JPH04142548A - 高分子フィルム基板の位置合わせ装置 - Google Patents
高分子フィルム基板の位置合わせ装置Info
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- JPH04142548A JPH04142548A JP2265963A JP26596390A JPH04142548A JP H04142548 A JPH04142548 A JP H04142548A JP 2265963 A JP2265963 A JP 2265963A JP 26596390 A JP26596390 A JP 26596390A JP H04142548 A JPH04142548 A JP H04142548A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高分子フィルムを真空吸着して固定する高分
子フィルム基板の位置合わせ装置に関する。
子フィルム基板の位置合わせ装置に関する。
従来の技術
従来、フォトレジストをスピナー又はロールコータ等を
用いて高分子フィルム基板上に塗布し、この高分子フィ
ルム基板を位置合わせ装置（アライナ−）の基台上に真
空吸着させ、その高分子フィルム基板と露光マスクとの
位置合わせを行った状態で高分子フィルム基板上に電極
のパターンニングを行う高分子フィルム基板の位置合わ
せ装置としては、種々のものが発案されている。
用いて高分子フィルム基板上に塗布し、この高分子フィ
ルム基板を位置合わせ装置（アライナ−）の基台上に真
空吸着させ、その高分子フィルム基板と露光マスクとの
位置合わせを行った状態で高分子フィルム基板上に電極
のパターンニングを行う高分子フィルム基板の位置合わ
せ装置としては、種々のものが発案されている。
その第一の従来例として、第４図（ａ）に示すようなも
のがある。これは、アライナ−１の基台２上の有効パタ
ーンニング領域ａの外部の外周縁にバキュームライン３
（真空吸着口）と呼ばれる凹部を形成し、そのバキュー
ムライン３を有するアライナ−１上に高分子フィルム基
板４を真空吸着して位置合わせを行うものである。
のがある。これは、アライナ−１の基台２上の有効パタ
ーンニング領域ａの外部の外周縁にバキュームライン３
（真空吸着口）と呼ばれる凹部を形成し、そのバキュー
ムライン３を有するアライナ−１上に高分子フィルム基
板４を真空吸着して位置合わせを行うものである。
その第二の従来例として、第５図（ａ）に示すようなも
のがある。これは、直径０． １−０． ３ｍｍの円形
の貫通孔５が５〜１０ｍｍ毎にマトリクス状に形成され
た基台２を用いて、高分子フィルム基板４を真空吸着し
て位置合わせを行うものである。
のがある。これは、直径０． １−０． ３ｍｍの円形
の貫通孔５が５〜１０ｍｍ毎にマトリクス状に形成され
た基台２を用いて、高分子フィルム基板４を真空吸着し
て位置合わせを行うものである。
発明が解決しようとする課題
第一の従来例のように、バキュームライン３の形成され
た基台２を有するアライナ−１の場合、第４図（ｂ）に
示すように、実際にパターンニングを行う高分子フィル
ム基板４と基台２とが完全に密着しているわけではなく
、両者が部分的に接触している状態を保って固定されて
いるため、接触部と非接触部とが混在し、電極パターン
形成の際にニュートンリングが発生することが観測され
ている。このため、理想的にはフラットであるべき高分
子フィルム基板４の表面が凹凸となってしまい、微細パ
ターンを形成する際に大きな寸法誤差或いはパターン不
良を起こす原因となっていた。
た基台２を有するアライナ−１の場合、第４図（ｂ）に
示すように、実際にパターンニングを行う高分子フィル
ム基板４と基台２とが完全に密着しているわけではなく
、両者が部分的に接触している状態を保って固定されて
いるため、接触部と非接触部とが混在し、電極パターン
形成の際にニュートンリングが発生することが観測され
ている。このため、理想的にはフラットであるべき高分
子フィルム基板４の表面が凹凸となってしまい、微細パ
ターンを形成する際に大きな寸法誤差或いはパターン不
良を起こす原因となっていた。
第二の従来例のように、基台２の全面に多数の貫通孔５
を有するアライナ−１の場合、第５図（ｂ）に示すよう
に、円形の貫通孔５とその近傍部分とでは、高分子フィ
ルム基板４は吸着力の差により変形を生じ、凹凸のある
状態で真空吸着される。
を有するアライナ−１の場合、第５図（ｂ）に示すよう
に、円形の貫通孔５とその近傍部分とでは、高分子フィ
ルム基板４は吸着力の差により変形を生じ、凹凸のある
状態で真空吸着される。
この場合、通常のストライプ状の電極パターンの加工寸
法は、幅３００ＡＬｍ、隣接する電極パターンとのギャ
ップ間隔は３０μｍであり、直径０．１の円形な貫通孔
５により生じる基板表面の凹凸は、その形成される電極
パターンの精度に重大な影響を与える。また、真空吸着
力の増減は、それら円形の貫通孔５の単位面積当りの個
数の増減により制御されるが、そのような大きな径をも
つ高分子フィルム基板４を用いることによって、アライ
ナ−１の基台２の加工及び目づまり除去のためのクリー
ニングも大変難しい作業となる。
法は、幅３００ＡＬｍ、隣接する電極パターンとのギャ
ップ間隔は３０μｍであり、直径０．１の円形な貫通孔
５により生じる基板表面の凹凸は、その形成される電極
パターンの精度に重大な影響を与える。また、真空吸着
力の増減は、それら円形の貫通孔５の単位面積当りの個
数の増減により制御されるが、そのような大きな径をも
つ高分子フィルム基板４を用いることによって、アライ
ナ−１の基台２の加工及び目づまり除去のためのクリー
ニングも大変難しい作業となる。
課題を解決するための手段
そこで、このような問題点を解決するために、本発明で
は、高分子フィルム基板を位置合わせ装置のバキューム
ラインの形成されている基台上に真空吸着法により吸着
させ、その吸着された状態の高分子フィルム基板上にフ
ォトリソグラフィー法により電極のパターンニングを行
うために前記高分子フィルム基板と露光マスクとの位置
合わせを行う高分子フィルム基板の位置合わせ装置にお
いて、前記バキュームラインの形成された前記基台上に
全面に渡り多数の微細な貫通孔を有する多孔質吸着板を
配設し、この多孔質吸着板を介して前記高分子フィルム
基板を前記基台上に固定するようにした。
は、高分子フィルム基板を位置合わせ装置のバキューム
ラインの形成されている基台上に真空吸着法により吸着
させ、その吸着された状態の高分子フィルム基板上にフ
ォトリソグラフィー法により電極のパターンニングを行
うために前記高分子フィルム基板と露光マスクとの位置
合わせを行う高分子フィルム基板の位置合わせ装置にお
いて、前記バキュームラインの形成された前記基台上に
全面に渡り多数の微細な貫通孔を有する多孔質吸着板を
配設し、この多孔質吸着板を介して前記高分子フィルム
基板を前記基台上に固定するようにした。
また、多孔質吸着板は、直径約０．５〜１０μｍの貫通
孔を有するようにした。
孔を有するようにした。
作用
多数の微細な貫通孔を有する多孔質吸着板を用いたこと
により、従来のように基台と高分子フィルム基板との間
の吸着面に凹凸による部分的な非接触面が発生するよう
なことがなくなり、高分子フィルム基板を変形（そり、
たわみ等）なく強い吸着力で固着することができるため
、電極部の高精度なパターンニングを行うことができる
。
により、従来のように基台と高分子フィルム基板との間
の吸着面に凹凸による部分的な非接触面が発生するよう
なことがなくなり、高分子フィルム基板を変形（そり、
たわみ等）なく強い吸着力で固着することができるため
、電極部の高精度なパターンニングを行うことができる
。
また、多孔質吸着板の貫通孔を直径約０．５〜１０μｍ
に設定したことにより、従来に比べ基台の加工及び目づ
まり除去のためのクリーニングが容易となる。
に設定したことにより、従来に比べ基台の加工及び目づ
まり除去のためのクリーニングが容易となる。
実施例
本発明の第一の実施例を第１図及び第２図に基づいて説
明する。位置合わせ装置６ （アライナ−）の基台７の
上部にはバキュームライン８が形成されている。この基
台７としては、例えば、５ＵＳ３０４の表面を研磨した
ものを用いる。また、前記バキュームライン８の設けら
れた基台７上には、多孔質吸着板としての多孔質焼結セ
ラミックス板９が配置されている。この多孔質焼結セラ
ミックス板９には、直径０．５〜１０ＡＬｍの微細な貫
通孔９ａが２０〜５０個／ ｍ ｍ ”程度その全面に
渡って形成されており、その板の厚さは約３ｍｍとなっ
ている。
明する。位置合わせ装置６ （アライナ−）の基台７の
上部にはバキュームライン８が形成されている。この基
台７としては、例えば、５ＵＳ３０４の表面を研磨した
ものを用いる。また、前記バキュームライン８の設けら
れた基台７上には、多孔質吸着板としての多孔質焼結セ
ラミックス板９が配置されている。この多孔質焼結セラ
ミックス板９には、直径０．５〜１０ＡＬｍの微細な貫
通孔９ａが２０〜５０個／ ｍ ｍ ”程度その全面に
渡って形成されており、その板の厚さは約３ｍｍとなっ
ている。
また、前記多孔質焼結セラミックス板９の上面には、電
極パターンの形成される高分子フィルム基板１０が配設
されている。この高分子フィルム基板１０としては、こ
こでは、−軸延伸ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート
）で、その厚さ１００μｍのものを用いる。この高分子
フィルム基板ＩＯの表面には、Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉ ｎｄｉ
ｕｍ−Ｔｉｎ−○ｘｉｄｅ）からなる厚さ１０００〜２
０００人の透明な導電膜が形成されている。なお、前記
多孔質焼結セラミックス板９は、前記高分子フィルム基
板１０の外周寸法より各辺を２ｍｍずつ短縮したサイズ
のものを用い、これにより外縁部からのリークを防止し
ている。
極パターンの形成される高分子フィルム基板１０が配設
されている。この高分子フィルム基板１０としては、こ
こでは、−軸延伸ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート
）で、その厚さ１００μｍのものを用いる。この高分子
フィルム基板ＩＯの表面には、Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉ ｎｄｉ
ｕｍ−Ｔｉｎ−○ｘｉｄｅ）からなる厚さ１０００〜２
０００人の透明な導電膜が形成されている。なお、前記
多孔質焼結セラミックス板９は、前記高分子フィルム基
板１０の外周寸法より各辺を２ｍｍずつ短縮したサイズ
のものを用い、これにより外縁部からのリークを防止し
ている。
さらに、前記基台７の下面側には排気口１１が形成され
ている。この排気口１１には、ベローズバルブ１２を介
して油回転真空ポンプ１３が接続されている。
ている。この排気口１１には、ベローズバルブ１２を介
して油回転真空ポンプ１３が接続されている。
このような構成において、まず、高分子フィルム基板１
０上にスピンコード法によりフォトレジストを厚さ１．
２〜１．５μｍ程度に塗布し、１００’ Ｃ，４５ｍ１
ｎのプリベイダを施す。そして、このようなフォトレジ
ストの形成された高分子フィルム基板１０を基台７に置
かれた多孔質焼結セラミックス板９上に配置する。この
状態で油回転真空ポンプ１３を駆動させることにより基
台７のバキュームライン８中の空気は排気され、これに
より高分子フィルム基板１０は多孔質焼結セラミックス
板９の面上に真空吸着されることになる。
０上にスピンコード法によりフォトレジストを厚さ１．
２〜１．５μｍ程度に塗布し、１００’ Ｃ，４５ｍ１
ｎのプリベイダを施す。そして、このようなフォトレジ
ストの形成された高分子フィルム基板１０を基台７に置
かれた多孔質焼結セラミックス板９上に配置する。この
状態で油回転真空ポンプ１３を駆動させることにより基
台７のバキュームライン８中の空気は排気され、これに
より高分子フィルム基板１０は多孔質焼結セラミックス
板９の面上に真空吸着されることになる。
この時、多孔質焼結セラミックス板９には、多数の微細
な貫通孔９ａが設けられているため吸着部分の大幅な拡
大を図ること７Ｊ’でき、これにより従来のように多孔
質焼結セラミックス板９と高分子フィルム基板１０との
接触面に凹凸に起因する非接触部が発生する（第４図（
ｂ）や第５図（ｂ））ようなことがなくなる。従って、
この状態で図示しない露光マスクとの位置合わせを行う
ことにより、高分子フィルム基板１０上に電極パターン
を高精度に配線することが可能となる。このようにして
高分子フィルム基板１０に電極パターンを形成すること
により、例えば、液晶表示素子用のコモン基板やセグメ
ント基板を精度良く作製することができることになる。
な貫通孔９ａが設けられているため吸着部分の大幅な拡
大を図ること７Ｊ’でき、これにより従来のように多孔
質焼結セラミックス板９と高分子フィルム基板１０との
接触面に凹凸に起因する非接触部が発生する（第４図（
ｂ）や第５図（ｂ））ようなことがなくなる。従って、
この状態で図示しない露光マスクとの位置合わせを行う
ことにより、高分子フィルム基板１０上に電極パターン
を高精度に配線することが可能となる。このようにして
高分子フィルム基板１０に電極パターンを形成すること
により、例えば、液晶表示素子用のコモン基板やセグメ
ント基板を精度良く作製することができることになる。
次に、本発明の第二の実施例を第３図に基づいて説明す
る。ここでは、多孔質吸着板として、前述した多孔質セ
ラミックス板９の代わりにステンレスメツシュ１４を用
いたものである。この場合、ステンレスメツシュ１４は
、スクリーン印刷等に利用されるスクリーンマスク用メ
ツシュを用いる。
る。ここでは、多孔質吸着板として、前述した多孔質セ
ラミックス板９の代わりにステンレスメツシュ１４を用
いたものである。この場合、ステンレスメツシュ１４は
、スクリーン印刷等に利用されるスクリーンマスク用メ
ツシュを用いる。
また、このステンレスメツシュ１４は、スクリーン印刷
板のように不必要部分にはコーティングが施されており
、真空吸着にかかわらない構造となっている。
板のように不必要部分にはコーティングが施されており
、真空吸着にかかわらない構造となっている。
このような構造のステンレスメツシュ１４は、支持枠１
５間で一定の張力をもってスクリーンテンショナー１６
により固定されており、その支持枠１５は基台７上に設
けられたＯリング１７と接した形で設置されている。
５間で一定の張力をもってスクリーンテンショナー１６
により固定されており、その支持枠１５は基台７上に設
けられたＯリング１７と接した形で設置されている。
このような構成において、今、ステンレスメツシュ１４
として、スクリーンマスク用メツシュの１６５番及び４
００番の２種類を用いて、高分子フィルム基板】４を真
空吸着させて電極パターンを形成する実験を行った。ま
ず、１６５番程度のメツシュでは、微細加工時に、スト
ライプ状の電極パターンのエツジに、そのステンレスメ
ツシュ１４と高分子フィルム基板１０との接触、非接触
の凹凸に起因すると居われる非直線パターンが現われる
が、４００番程度のステンレスメツシュ１４ではそのよ
うな接触面での凹凸に起因する非直線パターンは現われ
ず、特に問題なく実用化に適している。
として、スクリーンマスク用メツシュの１６５番及び４
００番の２種類を用いて、高分子フィルム基板】４を真
空吸着させて電極パターンを形成する実験を行った。ま
ず、１６５番程度のメツシュでは、微細加工時に、スト
ライプ状の電極パターンのエツジに、そのステンレスメ
ツシュ１４と高分子フィルム基板１０との接触、非接触
の凹凸に起因すると居われる非直線パターンが現われる
が、４００番程度のステンレスメツシュ１４ではそのよ
うな接触面での凹凸に起因する非直線パターンは現われ
ず、特に問題なく実用化に適している。
従って、本実施例の場合にも、用途の適切なステンレス
メツシュ１４を用い、露光マスクとの位置合わせを行う
ことにより、高分子フィルム基板１０上に電極パターン
を高精度に配線することが可能となる。
メツシュ１４を用い、露光マスクとの位置合わせを行う
ことにより、高分子フィルム基板１０上に電極パターン
を高精度に配線することが可能となる。
発明の効果
本発明では、高分子フィルム基板を位置合わせ装置のバ
キュームラインの形成されている基台上に真空吸着法に
より吸着させ、その吸着された状態の高分子フィルム基
板上にフォトリソグラフィー法により電極のパターンニ
ングを行うためにその高分子フィルム基板と露光マスク
との位置合わせを行う高分子フィルム基板の位置合わせ
装置において、前記バキュームラインの形成された前記
基台上に全面に渡り多数の微細な貫通孔を有する多孔質
吸着板を配設し、この多孔質吸着板を介して前記高分子
フィルム基板を萌記基台上に固定するようにしたので、
従来のように基台と高分子フィルム基板との間の吸着面
に凹凸による部分的な非接触面が発生するようなことが
なくなり、高分子フィルム基板を変形（そり、たわみ等
）なく強い吸着力で固着することができるため、電極部
の高精度なパターンニングを行うことができるものであ
る。
キュームラインの形成されている基台上に真空吸着法に
より吸着させ、その吸着された状態の高分子フィルム基
板上にフォトリソグラフィー法により電極のパターンニ
ングを行うためにその高分子フィルム基板と露光マスク
との位置合わせを行う高分子フィルム基板の位置合わせ
装置において、前記バキュームラインの形成された前記
基台上に全面に渡り多数の微細な貫通孔を有する多孔質
吸着板を配設し、この多孔質吸着板を介して前記高分子
フィルム基板を萌記基台上に固定するようにしたので、
従来のように基台と高分子フィルム基板との間の吸着面
に凹凸による部分的な非接触面が発生するようなことが
なくなり、高分子フィルム基板を変形（そり、たわみ等
）なく強い吸着力で固着することができるため、電極部
の高精度なパターンニングを行うことができるものであ
る。
また、多孔質吸着板は直径的０．５〜１０μｍの貫通孔
を有するようにしたので、従来に比べ基台の加工及び目
づまり除去のためのクリーニングが容易となるものであ
る。
を有するようにしたので、従来に比べ基台の加工及び目
づまり除去のためのクリーニングが容易となるものであ
る。
第１図は本発明の第一の実施例を示す側面図、第２図は
その排気系を含めて示す平面図、第３図は本発明の第二
の実施例を示す側面図、第４図は第一の従来例を示す構
成図、第５図は第二の従来例を示す構成図である。 ７・・・基台、８・・・バキュームライン、９・・・多
孔質吸着板、９ａ・・・貫通孔、１０・・・高分子フィ
ルム、１４・・・多孔質吸着板 出 願 人 株式会社 リ コ 」 図 図 図
その排気系を含めて示す平面図、第３図は本発明の第二
の実施例を示す側面図、第４図は第一の従来例を示す構
成図、第５図は第二の従来例を示す構成図である。 ７・・・基台、８・・・バキュームライン、９・・・多
孔質吸着板、９ａ・・・貫通孔、１０・・・高分子フィ
ルム、１４・・・多孔質吸着板 出 願 人 株式会社 リ コ 」 図 図 図
Claims (1)
- １、高分子フィルム基板を位置合わせ装置のバキューム
ラインの形成されている基台上に真空吸着法により吸着
させ、その吸着された状態の高分子フィルム基板上にフ
ォトリソグラフィー法により電極のパターンニングを行
うために前記高分子フィルム基板と露光マスクとの位置
合わせを行う高分子フィルム基板の位置合わせ装置にお
いて、前記バキュームラインの形成された前記基台上に
全面に渡り多数の微細な貫通孔を有する多孔質吸着板を
配設し、この多孔質吸着板を介して前記高分子フィルム
基板を前記基台上に固定するようにしたことを特徴とす
る高分子フィルム基板の位置合わせ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2265963A JPH04142548A (ja) | 1990-10-03 | 1990-10-03 | 高分子フィルム基板の位置合わせ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2265963A JPH04142548A (ja) | 1990-10-03 | 1990-10-03 | 高分子フィルム基板の位置合わせ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04142548A true JPH04142548A (ja) | 1992-05-15 |
Family
ID=17424487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2265963A Pending JPH04142548A (ja) | 1990-10-03 | 1990-10-03 | 高分子フィルム基板の位置合わせ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04142548A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028170A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Taiheiyo Cement Corp | 真空吸着装置及びその製造方法 |
| JP2012076204A (ja) * | 2010-10-05 | 2012-04-19 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 吸着テーブル |
-
1990
- 1990-10-03 JP JP2265963A patent/JPH04142548A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028170A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Taiheiyo Cement Corp | 真空吸着装置及びその製造方法 |
| JP2012076204A (ja) * | 2010-10-05 | 2012-04-19 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 吸着テーブル |
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