JPS6181625A - レジスト塗布方法およびその装置 - Google Patents
レジスト塗布方法およびその装置Info
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- JPS6181625A JPS6181625A JP20386184A JP20386184A JPS6181625A JP S6181625 A JPS6181625 A JP S6181625A JP 20386184 A JP20386184 A JP 20386184A JP 20386184 A JP20386184 A JP 20386184A JP S6181625 A JPS6181625 A JP S6181625A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明はレジスト塗布方法およびその装置に係わり、特
に弾性表面波素子の製造の際に圧電基板上にフォトレジ
ストをスピンナにより回転塗布する方法およびその装置
に関する。
に弾性表面波素子の製造の際に圧電基板上にフォトレジ
ストをスピンナにより回転塗布する方法およびその装置
に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
従来から、Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３、ｌ−ｉ １−ａ ０３
、水晶等の圧電基板表面の弾性表面波の伝播路の両ｆｆ
１１１に互いに交叉した電極対からなるｈｖ歯形微柵電
極を設けてなる弾性表面波素子が、フィルタや遅延線、
共振子等として用いられている。
、水晶等の圧電基板表面の弾性表面波の伝播路の両ｆｆ
１１１に互いに交叉した電極対からなるｈｖ歯形微柵電
極を設けてなる弾性表面波素子が、フィルタや遅延線、
共振子等として用いられている。
このような弾性表面波素子の製造にａハノる櫛歯形電極
の形成は、一般にフォトリソグラフィ技術を応用して、
次のような方法で行われている。
の形成は、一般にフォトリソグラフィ技術を応用して、
次のような方法で行われている。
すなわち、第４図に示すように、研磨、洗浄した圧電基
板１の上にアルミニウム（以下Δ℃と称す）からなる電
極膜を蒸着し、このＡ℃電極膜２上に適当なフォトレジ
ストを塗布した後、レジスト膜３を所定の電（々パター
ンを有するフォトマスク４を用いて露光する。
板１の上にアルミニウム（以下Δ℃と称す）からなる電
極膜を蒸着し、このＡ℃電極膜２上に適当なフォトレジ
ストを塗布した後、レジスト膜３を所定の電（々パター
ンを有するフォトマスク４を用いて露光する。
次いで例えば露光していない部分のレジスト膜３を溶解
除去した（殺、エッチャントに浸漬してＡ℃電極膜２を
エツチングし、しかる後、適当な剥離液に浸してレジス
ト膜３を除去する。
除去した（殺、エッチャントに浸漬してＡ℃電極膜２を
エツチングし、しかる後、適当な剥離液に浸してレジス
ト膜３を除去する。
このようなフォトリソグラフィにおいては、各工程の条
件の選択は、線幅が数１０ａｍから数μｍと極めて微細
な電極を再現性よく形成する上で大切であるが、その中
でも特に露光工程においては、レジストＩｌ＄ ３にフ
ォトマスク４のパターンを正確に転写することが重要と
されている。
件の選択は、線幅が数１０ａｍから数μｍと極めて微細
な電極を再現性よく形成する上で大切であるが、その中
でも特に露光工程においては、レジストＩｌ＄ ３にフ
ォトマスク４のパターンを正確に転写することが重要と
されている。
また、露光法としては、基板（レジスト膜表面）と、フ
ォトマスク４を密着させて露光する密着露光法が一般的
に行われており、この方法では密着度が良１ノれば解像
度は光源の波長程麿にまで達し、密着度の良否が転写パ
ターンの解像度や寸法精度を決定している。
ォトマスク４を密着させて露光する密着露光法が一般的
に行われており、この方法では密着度が良１ノれば解像
度は光源の波長程麿にまで達し、密着度の良否が転写パ
ターンの解像度や寸法精度を決定している。
ところで、従来からレジストの塗布は、回転台上にＡ℃
電極膜２を上側にして圧電基板１を載置し、基板を回転
させながら上面にレジストを滴下塗布する回転塗布方法
により行われている。
電極膜２を上側にして圧電基板１を載置し、基板を回転
させながら上面にレジストを滴下塗布する回転塗布方法
により行われている。
しかしながら、この方法では、レジスト液の表面張力に
より基板の外周端縁部にリング状の盛り上がり部が生じ
、このレジスト膜３の厚肉部が基板とフォトマスクとの
密着度を低下させるという問題があった。
より基板の外周端縁部にリング状の盛り上がり部が生じ
、このレジスト膜３の厚肉部が基板とフォトマスクとの
密着度を低下させるという問題があった。
すなわち、第５図に示すように、レジスト膜３の膜厚が
不均一で外周端縁にリング状の厚肉部５があるため、レ
ジスト３而とフィトマスク４との間に空隙が生じ、この
部分で光の回折、散乱現象を生じる。この回折現象の結
果、転写パターンの解像度および寸法精度が低下し、こ
れが一つの基板上から複数の弾性表面波素子を切り出す
際の特性の不均一化や歩留りの低下をもたらすという問
題があった。
不均一で外周端縁にリング状の厚肉部５があるため、レ
ジスト３而とフィトマスク４との間に空隙が生じ、この
部分で光の回折、散乱現象を生じる。この回折現象の結
果、転写パターンの解像度および寸法精度が低下し、こ
れが一つの基板上から複数の弾性表面波素子を切り出す
際の特性の不均一化や歩留りの低下をもたらすという問
題があった。
［発明の目的］
本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
で、基板の全面に渡りその上に均一な厚さにレジストを
回転塗布する方法およびそれに用いる装置を提供するこ
とを目的とする。
で、基板の全面に渡りその上に均一な厚さにレジストを
回転塗布する方法およびそれに用いる装置を提供するこ
とを目的とする。
［発明の概要］
すなわち本発明は、基板上にレジストを回転塗布するに
あたり、前記基板の主面上に、それと同一平面上でその
外周端縁より外側の領域まで−続きにレジストを塗布す
ることを特徴とするレジスト塗布方法、および、レジス
トを塗布すべき基板と同一平面形状を有し、該基板の厚
さと同じ深さの基板装着用凹部を上面に設けてなる回転
台と、前記回転台の装着用凹部に装着された基板の主面
上にレジストを滴下塗布する滴下塗布装置とからなるこ
とを特徴とするレジスト塗布装置である。
あたり、前記基板の主面上に、それと同一平面上でその
外周端縁より外側の領域まで−続きにレジストを塗布す
ることを特徴とするレジスト塗布方法、および、レジス
トを塗布すべき基板と同一平面形状を有し、該基板の厚
さと同じ深さの基板装着用凹部を上面に設けてなる回転
台と、前記回転台の装着用凹部に装着された基板の主面
上にレジストを滴下塗布する滴下塗布装置とからなるこ
とを特徴とするレジスト塗布装置である。
［発明の実施例］
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
本発明の方法においては、水平面上で回転する圧電４板
上に蒸着された金属電極膜上（以下圧電基板の主面上と
いう）に、その真上からレジストを滴下し、その外周端
縁より同一平面上でかなり外側の領域まで−続きにレジ
ストを広げることにより、圧電基板の主面上に塗布され
たレジストの膜厚を均一なものにするが、この方法を実
施するには、例えば第１図および第２図に示す構造の回
転台と公知のレジスト滴下塗布装置とからなるレジスト
塗布方法が用いられる。
上に蒸着された金属電極膜上（以下圧電基板の主面上と
いう）に、その真上からレジストを滴下し、その外周端
縁より同一平面上でかなり外側の領域まで−続きにレジ
ストを広げることにより、圧電基板の主面上に塗布され
たレジストの膜厚を均一なものにするが、この方法を実
施するには、例えば第１図および第２図に示す構造の回
転台と公知のレジスト滴下塗布装置とからなるレジスト
塗布方法が用いられる。
これらの図において符号６は、基板の面積より広い領域
を有する回転台本体７と、その下面に連接された基や９
部８とからなる回転台を示す。この回転台６の回転台本
体７の上面中央部には、レジストを塗布すべき基板と同
一平面形状を有し、基板の厚さと同じ深さの基板装着用
四部９が刻設されている。
を有する回転台本体７と、その下面に連接された基や９
部８とからなる回転台を示す。この回転台６の回転台本
体７の上面中央部には、レジストを塗布すべき基板と同
一平面形状を有し、基板の厚さと同じ深さの基板装着用
四部９が刻設されている。
また、回転台本体７および基幹部８の内部には、吸引管
１０が設けられている。この吸引管１０は、一端が基板
装着用凹部９の内周面上に「１口し、他端が外部に設置
された減圧吸引装置（図示せず）に連結されている。
１０が設けられている。この吸引管１０は、一端が基板
装着用凹部９の内周面上に「１口し、他端が外部に設置
された減圧吸引装置（図示せず）に連結されている。
このような構造の回転台６と公知のレジスト滴下塗布装
置とからなるレジスト塗イ［装置を用いて圧電基板の主
面上にレジストを回転塗布するには、まず圧電基板１１
をその主面を上に向けて回転台本体７の基板装着用凹部
９に装着する。
置とからなるレジスト塗イ［装置を用いて圧電基板の主
面上にレジストを回転塗布するには、まず圧電基板１１
をその主面を上に向けて回転台本体７の基板装着用凹部
９に装着する。
次いで回転台６を圧電基板１１ごと回転させながら圧電
基板１１の上面にレジスト滴下塗布装置により適当な粘
度に調整したレジスト液を滴下する。また、このとき減
圧吸引装置を作動させて吸引管１０内を減圧吸引するこ
とにより、この一端が開口した回転台本体７の旦板装着
用凹部９内周面と圧電塞板１１との間の咋かな間隙から
、滴下された余分なレジスト液を吸引回収する。
基板１１の上面にレジスト滴下塗布装置により適当な粘
度に調整したレジスト液を滴下する。また、このとき減
圧吸引装置を作動させて吸引管１０内を減圧吸引するこ
とにより、この一端が開口した回転台本体７の旦板装着
用凹部９内周面と圧電塞板１１との間の咋かな間隙から
、滴下された余分なレジスト液を吸引回収する。
このように構成される実施例によれば、圧電基板１１が
回転台本体７の中央部に埋込まれた状態で載置され１回
転台本体７のこの載置部を除く上面と圧電基板１１の主
面との間に段差がなく、これらが同一平面を構成してい
るので、滴下されたレジスト液は圧電基板１１の主面の
外周端縁を越えて回転台本体７の上面外周部まで広がる
。
回転台本体７の中央部に埋込まれた状態で載置され１回
転台本体７のこの載置部を除く上面と圧電基板１１の主
面との間に段差がなく、これらが同一平面を構成してい
るので、滴下されたレジスト液は圧電基板１１の主面の
外周端縁を越えて回転台本体７の上面外周部まで広がる
。
従って、表面張力に起因するレジスト膜１２の厚肉部１
３は、圧電基板１１の外周端縁の外側の回転台本体７周
辺部に生じ、圧電基板１１上には全面にわたって均一な
厚さのレジスト膜１２が形成される。
３は、圧電基板１１の外周端縁の外側の回転台本体７周
辺部に生じ、圧電基板１１上には全面にわたって均一な
厚さのレジスト膜１２が形成される。
なお、レジストｌ！１１２が形成された圧電基板１１を
、回転台本体７の基板［２円囲部９からレジスト膜１２
の破損や損屯を引き起こすことなく取り出すには、吸引
−１０内に下方から細い針あるいはビンを挿入し、これ
で圧電基板１１を持ち上げる方法や、吸引管１０の他端
から加圧空気等を圧送し、空気で圧電基板１１を下から
押し上げて取外す方法をとるのが望ましい。
、回転台本体７の基板［２円囲部９からレジスト膜１２
の破損や損屯を引き起こすことなく取り出すには、吸引
−１０内に下方から細い針あるいはビンを挿入し、これ
で圧電基板１１を持ち上げる方法や、吸引管１０の他端
から加圧空気等を圧送し、空気で圧電基板１１を下から
押し上げて取外す方法をとるのが望ましい。
次に本発明を実Ｍするために用いられる別の構造の回転
台を第３図に示す。
台を第３図に示す。
この回転台６は、レジストを塗布すべき圧？ｌｊ板の面
積より広い面積を有する平板状の回転台本体７と、その
下面に連接された基幹部８と、圧電基板と同じ厚さで中
央部に基板と同一平面形状の透孔１４を有するリング状
治Ｊ’に１５とから構成されて、回転台本体７と基幹部
８の内部には一端が回転台本体７の上面に開口し、他端
が減圧吸引装置に連結された吸引管１０が埋設されてい
る。
積より広い面積を有する平板状の回転台本体７と、その
下面に連接された基幹部８と、圧電基板と同じ厚さで中
央部に基板と同一平面形状の透孔１４を有するリング状
治Ｊ’に１５とから構成されて、回転台本体７と基幹部
８の内部には一端が回転台本体７の上面に開口し、他端
が減圧吸引装置に連結された吸引管１０が埋設されてい
る。
このような構造の回転台６においては、リング状治具１
５を、回転台本体７の上面中央部に載置された圧電基板
１１の外側に嵌合さぼて設置することにより、レジスト
の塗布面を圧１ｇ板１１の主面の外周端縁を越えた外側
の領域まで広げることができ、前述の実施例と同様な効
果を得ること □ができる。
５を、回転台本体７の上面中央部に載置された圧電基板
１１の外側に嵌合さぼて設置することにより、レジスト
の塗布面を圧１ｇ板１１の主面の外周端縁を越えた外側
の領域まで広げることができ、前述の実施例と同様な効
果を得ること □ができる。
さらに、この実施例の回転台６によれば、レジスト膜を
形成した後、リング状治具１５を後説することにより簡
単に圧電基板を取り出すことができる。
形成した後、リング状治具１５を後説することにより簡
単に圧電基板を取り出すことができる。
［発明の効果］
以上の記載から明らかなように本発明の方法によれば、
一基板の全面に均一な厚さのレジスト塗布膜を形成する
ことができる。
一基板の全面に均一な厚さのレジスト塗布膜を形成する
ことができる。
従って、この方法は、弾性表面波素子製造の際のフォト
ソリグラフィにおけるレジスト塗布方法として極めて有
用である。
ソリグラフィにおけるレジスト塗布方法として極めて有
用である。
また、本発明の装置は、構造が簡単でコ“ストが安価で
あり、このような方法を実施するための装置として好適
している。
あり、このような方法を実施するための装置として好適
している。
第１図および第２図はそれぞれ本発明方法を実施するた
めに用いる回転台の一例を示す断面図お 。 よび平面図、第３図は回転台の別の例を示す断面図、第
４図は弾性表面波素子製造の際のフォトリソグラフィ技
術を示す工程図、第５図は従来の方法で塗布されたレジ
スト膜への露光を示す断面図である。 １．１１・・・圧電基板 ２・・・・・・・・・・・・Ａλ電極暎３．１２・・・
レジスト膜 ４・・・・・・・・・・・・フォトマスク５・・・・・
・・・・・・・厚肉部 ６・・・・・・・・・・・・回転台 ７・・・・・・・・・・・・回転台本体９・・・・・・
・・・・・・基板ｖｉ着用凹部１０・・・・・・・・・
・・・吸引管 １５・・・・・・・・・・・・リング状冶呉代理人弁理
士 須 山 佐 〜 第２図 第１図 第３図 第５図
めに用いる回転台の一例を示す断面図お 。 よび平面図、第３図は回転台の別の例を示す断面図、第
４図は弾性表面波素子製造の際のフォトリソグラフィ技
術を示す工程図、第５図は従来の方法で塗布されたレジ
スト膜への露光を示す断面図である。 １．１１・・・圧電基板 ２・・・・・・・・・・・・Ａλ電極暎３．１２・・・
レジスト膜 ４・・・・・・・・・・・・フォトマスク５・・・・・
・・・・・・・厚肉部 ６・・・・・・・・・・・・回転台 ７・・・・・・・・・・・・回転台本体９・・・・・・
・・・・・・基板ｖｉ着用凹部１０・・・・・・・・・
・・・吸引管 １５・・・・・・・・・・・・リング状冶呉代理人弁理
士 須 山 佐 〜 第２図 第１図 第３図 第５図
Claims (2)
- （１）基板上にレジストを回転塗布するにあたり、前記
基板の主面上に、この主面と同一平面上でその外周端縁
より外側の領域まで連続してレジストを塗布することを
特徴とするレジスト塗布方法。 - （２）レジストを塗布すべき基板と同一平面形状を有し
、該基板の厚さと同じ深さの基板装着用凹部を上面に設
けてなる回転台と、この回転台の前記装着用凹部に装着
された基板の主面上にレジストを滴下塗布する滴下塗布
装置とからなることを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20386184A JPS6181625A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | レジスト塗布方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20386184A JPS6181625A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | レジスト塗布方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6181625A true JPS6181625A (ja) | 1986-04-25 |
Family
ID=16480910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20386184A Pending JPS6181625A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | レジスト塗布方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6181625A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5066616A (en) * | 1989-06-14 | 1991-11-19 | Hewlett-Packard Company | Method for improving photoresist on wafers by applying fluid layer of liquid solvent |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP20386184A patent/JPS6181625A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5066616A (en) * | 1989-06-14 | 1991-11-19 | Hewlett-Packard Company | Method for improving photoresist on wafers by applying fluid layer of liquid solvent |
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