JPS6182821A - 微粉末シリコンの処理方法 - Google Patents
微粉末シリコンの処理方法Info
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- JPS6182821A JPS6182821A JP59200651A JP20065184A JPS6182821A JP S6182821 A JPS6182821 A JP S6182821A JP 59200651 A JP59200651 A JP 59200651A JP 20065184 A JP20065184 A JP 20065184A JP S6182821 A JPS6182821 A JP S6182821A
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- silicon powder
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−（発明の技術分野〕
本発明は、シリコン製造装置から放出される排ガスの処
理装置における微粉末シリコンの処理方法に関する。
理装置における微粉末シリコンの処理方法に関する。
一般に、電子写真装置などくおいては、ａ−８ｃ。
８ ｅ−Ｔｅ 、 ＺｎＯ，有機光導電体（ｏ、 ｐ、
ｃ）などの感光体を用いているが、近年アモルファス
シリコン（以下ａ−８ｉと書く。）が耐熱性、長寿命、
無公害、高い光感度等の利点を有することから注目をあ
びてきている。
ｃ）などの感光体を用いているが、近年アモルファス
シリコン（以下ａ−８ｉと書く。）が耐熱性、長寿命、
無公害、高い光感度等の利点を有することから注目をあ
びてきている。
このａ−８ｉ感光体は１反応容器内にシリコンを含む原
料ガスを導入し、この原料ガスをグロー放電、熱、光に
よシ分解することで製造される。具体的には、シラン、
ジシラン等の高次シラン、５ｔｅ４％のシリコンのハロ
ゲン（ｌのグロー放電分屏によるａ−８ｉやマイクロク
リスタルシリコンの製造、８ｉＨｚＣ１２等のシリコン
の塩化物の熱分解によるエピタキシャルシリコンや多結
晶シリコンの製造、７ラン、高次７ランの水銀ラング照
射の光分解、によるａ −Ｓ ｌや結晶シリコンの製造
において、各々の原料カスは分解されイオン、ラジカル
等の反応性活性種が生成する。これらの反応性活性種が
感光体基体の表面に吸着しシリコンが堆積する。一方、
反応性活性種の一部は気相で反応し微粉末のシリコンが
発生ヂる。
料ガスを導入し、この原料ガスをグロー放電、熱、光に
よシ分解することで製造される。具体的には、シラン、
ジシラン等の高次シラン、５ｔｅ４％のシリコンのハロ
ゲン（ｌのグロー放電分屏によるａ−８ｉやマイクロク
リスタルシリコンの製造、８ｉＨｚＣ１２等のシリコン
の塩化物の熱分解によるエピタキシャルシリコンや多結
晶シリコンの製造、７ラン、高次７ランの水銀ラング照
射の光分解、によるａ −Ｓ ｌや結晶シリコンの製造
において、各々の原料カスは分解されイオン、ラジカル
等の反応性活性種が生成する。これらの反応性活性種が
感光体基体の表面に吸着しシリコンが堆積する。一方、
反応性活性種の一部は気相で反応し微粉末のシリコンが
発生ヂる。
第２図はシリコン製造装置としてのａ−８ｉ感光体成膜
装置であり、第３図は従来の排ガス処理方法を示す図で
ある。第３図の反応室ｌは第２図の真空チャンバー２２
に、第３図のダストドラッグ８は第２図のダストトラッ
プ３４に。
装置であり、第３図は従来の排ガス処理方法を示す図で
ある。第３図の反応室ｌは第２図の真空チャンバー２２
に、第３図のダストドラッグ８は第２図のダストトラッ
プ３４に。
！３図の排気装置２は第２図の排気装置３５に各々対応
している。そして第２図は、基台２１上に反応容器とし
ての真空チャンバー２２を気密可能に装着し、図示しな
い拡散ポンプ及び回転ポンプで真空チャンバー２２内を
１０−’ＴｏｒｒＫ減圧するように構成される。真空チ
ャンバー２２内の基台２１にはドラム保持装置２３がギ
ア２４を介して駆動機構２５により回転可能に立設され
ている。ドラム保持装置２３は人）等の導電性材料で作
られたドラム状基体２６を装着することができると共に
、ヒーター２７を有してドラム状基体２６を２００〜３
００℃の間の所定温度、好ましくは２４０〜２８０℃に
加熱することができるように構成される。またドラム保
持装置２３の周囲には、ガス導入部２８が、このドラム
保持装置２３のまわりを取り囲むように配置される。ガ
ス導入部２８のドラム保持装置２３に保持されたドラム
状基体２６の外周面に対向する内周面は、複数個のガス
噴出孔２９を有するとともて放電生起用電源３０からの
電圧の印加によシ放電を可能とする電極３１を兼ねてい
る。カス導入部２８はパイプを介して真空テヤンバニ２
２外のパルプ３２により真空チャンバー２２内に導くカ
スの流量が調節されるように構成されている。このバル
ブ３２を開にして原料カスとして図示しないボンベより
ＳｉＨ４又は必要に応じてＢ２Ｈ６，ＰＨ３゜Ｈｚ、０
２．ＮＨａ、Ｎ２．ＣＨ４，Ｃ２Ｈ６等のガスを真空チ
ャンバー２２内に導、入する。また、これらのガスはド
ラム状基体２６の外側に設けである電極３１のガス噴出
孔２９から第２図に示すごとく電極３１とほぼ同軸を有
するように対向配設されたドラム状基体２６に向けて噴
きつけられる構造となっている。そして真空チャンバー
２２内のガス圧が０．１〜ＩＴｏｒｒの間の所定の値に
なるように排気系を調整した後、電極３１に放電生起用
電源３０から周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を２
０Ｗ〜ｌ ＫＷの所定の値で印加すると、電極３１とド
ラム状基体２６との間にグロー放電が生起し、上記ガス
のプラズマ状態が発生し、゛ドラム状基体２゛６上Ｋａ
−８ｉ層の成膜が開始される。
している。そして第２図は、基台２１上に反応容器とし
ての真空チャンバー２２を気密可能に装着し、図示しな
い拡散ポンプ及び回転ポンプで真空チャンバー２２内を
１０−’ＴｏｒｒＫ減圧するように構成される。真空チ
ャンバー２２内の基台２１にはドラム保持装置２３がギ
ア２４を介して駆動機構２５により回転可能に立設され
ている。ドラム保持装置２３は人）等の導電性材料で作
られたドラム状基体２６を装着することができると共に
、ヒーター２７を有してドラム状基体２６を２００〜３
００℃の間の所定温度、好ましくは２４０〜２８０℃に
加熱することができるように構成される。またドラム保
持装置２３の周囲には、ガス導入部２８が、このドラム
保持装置２３のまわりを取り囲むように配置される。ガ
ス導入部２８のドラム保持装置２３に保持されたドラム
状基体２６の外周面に対向する内周面は、複数個のガス
噴出孔２９を有するとともて放電生起用電源３０からの
電圧の印加によシ放電を可能とする電極３１を兼ねてい
る。カス導入部２８はパイプを介して真空テヤンバニ２
２外のパルプ３２により真空チャンバー２２内に導くカ
スの流量が調節されるように構成されている。このバル
ブ３２を開にして原料カスとして図示しないボンベより
ＳｉＨ４又は必要に応じてＢ２Ｈ６，ＰＨ３゜Ｈｚ、０
２．ＮＨａ、Ｎ２．ＣＨ４，Ｃ２Ｈ６等のガスを真空チ
ャンバー２２内に導、入する。また、これらのガスはド
ラム状基体２６の外側に設けである電極３１のガス噴出
孔２９から第２図に示すごとく電極３１とほぼ同軸を有
するように対向配設されたドラム状基体２６に向けて噴
きつけられる構造となっている。そして真空チャンバー
２２内のガス圧が０．１〜ＩＴｏｒｒの間の所定の値に
なるように排気系を調整した後、電極３１に放電生起用
電源３０から周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を２
０Ｗ〜ｌ ＫＷの所定の値で印加すると、電極３１とド
ラム状基体２６との間にグロー放電が生起し、上記ガス
のプラズマ状態が発生し、゛ドラム状基体２゛６上Ｋａ
−８ｉ層の成膜が開始される。
なお、ここでａ−８ｉ層の成膜匡寄与しなかった未反応
の原料ガス、ガス状副生成物及びキャリアーカス等は第
３図に示す排気装置２によシ反応室１から排気される。
の原料ガス、ガス状副生成物及びキャリアーカス等は第
３図に示す排気装置２によシ反応室１から排気される。
これらの排ガスをそのまま大気、中に放出すると、シリ
コンを含む原料カスやガス状副生成物（Ｓ ｉ ２Ｈ６
，Ｓ ｉ ａＨｓ。
コンを含む原料カスやガス状副生成物（Ｓ ｉ ２Ｈ６
，Ｓ ｉ ａＨｓ。
Ｈ２等）ｔｉ、酸化されやすい性質を有するので、大気
への放出口で引火したり爆発を起こす。また原料ガス中
にＢ２Ｈ６，ＰＨａ、ＡｓＨａ等のドーピングカスを含
有する場合には、これらのガスの致死量が数１０ ｐｐ
ｍ なので、大気中に放出することができない。従っ
て排ガスは大気に放出する前に無害化処理する必要があ
る。そこで排ガスは、第２図に示す排気口３３．ダスト
トラップ３４及びメカニカルブースターポンプ３５ａ、
ロータリーポンプ３５ｂを通過した後、まず第３図に示
す燃焼塔３で酸化される。酸化反応により排ガスは安定
で安全な酸化シリコン。
への放出口で引火したり爆発を起こす。また原料ガス中
にＢ２Ｈ６，ＰＨａ、ＡｓＨａ等のドーピングカスを含
有する場合には、これらのガスの致死量が数１０ ｐｐ
ｍ なので、大気中に放出することができない。従っ
て排ガスは大気に放出する前に無害化処理する必要があ
る。そこで排ガスは、第２図に示す排気口３３．ダスト
トラップ３４及びメカニカルブースターポンプ３５ａ、
ロータリーポンプ３５ｂを通過した後、まず第３図に示
す燃焼塔３で酸化される。酸化反応により排ガスは安定
で安全な酸化シリコン。
水やホウ素の酸化物、リンの酸化物、砒素の酸化物等【
変化する。次いで排ガスの酸化物はスクラバー４に導入
され、水相へ移動する。即ち、水に不溶な酸化シリコン
は水に分赦し、ホウ素の酸化物はホウ酸に、リンの酸化
物はリン酸とＰＨが調整され、排水処理設備に導入され
る。
変化する。次いで排ガスの酸化物はスクラバー４に導入
され、水相へ移動する。即ち、水に不溶な酸化シリコン
は水に分赦し、ホウ素の酸化物はホウ酸に、リンの酸化
物はリン酸とＰＨが調整され、排水処理設備に導入され
る。
丈イクロン５を通過した稼子はバグフィルタ−て排ガス
処理が行なわれる。
処理が行なわれる。
ところが、上述した成膜方式でａ−８ｉ悪感光の成膜を
行う場合、ＳｉＨ４のグロー放電分解くよって生成した
反応性活性種（５ｉＨａ、８ｉＨ３８１Ｈ，Ｓｉ、Ｈ等
のラジカル、イオン）間の気相中での反応は避けられず
微粉末シリコン（例えば、５ｉｎＨ２＋２構造を有する
ポリシラン）が生成する。
行う場合、ＳｉＨ４のグロー放電分解くよって生成した
反応性活性種（５ｉＨａ、８ｉＨ３８１Ｈ，Ｓｉ、Ｈ等
のラジカル、イオン）間の気相中での反応は避けられず
微粉末シリコン（例えば、５ｉｎＨ２＋２構造を有する
ポリシラン）が生成する。
そして、Ｓｉを含む原料ガスの未反応ガスを排気する時
に、この微粉末シリコンか第２図に示スメカニカルブー
スターポング３５ａ及び回転ボンダ３５ｂ等の排気装置
３５内に付着したシ、回転ボンダ３５ｂ内のオイルに混
入し、排気能力の大幅な低下を引き起こす原因となる。
に、この微粉末シリコンか第２図に示スメカニカルブー
スターポング３５ａ及び回転ボンダ３５ｂ等の排気装置
３５内に付着したシ、回転ボンダ３５ｂ内のオイルに混
入し、排気能力の大幅な低下を引き起こす原因となる。
そこで、この現象を防ぐために真空チャンバー２２とメ
カニカルブースターポンプ３５ａとの間に金網３６を具
備したダストトラップ３４を設は微粉末シリコンを捕集
することによりて排気装置３５への微粉末シリコンの侵
入を防止するようにしている。そしてダスト−トラップ
３４に捕集された微粉末シリコンを金網３６から除去す
る方法として、金網をアルコールで洗浄する方法、ブロ
アーや集塵機等で吸引する方法、高圧の気体で吹き飛ば
す方法が一般に行なわれている。ところが金網をアルコ
ールで洗浄する方法では、大葉のアルコールを必要とし
。
カニカルブースターポンプ３５ａとの間に金網３６を具
備したダストトラップ３４を設は微粉末シリコンを捕集
することによりて排気装置３５への微粉末シリコンの侵
入を防止するようにしている。そしてダスト−トラップ
３４に捕集された微粉末シリコンを金網３６から除去す
る方法として、金網をアルコールで洗浄する方法、ブロ
アーや集塵機等で吸引する方法、高圧の気体で吹き飛ば
す方法が一般に行なわれている。ところが金網をアルコ
ールで洗浄する方法では、大葉のアルコールを必要とし
。
またダストトラップ３４の内壁に付着した微粉末シリコ
ンをアルコールで拭き取る時に拭き取り用の布や紙が届
かない死角があったり、アルコールが揮発性のために作
業者の健康上悪い影響を与えたシする欠点がある。また
ブロアーや集塵機等で吸引する方法では、配管内、やフ
ィルターに溜った微粉末シリコンが粉塵爆発を起こす危
険性がある。更に高圧の気体で吹きとばす方法では、吹
きとばされた微粉末シリコンが環境を汚染しないために
、高能力のダクトの設備を心細とする。
ンをアルコールで拭き取る時に拭き取り用の布や紙が届
かない死角があったり、アルコールが揮発性のために作
業者の健康上悪い影響を与えたシする欠点がある。また
ブロアーや集塵機等で吸引する方法では、配管内、やフ
ィルターに溜った微粉末シリコンが粉塵爆発を起こす危
険性がある。更に高圧の気体で吹きとばす方法では、吹
きとばされた微粉末シリコンが環境を汚染しないために
、高能力のダクトの設備を心細とする。
このよう罠金網から微粉末シリコンを除去する方法は、
実用上重大な欠点を有しており、更に生産性においても
処理に長時間有するという致命的な欠点がある。
実用上重大な欠点を有しており、更に生産性においても
処理に長時間有するという致命的な欠点がある。
本発明は、以上の様な事情にもとづいてなされたもので
、シリコン製造装置で副成された微粉末シリコンを環境
を汚染することなし九効率よく短時間に除去し、かつ安
全に処理することのできる微粉末シリコンの処理方法を
提供することを目的とする。
、シリコン製造装置で副成された微粉末シリコンを環境
を汚染することなし九効率よく短時間に除去し、かつ安
全に処理することのできる微粉末シリコンの処理方法を
提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために、シリコン調造装
置で副成された微粉末シリコンを捕集する第１の工程と
、捕集された微粉末シリコンて水を噴霧する第２の工程
と、水を噴霧された微粉末シリコンを水相に移動する第
３の工程と、水相に移動した微粉末シリコンを排水に分
離処理する＠４の工程と、排水されない微粉末シリコン
を捕集する第５の工程と、捕集された微粉末シリコンを
大気中に放出する第６の工程とを有しシリコン製造装置
で副成された微粉末シリコンを、環境を汚染することな
しに効率よく短時間に除去し、安全に処理することので
きる微粉末シリコンの処理方法である。
置で副成された微粉末シリコンを捕集する第１の工程と
、捕集された微粉末シリコンて水を噴霧する第２の工程
と、水を噴霧された微粉末シリコンを水相に移動する第
３の工程と、水相に移動した微粉末シリコンを排水に分
離処理する＠４の工程と、排水されない微粉末シリコン
を捕集する第５の工程と、捕集された微粉末シリコンを
大気中に放出する第６の工程とを有しシリコン製造装置
で副成された微粉末シリコンを、環境を汚染することな
しに効率よく短時間に除去し、安全に処理することので
きる微粉末シリコンの処理方法である。
以下、本発明を図示の一実施例を参照しながら説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例である微粉末シリコンの処理
方法を示す図であ怜、第４図は第１ａ−８５感光体成膜
装置を用いてａ−８ｉの成膜を行う。ここで装置の構造
、成膜方法は第２図に示す装置の構造及びその成膜方法
と同様であ夛１、同番号＃ｉ同一のものを示す〇九だし
ダストトラフ１３４通過後罠パルプ３７．パルプ３８が
設けてあシパルプ３８通過後には水１ｉｇ器４２が設け
られている。上述の様な成膜方法でドラム状基体２６上
１ｃａ−Ｍｉの成膜が終了した後、パルプ３２を閉じて
原料カーの供給を停止する。
方法を示す図であ怜、第４図は第１ａ−８５感光体成膜
装置を用いてａ−８ｉの成膜を行う。ここで装置の構造
、成膜方法は第２図に示す装置の構造及びその成膜方法
と同様であ夛１、同番号＃ｉ同一のものを示す〇九だし
ダストトラフ１３４通過後罠パルプ３７．パルプ３８が
設けてあシパルプ３８通過後には水１ｉｇ器４２が設け
られている。上述の様な成膜方法でドラム状基体２６上
１ｃａ−Ｍｉの成膜が終了した後、パルプ３２を閉じて
原料カーの供給を停止する。
真空チャンバー２２が１０”Ｔσｒｒ程度に減圧される
のを待ってガス導入管３９をチッ素ガス供給装ｆｉＫつ
なぎ、パルプ３２を開いてテン素ガスを真空チャンバー
２２内に導入する。真空チャフ ／＜ −２２内に残存
していた原料カスがテン素ガスにより置換された後に、
排気装置３５を停止する。テン素ガスの真空チャンバー
２２内への供給を続は真空チャンバー２２内の圧力が１
０ Ｔｏｒｒ （１気ＥＥ）ＴｉＣなりた彼で、図示
しない７タを外してａ−８ｉが堆積したドラム状基体２
６を取り出す。
のを待ってガス導入管３９をチッ素ガス供給装ｆｉＫつ
なぎ、パルプ３２を開いてテン素ガスを真空チャンバー
２２内に導入する。真空チャフ ／＜ −２２内に残存
していた原料カスがテン素ガスにより置換された後に、
排気装置３５を停止する。テン素ガスの真空チャンバー
２２内への供給を続は真空チャンバー２２内の圧力が１
０ Ｔｏｒｒ （１気ＥＥ）ＴｉＣなりた彼で、図示
しない７タを外してａ−８ｉが堆積したドラム状基体２
６を取り出す。
次にパルプ３７を開から閉にし逆にパルプ３８を閉から
開にし、ダストトラップ３４内罠捕集された微粉末シリ
コンを吸入口４０から吸引し水噴霧器４２に導入する。
開にし、ダストトラップ３４内罠捕集された微粉末シリ
コンを吸入口４０から吸引し水噴霧器４２に導入する。
吸引口４３から吸引された微粉末シリコンはノズル部４
４でしぼられ流速が増加するとともに水を巻き込んで水
噴霧を誘起し、その結果微粉末シリコンが水と接触する
。水噴゛霧器は種々の構造のものがあるが代表的には第
５図に示すようなものがある。
４でしぼられ流速が増加するとともに水を巻き込んで水
噴霧を誘起し、その結果微粉末シリコンが水と接触する
。水噴゛霧器は種々の構造のものがあるが代表的には第
５図に示すようなものがある。
吸入口４３での吸引流量は１〜１０ ｍ３７ｍ１ｎ。
好適には３〜７ｍ３／ｍｉｎであプノズル部４４Ｋかが
る水噴霧用の水圧は２〜４ ｋｇ ／ ｃｍ２が適して
おシ、水量１２１−１０１ ／ｍｊｎ、好適疋は３〜７
１／ｍｉｎであシ配管４５の管径、長さ等により決まる
。このような水＠霧器４２で微粉末クリコンに水を噴霧
するととてよシ燃焼性が抑えられ、粉塵爆発の危険性が
なくなる。
る水噴霧用の水圧は２〜４ ｋｇ ／ ｃｍ２が適して
おシ、水量１２１−１０１ ／ｍｊｎ、好適疋は３〜７
１／ｍｉｎであシ配管４５の管径、長さ等により決まる
。このような水＠霧器４２で微粉末クリコンに水を噴霧
するととてよシ燃焼性が抑えられ、粉塵爆発の危険性が
なくなる。
次いで微粉末シリコンは配管４５を通して第１図に示す
排ガス処理装置へ導入される。排ガス処理方法は従来例
と同様であシ、第１図において＠３図と同番号のものは
同一のものを示す。
排ガス処理装置へ導入される。排ガス処理方法は従来例
と同様であシ、第１図において＠３図と同番号のものは
同一のものを示す。
微粉末シリコンの処理方法としては、第１図を用い％ま
ず反応室１内に副生成物として発生した微粉末シリコン
はダストドラッグ８に捕集され、パルプ９を開き、水噴
霧器１３に導入され水を噴霧され、次いで配管１０を通
シスクラバー４に導入される。この時パルプ１１．パル
プ１２は開から閉にされる。スクラバー４で微粉末シリ
コンの９５−以上は水中に分散されサイクロン５を通っ
て排水され処理される。残り数係の微粉末シリコンはバ
グフィルタ−６で捕集される。この様にして吸入された
微粉末シリコンの９９．９１以上は排ガス処理装置罠よ
シ捕集され、わずか０．１１以下の微粉末シリコンがブ
ロアー７により大気に放出された。
ず反応室１内に副生成物として発生した微粉末シリコン
はダストドラッグ８に捕集され、パルプ９を開き、水噴
霧器１３に導入され水を噴霧され、次いで配管１０を通
シスクラバー４に導入される。この時パルプ１１．パル
プ１２は開から閉にされる。スクラバー４で微粉末シリ
コンの９５−以上は水中に分散されサイクロン５を通っ
て排水され処理される。残り数係の微粉末シリコンはバ
グフィルタ−６で捕集される。この様にして吸入された
微粉末シリコンの９９．９１以上は排ガス処理装置罠よ
シ捕集され、わずか０．１１以下の微粉末シリコンがブ
ロアー７により大気に放出された。
以上の様な微粉末シリコンの処理を各パッチ毎に行なう
ことによりダストドラッグの容量を最小におさえること
ができる。またパルプの操作だけでダストトラップ内か
ら金網を取り出すことなく微粉末シリコンの処理ができ
るので環境を汚染することもなく、短時間で効率よ〈微
粉末シリコンを除去し、安全に処理することができる。
ことによりダストドラッグの容量を最小におさえること
ができる。またパルプの操作だけでダストトラップ内か
ら金網を取り出すことなく微粉末シリコンの処理ができ
るので環境を汚染することもなく、短時間で効率よ〈微
粉末シリコンを除去し、安全に処理することができる。
以上説明したように本発明くよれば、シリコン製造装置
で副成された微粉末シリコンを環境′を汚染することな
しに、短時間で効率よく除去し、かつ安全に処理するこ
とができる。
で副成された微粉末シリコンを環境′を汚染することな
しに、短時間で効率よく除去し、かつ安全に処理するこ
とができる。
４、図面の簡単すＦａｆＩＡ
第１図は本発明の一実施例である微粉末シリコンの処理
方法を示す図、ｆｇｇ図はシリコン製造装置としてのａ
−８ｉ悪感光成膜装置、第３図は従来の排カス処理方法
を示す図、第４図ｒ／′ｉ第１図に用いられるシリコン
與造装置としてのａ−８７感光体成膜装置、第５図は第
１図及び第４図に示す水ｋｊｌ器の説明図であるＯ ｌ・・・反応室（シリコン製造装置）、４・・・スクラ
バー、５・・・サイクロン、６・・・バグフィルタ−１
７・・・ブロアー、８・・・ダストトラップ、１３・・
・水噴霧器、２２・・・真空チャンバー（シリコン製造
装置）、３４・・・ダストトラップ、４２・・・水噴霧
器 世−一理士 則近患佑（ほか１名） 第 １ 図 第 ２ 図 第３図 第 ４ 図 第 ５ 図
方法を示す図、ｆｇｇ図はシリコン製造装置としてのａ
−８ｉ悪感光成膜装置、第３図は従来の排カス処理方法
を示す図、第４図ｒ／′ｉ第１図に用いられるシリコン
與造装置としてのａ−８７感光体成膜装置、第５図は第
１図及び第４図に示す水ｋｊｌ器の説明図であるＯ ｌ・・・反応室（シリコン製造装置）、４・・・スクラ
バー、５・・・サイクロン、６・・・バグフィルタ−１
７・・・ブロアー、８・・・ダストトラップ、１３・・
・水噴霧器、２２・・・真空チャンバー（シリコン製造
装置）、３４・・・ダストトラップ、４２・・・水噴霧
器 世−一理士 則近患佑（ほか１名） 第 １ 図 第 ２ 図 第３図 第 ４ 図 第 ５ 図
Claims (8)
- （１）シリコン製造装置で幅成された微粉末シリコンを
捕集する第１の工程と、捕集された微粉末シリコンに水
を噴霧する第２の工程と、水を噴霧された微粉末シリコ
ンを水相に移動する第３の工程と、水相に移動した微粉
末シリコンと排水に分離処理する第４の工程と、排水さ
れない微粉末シリコンを捕集する第５の工程と、捕集さ
れた微粉末シリコンを大気中に放出する第６の工程とか
ら成ることを特徴とする微粉末シリコンの処理方法。 - （２）シリコン製造装置はアモルファスシリコンを製造
する装置であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の微粉末シリコンの処理方法。 - （３）第１の工程はダストトラップを用いることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の微粉末シリコンの処
理方法。 - （４）第２の工程は水噴霧器を用いることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の微粉末シリコンの処理方法
。 - （５）第３の工程はスクラバーを用いることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の微粉末シリコンの処理方
法。 - （６）第４の工程はサイクロンを用いることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の微粉末シリコンの処理方
法。 - （７）第５の工程はバグフィルターを用いることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の微粉末シリコンの処
理方法。 - （８）第６の工程はブロアーを用いることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の微粉末シリコンの処理方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200651A JPS6182821A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 微粉末シリコンの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200651A JPS6182821A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 微粉末シリコンの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6182821A true JPS6182821A (ja) | 1986-04-26 |
Family
ID=16427944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59200651A Pending JPS6182821A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 微粉末シリコンの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6182821A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8514476B2 (en) | 2008-06-25 | 2013-08-20 | View, Inc. | Multi-pane dynamic window and method for making same |
-
1984
- 1984-09-27 JP JP59200651A patent/JPS6182821A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8514476B2 (en) | 2008-06-25 | 2013-08-20 | View, Inc. | Multi-pane dynamic window and method for making same |
| US8749870B2 (en) | 2008-06-25 | 2014-06-10 | View, Inc. | Multi-pane dynamic window and method for making same |
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