JPS6188136A - 半導体マルチバイオセンサの製造方法 - Google Patents
半導体マルチバイオセンサの製造方法Info
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- JPS6188136A JPS6188136A JP59209166A JP20916684A JPS6188136A JP S6188136 A JPS6188136 A JP S6188136A JP 59209166 A JP59209166 A JP 59209166A JP 20916684 A JP20916684 A JP 20916684A JP S6188136 A JPS6188136 A JP S6188136A
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- JP
- Japan
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- photoresist
- film
- immobilized
- coated
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
- C12Q—MEASURING OR TESTING PROCESSES INVOLVING ENZYMES, NUCLEIC ACIDS OR MICROORGANISMS; COMPOSITIONS OR TEST PAPERS THEREFOR; PROCESSES OF PREPARING SUCH COMPOSITIONS; CONDITION-RESPONSIVE CONTROL IN MICROBIOLOGICAL OR ENZYMOLOGICAL PROCESSES
- C12Q1/00—Measuring or testing processes involving enzymes, nucleic acids or microorganisms; Compositions therefor; Processes of preparing such compositions
- C12Q1/001—Enzyme electrodes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4145—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS specially adapted for biomolecules, e.g. gate electrode with immobilised receptors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体マルチバイオセンサの製造方法に関し、
特に表面に酵素固定化膜が設けられた半導体電界効果型
イオンセンサを集積化してなる半導体マルチイオンセン
サの製造方法に関するものである。
特に表面に酵素固定化膜が設けられた半導体電界効果型
イオンセンサを集積化してなる半導体マルチイオンセン
サの製造方法に関するものである。
（従来技術）
従来、溶液中の特定の有機物の濃度を測定する半導体バ
イオセンサの一種に半導体電界効果型イオンセンサ（ｌ
ｏｎ ５ｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｆｉｅｌｄ ｐｆｆｅｃｔ
Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ＩＳｌ’ＥＴと略す）の表
面に酵素を固定化した膜が設けられたものが知られてい
る。（宮原裕二、塩用祥子、森泉豊栄、松岡英叩。
イオセンサの一種に半導体電界効果型イオンセンサ（ｌ
ｏｎ ５ｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｆｉｅｌｄ ｐｆｆｅｃｔ
Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ＩＳｌ’ＥＴと略す）の表
面に酵素を固定化した膜が設けられたものが知られてい
る。（宮原裕二、塩用祥子、森泉豊栄、松岡英叩。
軽部征夫、鉤木周−二「半導体技術を用いたバイオセン
サ」、電子通信学会、電子部品・材料研究会資料ｃｐＭ
ｓｘ−９３，６１（１９８１））、このｌ５ＦＥＴバイ
オセンサは、溶液中の特定の有機物が酵素固定化膜中で
酵素の触媒作用により分解された時に生ずる膜中の水素
イオン濃度の変化をｌ５ＦＥＴで検出することによシ、
特定の有機物の濃度を測定するものである。この選択性
をもつ酵素固定化膜の例として、たとえば尿素検出用と
してウレアーゼ固定化膜、グルコース検出用としてグル
コースオΦシダーゼ固定化１ｊＱなどが知られている。
サ」、電子通信学会、電子部品・材料研究会資料ｃｐＭ
ｓｘ−９３，６１（１９８１））、このｌ５ＦＥＴバイ
オセンサは、溶液中の特定の有機物が酵素固定化膜中で
酵素の触媒作用により分解された時に生ずる膜中の水素
イオン濃度の変化をｌ５ＦＥＴで検出することによシ、
特定の有機物の濃度を測定するものである。この選択性
をもつ酵素固定化膜の例として、たとえば尿素検出用と
してウレアーゼ固定化膜、グルコース検出用としてグル
コースオΦシダーゼ固定化１ｊＱなどが知られている。
また、酵素固定化膜が設けられたｌ５ＦＥＴと設けられ
ていないｌ５ＦＥＴの出力の差を測定することによシ、
溶液の電位変化の影響を打ち消すことができ、グシテナ
や金などの金属電極を参照電極に使用することが近年報
告されている。（Ｙ。
ていないｌ５ＦＥＴの出力の差を測定することによシ、
溶液の電位変化の影響を打ち消すことができ、グシテナ
や金などの金属電極を参照電極に使用することが近年報
告されている。（Ｙ。
Ｈａｎａｚａｔｏ ａｎｄ ８＊ ８ｈｉｏｎｏ
： ＢｉｏｅｌｅｃｔｒｏｄｅＶｓｉｎｇ Ｔｗ
ｏ Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｉｏｎ ５ｅｎｓｉｔｉｖｅ
Ｔｒａｎ −５ｉｓｔｏｒ ａｎｄ ａ Ｐｌａｔｉｎ
ａｍ Ｗｉｒｅ Ｐｓｅｕｄ。
： ＢｉｏｅｌｅｃｔｒｏｄｅＶｓｉｎｇ Ｔｗ
ｏ Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｉｏｎ ５ｅｎｓｉｔｉｖｅ
Ｔｒａｎ −５ｉｓｔｏｒ ａｎｄ ａ Ｐｌａｔｉｎ
ａｍ Ｗｉｒｅ Ｐｓｅｕｄ。
Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ、 Ｐｒｏｃ
、 ｏｆ ｔｈｅ Ｉｎｆｅｒ −ｎａｔｉｏｎａｌ
Ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｅｎｓｏ
ｒｓ 。
、 ｏｆ ｔｈｅ Ｉｎｆｅｒ −ｎａｔｉｏｎａｌ
Ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｅｎｓｏ
ｒｓ 。
Ｐ、５１３（１９８３））
（従来技術の問題点）
しかしながら、溶液中の多成分の有機物を同時に測定で
きるマルチバイオセンサを実現するためには複数の酵素
固定化膜をそれぞれ所定のＩ８Ｆ’ＥＴ表面に設けるこ
とが必要となるが、従来は１つの半２３体チップ上で行
うことができず、酵素固定化しきをもつ個々のｌ５ＦＥ
Ｔを基板にはりつけることによりマルチ化が行なわれた
。（花里、中子、塩野、「複合型酵素センサーの試作、
第４４回応用物理学会講演予稿集Ｐ、６０６（１９８３
））そのため、工８］ｉ’ＥＴの特徴であるＩＣ製造技
術が適用できず、犬景生産化や微小化が困難であるとい
う欠点が生じた。
きるマルチバイオセンサを実現するためには複数の酵素
固定化膜をそれぞれ所定のＩ８Ｆ’ＥＴ表面に設けるこ
とが必要となるが、従来は１つの半２３体チップ上で行
うことができず、酵素固定化しきをもつ個々のｌ５ＦＥ
Ｔを基板にはりつけることによりマルチ化が行なわれた
。（花里、中子、塩野、「複合型酵素センサーの試作、
第４４回応用物理学会講演予稿集Ｐ、６０６（１９８３
））そのため、工８］ｉ’ＥＴの特徴であるＩＣ製造技
術が適用できず、犬景生産化や微小化が困難であるとい
う欠点が生じた。
（発明の目的）
本発明の目的は、この様な従来の欠点を除去し、互いに
異なる酵素固定化膜を同一チップ上につくられたｌ５Ｆ
ＥＴのそれぞれの表面の所定の位置にウェーハの段階で
形成することができる大量生産に逸し、かつ−テップ化
された微小なマルチバイオセンサの製造方法を提供する
ことにある。
異なる酵素固定化膜を同一チップ上につくられたｌ５Ｆ
ＥＴのそれぞれの表面の所定の位置にウェーハの段階で
形成することができる大量生産に逸し、かつ−テップ化
された微小なマルチバイオセンサの製造方法を提供する
ことにある。
（発明の構成）
本発明によれば、核数個の、異なる酵素固定化 ・膜
を表面にもつ半導体電界効果型イオンセンサが集積化さ
れてなる半導体マルチバイオセンナの製造方法において
、半導体電界効果型イオンセンサが形成された半導体ウ
ェーハ上にフォトレジストを塗布し、この後フォトリン
グラフイー法によシ酵素固定化瞑が設けられる所定の半
導体電界効果型イオンセンサの表面のフォトレジストを
除く工程と、酵素と加橋剤を含む蛋白質溶液を塗布し酵
素固定化膜を形成する工程と、フォトレジストを溶かし
所定の半導体電界効果型イオンセンサの表面以外に存在
する酵素固定化膜を除去する工程とを備え複数個の異な
る酵素固定化膜をそれぞれ所定の半導体電界効果型イオ
ンセンサの表面に設けることを特徴とする半導体マルチ
バイオセンナの製造方法が得られる〇 （実施例） 以下本発明の一実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
を表面にもつ半導体電界効果型イオンセンサが集積化さ
れてなる半導体マルチバイオセンナの製造方法において
、半導体電界効果型イオンセンサが形成された半導体ウ
ェーハ上にフォトレジストを塗布し、この後フォトリン
グラフイー法によシ酵素固定化瞑が設けられる所定の半
導体電界効果型イオンセンサの表面のフォトレジストを
除く工程と、酵素と加橋剤を含む蛋白質溶液を塗布し酵
素固定化膜を形成する工程と、フォトレジストを溶かし
所定の半導体電界効果型イオンセンサの表面以外に存在
する酵素固定化膜を除去する工程とを備え複数個の異な
る酵素固定化膜をそれぞれ所定の半導体電界効果型イオ
ンセンサの表面に設けることを特徴とする半導体マルチ
バイオセンナの製造方法が得られる〇 （実施例） 以下本発明の一実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
第１図〜第６図はサファイア基板上に設けられた島状シ
リコン層を用いて形成された複数のｌ５ＦＢＴ上に２種
類の酵素固定化膜をそれぞれ設ける場合について示して
いる。なお、金属参照電極がサファイア基板１の裏面に
蒸着されおり、溶液の電位を定める仮の参照電極として
働くり第１図〜第６図において、ｌはサファイア基板、
２は高不純物濃度ｎ形シリコン領域、３はｐ形シリコン
領域。
リコン層を用いて形成された複数のｌ５ＦＢＴ上に２種
類の酵素固定化膜をそれぞれ設ける場合について示して
いる。なお、金属参照電極がサファイア基板１の裏面に
蒸着されおり、溶液の電位を定める仮の参照電極として
働くり第１図〜第６図において、ｌはサファイア基板、
２は高不純物濃度ｎ形シリコン領域、３はｐ形シリコン
領域。
４は酸化シリコン膜、５は窒化シリコン膜、６はアセト
ンに可溶なフォトレジスト膜、７は第１の酵素固化膜で
あるウレアーゼ固定化膜、８はアセトンに可溶なフォト
レジスト膜、９は第２の酵素固定化膜でたとえばグルコ
ースオキシダーゼ固定化膜、１０は金電極である。
ンに可溶なフォトレジスト膜、７は第１の酵素固化膜で
あるウレアーゼ固定化膜、８はアセトンに可溶なフォト
レジスト膜、９は第２の酵素固定化膜でたとえばグルコ
ースオキシダーゼ固定化膜、１０は金電極である。
、次に製造工程を順を追って説明するっサファイア基板
１表面の島状シリコン層を用いてｌ５ＦＥＴ形成しサフ
ァイア基板１裏面に金１０を蒸着したウェーハの表面に
アセトンに可溶性のフォトレジスト換６としてシラプレ
ー社（５ｈｉｐｌｅｙ Ｃｏ、 ）ｉＡＺ１４５０Ｊ
を３．００ Ｏｒ、ｐ、ｍの回転数でスピン塗布した後
、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィーによ＃）
第１の酵素固定化膜たとえばつレアーゼ固定化模が設け
られるｌ５ＦＥＴの表面のフォトレジスト膜を除去する
（第１図）０次に第１の酵素と架橋剤を含む蛋白質溶液
として１５％牛血清アルブミンを含む０．２Ｍ、 ｐＨ
＆５のトリス・塩酸緩衝液２５０μｌに、同じ緩衝液で
調製した１ ００ ｍｇ／ｄｉつＶ ７−セ（ヘ−１）
＝ｙ カー −マｙ ／％イム社製、約５０ Ｖ／ｍ
ｇ ） 溶液２５０μｌを加え。
１表面の島状シリコン層を用いてｌ５ＦＥＴ形成しサフ
ァイア基板１裏面に金１０を蒸着したウェーハの表面に
アセトンに可溶性のフォトレジスト換６としてシラプレ
ー社（５ｈｉｐｌｅｙ Ｃｏ、 ）ｉＡＺ１４５０Ｊ
を３．００ Ｏｒ、ｐ、ｍの回転数でスピン塗布した後
、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィーによ＃）
第１の酵素固定化膜たとえばつレアーゼ固定化模が設け
られるｌ５ＦＥＴの表面のフォトレジスト膜を除去する
（第１図）０次に第１の酵素と架橋剤を含む蛋白質溶液
として１５％牛血清アルブミンを含む０．２Ｍ、 ｐＨ
＆５のトリス・塩酸緩衝液２５０μｌに、同じ緩衝液で
調製した１ ００ ｍｇ／ｄｉつＶ ７−セ（ヘ−１）
＝ｙ カー −マｙ ／％イム社製、約５０ Ｖ／ｍ
ｇ ） 溶液２５０μｌを加え。
０．７５１ゲルタールアルデヒド水溶液５００μｌと撹
拌混合した溶液を３．００ Ｏｒ、ｐ、ｍの回転数でス
ピン塗布する（第２図）０この工程によシウレアーゼ固
定化瞑７を５０００Ｘ以下の厚さでほぼ均一に形成する
ことができた。ウレアーゼ固定化膜の窒化シリコン膜へ
の密着性も良好であったが、さらに密着性を向上させる
ため第１の酵素固定化膜のスピン塗布の前に窒化シテコ
ン映の表面をプライマー処理することも可能である０そ
の後、ウェーハをアセトンに浸しフォトレジスト６を溶
かし。
拌混合した溶液を３．００ Ｏｒ、ｐ、ｍの回転数でス
ピン塗布する（第２図）０この工程によシウレアーゼ固
定化瞑７を５０００Ｘ以下の厚さでほぼ均一に形成する
ことができた。ウレアーゼ固定化膜の窒化シリコン膜へ
の密着性も良好であったが、さらに密着性を向上させる
ため第１の酵素固定化膜のスピン塗布の前に窒化シテコ
ン映の表面をプライマー処理することも可能である０そ
の後、ウェーハをアセトンに浸しフォトレジスト６を溶
かし。
同時にフォトレジスト上に塗布されていたウレアーゼ固
定化膜を除去する。ウレアーゼ固定化膜中のウレアーゼ
はアセトンによって失活されないので、第１のｌ８ＦＥ
Ｔの表面だけに活性なウレアーゼ固定化膜７を形成する
ことができた（第３図）５次に、再びＡＺ １４５０Ｊ
を３．０００ ｒ、ｐ、ｍの回転数でスピン塗布した後
、室温、減圧下でフォトレジストを乾燥しフォトマスク
を用いたフォトリングラフイーによシ第２の酵素固定化
膿としてグルコース固定化膜が設けられるｌ５ＦＢＴの
表面のフォトレジスト膜を除去する（第４図）、この時
、室温でレジストを乾燥するのは、高温（６０℃以上）
では第１の酵素が失活するためである。次に、第２の酵
素と架橋剤を含む蛋白質溶液として１５チ牛血清アルブ
ミン液５０μノに、；？ｍＨのグルコースオキシダーゼ
（イーリンガー・マインハイム社製、約２５０ Ｖ／ｍ
ｇ ）水溶液４５０μｊを加え、０．７５％ゲルター
ルアルデヒド水溶液５００μｌと攪拌混合した溶液を３
．０００ ｒ、ｐ、ｍの回転数でスピン塗布する（第５
図）０この工程によりグルコースオキシダーゼ固定化膜
９を５０００Ｘ以下の厚さでほぼ均一に形成することが
できたＯグルコースオキシダーゼ固定化膜の窒化シリコ
ン俟への密着性も良好であったが、さらに密着剤を向上
させるため第２の酵素固定化のスピン塗布の前に窒化シ
リコン映の表面を１ライマー処理することも可能である
りこの後ウェー／Ｓをアセトンに浸しフォトレジスト８
を溶かし、同時にフォトレジスト上に塗布されていたウ
レア−ゼ固定膜を除去するログルコースオキシダーゼ固
定化膜中のグルコースはアセトンにより失活されないの
で、第２ ｌ５ＦＥＴの表面だけに活性なグルコース固
定化１戻９を形成することができた（第６図）Ｏ （発明の効果） 本発明により同一チップ上に異なる独二塙の素素固定化
涙がそれぞれ設けられた複数のｌ５ＦＥＴを容易に形成
することができ、マルチバイオセンサを容易に大量生産
し、微小化することができたＯ本発明の工程を橡シ返す
ことに、よシ３種類以上の酵素固定化膜がそれぞれ表面
に形成されたｌ５ＰＥＴを同一チップ上に設けることも
可能であることは明らかであシ、さらに、酵素固定化膿
が設けられいない同一テラ１上のｌ５ＦＥ’ｌ’の出力
と比較することにより金属電極を参照電極に使用するこ
とによる溶液の電位変動の影響を除去できることも明ら
かでちる。
定化膜を除去する。ウレアーゼ固定化膜中のウレアーゼ
はアセトンによって失活されないので、第１のｌ８ＦＥ
Ｔの表面だけに活性なウレアーゼ固定化膜７を形成する
ことができた（第３図）５次に、再びＡＺ １４５０Ｊ
を３．０００ ｒ、ｐ、ｍの回転数でスピン塗布した後
、室温、減圧下でフォトレジストを乾燥しフォトマスク
を用いたフォトリングラフイーによシ第２の酵素固定化
膿としてグルコース固定化膜が設けられるｌ５ＦＢＴの
表面のフォトレジスト膜を除去する（第４図）、この時
、室温でレジストを乾燥するのは、高温（６０℃以上）
では第１の酵素が失活するためである。次に、第２の酵
素と架橋剤を含む蛋白質溶液として１５チ牛血清アルブ
ミン液５０μノに、；？ｍＨのグルコースオキシダーゼ
（イーリンガー・マインハイム社製、約２５０ Ｖ／ｍ
ｇ ）水溶液４５０μｊを加え、０．７５％ゲルター
ルアルデヒド水溶液５００μｌと攪拌混合した溶液を３
．０００ ｒ、ｐ、ｍの回転数でスピン塗布する（第５
図）０この工程によりグルコースオキシダーゼ固定化膜
９を５０００Ｘ以下の厚さでほぼ均一に形成することが
できたＯグルコースオキシダーゼ固定化膜の窒化シリコ
ン俟への密着性も良好であったが、さらに密着剤を向上
させるため第２の酵素固定化のスピン塗布の前に窒化シ
リコン映の表面を１ライマー処理することも可能である
りこの後ウェー／Ｓをアセトンに浸しフォトレジスト８
を溶かし、同時にフォトレジスト上に塗布されていたウ
レア−ゼ固定膜を除去するログルコースオキシダーゼ固
定化膜中のグルコースはアセトンにより失活されないの
で、第２ ｌ５ＦＥＴの表面だけに活性なグルコース固
定化１戻９を形成することができた（第６図）Ｏ （発明の効果） 本発明により同一チップ上に異なる独二塙の素素固定化
涙がそれぞれ設けられた複数のｌ５ＦＥＴを容易に形成
することができ、マルチバイオセンサを容易に大量生産
し、微小化することができたＯ本発明の工程を橡シ返す
ことに、よシ３種類以上の酵素固定化膜がそれぞれ表面
に形成されたｌ５ＰＥＴを同一チップ上に設けることも
可能であることは明らかであシ、さらに、酵素固定化膿
が設けられいない同一テラ１上のｌ５ＦＥ’ｌ’の出力
と比較することにより金属電極を参照電極に使用するこ
とによる溶液の電位変動の影響を除去できることも明ら
かでちる。
第１図〜第６図は本発明による半導体マルチバイオセン
ナの製造方法の一実施例を説明するための図。 同図において、ｌはす７アイア基板、２は高不純物δ度
ｎ形シリコン領域、３はｐ形シリコン領域、４は酸化シ
リコン膜、５は窒化シリコン膜。 ６（グアセトンに可溶なフォトレジスト）模、７は第１
のｒ阜素固定化摸、８はアセトンに可溶なフォトレジス
トａｄ、９は第２の酵素固定化膿、１０は金電極である
。
ナの製造方法の一実施例を説明するための図。 同図において、ｌはす７アイア基板、２は高不純物δ度
ｎ形シリコン領域、３はｐ形シリコン領域、４は酸化シ
リコン膜、５は窒化シリコン膜。 ６（グアセトンに可溶なフォトレジスト）模、７は第１
のｒ阜素固定化摸、８はアセトンに可溶なフォトレジス
トａｄ、９は第２の酵素固定化膿、１０は金電極である
。
Claims (1)
- 複数個の異なる酵素固定化膜を表面にもつ半導体電界効
果型イオンセンサが集積化されてなる半導体マルチバイ
オセンサの製造方法において、半導体電界効果型イオン
センサが形成された半導体ウェーハ上にフォトレジスト
を塗布し、この後フォトリングラフィー法により酵素固
定化膜が設けられる所定の半導体電界効果型イオンセン
サの表面のフォトレジストを除く工程と、酵素と加橋剤
を含む蛋白質溶液を塗布し酵素固定化膜を形成する工程
と、フォトレジストを溶かし所定の半導体電界効果型イ
オンセンサの表面以外に存在する酵素固定化膜を除去す
る工程とを備え複数個の異なる酵素固定化膜を所定の半
導体電界効果型イオンセンサの表面に設けることを特徴
とする半導体マルチバイオセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59209166A JPS6188136A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 半導体マルチバイオセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59209166A JPS6188136A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 半導体マルチバイオセンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6188136A true JPS6188136A (ja) | 1986-05-06 |
| JPH0548419B2 JPH0548419B2 (ja) | 1993-07-21 |
Family
ID=16568419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59209166A Granted JPS6188136A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 半導体マルチバイオセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6188136A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0235024A2 (en) * | 1986-02-10 | 1987-09-02 | TERUMO KABUSHIKI KAISHA trading as TERUMO CORPORATION | Enzyme sensor and method of manufacture same |
| US4958050A (en) * | 1988-05-13 | 1990-09-18 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Flexible printed circuit board |
| US8081285B2 (en) | 2004-09-28 | 2011-12-20 | Seiko Epson Corporation | Mounting structure mounting substrate, electro-optical device, and electronic apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59209165A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 記録装置 |
-
1984
- 1984-10-05 JP JP59209166A patent/JPS6188136A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59209165A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 記録装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0235024A2 (en) * | 1986-02-10 | 1987-09-02 | TERUMO KABUSHIKI KAISHA trading as TERUMO CORPORATION | Enzyme sensor and method of manufacture same |
| US4958050A (en) * | 1988-05-13 | 1990-09-18 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Flexible printed circuit board |
| US8081285B2 (en) | 2004-09-28 | 2011-12-20 | Seiko Epson Corporation | Mounting structure mounting substrate, electro-optical device, and electronic apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0548419B2 (ja) | 1993-07-21 |
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