JPS6184825A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
半導体基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS6184825A JPS6184825A JP59206400A JP20640084A JPS6184825A JP S6184825 A JPS6184825 A JP S6184825A JP 59206400 A JP59206400 A JP 59206400A JP 20640084 A JP20640084 A JP 20640084A JP S6184825 A JPS6184825 A JP S6184825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor
- semiconductor film
- semiconductor substrate
- antireflection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
- H01L21/02683—Continuous wave laser beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02598—Microstructure monocrystalline
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02691—Scanning of a beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体基板の製造方法、とくに絶縁体上に半
導体結晶膜を形成する方法に関するものである。
導体結晶膜を形成する方法に関するものである。
半導体装置の高速化・高密度化のために半導体活性層を
多数積層するいわゆる三次元回路素子を製造する方法に
おいて、誘電体上に半導体単結晶膜を形成する方法が考
えられている。従来この誘電体上に半導体単結晶膜を形
成する方法として、絶縁体上に多結晶質または非晶質の
半導体を堆積し、その表面にレーザ光などのエネルギー
線を照射し、その表面層のみを加熱・融解して再結晶化
することにより単結晶の半導体膜を形成する方法がある
。このレーザ再結晶化の際、大結晶粒の半導体層を得る
ために、加熱光源に対する反射防止膜を半導体上に部分
的に堆積することによって半導体層の温度分布を制御し
ておくという方法がある。
多数積層するいわゆる三次元回路素子を製造する方法に
おいて、誘電体上に半導体単結晶膜を形成する方法が考
えられている。従来この誘電体上に半導体単結晶膜を形
成する方法として、絶縁体上に多結晶質または非晶質の
半導体を堆積し、その表面にレーザ光などのエネルギー
線を照射し、その表面層のみを加熱・融解して再結晶化
することにより単結晶の半導体膜を形成する方法がある
。このレーザ再結晶化の際、大結晶粒の半導体層を得る
ために、加熱光源に対する反射防止膜を半導体上に部分
的に堆積することによって半導体層の温度分布を制御し
ておくという方法がある。
従来の半導体単結晶膜形成の方法を第１図により説明す
る。第１図（ａ）は半導体基板の断面図で第１図（ｂｌ
はその平面図である。
る。第１図（ａ）は半導体基板の断面図で第１図（ｂｌ
はその平面図である。
第１図において、■は基板、２は絶縁膜、３は多結晶質
または非晶質のシリコン膜、４は厚さ５００人の窒化シ
リコン膜である。窒化シリコン膜４は幅５μｍ２間隔ｌ
Ｏμｍでストライブ状にパターニングされである。第１
図（ｂｌのＸＯ−ＹＯのように、連続発振の＾ｒレーザ
光を窒化シリコン膜４のストライプに平行に走査しなが
ら照射してシリコン膜３を溶融・再結晶化させる。この
際、厚さ５００人の窒化シリコン膜４は波長４８８０人
のＡｒレーザ光の反射防止膜として働くので、窒化シリ
コン膜４の下のシリコン膜３の温度は窒化シリコン膜の
ないシリコン膜の温度より高くなる。レーザ光の照射終
了後シリコン膜３は同化を始めるが、シリコン膜３の同
化は窒化シリコン膜４のない部分から始まり、窒化シリ
コン膜４の下のシリコン膜３に及ぶ。
または非晶質のシリコン膜、４は厚さ５００人の窒化シ
リコン膜である。窒化シリコン膜４は幅５μｍ２間隔ｌ
Ｏμｍでストライブ状にパターニングされである。第１
図（ｂｌのＸＯ−ＹＯのように、連続発振の＾ｒレーザ
光を窒化シリコン膜４のストライプに平行に走査しなが
ら照射してシリコン膜３を溶融・再結晶化させる。この
際、厚さ５００人の窒化シリコン膜４は波長４８８０人
のＡｒレーザ光の反射防止膜として働くので、窒化シリ
コン膜４の下のシリコン膜３の温度は窒化シリコン膜の
ないシリコン膜の温度より高くなる。レーザ光の照射終
了後シリコン膜３は同化を始めるが、シリコン膜３の同
化は窒化シリコン膜４のない部分から始まり、窒化シリ
コン膜４の下のシリコン膜３に及ぶ。
この場合、固化再結晶化は、窒化シリコン膜４のないシ
リコン膜３の中央部から連続して起こるため、窒化シリ
コン膜４のない部分のシリコン膜が単結晶化する。
リコン膜３の中央部から連続して起こるため、窒化シリ
コン膜４のない部分のシリコン膜が単結晶化する。
ところが従来の方法では、反射防止膜としての窒化シリ
コン膜が一方向にしかパターニングされておらず、それ
に従ってレーザ光の走査方向が一方向であるため、それ
ぞれの窒化シリコン膜の下の再結晶化したポリシリコン
の結晶軸は異なっており、シリコン膜の全面は単結晶に
成長していないという問題点があった。
コン膜が一方向にしかパターニングされておらず、それ
に従ってレーザ光の走査方向が一方向であるため、それ
ぞれの窒化シリコン膜の下の再結晶化したポリシリコン
の結晶軸は異なっており、シリコン膜の全面は単結晶に
成長していないという問題点があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、シリコン膜などの半導体膜の端
部を単結晶化した後、その単結晶化した半導体を種とし
て半導体膜の全面を単結晶化する半導体基板の製造方法
を提供することにある。
の目的とするところは、シリコン膜などの半導体膜の端
部を単結晶化した後、その単結晶化した半導体を種とし
て半導体膜の全面を単結晶化する半導体基板の製造方法
を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、半導体膜の
端部に窒化シリコン膜などの第１の反射防止膜を設け、
その第１の反射防止膜のストライプに対してほぼ垂直な
窒化シリコン膜などの第２の反射防止膜のストライプを
他部に設けるようにしたものである。
端部に窒化シリコン膜などの第１の反射防止膜を設け、
その第１の反射防止膜のストライプに対してほぼ垂直な
窒化シリコン膜などの第２の反射防止膜のストライプを
他部に設けるようにしたものである。
本発明を実施例に基づき詳細に説明する。第２図に本発
明を適用した半導体基板の平面図を示す。
明を適用した半導体基板の平面図を示す。
第２図（叱（ｂｌにおいて、５は半導体基板、３１ａ。
３］ｂは絶縁体上に体積されたポリシリコン膜、４１ａ
、４１ｂはポリシリコン膜３１ａ、３１ｂ上に体積され
た厚さ５００人１幅５μｍ１間隔１０μｍの窒化シリコ
ン膜、４２は窒化シリコン膜４１ａ、４１ｂに対して垂
直にバターニングされた幅５μｍ１間隔５μｍの窒化シ
リコン膜である。
、４１ｂはポリシリコン膜３１ａ、３１ｂ上に体積され
た厚さ５００人１幅５μｍ１間隔１０μｍの窒化シリコ
ン膜、４２は窒化シリコン膜４１ａ、４１ｂに対して垂
直にバターニングされた幅５μｍ１間隔５μｍの窒化シ
リコン膜である。
このポリシリコン膜上に連続発振のＡｒレーザ光をビー
ム径１００μｍ程度に絞って走査しながら照射する。こ
の場合まず第１に、レーザ光の中心が２木の窒化シリコ
ン膜４１ａ、４１ｂの中心に一致するようにＸＩ−Ｙｌ
の方向に走査しながら照射する。
ム径１００μｍ程度に絞って走査しながら照射する。こ
の場合まず第１に、レーザ光の中心が２木の窒化シリコ
ン膜４１ａ、４１ｂの中心に一致するようにＸＩ−Ｙｌ
の方向に走査しながら照射する。
すると２本の窒化シリコン膜４１ａ、４１ｂにはさまれ
た下の領域のポリシリコン膜３１ａが単結晶化する。こ
の後写真食刻技術によって、窒化シリコン膜４１ａ、４
１ｂを除去する。第２図（ｂｌに除去された後の半導体
基板の平面図を示す。この半導体基板に対してレーザ光
をＸ２−Ｙ２の方向に走査しながら照射する。すると窒
化シリコン膜４２にはさまれた下の領域のポリシリコン
膜３１ｂが単結晶化する。
た下の領域のポリシリコン膜３１ａが単結晶化する。こ
の後写真食刻技術によって、窒化シリコン膜４１ａ、４
１ｂを除去する。第２図（ｂｌに除去された後の半導体
基板の平面図を示す。この半導体基板に対してレーザ光
をＸ２−Ｙ２の方向に走査しながら照射する。すると窒
化シリコン膜４２にはさまれた下の領域のポリシリコン
膜３１ｂが単結晶化する。
この場合単結晶化したポリシリコン膜３１ａを種として
再結晶化が始まっているので、シリコン膜全面が単結晶
化する。
再結晶化が始まっているので、シリコン膜全面が単結晶
化する。
なお上記実施例では途中で窒化シリコン膜４１ａ、４１
ｂを除去したが、窒化シリコン膜４２の間隔が窒化シリ
コン膜４１ａ、４１ｂの間隔より小さい場合、ポリシリ
コン膜３１ｂはポリシリコン膜３１ａに比べて低いレー
ザパワーで単結晶化する。したがってこのような場合は
Ｘ２− Ｙ２の方向のレーザ光照射をＸｌ−Ｙｌの方向
の照射よりも低いレーザパワーで行なえば窒化シリコン
膜４１ａ、４１ｂは除去する必要はない。
ｂを除去したが、窒化シリコン膜４２の間隔が窒化シリ
コン膜４１ａ、４１ｂの間隔より小さい場合、ポリシリ
コン膜３１ｂはポリシリコン膜３１ａに比べて低いレー
ザパワーで単結晶化する。したがってこのような場合は
Ｘ２− Ｙ２の方向のレーザ光照射をＸｌ−Ｙｌの方向
の照射よりも低いレーザパワーで行なえば窒化シリコン
膜４１ａ、４１ｂは除去する必要はない。
また上記実施例においては、窒化シリコン膜４１ａ、４
１ｂと窒化シリコン膜４２とを形成した後、レーザ光を
照射し単結晶化することとしたが、窒化シリコン膜４２
は、窒化ンリコン膜４１ａ、４１ｂと共に形成せずに、
窒化シリコン膜４１ａ、４Ｉｂ間のポリシリコンｌｌｓ
！３１ａが単結晶化し窒化シリコン膜４１ａ、４１ｂを
除去した後に形成してもよい。
１ｂと窒化シリコン膜４２とを形成した後、レーザ光を
照射し単結晶化することとしたが、窒化シリコン膜４２
は、窒化ンリコン膜４１ａ、４１ｂと共に形成せずに、
窒化シリコン膜４１ａ、４Ｉｂ間のポリシリコンｌｌｓ
！３１ａが単結晶化し窒化シリコン膜４１ａ、４１ｂを
除去した後に形成してもよい。
以上述べたように本発明は、半導体膜の端部に第１の反
射防止膜を設けその第１の反射防止膜のストライブに対
してほぼ垂直な第２の反射防止膜のストライブを他部に
設けることにより、半導体膜のり；イ部を再結晶化によ
り単結晶化した後その単結晶化した半導体を種として半
導体膜の全面を再結晶化するようにしたので、半恵体Ｉ
Ｉりの全面を単結晶にできる効果がある。
射防止膜を設けその第１の反射防止膜のストライブに対
してほぼ垂直な第２の反射防止膜のストライブを他部に
設けることにより、半導体膜のり；イ部を再結晶化によ
り単結晶化した後その単結晶化した半導体を種として半
導体膜の全面を再結晶化するようにしたので、半恵体Ｉ
Ｉりの全面を単結晶にできる効果がある。
第１図（ａ）は従来の方法を適用した場合における半と
ダ体基板の断面図、第１図（ｂｌは従来の方法を適用し
た場合における半導体基板の平面図、第２図ｔａ＋、
（ｂｌは本発明を適用した場合における半導体基板の平
面図である。 ５・・・・半導体基板、３１ａ、３１ｂ・・・・ポリシ
リコン膜、４１ａ、４１ｂ・・・・窒化シリコンｎり。 特許出願人 工業技術院長 川 １）裕 部第１図 ム 第２図
ダ体基板の断面図、第１図（ｂｌは従来の方法を適用し
た場合における半導体基板の平面図、第２図ｔａ＋、
（ｂｌは本発明を適用した場合における半導体基板の平
面図である。 ５・・・・半導体基板、３１ａ、３１ｂ・・・・ポリシ
リコン膜、４１ａ、４１ｂ・・・・窒化シリコンｎり。 特許出願人 工業技術院長 川 １）裕 部第１図 ム 第２図
Claims (10)
- （１）絶縁体上に形成された被着非晶質または被着多結
晶質の半導体膜上に２本以上の帯状の第１の反射防止膜
を形成し、前記第１の反射防止膜に対し所定角度をなす
多数の帯状の第２の反射防止膜を前記半導体膜上に形成
し、前記第１の反射防止膜間の半導体膜に光線を照射す
ることにより半導体膜を溶融し、溶融後の再結晶化によ
り単結晶化した後前記第１の反射防止膜を除去し、その
後前記第２の反射防止膜間の半導体膜に光線を照射する
ことにより半導体膜を溶融し、溶融後の前記単結晶化さ
れた半導体を種とする再結晶化により単結晶化すること
を特徴とする半導体基板の製造方法。 - （２）第１、第２の反射防止膜は、互いになす角がほぼ
垂直であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体基板の製造方法。 - （３）光線は、連続発振のアルゴンガスレーザのレーザ
光線であることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
第２項記載の半導体基板の製造方法。 - （４）絶縁体上に形成された被着非晶質または被着多結
晶質の半導体膜上に２本以上の帯状の第１の反射防止膜
のみを形成し、前記第１の反射防止膜間の半導体膜に光
線を照射することにより半導体膜を溶融し、溶融後の再
結晶化により単結晶化した後前記第１の反射防止膜を除
去し、その後前記除去された第１の反射防止膜に対し所
定角度をなす多数の帯状の第２の反射防止膜を前記半導
体膜上に形成し、前記第２の反射防止膜間の半導体膜に
光線を照射することにより半導体膜を溶融し、溶融後の
前記単結晶化された半導体を種とする再結晶化により単
結晶化することを特徴とする半導体基板の製造方法。 - （５）第１、第２の反射防止膜は、互いになす角がほぼ
垂直であることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載
の半導体基板の製造方法。 - （６）光線は、連続発振のアルゴンガスレーザのレーザ
光線であることを特徴とする特許請求の範囲第４項又は
第５項記載の半導体基板の製造方法。 - （７）絶縁体上に形成された被着非晶質または被着多結
晶質の半導体膜上に２本以上の帯状の第１の反射防止膜
を形成し、前記第１の反射防止膜に対し所定角度をなす
多数の帯状の第２の反射防止膜を前記半導体膜上に形成
し、前記第１の反射防止膜間の半導体膜に光線を照射す
ることにより半導体膜を溶融し、溶融後の再結晶化によ
り単結晶となし、その後前記第２の反射防止膜間の半導
体膜に光線を照射することにより半導体膜を溶融し、溶
融後の前記単結晶化された半導体を種とする再結晶化に
より単結晶となすことを特徴とする半導体基板の製造方
法。 - （８）第１、第２の反射防止膜は、互いになす角がほぼ
垂直であることを特徴とする特許請求の範囲第７項記載
の半導体基板の製造方法。 - （９）光線は、連続発振のアルゴンガスレーザのレーザ
光線であることを特徴とする特許請求の範囲第７項又は
第８項記載の半導体基板の製造方法。 - （１０）第２の反射防止膜は、その間隔が第１の反射防
止膜の間隔より狭いことを特徴とする特許請求の範囲第
７項、第８項又は第９項記載の半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59206400A JPS6184825A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59206400A JPS6184825A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 半導体基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184825A true JPS6184825A (ja) | 1986-04-30 |
| JPH0158649B2 JPH0158649B2 (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=16522726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59206400A Granted JPS6184825A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184825A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005354087A (ja) * | 2000-08-25 | 2005-12-22 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP59206400A patent/JPS6184825A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005354087A (ja) * | 2000-08-25 | 2005-12-22 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP4723926B2 (ja) * | 2000-08-25 | 2011-07-13 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0158649B2 (ja) | 1989-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4870031A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| JPH03214625A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62160712A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH027415A (ja) | Ｓｏｉ薄膜形成方法 | |
| JPS6184825A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPS5892213A (ja) | 半導体単結晶膜の製造方法 | |
| JPH03250620A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01147826A (ja) | 多層半導体基板の製造方法 | |
| JPH03286520A (ja) | 結晶性半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH03228324A (ja) | 多結晶Ｓｉ薄膜の成長方法 | |
| JPS58212124A (ja) | 単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH0396224A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JPH027414A (ja) | Ｓｏｉ薄膜形成方法 | |
| JPH01290219A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS636828A (ja) | 単結晶半導体薄膜の製造方法 | |
| JPS58165314A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5885519A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0523492B2 (ja) | ||
| JPH0693429B2 (ja) | 多層半導体基板の製造方法 | |
| JPS5978999A (ja) | 半導体単結晶膜の製造方法 | |
| JPH0611025B2 (ja) | 半導体単結晶膜の製造方法 | |
| JPS62145721A (ja) | 単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH03284829A (ja) | 半導体結晶化膜の形成方法 | |
| JPS62145720A (ja) | 単結晶薄膜の形成方法 | |
| JPS61237415A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |