JPS6182636A - 薄膜の形成方法 - Google Patents
薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS6182636A JPS6182636A JP20461184A JP20461184A JPS6182636A JP S6182636 A JPS6182636 A JP S6182636A JP 20461184 A JP20461184 A JP 20461184A JP 20461184 A JP20461184 A JP 20461184A JP S6182636 A JPS6182636 A JP S6182636A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- thin film
- powder
- promoter
- photosensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
- H01J9/2271—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines by photographic processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は基板上に粉体を破着させ薄膜を形成する方法に
関するっ 従来の技術 粉本による薄膜の形成方法の一つに、露光により粘着性
を発現する感光性粘着剤の層を形成した基板を所望のパ
ターンに露光した後に、其板壬に粉体を供給して粘着性
を発現した露光部外に倚体を付着させ、露光部分の粉体
を除去することにより基板上に図形状粉体層を形成する
方法が知られている１、（例えば持開昭５３−１２６８
６１号公報） この技術をカラー陰序線管の螢光膜の１に戊に必用し、
第５図乃至ｉｔｔ図から説明する。
関するっ 従来の技術 粉本による薄膜の形成方法の一つに、露光により粘着性
を発現する感光性粘着剤の層を形成した基板を所望のパ
ターンに露光した後に、其板壬に粉体を供給して粘着性
を発現した露光部外に倚体を付着させ、露光部分の粉体
を除去することにより基板上に図形状粉体層を形成する
方法が知られている１、（例えば持開昭５３−１２６８
６１号公報） この技術をカラー陰序線管の螢光膜の１に戊に必用し、
第５図乃至ｉｔｔ図から説明する。
図において１は陰％ｍ管バルブのフェースプレート（基
板）、２は基板１上に形成した感光性粘着剤の２．１よ
１漢、３Ｇ、３Ｂ、３Ｒは発光色がそれぞれ緑、青、赤
の螢光体、４は黒色の光吸収体を示す。先ず第５図に示
すように拮敗ｌ上に感光性情着剤の薄膜２を形成する。
板）、２は基板１上に形成した感光性粘着剤の２．１よ
１漢、３Ｇ、３Ｂ、３Ｒは発光色がそれぞれ緑、青、赤
の螢光体、４は黒色の光吸収体を示す。先ず第５図に示
すように拮敗ｌ上に感光性情着剤の薄膜２を形成する。
Ｐ６光性粘着剤としては例えば露光により空気中の水分
を吸収して粘着性を発現するジアゾニウム化合物とハロ
ゲン化匍属塩トの＋ｉ ＥＦ−を用い、これをポリビニ
ルアルコールなどのバインター、水、その也適配界面活
性剤に混合したものを用いる。そして第６図に示すよう
に一定間隔で一定巾で薄膜２を露光し、露光部分２Ｇ，
２Ｃ’，・・・ に粘着性を発現させる。そして薄膜２
上、全面に緑色発光の螢光体３Ｇをふりかけ、露光部分
２Ｇ，２’Ｇ，−・・・・・の基板１上に螢光体３Ｇを
付着させる。（第７図）そして、第８図：Ｃ示すように
薄膜２の露光部分上の螢光体３Ｇをエアブロ−等により
除去し、露光部ｇ２Ｇ，２Ｇ。
を吸収して粘着性を発現するジアゾニウム化合物とハロ
ゲン化匍属塩トの＋ｉ ＥＦ−を用い、これをポリビニ
ルアルコールなどのバインター、水、その也適配界面活
性剤に混合したものを用いる。そして第６図に示すよう
に一定間隔で一定巾で薄膜２を露光し、露光部分２Ｇ，
２Ｃ’，・・・ に粘着性を発現させる。そして薄膜２
上、全面に緑色発光の螢光体３Ｇをふりかけ、露光部分
２Ｇ，２’Ｇ，−・・・・・の基板１上に螢光体３Ｇを
付着させる。（第７図）そして、第８図：Ｃ示すように
薄膜２の露光部分上の螢光体３Ｇをエアブロ−等により
除去し、露光部ｇ２Ｇ，２Ｇ。
・・・・上にのみ螢光体の薄Ｈｙ ａ ｃ′，ａ Ｇ′
，・・・ を形成する。次に螢光膜３Ｇ’，３Ｇ’，・
・・・・・から所定の分だけずらせた位置に薄膜２を露
光して露光部分２Ｂ，２Ｂ・・・に粘着性を発現させ、
青色発光の螢光（イ）３Ｂを基板１上の全面に拡げる。
，・・・ を形成する。次に螢光膜３Ｇ’，３Ｇ’，・
・・・・・から所定の分だけずらせた位置に薄膜２を露
光して露光部分２Ｂ，２Ｂ・・・に粘着性を発現させ、
青色発光の螢光（イ）３Ｂを基板１上の全面に拡げる。
（第９図）そして第１０図に示すように薄膜２の未露光
部分上の螢光体３Ｂを除去し、螢光膜３ Ｂ’，３ Ｂ
’， ・・を形成する。以下第６図乃至第１０図に示
す工程全赤色発光の螢光ｉ／１３Ｒ，８Ｒ，・・ 及び
光吸収体４に対して繰り返し、第１１財に示すように基
板１上に螢光膜３ Ｇ′， ３ Ｂ’， ３ Ｒ’
及び光吸収膜４′を含む発光ｒ０ ５を形成するっ ところでこの発光中へ５を形成した基板ＩＣ［１ちバル
グは、発光，嘆５上に７クルバノク膜を形成するために
、発光ｊｐ ５及びパルプ内面を湿潤するウエノト工程
、発光膜５上にラッカー膜を形成する工程、ラッカー膜
の不要部分を除去するトリミンク工程、発光膜５上を含
むバルブ内面にアルミニウムの薄膜を形成するメタルバ
ッタ、・漢形成工程、う、カー膜を熱分解し除去する焼
成工程に順次送られる。
部分上の螢光体３Ｂを除去し、螢光膜３ Ｂ’，３ Ｂ
’， ・・を形成する。以下第６図乃至第１０図に示
す工程全赤色発光の螢光ｉ／１３Ｒ，８Ｒ，・・ 及び
光吸収体４に対して繰り返し、第１１財に示すように基
板１上に螢光膜３ Ｇ′， ３ Ｂ’， ３ Ｒ’
及び光吸収膜４′を含む発光ｒ０ ５を形成するっ ところでこの発光中へ５を形成した基板ＩＣ［１ちバル
グは、発光，嘆５上に７クルバノク膜を形成するために
、発光ｊｐ ５及びパルプ内面を湿潤するウエノト工程
、発光膜５上にラッカー膜を形成する工程、ラッカー膜
の不要部分を除去するトリミンク工程、発光膜５上を含
むバルブ内面にアルミニウムの薄膜を形成するメタルバ
ッタ、・漢形成工程、う、カー膜を熱分解し除去する焼
成工程に順次送られる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、感光性粘着剤の薄（摸２を露光する過程
で、露光部分で薄膜２から多量の分解ガス（窒素ガス）
を発生し、薄膜２が局部的に火．腫れ状嘘となって露光
部分に螢光体が均一に付着せず、均質な発光膜の形成が
困・雌であった。またウエノト工程で発光＠５に直接水
をかけると、基板１に対する発光膜５の（ｔＮ力が十分
でないため発光膜５が剥落することがあった。
で、露光部分で薄膜２から多量の分解ガス（窒素ガス）
を発生し、薄膜２が局部的に火．腫れ状嘘となって露光
部分に螢光体が均一に付着せず、均質な発光膜の形成が
困・雌であった。またウエノト工程で発光＠５に直接水
をかけると、基板１に対する発光膜５の（ｔＮ力が十分
でないため発光膜５が剥落することがあった。
問題を解決するだめの手段
本発明は上記問題点に鑑み提案されたもので、感光性粘
着剤の層にガス出し助長剤をγ見合することにより、均
質な螢光膜の形成を可能としまた、このガヌ出ＬＢｈ長
４１によって粉体の基板への付着力を向上し剥れに対す
る強度を向上させることができる。
着剤の層にガス出し助長剤をγ見合することにより、均
質な螢光膜の形成を可能としまた、このガヌ出ＬＢｈ長
４１によって粉体の基板への付着力を向上し剥れに対す
る強度を向上させることができる。
実施例
以下に本発明の実施例を第５図乃〒第１１図に示しだ発
光膜の形成に適用し、第１図乃至第４図から説明する。
光膜の形成に適用し、第１図乃至第４図から説明する。
図において第５図乃至第１１図と同一ｒＦ号は同一物を
示し、説明を省略する。従来技術との相異点は感光性粘
着剤の層２中にガス出し助長剤６を混合したことのみで
ある。
示し、説明を省略する。従来技術との相異点は感光性粘
着剤の層２中にガス出し助長剤６を混合したことのみで
ある。
このガス出し助長剤６としては例えば粒径５〜１００ｙ
＋ｚμの酸化アルミニウムを用い、Ｆ＆光性粘着剤に対
し小争比０１係乃至３係混合される。
＋ｚμの酸化アルミニウムを用い、Ｆ＆光性粘着剤に対
し小争比０１係乃至３係混合される。
このガス出し助長剤６を含む感光性粘着剤のｊ・−２を
第１図に示すように基板１上に形成する。層２の厚みは
乾燥後、約０５μ（ ５ ０ ０ｍμ）稈度で、感光性
粘着剤を混合した有機溶剤（ポリビニルアルコール ６がピンホール２ａを庇成したり、ガス出し助長剤６が
冨集した部ｅ（例えば図中２ｂ部ｆ＋）では基板１から
層２表面までの層を分断したり、荀２の表面にあるガス
出し助長剤は層２表表面までの厚みをｌ専くし、肉γ専
部２Ｃを形成する。
第１図に示すように基板１上に形成する。層２の厚みは
乾燥後、約０５μ（ ５ ０ ０ｍμ）稈度で、感光性
粘着剤を混合した有機溶剤（ポリビニルアルコール ６がピンホール２ａを庇成したり、ガス出し助長剤６が
冨集した部ｅ（例えば図中２ｂ部ｆ＋）では基板１から
層２表面までの層を分断したり、荀２の表面にあるガス
出し助長剤は層２表表面までの厚みをｌ専くし、肉γ専
部２Ｃを形成する。
次に第２図に示すように層２の図示点線で囲まれた部分
を選択的に露光する。この雇゛各光によって、す２内で
分解ガスが発生する。この分解ガスは時間とともに成長
するが、第３図に示すように分解ガス７（図示点線で囲
まれた部分）がガス出し助長剤６に接すると層２から排
出され易くなるっこの即由としては次のように考えられ
ている。即ち、ピンホール２ａを形成したガス出し助長
剤６ａにガス７ａが接すると、ガス出し助長ｉ’ｒｌｌ
６ ａの周面を経てピンホーＩし２ａから放出びれる
。またガス出Ｌ Ｏｈ艮剤Ｄり！Ｆ３；集部分２ｂのガ
ス７ｂはガス出し助長剤６の間隔が狭いため、どれか一
つのがヌ出し助長剤Ｖてガス７ｂが接触すると近接する
ガス出し助長剤との間の層２を破りガス７ｂの受容容積
を拡げ、ガス圧を下げ、火、喋れ状嘘を未然に防止する
っまた肉薄部２Ｃを形成し７た部分ではガス７Ｃが肉ｊ
部２ζを破ってガス出しが行われる。
を選択的に露光する。この雇゛各光によって、す２内で
分解ガスが発生する。この分解ガスは時間とともに成長
するが、第３図に示すように分解ガス７（図示点線で囲
まれた部分）がガス出し助長剤６に接すると層２から排
出され易くなるっこの即由としては次のように考えられ
ている。即ち、ピンホール２ａを形成したガス出し助長
剤６ａにガス７ａが接すると、ガス出し助長ｉ’ｒｌｌ
６ ａの周面を経てピンホーＩし２ａから放出びれる
。またガス出Ｌ Ｏｈ艮剤Ｄり！Ｆ３；集部分２ｂのガ
ス７ｂはガス出し助長剤６の間隔が狭いため、どれか一
つのがヌ出し助長剤Ｖてガス７ｂが接触すると近接する
ガス出し助長剤との間の層２を破りガス７ｂの受容容積
を拡げ、ガス圧を下げ、火、喋れ状嘘を未然に防止する
っまた肉薄部２Ｃを形成し７た部分ではガス７Ｃが肉ｊ
部２ζを破ってガス出しが行われる。
また基板１との接触面に発生したガス７ｄは成長すると
基放２から、層２を剥離させる虞があるが、近傍のガス
出し助長剤６ｄに触れるとその周面に７分って拡がりガ
ス７ｄの体積を拡げガス圧を下げ図２の剥離が防止され
る。
基放２から、層２を剥離させる虞があるが、近傍のガス
出し助長剤６ｄに触れるとその周面に７分って拡がりガ
ス７ｄの体積を拡げガス圧を下げ図２の剥離が防止され
る。
このようにして露光にともなって発生するガスによる・
會２の人肺れが防止されるっ 次に露光部分が十分粘着性を発現ｉ−だところで、第１
の粉体（螢光体）３Ｇを偵２上、全面に拡げ、・３光部
分シて第１の螢光体３Ｇを付着させ、未露光部上「−子
１本をセ［：去し、第４図に示すように乙、６光邪ｆ＋
＋でのみ第１の螢光体３Ｇを付着させる。
會２の人肺れが防止されるっ 次に露光部分が十分粘着性を発現ｉ−だところで、第１
の粉体（螢光体）３Ｇを偵２上、全面に拡げ、・３光部
分シて第１の螢光体３Ｇを付着させ、未露光部上「−子
１本をセ［：去し、第４図に示すように乙、６光邪ｆ＋
＋でのみ第１の螢光体３Ｇを付着させる。
以下、上述した亡喀光工程、粉体供給工程、残余の（分
（木の除去工程を、・所定の１分１′本（茫冗、也の１
７１１なるグ・光（１１：及び光吸収体）に対して・ジ
返し基［反１上に１分体による薄１模（発光俣）を屁成
する。
（木の除去工程を、・所定の１分１′本（茫冗、也の１
７１１なるグ・光（１１：及び光吸収体）に対して・ジ
返し基［反１上に１分体による薄１模（発光俣）を屁成
する。
尚、ガス出し助長剤６は粒径が５ｍ／ｊ乃至１００ｒｎ
ｌｌの微粒子であれば、酸化アルミニウムに限定される
ことなく 、 ｒ、□、ｌ／摸に・ヅ求される時性に影
〃を与えない材料を適宜選択し得る。
ｌｌの微粒子であれば、酸化アルミニウムに限定される
ことなく 、 ｒ、□、ｌ／摸に・ヅ求される時性に影
〃を与えない材料を適宜選択し得る。
またガス出し助長＋ｉｉｉ ６の１ぎ光性帖看剤にン寸
する混合比が０．１重量部未満ではガス出し効果が小烙
ぐ、３重量部を球えると粉体の付着力が低下した。
する混合比が０．１重量部未満ではガス出し効果が小烙
ぐ、３重量部を球えると粉体の付着力が低下した。
また粉体も螢光体に限定されることなく適宜選択できる
。
。
効果
以上のように、本発明によれば、感光性粘着＋’ｉｌｌ
、つ層の露光にともなって層内で発生するガスをガス出
し助長剤にて除去乃至ガス圧降下させるため、層の人肺
れがなく、均質な薄膜を形成することができ、またこの
ガス出し助長剤は粉体と基板の付着力を向上させ、ｌ昆
潤状しでも剥離し雅い）（ｖ膜を形成できる。
、つ層の露光にともなって層内で発生するガスをガス出
し助長剤にて除去乃至ガス圧降下させるため、層の人肺
れがなく、均質な薄膜を形成することができ、またこの
ガス出し助長剤は粉体と基板の付着力を向上させ、ｌ昆
潤状しでも剥離し雅い）（ｖ膜を形成できる。
第１図乃至第４図は本発明による薄膜の上膜方法の各段
階を示す基板の１ｌｌｌｌ １＋；ｊ面図、第５図乃〒
４Ｙ町１１肉はドライプロセス法による薄膜の邪１１文
方法り各段階ケ示す基板の用１１断面図であろう１・・
・−・基板、 ２ ・・・・］さ光性粘着岸１の層、 ３ Ｇ 、 ３ Ｂ 、 ３ Ｒ、４・・ ・ 扮
１本、３〕′、３Ｂ’、３ Ｒ’、４′・・・・ １・
九Ｉ７１模、６・ ・・・カス出し助長剤っ
階を示す基板の１ｌｌｌｌ １＋；ｊ面図、第５図乃〒
４Ｙ町１１肉はドライプロセス法による薄膜の邪１１文
方法り各段階ケ示す基板の用１１断面図であろう１・・
・−・基板、 ２ ・・・・］さ光性粘着岸１の層、 ３ Ｇ 、 ３ Ｂ 、 ３ Ｒ、４・・ ・ 扮
１本、３〕′、３Ｂ’、３ Ｒ’、４′・・・・ １・
九Ｉ７１模、６・ ・・・カス出し助長剤っ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、露光により粘着性を発現する感光性粘着剤の層を形
成した基板を所望のパターンに露光して粉体を供給し、
粘着性を発現した部分に粉体を付着させ、残余の粉体を
除去して基板上に所望パターンの薄膜を形成する方法に
おいて、上記感光性粘着剤にガス出し助長剤を混合した
ことを特徴とする薄膜の形成方法。 ２、上記感光性粘着剤はジアゾニウム塩であり、ガス出
し助長剤は粒径５〜１００ｍμの微粒子であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜の形成方法。 ３、上記感光性粘着剤に対しガス出し助長剤を０．１重
量％乃至３重量％混合することを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20461184A JPS6182636A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20461184A JPS6182636A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6182636A true JPS6182636A (ja) | 1986-04-26 |
Family
ID=16493335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20461184A Pending JPS6182636A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6182636A (ja) |
-
1984
- 1984-09-29 JP JP20461184A patent/JPS6182636A/ja active Pending
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