２］ 蛍光体原料混合物として、酸化イツトリウム（Ｙ、Ｏ，
）２．２６ｇ　（０，０１モル）、塩化アンモニウム２
．１４ｇ（０，０４モル）および塩化セリウム（ＣｅＣ
Ｉ１３−７Ｈ２０）７．５ｍｇ（２Ｘ１０−５モル）の
乾式混合物を使用した外は、実施例１におけると同様に
して粉末状のセリウム付活イツトリウムオキシクロライ
ド蛍光体（ＹＯＣＪ２：０．００１　Ｃｅ”）を得た。

この蛍光体を使用し、実施例１におけると同様にして製
造した放射線像変換パネルの輝尽発光！Ｉｉを第１表に
示す。

［比較例３］ 蛍光体原料混合物の焼成温度を１４００℃に変えた外は
、比較例１におけると同様にして粉末状のセリウム付活
ランタンオキシブロマイド蛍光体（ＬａＯＢ　ｒ　：　
０．００１　Ｃｅ”）を得た。

この蛍光体を使用し、実施例１におけると同様にして製
造した放射線像変換パネルの輝尽発光１１１を第１表に
示す。

［比較例４コ 蛍光体原料混合物の焼成温度を１４００℃に変えた外は
、比較例２におけると同様にして粉末状のセリウム付活
イツトリウムオキシクロライド蛍光体（ＹＯＣｆｆｉ　
：　０．００１　Ｃｅ”）を得た。

この蛍光体を使用し、実施例１におけると同様にして製
造した放射線像変換パネルの輝尽発光量を第１表に示す
。

「比較例５コ 蛍光体原料混合物の焼成温度を８００℃に変えた外は、
比較例１におけると同様にして粉末状のセリウム付活ラ
ンタンオキシブロマイド蛍光体（ＬａＯＢｒ　：０．０
０１　Ｃｅ”）を得た。

この蛍光体を使用し、実施例１におけると同様にして製
造した放射線像変換パネルの輝尽発光量を第１表に示す
。

以　　１：　全　自１ 第１表 ［発明の効果］ 本発明の放射線像変換方法は、上記実施例と比較例との
比較から明らかなように、類似の化合物に比較して極め
て高い輝尽感度を有する蛍光体を使用する方法であるの
で、微小の被曝線はでも優わた放射線画像を得ることが
できるという顕著な効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の放射線像変換方法を説明する概略図
である。 １１：放射線発生装置、 １２：被写体、 １３：放射線像変換パネル、 １４：光源、 １５：光電変換装置、 １６：画像再生装置、 １７：画像表示装置、 １８：フィルタ 特許出願人　富士写真フィルム株式会社代　理　人　弁
理士　　柳　川　秦　男第１図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. １．被写体を透過した、あるいは被検体から発せられた
   放射線を、下記組成式（ I ）で表わされるセリウム賦
   活ガドリニウムオキシクロライド蛍光体に吸収させた後
   、この蛍光体に４５０〜８５０ｎｍの波長領域の電磁波
   を照射することにより、該蛍光体に蓄積されている放射
   線エネルギーを蛍光として放出させ、そしてこの蛍光を
   検出することを特徴とする放射線像変換方法。 組成式（ I ）： ＧｄＯＣｌ：ｘＣｅ＾３＾＋　（ I ） （ただし、ｘは０＜ｘ≦０．２の範囲の数値である）。
2. ２．組成式（ I ）におけるｘが１０＾−＾５≦ｘ≦１
   ０＾−＾２の範囲の数値であることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の放射線像変換方法。
3. ３．上記電磁波が４５０〜７００ｎｍの波長領域の電磁
   波であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   放射線像変換方法。
4. ４．上記電磁波がレーザー光であることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の放射線像変換方法。