JPS6182452A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
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- JPS6182452A JPS6182452A JP59204729A JP20472984A JPS6182452A JP S6182452 A JPS6182452 A JP S6182452A JP 59204729 A JP59204729 A JP 59204729A JP 20472984 A JP20472984 A JP 20472984A JP S6182452 A JPS6182452 A JP S6182452A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
崖1上旦■且丘!
この発明は樹脂モールド型半導体装置などのリードフレ
ームを使って製造される電子部品の製造方法に関する。
ームを使って製造される電子部品の製造方法に関する。
従未互荻丘
トランジスタ等の樹脂モールド型半導体装置はリードフ
レームを]史って複数価が一括して製造され、その製造
工程は次の(A)〜rF)が一般的である。
レームを]史って複数価が一括して製造され、その製造
工程は次の(A)〜rF)が一般的である。
(A)リードフレームの主要部に半導体ペレットをマウ
ントする工程、 (B)マウントされた半導体ペレットとリードフレーム
のリードとに金属細線をボンディングする工程、 (C)リードフレームの半導体ペレットを含む主要部を
樹脂材で被覆外装してから高温保管する工程、 CD)リードフレームを半導体装置毎に切断分離する工
程、 (E)個々の半導体装置の外観を検査する工程、 CF)外観良品の個々の半導体装置毎に特性検査する工
程。
ントする工程、 (B)マウントされた半導体ペレットとリードフレーム
のリードとに金属細線をボンディングする工程、 (C)リードフレームの半導体ペレットを含む主要部を
樹脂材で被覆外装してから高温保管する工程、 CD)リードフレームを半導体装置毎に切断分離する工
程、 (E)個々の半導体装置の外観を検査する工程、 CF)外観良品の個々の半導体装置毎に特性検査する工
程。
上記製造工程の具体例を第3図乃至茅7図を参照して説
明すると次の通りである。
明すると次の通りである。
例えば先ず第3図及び第4図に示すリードフレーム(1
)を用意する。これは3本−組のリード(2)(2)・
−・を複数組、タイバ(3)(3”) −で一連に連結
し、各組のリード(2)(2)−一一一の中央の1本の
先端に1つの放熱板(4)(4)−・を一体に連結した
ものであり、各放熱板(4)(4)、−はタイバ(5>
(5)−・にて一連に連結されている。次に第5図
及び第6図に示すように各放熱板(4)、(4)−・−
上のペレットマウント位置に半導体ベレット(6)(6
)・−をマウントしてから、その各々の表面電極とリー
ド(2)(2)・・−・の各組の両側の2本の先端部と
を金属細線(7)(7)−・で接続し、而る後放熱板(
4) (4,)−・の裏面を露出させて半導体ペレッ
) (6’) <6) −を含む主要部に外装樹脂材
(8)(8)−にてモールド成形する。次にリードフレ
ーム(1)よりタイバ(3)(3)−・、(5)(5L
−・を切断除去して第7図に示す樹脂モールド型半導体
装置(9)を得て、外観検査、特性検査の各工程に送り
、良品のみが出荷される。
)を用意する。これは3本−組のリード(2)(2)・
−・を複数組、タイバ(3)(3”) −で一連に連結
し、各組のリード(2)(2)−一一一の中央の1本の
先端に1つの放熱板(4)(4)−・を一体に連結した
ものであり、各放熱板(4)(4)、−はタイバ(5>
(5)−・にて一連に連結されている。次に第5図
及び第6図に示すように各放熱板(4)、(4)−・−
上のペレットマウント位置に半導体ベレット(6)(6
)・−をマウントしてから、その各々の表面電極とリー
ド(2)(2)・・−・の各組の両側の2本の先端部と
を金属細線(7)(7)−・で接続し、而る後放熱板(
4) (4,)−・の裏面を露出させて半導体ペレッ
) (6’) <6) −を含む主要部に外装樹脂材
(8)(8)−にてモールド成形する。次にリードフレ
ーム(1)よりタイバ(3)(3)−・、(5)(5L
−・を切断除去して第7図に示す樹脂モールド型半導体
装置(9)を得て、外観検査、特性検査の各工程に送り
、良品のみが出荷される。
さ <7′ しよ゛と る 占
ところで、上記のような放熱板を含むリードフルシーム
は熱伝、導性の良好な銅板を打抜き成形したものが−i
1〉的であるが、このようなリードフレームはベレット
マウント位置などで加熱されると酸化するので、予め金
メッキやニッケルメッキをしてリードフレームの酸化防
止や外観劣化防止を図ることが行われている。しかし、
これではリードフレームに金メッキ、ニッケルメッキを
施す工程が必要でリードフレームがコスト高となる間厘
があり、そこで最近はノ′ツキ処理を行わずにリードフ
レームをペレットマウント位置等に送って製造する傾向
になっている。
は熱伝、導性の良好な銅板を打抜き成形したものが−i
1〉的であるが、このようなリードフレームはベレット
マウント位置などで加熱されると酸化するので、予め金
メッキやニッケルメッキをしてリードフレームの酸化防
止や外観劣化防止を図ることが行われている。しかし、
これではリードフレームに金メッキ、ニッケルメッキを
施す工程が必要でリードフレームがコスト高となる間厘
があり、そこで最近はノ′ツキ処理を行わずにリードフ
レームをペレットマウント位置等に送って製造する傾向
になっている。
酸化防止のメッキ処理をしないリードフレームを使った
製造方法として、例えばペレソトマうント工程ではリー
ドフレームのベレットマウント位置を半導体ペレットを
マウントする直前に水素トーチで焼いて酸化膜を還元除
去することや、金@細線のボンディング工程ではリード
上の酸化膜を突き破る程度にボンディング強度を大きく
することなどが行われており、このようにすることによ
りリードフレームに酸化防止のメッキ処理をしなくても
十分に信頼性の良い半導体装置が得られることが分かっ
ている。ところが、酸化防止のメッキ処理をしないリー
ドフレームを使って製造した半導体’ttEにおいては
金属の露呈部分が不均一に形成されるためこの半導体装
置を外部放熱器に取り付けても放熱性がばらつく上、放
熱器に取り付けずに使用する場合には酸化膜で外観が悪
くなることがあった。例えば第7図の半導体装置(9)
において、外装樹脂材(8)から突出するリード(2)
は(及で半田メッキされるので外観が悪(なることは無
いが、放熱4反(4)の露呈部分にできる酸化π9はベ
レットマウント時の部分的な加熱などによって斑が多く
、特に放熱板(4)の裏面は8−製造工程での搬送時に
レールに擦れて擦り傷などができてこの裏面での酸化膜
の斑が目立ち、外観を悪クシて後の外観検査で不良品と
判定される大きな要因となっていた。
製造方法として、例えばペレソトマうント工程ではリー
ドフレームのベレットマウント位置を半導体ペレットを
マウントする直前に水素トーチで焼いて酸化膜を還元除
去することや、金@細線のボンディング工程ではリード
上の酸化膜を突き破る程度にボンディング強度を大きく
することなどが行われており、このようにすることによ
りリードフレームに酸化防止のメッキ処理をしなくても
十分に信頼性の良い半導体装置が得られることが分かっ
ている。ところが、酸化防止のメッキ処理をしないリー
ドフレームを使って製造した半導体’ttEにおいては
金属の露呈部分が不均一に形成されるためこの半導体装
置を外部放熱器に取り付けても放熱性がばらつく上、放
熱器に取り付けずに使用する場合には酸化膜で外観が悪
くなることがあった。例えば第7図の半導体装置(9)
において、外装樹脂材(8)から突出するリード(2)
は(及で半田メッキされるので外観が悪(なることは無
いが、放熱4反(4)の露呈部分にできる酸化π9はベ
レットマウント時の部分的な加熱などによって斑が多く
、特に放熱板(4)の裏面は8−製造工程での搬送時に
レールに擦れて擦り傷などができてこの裏面での酸化膜
の斑が目立ち、外観を悪クシて後の外観検査で不良品と
判定される大きな要因となっていた。
問題点を解決するための王CI
ズ;発明は上記問題点に鑑みて提案されたもので、リー
ドフレーム上に部品本体を固着し、リードフレームを部
分的に露呈させて部品本体を含む主要部を樹脂材にて被
覆した電子部品の前記リードフレーム露呈部分の酸化膜
を除去する工程と、この酸化膜除去後に前記リードフレ
ーム露呈部分を均一に酸化させる工程とを加えることに
より上記問題点を解決したものである。
ドフレーム上に部品本体を固着し、リードフレームを部
分的に露呈させて部品本体を含む主要部を樹脂材にて被
覆した電子部品の前記リードフレーム露呈部分の酸化膜
を除去する工程と、この酸化膜除去後に前記リードフレ
ーム露呈部分を均一に酸化させる工程とを加えることに
より上記問題点を解決したものである。
作且
上記手段によるとリードフレーム露呈部分が製造工程時
に不つ−に酸化されていても、これを除去してから後で
積極的に酸化することにより酸化膜は斑無く均一に形成
され、外観が良(なる。
に不つ−に酸化されていても、これを除去してから後で
積極的に酸化することにより酸化膜は斑無く均一に形成
され、外観が良(なる。
爽え皿
例えば第3図の放熱板付リードフレーム(1)が酸化防
止のメッキ処理されていないものであって、このリード
フレーム(1)を使って前述(A)〜(F)の工程で第
7図の半導体装置(9)を製造し出荷する場合、本発明
は(C)の樹脂モールド工程とCD)のリードフレーム
切断工程の間に次の酸化膜除去工程及び酸化工程を追加
する。
止のメッキ処理されていないものであって、このリード
フレーム(1)を使って前述(A)〜(F)の工程で第
7図の半導体装置(9)を製造し出荷する場合、本発明
は(C)の樹脂モールド工程とCD)のリードフレーム
切断工程の間に次の酸化膜除去工程及び酸化工程を追加
する。
上記酸化膜除去工程はリードフレーム(1)における各
放熱板(4)(4L−・の露呈部分の酸化膜を除去する
工程で、この酸化膜除去はエツチング法やサンドブラス
ト法などで行われる。この工程をエツチング法で説明す
ると、例えば第1図に示すように樹脂モールド工程が完
了したリードフレーム(1)を放熱板(4)(4)−・
を下にしてホルダ(10)で吊下支持しておいて、各放
熱板<4>(4L−・の露呈部分をエツチング液(1)
)に浸漬する。エツチング液(1))は放熱板露呈部の
酸化膜(Cu O2など)を選択的にエツチング除去す
るものが使用される。放熱板露呈部分での酸化膜除去が
完了すると、その直ぐ後にリードフレーム(1)を酸素
雰囲気中に配して放熱板露呈部分に積極的に酸化膜を形
成する0例えば第2図に示すようにリードフレーム(1
)を酸化槽(12)に入れて蓋(13)をして内部を酸
素含有雰囲気で満たし一定時間放置すれば、放熱板(4
)(4)・−・の露呈部分はWJ単、確実に均一に酸化
される。放熱板(4)(4)−が銅板の場合は露呈部分
全体が均一なエビ茶色に酸化され、外観の良いものが得
られる。
放熱板(4)(4L−・の露呈部分の酸化膜を除去する
工程で、この酸化膜除去はエツチング法やサンドブラス
ト法などで行われる。この工程をエツチング法で説明す
ると、例えば第1図に示すように樹脂モールド工程が完
了したリードフレーム(1)を放熱板(4)(4)−・
を下にしてホルダ(10)で吊下支持しておいて、各放
熱板<4>(4L−・の露呈部分をエツチング液(1)
)に浸漬する。エツチング液(1))は放熱板露呈部の
酸化膜(Cu O2など)を選択的にエツチング除去す
るものが使用される。放熱板露呈部分での酸化膜除去が
完了すると、その直ぐ後にリードフレーム(1)を酸素
雰囲気中に配して放熱板露呈部分に積極的に酸化膜を形
成する0例えば第2図に示すようにリードフレーム(1
)を酸化槽(12)に入れて蓋(13)をして内部を酸
素含有雰囲気で満たし一定時間放置すれば、放熱板(4
)(4)・−・の露呈部分はWJ単、確実に均一に酸化
される。放熱板(4)(4)−が銅板の場合は露呈部分
全体が均一なエビ茶色に酸化され、外観の良いものが得
られる。
発3影と九展
本発明によればリードフレームに酸化防止のメッキ処理
をしない低コストのものを使用しても、均一な酸化膜で
放熱板露出面が覆われるため、外部放熱器に取付けた際
に、放熱板全面が均一な熱伝導性を持ち、放熱性が良好
となる。
をしない低コストのものを使用しても、均一な酸化膜で
放熱板露出面が覆われるため、外部放熱器に取付けた際
に、放熱板全面が均一な熱伝導性を持ち、放熱性が良好
となる。
また外観も良好となる。
第1図及び第2図は本発明の詳細な説明するための酸化
膜除去及び酸化工程での実施装置例の断面図である。第
3図乃至第7図は従来の電子部品製造方法を説明するた
めのもので、第3図はリードフレームの平面図、第4図
は第3図のA−A線断面図、第5図は樹脂モールド成形
後のリードフレームの平面図、第6図は第5図のB−B
線断面図、第7図は樹脂モールド型半導体装置の斜視図
である。 (1) −リードフレーム、(6) 一部品本体〔半導
体ベレット〕、(8) −・樹脂材、(9)−電子部品
〔半導体装置〕。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社代
理 人 江 原 省 吾〃
江 原 秀き1図 !1j:lliJ
膜除去及び酸化工程での実施装置例の断面図である。第
3図乃至第7図は従来の電子部品製造方法を説明するた
めのもので、第3図はリードフレームの平面図、第4図
は第3図のA−A線断面図、第5図は樹脂モールド成形
後のリードフレームの平面図、第6図は第5図のB−B
線断面図、第7図は樹脂モールド型半導体装置の斜視図
である。 (1) −リードフレーム、(6) 一部品本体〔半導
体ベレット〕、(8) −・樹脂材、(9)−電子部品
〔半導体装置〕。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社代
理 人 江 原 省 吾〃
江 原 秀き1図 !1j:lliJ
Claims (1)
- (1)リードフレーム上に部品本体を固着し、リードフ
レームを部分的に露呈させて部品本体を含む主要部を樹
脂材にて被覆した電子部品の前記リードフレーム露呈部
分の酸化膜を除去する工程と、この酸化膜除去後に前記
リードフレーム露呈部分を均一に酸化させる工程とを含
むことを特徴とする電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59204729A JPS6182452A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59204729A JPS6182452A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6182452A true JPS6182452A (ja) | 1986-04-26 |
JPH0422340B2 JPH0422340B2 (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=16495342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59204729A Granted JPS6182452A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6182452A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10478880B2 (en) | 2015-04-28 | 2019-11-19 | Aws Schaefer Technologie Gmbh | Method for induction bend forming a compression-resistant pipe having a large wall thickness and a large diameter |
-
1984
- 1984-09-29 JP JP59204729A patent/JPS6182452A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10478880B2 (en) | 2015-04-28 | 2019-11-19 | Aws Schaefer Technologie Gmbh | Method for induction bend forming a compression-resistant pipe having a large wall thickness and a large diameter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0422340B2 (ja) | 1992-04-16 |
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