JPS6140391A - 放射線像変換方法およびその方法に用いられる放射線像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明は、放射線像変換方法およびその方法に用いられ
る放射線像変換パネルに関するものである。さらに詳し
くは１本発明は、輝尽性のセリウム賦活希土類ハロ燐酸
塩蛍光体を使用する放射線像変換方法、およびその方法
に用いられる放射線像変換パネルに関するものである。

［発明の技術的背景］ 従来、放射線像を画像として得る方法として。

銀塩感光材料からなる乳剤層を有する放射線写真フィル
ムと′増感紙（増感スクリーン）との組合わせを使用す
る、いわゆる放射線写真法が利用されている。上記従来
の放射線写真法にかわる方法の一つとして４たとえば、
特開昭５５−１２１４５号公報等に記、載されているよ
うな輝尽性蛍光体を利用する放射線像変換方法が知られ
ている。この方法は、被写体を透過した放射線、あるい
は被検体から発せられた放射線を輝尽性蛍光体に吸収さ
せ、そののちにこの蛍光体を可視光線、赤外線などの電
磁波（励起光）で時系列的に励起することにより、蛍光
体中に蓄積されている放射線エネルギーを蛍光（輝尽発
光）として放出させ、この蛍光を光電的に読取って電気
信号を得、この電気信号を画像化するものである・ 上記放射線像変換方法によれば、従来の放射線写真法を
利用した場合に比較して、はるかに少ない被曝線量で情
報量の豊富なＸ線画像を得ること。

ができるという利点がある。従って、この放射線像変換
方法は、特に医療診断を目的とするＸ線撮影などの直接
医療用放射線撮影において利用価値が非常に高いもので
ある。

上記の放射線像変換方法においては、Ｘ線などの放射線
を照射したのち可視乃至赤外領域の電磁波の励起により
発光（輝尽発光）を示す輝尽性蛍光体が用いられる。そ
のような輝尽性蛍光体としては、従来より、二価ユーロ
ピウム賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物蛍光体（
Ｍ”ＦＸ：Ｅｕ計；ただし　ｐｄＮはＭｇ、Ｃａおよび
Ｂａからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ
土類金属であり、ＸはＣｌ、Ｂｒおよび！からなる群よ
り選ばれる少なくとも一種のハロゲンであル）；ユーロ
ピウムおよびサマリウム賦活硫化ストロンチウム蛍光体
（ＳｒＳ：Ｅｕ、Ｓｍ）；−Ｌ−ロピウムおよびサマリ
ウム賦活オキシ硫化ランタン蛍光体（Ｌａ２０２Ｓ：Ｅ
ｕ、３ｍ）；ユーロピウム賦活酸化アルミニウムバリウ
ム蛍光体（ＢａＯ＊ＡＪ１２０３　：Ｅｕ）；ニーｏピ
ウム賦活アルカリ土類金属ケイ酸塩蛍光体（Ｍ２＋Ｏ・
Ｓ　ｉ　Ｏ２：　Ｅ　ｕ　；ただし、Ｍ′はＭｇ、Ｃａ
およびＢａからなる群より選ばれる少なくとも一種のア
ルカリ土類金属である）；セリウム賦活希土類オキシハ
ロゲン化物蛍光体（ＬｎＯＸ：Ｃｅ；ただし、ＬｎはＬ
ａ、Ｙ、ＧｄおよびＬｕからなる群より選ばれる少なく
とも一種の希土類元素であり、ＸはＣ１、Ｂｒおよび■
からなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであ
る）などが知られている。

［発明の要旨］ 本発明は、新規な輝尽性蛍光体を使用する放射線像変換
方法およびその方法に用いられる放射線像変換パネルを
提供することを目的とするものである。

本発明者は、輝尽性蛍光体の探索を行なってきたがその
結果、新たに下記組成式（１）で表わされるセリウムに
より賦活された希土類ハロ燐酸塩蛍光体が輝尽発光を示
すことを見出し、本発明に到達したものである。

すなわち、本発明の放射線像変換方法は、被写体を透過
した、あるいは被検体から発せられた放射線を、下記組
成式（Ｉ）で表わされるセリウム賦活希土類ハロ燐酸塩
蛍光体に吸収させたのち。

この蛍光体に５００〜８５０ｎｍの波長領域の電磁波を
照射することにより、該蛍光体に蓄積されている放射線
エネルギーを蛍光として放出させ、そしてこの蛍光を検
出することを特徴とする。

組成式（１）： ％式％（） （ただし、ＬｎはＹ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕからなる群
より選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり；Ｘは
Ｆ、Ｃ１、Ｂｒおよび工からなる群より選ばれる少なく
とも一種のハロゲンであり；そしてａは０．１≦ａ≦１
０．０の範囲の数値であり、Ｘは０＜ｘ≦０．２の範囲
の数値である） また、本発明の放射線像変換パネルは、支持体と、この
支持体上に設けられた輝尽性蛍光体を分散状態で含有支
持する結合剤からなる蛍光体層とから実質的に構成され
ており、該蛍光体層が、上記組成式（Ｉ）で表わされる
セリウム賦活希土類ハロ燐酸塩蛍光体を含有することを
特徴とする。

［発明の構成］ 第１図は、本発明の放射線像変換方法に用いられるセリ
ウム賦活希土類ハロ燐酸塩蛍光体の具体例であるＬａＰ
Ｏ４ｅＯ，５ＬａＢｒ３：０．００１Ｃｅ″蛍光体の輝
尽励起スペクトルである。

第１図から明らかなように１本発明に用いられるセリウ
ム賦活希土類ハロ燐酸塩蛍光体は、放射線の照射後５０
０〜８５０ｎｍの波長領域の電磁波で励起すると輝尽発
光を示す、特に、５００〜７００ｎｍの波長領域の電磁
波で励起した場合に高輝度の輝尽発光を示す０本発明の
放射線像変換方法において、励起光として用いられる電
磁波の波長を５００〜８５０　ｎｍと規定したのは、こ
のような事実に基づいてである。

また第２図は、本発明の放射線像変換方法に用いられる
セリウム賦活希土類ハロ燐酸塩蛍光体の具体例であるＬ
　ａ　Ｐ　０４　ｍ　０．５　Ｌ　ａ　Ｂ　ｒ　３：０
．００１Ｃｅ′蛍光体の輝尽発光スペクトルである。

第２図から明らかなように、本発明に用いられるセリウ
ム賦活希土類ハロ燐酸塩蛍光体は近紫外乃至青色領域に
輝尽発光を示す。

以上特定の蛍光体を例にとり、本発明に用いられるセリ
ウム賦活希土類ハロ燐酸塩蛍光体の輝尽発光特性につい
て説明したが、本発明に用いられるその他の蛍光体につ
いてもその輝尽発光特性は上記の蛍光体の輝尽発光特性
とほぼ同様であり、放射線の照射後５００〜８５０ｎｍ
の波長領域の電磁波で励起すると近紫外乃至青色領域に
輝尽発光を示すことが確認されている。

第３図は、ＬａＰＯ４＠　ａＬａＢ　ｒ３　：０．００
１Ｃｅ′蛍光体におけるａ値と輝尽発光強度［８０ＫＶ
ｐのＸ線を照射した後、Ｈｅ−Ｎｅレーザー（６３２，
８ｍｍ）で励起した時の輝尽発光強度］との関係を示す
グラフである。第３図から明らかなように、ａ値が０．
１≦ａ≦１０．０の範囲にあるＬａＰＯ４ｅ　ａＬａＢ
ｒ３：０．００１Ｃｅ３＋蛍光体は輝尽発光を示す。本
発明の放射線像変換方法に用いられるセリウム賦活希土
類八日燐酸塩蛍光体におけるａ値を０．１≦ａ≦１０．
０の範囲に規定したのは、このような事実に基づいてで
ある。また゛第３図から、特にａ値が０．５≦ａ≦９．
５の範囲にある蛍光体は高輝度の輝尽発光を示し、さら
にａ値が１．０≦ａ≦８．０の範囲にある蛍光体はより
一層高輝度の輝尽発光を示すことが明らかである。なお
、上記以外の本発明に用いられるセリウム賦活希土類八
日燐酸塩蛍光体についても、ａ値と輝尽発光強・度との
関係は第３図と同じような傾向にあることが確認されて
いる。

本発明の放射線像変換方法において、上記組成式（Ｉ）
で表わされるセリウム賦活希土類ハロ燐耐塩蛍光体は、
それを含有する放射線像変換パネル（蓄積性蛍光体シー
トともいう）の形態で用いるのが好ましい。

放射線像変換パネルは、基本構造として、支持体と、そ
の片面に設けられた少なくとも一層の蛍光体層とからな
るものである。蛍光体層は、輝尽性蛍光体とこの輝尽性
蛍光体を分散状態で含有支持する結合剤からなる。なお
、この蛍光体層の支持体とは反対側の表面（支持体に面
していない側の表面）には一般に、透明な保護膜が設け
られていて、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な
衝撃から保護している。

すなわち、本発明の放射線像変換方法は、前記の組成式
（Ｉ）で表わされるセリウム賦活希土類八日燐酸塩蛍光
体からなる蛍光体層を有する放射線像変換パネルを用い
て実施するのが望ましい。

組成式（Ｉ）で表わされる輝尽性蛍光体を放射線像変換
パネルの形態で用いる本発明の放射線像変換方法におい
ては、被写体を透過した、あるいは被検体から発せられ
た放射線は、その放射線量に比例して放射線像変換パネ
ルの蛍光体層に吸収され、放射線像変換パネル上には被
写体あるいは被検体の放射線像が放射線エネルギーの蓄
積像として形成される。この蓄積像は、５００〜８５０
ｎｍの波長領域の電磁波（励起光）で励起することによ
り、輝尽発光（蛍光）として放射させることができ、こ
の輝尽発光を光電的に読み取って電気信号に変換するこ
とにより、放射線エネルギーの蓄積像を画像化すること
が可能となる。

本発明の放射線像変換方法を、組成式（Ｉ）で表わされ
る輝尽性蛍光体を放射線像変換パネルの形態で用いる態
様を例にとり、第４図に示す概略図を用いて其体的に説
明する。

第４図において、１１はＸ線などの放射線発生装置、１
２は被写体、１３は上記組成式（Ｉ）で表わされる輝尽
性蛍光体を含有する放射線像変換パネル、１４は放射線
像変換パネル１３上の放射線エネルギーの蓄積像を蛍光
として放射させるための励起源としての光源、１５は放
射線像変換パネル１３より放射された蛍光を検出する光
電変換装置、１６は光電変換装置１５で検出された光電
変換信号を画像として再生する装置、１７は再生された
画像を表示する装置、そして、１８は光源１４からの反
射光を透過させないで放射線像変換パネル１３より放射
された蛍光のみを透過させるためのフィルターである。

なお、第４図は被写体の放射線透過像を得る場合の例を
示しているが、被写体１２自体が放射線を発するもの（
本明細書においてはこれを被検体という）である場合に
は、上記の放射線発生装置１１は特に設置する必要はな
い。また、光電変換装置１５〜画像表示装置１７までは
、放射線像変換パネル１３から蛍光として放射される情
報を何らかの形で画像として再生できる他の適当な装置
に変えることもできる。

第４図に示されるように、被写体１２に放射線発生装置
１１からＸ線などの放射線を照射すると、その放射線は
被写体１２をその各部の放射線透過率に比例して透過す
る。被写体１２を透過した放射線は、次に放射線像変換
パネル１３に入射し、その放射線の強弱に比例して放射
線像変換パネル１３の蛍光体層に吸収される。すなわち
、放射線像変換パネル１３上には放射線透過像に相当す
る放射線エネルギーの蓄積像（一種の潜像）が形成され
る。

次に、放射線像変換パネル１３に光源１４を用いて５０
０〜８５０ｎｍの波長領域の電磁波を照射すると、放射
線像変換パネル１３に形成された放射線エネルギーの蓄
積像は、蛍光として放射される。この放射される蛍光は
、放射線像変換パネル１３の蛍光体層に吸収された放射
線エネルギーの強弱に比例している。この蛍光の強弱で
構成される光信号を、たとえば、光電子増倍管などの光
電変換装置１５で電気信号に変換し１画像再生装置１６
によって画像として再生し、画像表示装置１７によって
この画像を表示する。

放射線像変換パネルに蓄積された画像情報を蛍光として
読み出す操作は、一般にレーザー光でパネルを時系列的
に走査し、この走査によってパネルから放射される蛍光
を適当な集光体を介して光電子増倍管等の光検出器で検
出し、時系列電気信号を得ることによって行なわれる。

この読出しは観察読影性能のより優れた画像を得るため
に、低エネルギーの励起光の照射による先読み操作と高
エネルギーの励起光の照射による本読み操作とから構成
されていてもよい（特開昭５８−６７２４０号公報参照
）。この先読み操作を行なうことにより本読み操作にお
ける読出し条件を好適に設定することができるとの利点
がある。

また、たとえば光電変換装置として光導電体およびフォ
トダイオードなどの固体光電変換素子を用いることもで
きる（特願昭５８−８６２２６号、特願昭５８−８６２
２７号、特願昭５８−２１９３１３号および特願昭５８
−２１９３１４号の各明細書、および特開昭５８−１２
１８７４号公報参照）。この場合には、多数の固体光電
変換素子がパネル全表面を覆うように構成され、パネル
と一体化されていてもよいし、あるいはパネルに近接し
た状態で配置されていてもよい。また、光電変換装置は
複数の光電変換素子が線状に連なったラインセンサであ
ってもよいし、あるいは一画素に対応する一個の固体光
電変換素子から構成されていてもよい。

上記の場合の光源としては、レーザー等のような点光源
のほかに、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザー
等を列状に連ねてなるアレイなどの線光源であってもよ
い。このような装置を用いて読出しを行なうことにより
、パネルから放出される蛍光の損失を防ぐと同時に受光
立体角を大きくしてＳ／Ｎ比を高めることができる。ま
た、得られる電気信号は励起光の時系列的な照射によっ
てではなく、光検出器の電気的な処理によって時系列化
されるために、読出し速度を速くすることが可能である
。

画像情報の読出しが行なわれた放射線像変換パネルに対
しては、蛍光体の励起光の波長領域の光を照射すること
により、あるいは加熱することにより、残存している放
射線エネルギーの消去を行なってもよく、そうするのが
好ましい（特開昭５６−１１３９２号および特開昭５６
−１２５９９号公報参照）。この消去操作を行なうこと
により、次にこのパネルを使用した時の残像によるノイ
ズの発生を防止することができる。さらに、読出し後と
次の使用直前の二度に渡って消去操作を行なうことによ
り、自然放射能などによるノイズの発生を防いで更に効
率良く消去を行なうこともできる（特開昭５７〜１１６
３００号公報参照）。

本発明の放射線像変換方法において、被写体の放射線透
過像を得る場合に用いられる放射線としては、上記蛍光
体がこの放射線の照射を受けたのち上記電磁波で励起さ
れた時において輝尽発光を示しうるものであればいかな
る放射線であってもよく、例えばＸ線、電子線、紫外線
など一般に知られている放射線を用いることができる。

また、被検体の放射線像を得る場合において被検体から
直接発せられる放射線は、一様に上記蛍光体に吸収され
て輝尽発光のエネルギー源となるものであればいかなる
放射線であってもよく、その例としてはγ線、α線、β
線などの放射線を挙げることができる。　　、 被写体もしくは被検体からの放射線を吸収した蛍光体を
励起するための励起光の光源としては、５００〜８５０
ｎｍの波長領域にバンドスペクトル分布をもつ光を放射
する光源のほかに、たとえばＡｒイオンレーザ−１Ｋｒ
イオンレーザ−１Ｈｅ−Ｎｅレーザー、ルビーφレーザ
ー、半導体レーザー、ガラス・レーザー、ＹＡＧレーザ
−、色素レーザー等のレーザーおよび発光ダイオードな
どの光源を使用することもできる。なかでもレーザーは
、単位面積当りのエネルギー密度の高いレーザービーム
を放射線像変換パネルに照射することができるため、本
発明において用いる励起用光源として好ましい。それら
のうちでその安定性および出力などの点から、好ましい
レーザーはＨｅ−Ｎｅレーザー、Ａｒイオンレーザ−お
よびＫｒイオンレーザ−である。また、半導体レーザー
は小型であること、駆動電力が小さいこと、直接変調が
可能なのでレーザー出力の安定化が簡単にできること、
などの理由により励起用光源として好ましい。

また、消去に用いられる光源としては、輝尽性蛍光体の
励起波長領域の光を放射するものであればよく、その例
としてはタングステンランプ、蛍光灯、ハロゲンランプ
を挙げることができる。

本発明の放射線像変換方法は、輝尽性蛍光体に放射線の
エネルギーを吸収蓄積させる蓄積部、この蛍光体に励起
光を照射して放射線のエネルギーを蛍光として放出させ
る光検出（読出し）部、および蛍光体中に残存するエネ
ルギーを放出させるための消去部を一つの装置に内蔵し
たビルトイン型の放射線像変換装置に適用することもで
きる（特願昭５７−８４４３６号および特願昭５８−６
６７３０号明細書参照）、このようなビルトイン型の装
置を利用することにより、放射線像変換パネル（または
輝尽性蛍光体を含有してなる記録体）を循環再使用する
ことができ、安定した均質な画像を得ることができる。

また、ビルトイン型とすることにより装置を小型化、軽
量化することができ、その設置、移動などが容易になる
。さらにこの装置を移動車に搭載することにより１巡回
放射線撮影が可能となる。

次に、本発明の放射線像変換方法に用いられる放射線像
変換パネルについて説明する。

この放射線像変換パネルは、前述のように、実質的に支
持体と、この支持体上に設けられた前記組成式（Ｉ）で
表わされるセリウム賦活希土類ハロ燐酸塩蛍光体を分散
状態で含有支持する結合剤からなる蛍光体層とから構成
される。

上記の構成を有する放射線像変換パネルは、たとえば１
次に述べるような方法により製造することができる。

まず、放射線像変換パネルに用いられる上記組成式（Ｉ
）で表わされるセリウム賦活希土類ハロ燐酸塩蛍光体に
ついて説明する。

このセリウム賦活希土類ハロ燐酸塩蛍光体は、たとえば
、次に記載するような製造法により製造することができ
る。

まず、蛍光体原料として、 １　）　Ｙ　２０３　、　Ｌ　ａ　２０３、Ｇｄ２Ｏ３
、Ｌｕ２Ｏ３からなる群より選ばれる少なくとも一種の
希土類酸化物、 ２）Ｐ２Ｏ３， ３）ＹＦ３、ＹＣＣ８４ＹＢｒ３、ＹＩ３、ＬａＦ３　
、　ＬａＣ１３、ＬａＢｒ３．　　ＬａＩ３゜ＧｄＦ３
　、　ＧｄＣ見３、　ＧｄＢｒ３．Ｇｄｌ３、ＬａＦ３
、ＬｕＣＪＪ３．ＬｕＢｒ３およびＬｕｌ３からなる群
より選ばれる少なくとも一種の希土類ハロゲン化物、 ４）ハロゲン化物、酸化物、硝酸塩、硫酸塩などのセリ
ウムの化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の
化合物、 を用意する。場合によっては、さらにハロゲン化アンモ
ニウム（ＮＨ４Ｘ”；ただし、ｘ°゛はＣｌ、Ｂｒまた
はＩである）などをフラックスとして使用してもよい。

蛍光体の製造に際しては、上記ｌ）の希土類酸化物、２
）の五酸化リン、３）の希土類ハロゲン化物および４）
のセリウム化合物を用いて、化学量論的に１組成式（■
）： ＬｎＰＯ４ｅ　ａＬｎＸ３　：　ｘＣｅ　　　　（ＩＦ
）（ただし、ＬｎはＹ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕからなる
群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり；Ｘ
はＦ、Ｃｌ、Ｂｒおよび■からなる群より選ばれる少な
くとも一種のハロゲンであり；そしてａは０．１≦ａ≦
１０．０の範囲の数値であり、Ｘは０＜ｘ≦０．２の範
囲の数値である） に対応する相対比となるように秤量混合して、蛍光体原
料の混合物を調製する。

蛍光体原料混合物の調製は、 １）上記１）、２）、３）および４）の蛍光体原料を単
に混合することによって行なってもよく、あるいは、 ｉｉ）まず、上記１）、２）および３）の蛍光体原料を
混合し、この混合物を１００℃以上の温度で数時間加熱
したのち、得られた熱処理物に上記４）の蛍光体原料を
混合することによって行なってもよい。

なお、上記ｉｉ）の方法の変法として、上記１）、２）
、３）および４）の蛍光体原料を混合し、得られた混合
物に上記熱処理を施す方法を利用してもよい。

上記ｉ）およびｉｉ）のいずれの方法においても。

混合には、各種ミキサー、■型ブレンダー、ボールミル
、ロッドミルなどの通常の混合機が用いられる。

次に、上記のようにして得られた蛍光体原料混合物を石
英ポート、アルミナルツボ、石英ルツボなどの耐熱性容
器に充填し、電気炉中で焼成を行なう、焼成温度は５０
０−１４００℃の範囲が適当であり、好ましくは７００
〜１２００℃の範囲である。焼成時間は蛍光体原料混合
物の充填量および焼成温度などによっても異なるが、一
般には０．５〜６時間が適当である。焼成雰囲気として
は、少量の水素ガスを含有する窒素ガス雰囲気、あるい
は、−酸化炭素を含有する二酸化炭素雰囲気などの弱還
元性の雰囲気を利用する。上記２）の蛍光体原料として
、セリウムの価数が四価のセリウム化合物が用いられる
場合には、焼成過程において上記弱還元性の雰囲気によ
って四価のセリウムは三価のセリウムに還元される。

上記焼成によって粉末状の蛍光体が得られる。

なお、得られた粉末状の蛍光体については、必要に応じ
て、さらに、洗浄、乾燥、ふるい分けなどの蛍光体の製
造における各種の一般的な操作を行なってもよい。

なお、輝尽発光輝度の点から２組成式（Ｉ）で表わされ
るセリウム賦活希土類ｌ＼口燐酸塩蛍光体において希土
類元素を表わすＬｎはＹおよびＬａのうちの少なくとも
一種であるのが好ましく、ハロゲンを表わすＸはＣ１お
よびＢｒのうちの少なくとも一種であるのが好ましい、
希土類ハロゲン化物の含有量を表わすａ値は０．５≦ａ
≦９．５の範囲にあるのが好ましく、特に好ましくは１
゜０≦ａ≦８．０の範囲である。同じく輝尽発光輝度の
点から、組成式（Ｉ）においてセリウムの賦活量を表わ
すＸ値は１０”４≦Ｘ≦１０４の範囲にあるのが好まし
い。

次に、セリウム賦活希土類八日燐酸塩蛍光体がその中に
分散せしめられて形成される蛍光体層の結合剤の例とし
ては、ゼラチン等の蛋白質、デキストラン等のポリサッ
カライド、またはアラビアゴムのような天然高゛分子物
質；および、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、
ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化ビニリデン
・塩化ビニルコポリマー、ポリアルキル（メタ）アクリ
レート、塩化ビニル番酢酸ビニルコポリマー、ポリウレ
タン、セルロースアセテートブチレート、ポリビニルア
ルコール、線状ポリエステルなどような合成高分子物質
などにより代表される結合剤を挙げることができる。こ
のような結合剤のなかで特に好ましいものは、ニトロセ
ルロース、線状ポリエステル、ポリアルキル（メタ）ア
クリレート、ニトロセルロースと線状ポリエステルとの
混合物、およびニトロセルロースとポリアルキル（メタ
）アクリレートとの混合物である。

蛍光体層は、たとえば、次のような方法により支持体上
に形成することができる。

まず粒子状の輝尽性蛍光体と結合剤とを適当な溶剤に加
え、これを充分に混合して、結合剤溶液中に輝尽性蛍光
体が均一に分散した塗布液を調製する。

塗布液調製用の溶剤の例としては、メタノール、エタノ
ール、ｎ−プロパツール、ｎ−’：ｊ’））−ルなどの
低級アルコール；メチレンクロライド、エチレンクロラ
イドなどの塩素原子含有炭・化水素；アセトン、メチル
エチルケトン、メチルインブチルケトンなどのケトン；
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸
と低級アルコールとのエステル；ジオキサン、エチレン
グリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモ
ノメチルエーテルなどのエーテル；そして、それらの混
合物を挙げることができる。

塗布液における結合剤と輝尽性蛍光体との混合比は、目
的とする放射線像変換パネルの特性、蛍光体の種類など
によって異なるが、一般には結合剤と蛍光体との混合比
は、１；ｌ乃至１：１００（重量比）の範囲から選ばれ
、そして特にｌ：８乃至１：４０（重量比）の範囲から
選ぶのが好ましい。

なお、塗布液には、該塗布液中における蛍光体の分散性
を向上させるための分散剤、また、形成後の蛍光体層中
における結合剤と蛍光体との間の結合力を向上させるた
めの可塑剤などの種々の添加剤が混合されていてもよい
。そのような目的に用いられる分散剤の例としては、フ
タル酸、ステアリン酸、カプロン酸、親油性界面活性剤
などを挙げることができる。そして可塑剤の例としては
、燐酸トリフェニル、燐酸トリクレジル、燐酸ジフェニ
ルなどの燐酸エステル；フタル酩ジエチル、フタル酸ジ
メトキシエチルなどのフタル酸エステル；グリコール酸
エチルフタリルエチル、グリコール酸ブチルフタリルブ
チルなどのグリコール酸エステル；そして、トリエチレ
ングリコールとアジピン酸とのポリエステル、ジエチレ
ングリコールとコハク酸とのポリエステルなどのポリエ
チレングリコールと脂肪族二塩基酸とのポリエステルな
どを挙げることができる。

」二記のようにして調製された蛍光体と結合剤とを含有
する塗布液を、次に、支持体の表面に均一に塗布するこ
とにより塗布液の塗膜を形成する。

この塗布操作は、通常の塗布手段、たとえば、ドクター
ブレード、ロールコータ−、ナイフコーターなどを用い
ることにより行なうことができる。

支持体としては、従来の放射線写真法における増感紙（
または増感用スクリーン）の支持体として用いられてい
る各種の材料、あるいは放射線像変換パネルの支持体と
して公知の材料から任意に選ぶことができる。そのよう
な材料の例としては、セルロースアセテート、ポリエス
テル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリ
イミド、トリアセテート、ポリカーボネートなどのプラ
スチック物質のフィルム、アルミニウム箔、アルミニウ
ム合金箔などの金属シート、通常の紙、バライタ紙、レ
ジンコート紙、二酸化チタンなどの顔料を含有するピグ
メント紙、ポリビニルアルコールなどをサイジングした
紙などを挙げることができる。

ただし、放射線像変換パネルの情報記録材料としての特
性および取扱いなどを考慮した場合、本発明において特
に好ましい支持体の材料はプラスチックフィルムである
。このプラスチックフィルムにはカーずンブラックなど
の光吸収性物質が練り込まれていてもよく、あるいは二
酸化チタンなどの光反射性物質が練り込まれていてもよ
い。前者は高鮮鋭度タイプの放射線像変換パネルに適し
た支持体であり、後者は高感度タイプの放射線像変換パ
ネルに適した支持体である。

公知の放射線像変換パネルにおいて、支持体と蛍光体層
の結合を強化するため、あるいは放射線像変換パネルと
しての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上させ
るために、蛍光体層が設けられる側の支持体表面にゼラ
チンなどの高分子物質を塗布して接着性付与層としたり
、あるいは二酸化チタンなどの光反射性物質からなる光
反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性物質
からなる光吸収層などを設けることが知られている。本
発明において用いられる支持体についても、これらの各
種の層を設けることができ、それらの構成は所望の放射
線像変換パネルの目的、用途などに応じて任意に選択す
ることができる。

さらに、特開昭５８−２００２００号公報に記載されて
いるように、得られる画像の鮮鋭度を向−ヒさせる目的
で、支持体の蛍光体層側の表面（支持体の蛍光体層側の
表面に接着性付与層、光反射層あるいは光吸収層などが
設けられている場合には、その表面を意味する）には微
小の凹凸が形成されていてもよい。

上記のようにして支持体上に塗膜を形成したのち塗膜を
乾燥して、支持体上への輝尽性蛍光体層の形成を完了す
る。蛍光体層の層厚は、目的とする放射線像変換パネル
の特性、蛍光体の種類、結合剤と蛍光体との混合比など
によって異なるが、通常は２０ｇｍ乃至１ｍｍとする。

ただし、この層厚は５０乃至５００　ｇｍとするのが好
ましい。

また、輝尽性蛍光体層は、必ずしも−に記のように支持
体上に塗布液を直接塗布して形成する必要はなく、たと
えば、別に、ガラス板、金属板、プラスチックシートな
どのシート上に塗布液を塗布し乾燥することにより蛍光
体層を形成したのち、これを、支持体上に押圧す゛るか
、あるいは接着剤を用いるなどして支持体と蛍光体層と
を接合してもよい。

輝尽性蛍光体層は一層だけでもよいが、二層以上を重層
してもよい。重層する場合にはそのうちの少なくとも一
層が組成式（Ｉ）のセリウム賦活希土類ハロ燐酸塩蛍光
体を含有する層であればよく、パネルの表面に近い方に
向って順次放射線に対する発光効率が高くなるように複
数の蛍光体層を重層した構成にしてもよい。また、単層
および重層のいずれの場合も、上記蛍光体とともに公知
の輝尽性蛍光体を併用することができる。

そのような公知の輝尽性蛍光体の例としては、前述の蛍
光体のほかに、特開昭５５−１２１４２号公報に記載さ
れているＺｎＳ　：　Ｃｕ　、Ｐｂ、ＢａＯ＊ｘＡｌ２
Ｏ３：Ｅｕ　（ただし、０．８≦Ｘ≦ｉｏ）、および、
ＭＩＯ・ｘｓｉ０２：Ａ（ただし、Ｍｌ［はＭｇ、Ｃａ
、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、またはＢａであり、ＡはＣｅ、Ｔ
ｂ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔｕ、Ｂｉ、またはＭｎであり
、Ｘは、０．５≦Ｘ≦２．５である）、 特開昭５５−１２１４３号公報に記載されている（Ｂａ
１−’ｘ−ｙ、Ｍｇｘ、Ｃａｙ）ＦＸ：ａＥｕ２＋（た
だし、ＸはＣ１およびＢｒｃ７）うちの少なくとも一つ
であり、Ｘおよびｙは、０くＸ＋ｙ≦０．６、かつｘｙ
ｓＯであり、ａは、１０−≦ａ≦５Ｘ１（１’である）
、および、特開昭５５−１２１４４号公報に記載されて
いるＬｎＯＸ：ｘＡＣただし、ＬｎはＬａ、Ｙ。

Ｇｄ、５よびＬｕのうちの少なくとも一つ、ＸはＣ１お
よびＢｒのうちの少なくとも一つ、ＡはＣｅおよびＴｂ
のうちの少なくとも一つ、そして、Ｘは、Ｏ＜ｘ＜０゜
１である）。

などを挙げることができる。

通常の放射線像変換パネルにおいては、前述のように支
持体に接する側とは反対側の蛍光体層の表面に、蛍光体
層を物理的および化学的に保護するための透明な保護膜
が設けられている。このような透明保護膜は、本発明の
放射線像変換パネルについても設置することが好ましい
。

透明保護膜は、たとえば、酢酸セルロース、ニトロセル
ロースなどのセルロース、Ｊｉ体；）＋るいはポリメチ
ルメタクリレート、−ポリビニルブチラール、ポリビニ
ルホルマール、ポリカーボネート、ポリ酢酸ビニル、塩
化ビニル・酢酸ビニルコポリマーなどの合成高分子物質
のような透明な高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製
した溶液を蛍光体層の表面に塗布する方法により形成す
ることができる。あるいは、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミドな
どから別に形成した透明な薄膜を蛍光体層の表面に適当
な接着剤を用いて接着するなどの方法によっても形成す
ることができる。このようにして形成する透明保護膜の
膜厚は、約０．１乃至２０ＪＬｍとするのが望ましい。

次に本発明の実施例を記載する。ただし、これらの各実
施例は本発明を制限するものではない。

［実施例１］　　　　　− 酸化ランク７　（Ｌａ２０３）３２５−８　ｇ、五酸化
リン（Ｐ２Ｏ３）７０．９７ｇ　、臭化う、ンタン（Ｉ
；、ａＢ　ｒ３）３７８．９ｇ８よび酸化セリウム（Ｃ
ｅＯ２）０．３４４ｇをポー／ｌ／ミ／ｌ／を用いて充
分に混合した。

次に、得られた蛍光体原料混合物をアルミナルツボに充
填し、これを高温電気炉に入れて焼成を行なった。焼成
は、−酸化炭素を含む二酸化炭素雰囲気中にて１１００
℃の温度で２時間かけて行なった。焼成が完了したのち
焼成物を炉外に取り出して冷却した。このようにして、
粉末状のセリウム賦活臭化燐酸ランタン蛍光体（ＬａＰ
Ｏ４・０．５　Ｌ　ａ　Ｂ　ｒ　３　：０．ＱＯＩＣｅ
　′）を得た。

［実施例２］ 実施例１において、臭化ランタンの代りに塩化ランタン
（ＬａＣ！Ｌ３）２４５．３ｇを用いること以外は実施
例１の方法と同様の操作を行なうことにより、粉末状の
セリウム賦活塩化燐酸ランタン蛍光体（ＬａＰ０４＊ｏ
、５ＬａＣＭ３：０．００１Ｃｅ３４　）を得た。

［実施例３］ 実施例１において、酸化ランタンおよび臭化ランタンの
代りにそれぞれ、酸化イツトリウム（Ｙ２Ｏ２）２２５
．８ｇおよび臭化イツトリウムＣＹＢｒ３）３２８．９
ｇを用いること以外は実施例１の方法と同様の操作を行
なうことにより、粉末状のセリウム賦活臭化燐酸イツト
リウム蛍光体（Ｙ　ＰＯ４”　０．５　ＹＢ　ｒ　３　
：０．００１Ｃｅ　”）を得た。

次に、実施例１で得られた蛍光体に管電圧８゜ＫＶｐｃ
７）Ｘ線を照射した後、５００〜８５０ｎｍの波長領域
の光で励起した時の４２０ｎｍの発光波長における輝尽
励起スペクトルを測定した。その結果を第１図に示す。

第１図は、Ｌ　ａ　Ｐ　Ｏ４・０．５　Ｌ　ａ　Ｂ　ｒ
　３　：０．００１Ｃｅ′蛍光体の輝尽励起スペクトル
を示す図である。

また、実施例１で得られた蛍光体に管電圧８゜ＫＶｐの
Ｘ線を照射したのち、Ｈｅ−Ｎｅレーザー（波長：６３
２．８ｎｍ）で励起したと嘴の輝尽発光スペクトルを測
定した。その結果を第２図に示す。

第２図は、Ｌ　ａ　Ｐ０４ｍ　０．５　Ｌ　ａＢ　ｒ　
３　：０．００１Ｃｅ３＋蛍光体の輝尽発光スペクトル
を示す。

［実施例４］ 実施例１において、臭化ランタンの量をＬａＰＯ４１モ
ルに対して０〜１０．０モルの範囲で変化させること以
外は実施例１と同様の操作を行なうことにより、臭化ラ
ンタンの含有量の異なる各種のセリウム賦活臭化燐酸ラ
ンタン蛍光体（ＬａＰＯ，ａ　ａ　Ｌ　ａＢ　ｒ　３　
：０．００１Ｃｅ’″）を得た。

次に、実施例４で得られた各蛍光体に管電圧８０ＫＶｐ
のＸ線を照射したのち、Ｈｅ−Ｎｅレーザー（波長：６
３２．８ｎｍ）で励起したときの輝尽発光強度を測定し
た。その結果を第３図に示す。

第３図は、ＬａＰＯ，＊　ａＬａＢ　ｒ３：０．ｏ０１
Ｃｅ″蛍光体における臭化ランタンの含有量（ａ値）と
輝尽発光強度との関係を示すグラフである。

［実施例５］ 実施例１で得られたセリウム賦活臭化燐酸ランタン蛍光
体（ＬａＰＯ４’０．５　ＬａＢ　ｒ　３　：０．００
１Ｃｅ″）の粒子と線状ポリエステル樹脂との混合物に
メチルエチルケトンを添加し、さらに硝化度１１．５％
のニトロセルロースを添加して蛍光体を分散状態で含有
する分散液を調製した。次に、この分散液に燐酸トリク
レジル、ｎ−ブタノールそしてメチルエチルケトンを添
加したのち、プロペラミキサーを用いて充分に攪拌混合
して、蛍光体が均一に分散し、かつ結合剤と蛍光体との
混合比が１：１０、粘度が２５〜３５ＰＳ　（２５℃）
の塗布液を調製した。

次に、ガラス板上に水平に置いた二酸化チタン練り込み
ポリエチレンテレフタレートシート（支持体、厚み：２
５０ｕｍ）の上に塗布液をドクターブレードを用いて均
一に塗布した。そして塗布後に、塗膜が形成された支持
体を乾燥器内に入れ、この乾燥器の内部の温度を２５℃
からｌｏ。

℃に徐々に上昇させて、塗膜の乾燥を行なった。

このようにして、支持体上に層厚が２５０ｐｍの蛍光体
層を形成した。

そして、この蛍光体層の上にポリエチレンテレフタレー
トの透明フィルム（厚み２１２μｍ、ボリエステル系接
着剤が付与されているもの）を接着剤層側を下に向けて
置いて接着することにより、透明保護膜を形成し、支持
体、蛍光体層および透明保護膜から構成された放射線像
変換パネルを製造した。

［実施例６〕 実施例５において、輝尽性蛍光体として実施例２で得ら
れたセリウム賦活塩化燐酸ランタン蛍光体（ＬａＰＯａ
　−０，５ＬａＣ見３　：０．００１Ｃｅ　”）を用い
ること以外は実施例５の方法と同様の処理を行なうこと
により、支持体、蛍光体層および透明保護膜から構成さ
れた放射線像変換パネルを製造した。

［実施例７］ 実施例５において、輝尽性蛍光体として実施例３で得ら
れたセリウム賦活臭化燐酸イツトリウム蛍光体（ＹＰＯ
，ａ　・０．５　ＹＢ　ｒ３　：０．００１Ｃｅ”）を
用いること以外は実施例５の方法と同様の処理を行なう
ことにより、支持体、蛍光体層および透明保護膜から構
成された放射線像変換パネルを製造した。

次に、実施例５．６および７で得られた各放射線像変換
パネルに管電圧８０ＫＶｐのＸ線を照射したのちＨｅ−
Ｎｅレーザー光（波長：６３２゜８ｎｍ）で励起して、
パネルの感度（輝尽発光輝度）を測定した。その結果を
第１表に示す。

第１表 相対感度 実施例５　　　　　　　　　、　ｉｏ。

実施例６　　　　　　　　　６０ 実施例７　　　　　　　　　６５

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に用いられるセリウム賦活希土類ハロ
燐酸塩蛍光体の具体例であるＬ　ａ　Ｐ　Ｏａ・０．５
　Ｌ　ａ　Ｂ　ｒ　３　：０．００１Ｃｅ”＋蛍光体の
輝尽励起スペクトルを示す図である。 第２図は、本発明に用いられるセリウム賦活希土類ハロ
燐酸塩蛍光体の具体例であるＬａＰＯ４５Ｏ，５ＬａＢ
ｒ３：０．００１Ｃｅ３＋蛍光体の輝尽発光スペクトル
を示す図である 第３図は、本発明のセリウム賦活希土類ハロ燐酸塩蛍光
体の具体例であるＬａＰＯ４＊　ａＬａＢ　ｒ　３　’
：０．００１Ｃｅ　”蛍光体におけるａ値と輝尽発光強
度との・関係を示すグラフである。 第４図は、本発明の放射線像変換方法を説明する概略図
である。 １１：放射線発生装置、１２：被写体、１３：放射線像
変換パネル、１４：光源、１５：光電変換装置、１６：
画像再生装置、１７：画像表示装置、１８：フィルター 特許出願人　富士写真フィルム株式会社代理人　　　弁
理士　　　柳川泰男 第１図 波長　（ｎｍ）

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 　１．被写体を透過した、あるいは被検体から発せられ
   た放射線を、下記組成式（Ｉ）で表わされるセリウム賦
   活希土類ハロ燐酸塩蛍光体に吸収させた後、この蛍光体
   に５００〜８５０ｎｍの波長領域の電磁波を照射するこ
   とにより、該蛍光体に蓄積されている放射線エネルギー
   を蛍光として放出させ、そしてこの蛍光を検出すること
   を特徴とする放射線像変換方法。 　組成式（Ｉ）： 　ＬｎＰＯ＿４・ａＬｎＸ＿３：ｘＣｅ＾３＾＋（Ｉ）
   　（ただし、ＬｎはＹ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕからなる
   群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり；Ｘ
   はＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少な
   くとも一種のハロゲンであり：そしてａは０．１≦ａ≦
   １０．０の範囲の数値であり、ｘは０＜ｘ≦０．２の範
   囲の数値である）
2. 　２．組成式（Ｉ）におけるａが０．５≦ａ≦９．５の
   範囲の数値であることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の放射線像変換方法。
3. 　３．組成式（Ｉ）におけるａが１．０≦ａ≦８．０で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の放射
   線像責換方法．
4. ４．組成式（Ｉ）におけるＬｎがＹおよびＬａのうちの
   少なくとも一種であることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の放射線像変換方法。
5. ５．組成式（Ｉ）におけるｘがＣ１およびＢｒのうちの
   少なくとも一種であることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の放射線像変換方法。
6. ６．組成式（Ｉ）におけるｘが１０＾−＾５≦ｘ≦１０
   ＾−＾２の範囲の数値であることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の放射線像変換方法。
7. ７．上記電磁波が５００〜７００ｎｍの波長領域の電磁
   波であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   放射線像変換方法。
8. ８．上記電磁波がレーザー光であることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の放射線像変換方法。
9. ９．支持体と、この支持体上に設けられた輝尽性蛍光体
   を分散状態で含有支持する結合剤からなる蛍光体層とか
   ら実質的に構成されており、該蛍光体層が、下記組成式
   （Ｉ）で表わされるセリウム賦活希土類ハロ燐酸塩蛍光
   体を含有することを特徴とする放射線像変換パネル， 組成式（Ｉ）： ＬｎＰＯ＿４・ａＬｎＸ＿３：ｘＣｅ＾３＾＋　（Ｉ）
   （ただし、ＬｎはＹ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕからなる群
   より選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり；Ｘは
   Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少なく
   とも一種のハロゲンであり；そしてａは０．１≦ａ≦１
   ０．０の範囲の数値であり、ｘは０＜ｘ≦０．２の範囲
   の数値である）
10. １０．組成式（Ｉ）におけるａが０．５≦ａ≦９．５の
    範囲の数値であることを特徴とする特許請求の範囲第９
    項記載の放射線像変換パネル。
11. １１．組成式（Ｉ）におけるａが１．０≦ａ≦８．０で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第１０項記載の放
    射線像変換パネル。
12. １２．組成式（Ｉ）におけるＬｎがＹおよびＬａのうち
    の少なくとも一種であることを特徴とする特許請求の範
    囲第９項記載の放射線像変換パネル。
13. １３．組成式（１）におけるＸがＣｌおよびＢｒのうち
    の少なくとも一種であることを特徴とする特許請求の範
    囲第９項記載の放射線像変換パネル。
14. １４．組成式（Ｉ）におけるｘが１０＾−＾５≦ｘ≦１
    ０＾−＾２の範囲の数値であることを特徴とする特許請
    求の範囲第９項記載の放射線像変換パネル。