JPS6185830A - 半導体素子のトランスフア樹脂モ−ルド成形方法 - Google Patents

半導体素子のトランスフア樹脂モ−ルド成形方法

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JPS6185830A
JPS6185830A JP20884484A JP20884484A JPS6185830A JP S6185830 A JPS6185830 A JP S6185830A JP 20884484 A JP20884484 A JP 20884484A JP 20884484 A JP20884484 A JP 20884484A JP S6185830 A JPS6185830 A JP S6185830A
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resin tablet
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道男 長田
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/46Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould
    • B29C45/462Injection of preformed charges of material

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、半導体リードフレーム上に取付けた半導体
素子を樹脂モールド成形する方法に関するものであり、
主として、半導体素子のトランスファ樹脂モールド成形
技術産業の分野において利用されるものである。
(従来の技術)半導体リードフレーム上の半4体素子を
トランスファ樹脂モールド成形する場合は、従来、例え
ば、まず樹脂タブレットを予備加熱し、次ニ、上記樹脂
タブレットをトランスファ樹脂モールド成形用金型にお
けるポット内に供給し、次に、該樹脂タブレットを加熱
且つI′8WIi化すると共に、該溶融樹1)iを上記
金型のキャビティ内に加圧注入して、該キャビティ部に
セットした半導体素子を樹脂モールド成形する方法が知
られている。
ところで、上記樹脂タブレットは、樹脂パウダーを所要
形状に固化形成したものであるから、該樹脂タブレット
の内部には空気が残虐しており、この内部残溜空気がト
ランスファ樹脂モールド成形を行なう場合に諸柚の弊害
をもたらしている。
即ち、上記内部残溜空気が金型のポットからキャビティ
内に混入して、樹脂モールド成形体の内部或は外表面に
ボイド(気泡)或は欠損部を形成することがその代表的
な弊害であるが、このような弊害は、具体的には、半導
体成形品の耐水(湿)性及び信頼性を著しく低下させる
と共K、その外観を損う等の欠点となるものである。
(発明が解決しようとする問題点) この発明は、樹IIIタブレットの内部残虐空気を除去
することKより、この空気が金型のキャビティ内に混入
されるのを効率良く防止して、半導体成形品の品質を向
上させることを目的とするものでめる。
(問題点を解決するだめの手段) 本発明に係る半導体素子のトランスファ樹脂モールド収
形方法は、樹脂タブレットを所要温度Kまで予備加熱す
るプレヒート工程と、樹脂タブレ・ントの内部8溜空気
を外部に吸弓V真空踪去するバキューム工程と、内部残
虐空気を除去した樹脂タブレットをトランスファl1l
Ij脂モールド金型におけるポット内に供給する工程と
、ポット内に供給した上記樹脂タブレットを所要温度に
まで加熱且つ加圧してrdM化すると共に、該溶融樹脂
を上記金型のキャビティ内に加圧注入して、該キャビテ
ィ部にセットした半導体素子を樹脂モールド成形する工
程とから成ることを特徴をするものである。
(作用) 従って、本発明方法によれば、プレヒート工程及びバキ
ューム工程によって、樹脂タブレットを金型のポット内
に供給する過程で、その内部残溜空気(及び水分)を完
全に除去することができるので、該内部残溜空気の金型
キャビティ内への五人作用を51実に防止することにな
るものである。
(実施例) 次に、本発明方法を冥施例図に基づいて説明する。
本発明方法は鋪1図に示すように、まず、樹脂タブレッ
トAをプレヒート装置IKて所要温度にまで予備加熱し
、次に該予備加熱した樹脂タブレットA1の内部残虐空
気をバキューム装置2にて外部に吸引(真空)除去し、
次eC1内部残溜空気を除去した該樹脂タブレットA2
をトランスファ樹脂モールド金型Bにおけるポット3内
に供給し、次に、該ポット内に供給した上記樹脂タプレ
y)A2を所要温度にまで加熱且つ加圧して溶融化する
と共に、該溶融樹脂を金型B(第3図)のゲート4を則
してキャビティs内に加圧注入して、該キャビティ部に
セットした半導体素子(図示なし)を−脂モールド成形
するものである。
なお、上Jd樹1)tiタブレットAのプレヒート工程
とバキューム工程及びその金型ボンド3内への供給工程
とを自動連続化することが成形サイクルを短縮化し得る
点で好ましいものであるが、この自動連続化を図るため
には、例えば、第2図及び第3図Vこ示すような樹脂タ
ブレットの移送供給装置qを採用すればよい。
即ち、上記移送供給装置Cは、プレヒート工程を経た樹
脂タブレットA、の移送用シュート6ζ1該シユートを
通して移送された樹脂タブレットA。
を金型のポット3内に供給する供給装置本体7とから構
成されており、上記シュート6及び1m本体7には、金
型ボア)の配置並びに配設数に対応した樹脂タブレット
AIの送出孔61・・・ 6.及X容孔71・・・71
とが夫々配設されると共に、該送出孔61Φ下端部及び
収容孔71の上下両端部にはソレノイド等の制御機構8
・9・9により作動する開閉用シャッターlO・1)・
1)’ が夫々配設されている。また、上記装置本体7
は、油・空圧シリンダー等の往復動機FM12によって
、その各収容孔7.・・・7、がシュートの各送出孔6
1・・・6□と夫々連通ずる該シーートの下方位置(第
2図の(1)に示す位置)と、その各収容孔7.・・・
71が金型の各ポット3と夫々連通する該ポットの上方
位bi(第3図に示す位置)との間を往復移動すること
ができるように配設されており、更に、該本体の各収容
孔7.・・・7.には真空源(図示なし)側と連通ずる
バキュームバイブ(吸気管H3・・・13が夫々連結さ
れている。
また、上記したシャッター10・1)−1)’の夫々に
は、送出孔6、及び収容孔7.と連通ずる樹脂タブレッ
トの挿a孔10.  ・1),1)゜れている。 従っ
て、第3図に示すように1上記収容孔7、内にプレヒー
ト工程を経た樹脂タブレットAIを収容すると共に、該
収容孔の上下を遮閉板1).・・・ll!にて遮閉じた
状態で、該収容孔内の空気をバキーームパイプを通して
外部に吸引排除すると、該樹脂タグレフトAユの内部残
溜空気は上記吸気作用によシ外部に吸引除去されること
Kなるものである。 なお、この吸引作用は、上記樹脂
タブレットA1を収容孔7Iに収容して、これを金型ポ
ット3内に供給する過程において行なうことが可能とな
る点で有利である。
また、上記金型BはマIレチ1ヲンジャー型の金型例を
示しており、図中符号14はポア)3に嵌合させた樹脂
タブレットA2の加圧用プランジャーを、同15・16
・17は上型のカル部18とゲート4及びキャビティ5
・5部にて成形される樹脂成形体のエジェクタービンを
示している。
上記した樹脂タブレットの移送供給装置Cを用いて本発
明方法を実施する場合は、上述したように、まず、プレ
ヒート装置1にて予備加熱した樹脂タブレットA、をシ
ュート6の送出孔61・・・6゜に案内し、次に、制御
機構8・9にて該シート6及び装置本体7における上部
シャッター10・1)を作動し、該送出孔61・・・6
.と収容孔7□・・・71とを夫々連通させて該収容孔
内に上記樹脂タブレットA□を夫々収容し、次に、上記
シャッター10・1)を作動して送出孔61と収容部7
.の上部を再び遮閉し、次に、往復動機構12にて装置
本体7を、その各収容孔7□・・・7エが金型の各ボッ
ト3と連通する該ポア)の上方位置にまで往動させると
共に、この往動時に、真空源を作動させて各収容孔71
・・・7□内の空気をバキュームパイグ13・・・13
を通して外部に吸引排除しながら上記樹脂タブレy )
 A Hの内部残溜空気を外部に吸引除去し、次に、装
置本体7の下部シャッター1)’を作動して内部残溜空
気を除去した樹脂タブレットA2を金型ボット3内に夫
々供給し、次に、該下部シャッター1)’  を作動し
て収容孔7.・・・71を再び閉遮し該装置本体7を往
復動機構12にて元の位置にまで復動し、次に、金型B
の型締めを行なうと共に、上記ボット3内の樹脂タブレ
ットA!を金型のヒータ(図示なし)Kて加熱し、且つ
、プランジャー14にて加圧することにより溶融化して
、該溶融樹脂を金型のカル部18・ゲート4を通してキ
ャビティ5・5内に加圧注入し、これによシ、該キャビ
ティ部にセットした半導体素子(図示なし)を樹脂モー
ルド成形し、次に、型開きを行なうと同時に、樹脂成形
体をエジェクタービン15・16・l?により上下の金
型間に取り出すことができるものである。
上記した場合に3いて、ポット3内の樹脂タブレットA
2を溶融化してこJしをキャビティ5内に加圧注入する
とき、該ポット3・カル部18・ゲート4及びキャピテ
イ5・5内部には空気が残存しているわけであるが、上
記樹脂タブレットA。
自体は内部残溜空気が略完全に除去されているためその
溶融樹脂中に該内部残溜空気が混入するの  。
を確実に防止得ること、及び、上記し、た金型に残存す
る空気は、空気を含まない上記溶融樹脂の流れによって
金型のパーティングラインP−L(或はエアベント)か
ら外部へ順次強制的に排出されるものであることから、
結局、キャビティ5・5内には空気を含まない溶融樹脂
が加圧注入されることになり、従って、該キャビティ部
にセットした半導体素子の樹脂モールド成形体における
内部及び外表面等には、残溜空気に起因したボイド或は
欠損部を形成することがないのである。
なお、上記実施例においては、プレヒート工程を経た樹
脂タブレットをバキューム工程によって真空処理する場
合について説明したが、樹脂タブレットのプレヒート及
びバキューム工程を同時に行なうようKしてもよいもの
である。 即ち、樹1)旨タブレットの内部残溜空気(
及び水分)を外部に吸引(真空)除去しながら所要温度
にまで予備加熱することKよって、上記実施例と略同じ
作用・効果が得られると共に、成形サイクルの短縮化と
成形装置−のlI+i略化を図ることができるものであ
る。
(発明の効果) 本発明の方法によれば、溶融化させる樹脂タブレットの
内部残溜空気(及び水分)を効率良く除去し得るから、
空気を混入しない溶融樹脂によって半導体素子を樹脂モ
ールド成形することができるため、樹脂モールド成形体
の内部或は外表面等にボイド或は欠損部が形成されると
いった従来方法における重大な問題点を確実に解消して
、半導体成形品の耐水(湿)性及び信頼性を著しく向上
することができる優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
図は本発明方法の実施例を示すものであり、第1図は本
発明方法の各工程を示す概略図、第2図は樹脂タブレッ
トの移送供給装置を示すもので、同図(1)はその一部
切欠正面図、同図(1)はその装置本体の一部切欠平面
図、第8図はマルチプランジャー型トランスファモール
ド金型と上記装置本体とを示す一部切欠拡大縦断面図で
ある。 A(A、  ・A2 )・・・樹脂タブレット、 B・
・・金型、 C・・・移送供給装置、 1・・・プレヒ
ート装置、 2・・・バキエーム装ニ、 3・・・ボッ
ト、4・・・ゲート、 5・・・キャビティ、 6・・
・シェード、 7・・・移送供給装置本体。 覧−ノーニシ 第1図 第2図 第3図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)樹脂タブレットを所要温度にまで予備加熱するプ
    レヒート工程と、樹脂タブレットの内部残溜空気を外部
    に吸引(真空)除去するバキューム工程と、内部残溜空
    気を除去した樹脂タブレットをトランスフア樹脂モール
    ド金型におけるポット内に供給する工程と、ポット内に
    供給した上記樹脂タブレットを所要温度にまで加熱且つ
    加圧して溶融化すると共に、該溶融樹脂を上記金型のキ
    ャビティ内に加圧注入して、該キャビティ部にセットし
    た半導体素子を樹脂モールド成形する工程とから成るこ
    とを特徴とする半導体素子のトランスファ樹脂モールド
    成形方法。
  2. (2)樹脂タブレットの内部残溜空気を外部に吸引(真
    空)除去しながら所要温度にまで予備加熱することを特
    徴とする特許請求の範囲第(1)項に記載の半導体素子
    のトランスフア樹脂モールド成形方法。
JP59208844A 1984-10-03 1984-10-03 半導体素子の自動連続化トランスファ樹脂モールド成形方法 Expired - Fee Related JPH0682698B2 (ja)

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