CN108287383A - 一种金属线栅偏振片、其制作方法、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种金属线栅偏振片、其制作方法、显示面板及显示装置，依次通过光刻工艺与纳米压印工艺对二氧化硅膜层进行构图，使二氧化硅膜层形成纳米线栅结构，再通过形成纳米线栅结构的二氧化硅膜层作为掩模板，对金属层进行构图，使金属层形成纳米线栅结构。或依次通过光刻工艺和纳米压印工艺直接对金属层进行构图，使金属层形成纳米线栅结构。由于光刻工艺通过采用精密的定位控制技术和自动对准技术进行曝光，以实现大面积图像传递，且在光刻过程中不存在采用辊轮进行滚动加压的过程，因此可以使获得的图形不产生形变，以使保留区的尺寸与显示面板的面板区的尺寸对应，使采用上述方法制作的金属线栅偏振片与显示面板的对位精准度提高。
Description
技术领域
本发明涉及偏振片技术领域，特别涉及一种金属线栅偏振片、其制作方法、显示面板及显示装置。
背景技术
一般液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)包括主要由阵列基板与彩膜基板构成的液晶显示面板，以及为液晶显示面板提供背光的背光源等部件。并且，一般液晶显示面板还设置有可以将入射光变成线性偏振光的金属线栅偏振片。为了保证显示效果，金属线栅偏振片的尺寸需要与液晶显示面板的面板区的尺寸一一对应设置。
现有技术中，制作金属线栅偏振片的方法为：在衬底基板母板上形成一层金属层，并采用纳米压印工艺对金属层进行构图，以得到具有纳米线栅结构的多个金属线栅偏振片区域，最后将这些金属线栅偏振片区域进行切割以形成独立的金属线栅偏振片。其中，一般采用纳米压印工艺对金属层进行构图，具体为：在金属层上形成压印胶膜层，采用纳米压印软模版对压印胶膜层进行压印，并采用辊轮对纳米压印软模版滚动加压，以使压印胶膜层可以压印上图案；刻蚀压印胶膜层与金属层，以使金属层形成多个金属线栅偏振片区域。然而，由于纳米压印软模版较软，在采用辊轮对其滚动加压时，会造成纳米压印软模版产生形变，从而导致压印到压印胶膜层上的图案也会产生形变，进而导致金属线栅偏振片区域的尺寸也会发生形变。因此在将得到的金属线栅偏振片应用于液晶显示面板中时，会存在金属线栅偏振片与液晶显示面板的面板区对位精准度降低的问题。
发明内容
本发明提供了一种金属线栅偏振片、其制作方法、显示面板及显示装置，用于解决采用现有制作方法制作的金属线栅偏振片与液晶显示面板对位精度降低的问题。
因此，本发明实施例提供了一种金属线栅偏振片的制作方法，包括：
在衬底基板母板的一侧依次形成金属层以及覆盖所述金属层的二氧化硅膜层；
采用光刻工艺对所述二氧化硅膜层进行构图，形成具有保留区与非保留区的二氧化硅膜层的图形；其中，所述保留区对应显示面板的面板区，所述非保留区用于暴露所述金属层；
采用纳米压印工艺对所述保留区中的二氧化硅膜层进行构图，使所述保留区中的二氧化硅膜层形成纳米线栅结构；其中，所述纳米线栅结构的间隙用于暴露所述金属层；
采用刻蚀工艺对与所述非保留区和所述纳米线栅结构的间隙对应区域的金属层进行刻蚀，使与所述保留区对应区域的金属层形成纳米线栅结构。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，采用光刻工艺对所述二氧化硅膜层进行构图，具体包括：
在形成有所述金属层和二氧化硅膜层的衬底基板母板上形成第一光刻胶膜层；
对所述第一光刻胶膜层曝光、显影后，形成与所述保留区对应区域的第一光刻胶膜层的图形，暴露出所述非保留区中的二氧化硅膜层；
采用刻蚀工艺，仅去除所述非保留区中的二氧化硅膜层；
剥离与所述保留区对应区域的第一光刻胶膜层。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，采用纳米压印工艺对所述保留区中的二氧化硅膜层进行构图，具体包括：
在形成有所述保留区中的二氧化硅膜层的衬底基板母板上形成第一压印胶膜层；
采用纳米压印软模版对所述第一压印胶膜层进行压印并进行紫外光照射，使所述第一压印胶膜层形成多个凹陷；其中，所述凹陷至少形成于与所述保留区对应区域中，且所述保留区对应区域中的凹陷对应所述纳米线栅结构的间隙；
采用刻蚀工艺，去除与所述凹陷对应区域的第一压印胶膜层与二氧化硅膜层，使所述保留区中的二氧化硅膜层形成纳米线栅结构；
去除所有第一压印胶膜层。
相应地，本发明实施例还提供了一种采用本发明实施例提供的上述制作方法制作的金属线栅偏振片，包括：衬底基板母板以及依次设置于所述衬底基板母板的保留区中的金属层与二氧化硅膜层；其中，所述金属层具有纳米线栅结构；
所述金属层在所述衬底基板母板的正投影与所述二氧化硅膜层在所述衬底基板母板的正投影重叠。
本发明实施例提供的金属线栅偏振片、其制作方法，首先通过采用光刻工艺对二氧化硅膜层进行构图以使二氧化硅膜层形成具有保留区与非保留区的图形；其中，保留区对应显示面板的面板区，非保留区用于暴露金属层。由于光刻工艺可以通过采用精密的定位控制技术和自动对准技术进行曝光，以实现大面积图像传递，并且在光刻过程中一般不存在采用辊轮进行滚动加压的过程，因此可以使获得的图形不产生形变，从而可以使保留区的尺寸与显示面板的面板区的尺寸对应。其次采用纳米压印工艺对保留区中的二氧化硅膜层进行构图，使保留区中的二氧化硅膜层形成纳米线栅结构。然后采用刻蚀工艺对与非保留区和纳米线栅结构的间隙对应区域的金属层进行刻蚀，使与保留区对应区域中的金属层形成纳米线栅结构。这样通过多次构图工艺分别对金属层进行构图以使金属层形成具有保留区中的纳米线栅结构，在将采用上述方法制作的金属线栅偏振片应用于显示面板中时，可以提高金属线栅偏振片与显示面板的对位精准度。并且，由于金属线栅表面覆盖了二氧化硅膜层，使得金属线栅偏振片在使用过程不易产生锈蚀，延长了金属线栅偏振片的使用寿命。
相应地，本发明实施例还提供了一种金属线栅偏振片的制作方法，包括：
在衬底基板母板的一侧形成金属层；
采用光刻工艺对所述金属层进行构图，形成具有保留区与非保留区的金属层的图形；其中，所述保留区对应显示面板的面板区，所述非保留区用于暴露所述衬底基板母板；
采用纳米压印工艺对所述保留区中的金属层进行构图，使所述保留区的金属层形成纳米线栅结构。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，采用光刻工艺对所述金属层进行构图，具体包括：
在形成有所述金属层的衬底基板母板上形成第二光刻胶膜层；
对所述第二光刻胶膜层曝光、显影后，形成与所述保留区对应区域的第二光刻胶膜层的图形，暴露出所述非保留区中的金属层；
采用刻蚀工艺，仅去除所述非保留区中的金属层；
剥离与所述保留区对应区域的第二光刻胶膜层。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，采用纳米压印工艺对所述保留区中的金属层进行构图，具体包括：
在形成有所述保留区中的金属层的衬底基板母板上形成第二压印胶膜层；
采用纳米压印软模版对所述第二压印胶膜层进行压印并进行紫外光照射，使所述第二压印胶膜层形成多个凹陷；其中，所述凹陷至少形成于与所述保留区对应区域中，且所述保留区对应区域中的凹陷对应所述纳米线栅结构的间隙；
采用刻蚀工艺，去除与所述凹陷对应区域的第二压印胶膜层与金属层，使所述保留区中的金属层形成纳米线栅结构；
去除所有第二压印胶膜层。
相应地，本发明实施例还提供了一种采用本发明实施例提供的上述制作方法制作的金属线栅偏振片，包括：衬底基板母板以及设置于所述衬底基板母板的保留区中的金属层；其中，所述金属层具有纳米线栅结构。
本发明实施例提供的金属线栅偏振片、其制作方法，首先通过采用光刻工艺对金属层进行构图以使金属层形成具有保留区与非保留区的图形；其中，保留区对应显示面板的面板区，非保留区用于暴露衬底基板母板。由于光刻工艺可以通过采用精密的定位控制技术和自动对准技术进行曝光，以实现大面积图像传递，并且在光刻过程中一般不存在采用辊轮进行滚动加压的过程，因此可以使获得的图形不产生形变，从而可以使保留区的尺寸与显示面板的面板区的尺寸对应。然后采用纳米压印工艺对保留区中的金属层进行构图，使保留区中的金属层形成纳米线栅结构。这样通过两次构图工艺分别对金属层进行构图以使金属层形成具有保留区中的纳米线栅结构，在将采用上述方法制作的金属线栅偏振片应用于显示面板中时，可以提高金属线栅偏振片与显示面板的对位精准度。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的上述金属线栅偏振片。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板。
本发明实施例提供的显示面板与显示装置，包括采用本发明实施例提供的制作方法制作的金属线栅偏振片，由于金属线栅偏振片与显示面板对位精准度提高，从而可以改善显示效果。
附图说明
图1为本发明提供的金属线栅偏振片的制作方法的流程图之一；
图2a至图2i分别为本发明实施例一执行各步骤后的剖面结构示意图；
图3为本发明提供的金属线栅偏振片的制作方法的流程图之二；
图4a至图4j分别为本发明实施例二执行各步骤后的剖面结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的金属线栅偏振片及其制作方法、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。应当理解，下面所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
附图中各层薄膜厚度和形状不反映金属线栅偏振片的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
目前，纳米压印工艺(Nano-imprint Lithography，NIL)已经广泛应用于半导体制造、微机电系统(Microelectromechanical Systems，MEMS)、生物芯片、生物医学等领域。一般，纳米压印工艺是通过纳米压印软模版，将图形转移到相应的印胶膜层上，并通过辊轮加压或辐照等方法使其结构硬化从而保留下转移的图形，通过该技术可以获得尺寸小于10nm的结构单元。随着纳米压印工艺的发展，人们开始制备由纳米线栅结构形成的偏振片来取代传统的偏振片，以达到对可见光波长范围的光的偏振作用。所谓纳米线栅结构是指光栅周期远小于入射光波长的光栅，纳米线栅结构对于横向磁场(Transverse Magnetic，TM)和横向电场(Transverse Electric，TE)态光场具有很高的消光比，能够显著地透过垂直于金属线延伸方向的TM光而反射平行于金属线延伸方向的TE光，使得其可以作为高透过率的偏振片使用。
虽然采用纳米压印工艺可以得到精细的纳米线栅结构，但是由于纳米压印工艺中采用的纳米压印软模版较软，在采用辊轮对其加压时，会造成纳米压印软模版产生形变，从而导致压印到压印胶膜层上的图案也会产生形变。因此在将得到的金属线栅偏振片应用于显示面板中时，会存在金属线栅偏振片与显示面板对位精准度降低的问题。
由于光刻工艺是一种精密的微细加工技术。尤其是针对获得面积较大的结构单元，通过采用精密的定位控制技术和自动对准技术进行曝光，以组合方式实现大面积图像传递，从而可以满足实际要求。具体地，光刻工艺可以包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。
基于此，本发明实施例提供了一种金属线栅偏振片的制作方法，如图1所示，可以包括如下步骤：
S101、在衬底基板母板的一侧形成金属层；
S102、采用光刻工艺对金属层进行构图，形成具有保留区与非保留区的金属层的图形；其中，保留区对应显示面板的面板区，非保留区用于暴露所衬底基板母板；
S103、采用纳米压印工艺对保留区中的金属层进行构图，使保留区的金属层形成纳米线栅结构。
本发明实施例提供的金属线栅偏振片的制作方法，首先通过采用光刻工艺对金属层进行构图以使金属层形成具有保留区与非保留区的图形；其中，保留区对应显示面板的面板区，非保留区用于暴露衬底基板母板。由于光刻工艺可以通过采用精密的定位控制技术和自动对准技术进行曝光，以实现大面积图像传递，并且在光刻过程中一般不存在采用辊轮进行滚动加压的过程，因此可以使获得的图形不产生形变，从而可以使保留区的尺寸与显示面板的面板区的尺寸对应。然后采用纳米压印工艺对保留区中的金属层进行构图，使保留区中的金属层形成纳米线栅结构。这样通过两次构图工艺分别对金属层进行构图以使金属层形成具有保留区中的纳米线栅结构，在将采用上述方法制作而成的金属线栅偏振片应用于显示面板中时，可以提高金属线栅偏振片与显示面板的对位精准度。
具体地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，采用光刻工艺对金属层进行构图，具体可以包括：
在形成有金属层的衬底基板母板上形成第二光刻胶膜层；
对第二光刻胶膜层曝光、显影后，形成与所述保留区对应区域的第二光刻胶膜层的图形，暴露出非保留区中的金属层；
采用刻蚀工艺，仅去除非保留区中的金属层；
剥离与保留区对应区域的第二光刻胶膜层。
具体地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，采用纳米压印工艺对保留区中的金属层进行构图，具体可以包括：
在形成有保留区中的金属层的衬底基板母板上形成第二压印胶膜层：
采用纳米压印软模版对第二压印胶膜层进行压印并进行紫外光照射，使第二压印胶膜层形成多个凹陷；其中，该凹陷至少形成于与保留区对应区域中，且保留区对应区域中的凹陷对应纳米线栅结构的间隙；
采用刻蚀工艺，去除与该凹陷对应区域的第二压印胶膜层与金属层，使保留区中的金属层形成纳米线栅结构；
去除所有第二压印胶膜层。
具体地，在具体实施时，在本发明实施例提供的制作方法中，金属层的材料可以为铝、铜、银、金中之一或组合。当然，在实际应用中，上述金属层的材料可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
一般刻蚀工艺可以包括湿法刻蚀和干法刻蚀，其中，湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，其适应性强，应用广泛。由于湿法刻蚀具有各向同性，所以在对金属层刻蚀时，上层光刻胶的图案与下层金属层上被刻蚀出的图案会存在一定的偏差，可能导致无法高质量地完成图形转移和复制的工作。干法刻蚀一般是采用等离子体进行薄膜刻蚀的技术，其可以实现高的深宽比，其中深宽比是指孔的深度与直径的比值。本发明实施例提供的制作方法是为了形成纳米级别的图形，由于湿法刻蚀偏差较大，因此在具体实施时，在本发明实施例提供的制作方法中，刻蚀工艺可以为干法刻蚀。在实际应用中，干法刻蚀可以与现有技术中的工艺相同，在此不做赘述。
下面采用铝作为金属层材料并结合具体工艺示意图，对本发明提供的制作方法进行说明，但不限制本发明。
实施例一、
金属线栅偏振片的制作过程，具体可以包括以下步骤：
(1)在衬底基板母板100上形成铝膜层110；如图2a所示。
具体地，可以采用涂覆、沉积、打印、喷墨等用于成膜的工艺在衬底基板母板100上形成铝膜层110。其中，形成的铝膜层210的厚度可以为100～250nm。
(2)在形成有铝膜层110的衬底基板母板100上形成覆盖铝膜层110的第二光刻胶膜层120；如图2b所示。
具体地，可以采用涂覆工艺在衬底基板母板100上形成第二光刻胶膜层120。
(3)对第二光刻胶膜层120进行曝光、显影后，形成具有保留区B1与非保留区B2的第二光刻胶膜层120的图形。其中，保留区B1对应显示面板的面板区，非保留区B2用于暴露铝膜层110；如图2c所示。
具体地，在对第二光刻胶膜层120进行曝光、显影后，还可以对其进行后烘坚膜处理，以使第二光刻胶膜层120附着力增强。
(4)采用干法刻蚀工艺对铝膜层110进行刻蚀，去除非保留区B2中的铝膜层110，保留保留区B1中的铝膜层110；如图2d所示。
(5)剥离与保留区B1对应区域的第二光刻胶膜层；如图2e所示。
(6)在形成有保留区B1中的铝膜层110的衬底基板母板100上形成第二压印胶膜层130；如图2f所示。
具体地，可以采用涂覆工艺在衬底基板母板100上形成第二压印胶膜层130。
(7)利用纳米压印软模版对第二压印胶膜层130进行压印并进行紫外光照射，使第二压印胶膜层130形成多个凹陷131；如图2g所示。
(8)采用干法刻蚀工艺对与凹陷对应区域中的第二压印胶膜层130与铝膜层110进行刻蚀，去除与所述凹陷对应区域的第二压印胶膜层130与铝膜层110，使保留区B1中的铝膜层110形成纳米线栅结构；如图2h所示。
具体地，在干法刻蚀工艺过程中，在去除与所述凹陷对应区域的第二压印胶膜层130与铝膜层110时，还可以去除与非保留区对应区域的第二压印胶膜层。
(9)去除所有第二压印胶膜层；如图2i所示。
在实际应用中，衬底基板母板上会形成多个保留区，在步骤(9)之后还可以包括：通过切割工艺将衬底基板母板进行切割，使衬底基板母板与保留区对应的区域形成一个金属线栅偏振片。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种采用上述制作方法制作的金属线栅偏振片，如图2i所示，包括：衬底基板母板100以及设置于衬底基板母板100的保留区B1中的金属层(图2i是以铝膜层110为例)；其中，金属层具有纳米线栅结构。
本发明实施例提供的采用上述制作方法制作而成的金属线栅偏振片，通过先采用光刻工艺对金属层进行构图，再在采用纳米压印工艺对金属层进行纳米压印，以使保留区中的金属层形成纳米线栅结构。从而将制作而成的金属线栅偏振片应用于显示面板中时，可以提高金属线栅偏振片与显示面板的对位精准度。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种金属线栅偏振片的制作方法，如图3所示，可以包括如下步骤：
S301、在衬底基板母板的一侧依次形成金属层以及覆盖金属层的二氧化硅膜层；
S302、采用光刻工艺对二氧化硅膜层进行构图，形成具有保留区与非保留区的二氧化硅膜层的图形；其中，保留区对应显示面板的面板区，非保留区用于暴露金属层；
S303、采用纳米压印工艺对保留区中的二氧化硅膜层进行构图，使保留区中的二氧化硅膜层形成纳米线栅结构；其中，纳米线栅结构的间隙用于暴露金属层；
S304、采用刻蚀工艺对与非保留区和纳米线栅结构的间隙对应区域的金属层进行刻蚀，使与保留区对应区域中的金属层形成纳米线栅结构。
本发明实施例提供的金属线栅偏振片的制作方法，首先通过采用光刻工艺对二氧化硅膜层进行构图以使二氧化硅膜层形成具有保留区与非保留区的图形；其中，保留区对应显示面板的面板区，非保留区用于暴露金属层。由于光刻工艺可以通过采用精密的定位控制技术和自动对准技术进行曝光，以实现大面积图像传递，并且在光刻过程中一般不存在采用辊轮进行滚动加压的过程，因此可以使获得的图形不产生形变，从而可以使保留区的尺寸与显示面板的面板区的尺寸对应。其次采用纳米压印工艺对保留区中的二氧化硅膜层进行构图，使保留区中的二氧化硅膜层形成纳米线栅结构。然后采用刻蚀工艺对与非保留区和纳米线栅结构的间隙对应区域的金属层进行刻蚀，使与保留区对应区域中的金属层形成纳米线栅结构。这样通过多次构图工艺分别对金属层进行构图以使金属层形成具有保留区中的纳米线栅结构，在将采用上述方法制作的金属线栅偏振片应用于显示面板中时，可以提高金属线栅偏振片与显示面板的对位精准度。并且，由于金属线栅表面覆盖了二氧化硅膜层，使得金属线栅偏振片在使用过程不易产生锈蚀，延长了金属线栅偏振片的使用寿命。
在具体实施时，由于金属层表面粗糙，在采用光刻工艺直接对金属层进行刻蚀时，金属层表面可能会附着光刻胶，从而导致刻蚀后的金属层边缘与衬底基板母板之间的角度与直角可能存在偏差。在实际应用中，该偏差对普通显示面板的显示效果的影响一般不大，然而在应用于对显示效果要求较高的显示面板中时，需要将上述偏差尽可能的减小。本发明实施例采用先对二氧化硅膜层进行光刻以及纳米压印工艺，使二氧化硅膜层形成纳米线栅结构。由于二氧化硅膜层表面相对光滑，可以使刻蚀后的二氧化硅膜层的边缘与衬底基板母板之间的角度基本垂直。在对金属层进行刻蚀时，使形成纳米线栅结构的二氧化硅膜层充当掩模板，以使刻蚀后的金属层的边缘与衬底基板母板之间的角度基板垂直，从而在将采用上述方法制作的金属线栅偏振片应用于显示面板中时，可以提高显示面板的显示效果。
具体地，在具体实施时，在本发明实施例提供上述制作方法中，采用光刻工艺对二氧化硅膜层进行构图，具体可以包括：
在形成有金属层和二氧化硅膜层的衬底基板母板上形成第一光刻胶膜层；
对第一光刻胶膜层曝光、显影后，形成与保留区对应区域的第一光刻胶膜层的图形，暴露出非保留区中的二氧化硅膜层；
采用刻蚀工艺对，去除非保留区中的二氧化硅膜层，保留保留区中的二氧化硅膜层；
剥离与保留区对应区域的第一光刻胶膜层。
具体地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，采用纳米压印工艺对保留区中的二氧化硅膜层进行构图，具体可以包括：
在形成有保留区中的二氧化硅膜层的衬底基板母板上形成第一压印胶膜层；
采用纳米压印软模版对第一压印胶膜层进行压印并进行紫外光照射，使第一压印胶膜层形成多个凹陷；其中，该凹陷至少形成于与保留区对应区域中，且保留区对应区域中的凹陷对应纳米线栅结构的间隙；
采用刻蚀工艺，去除与该凹陷对应区域的第一压印胶膜层与二氧化硅膜层，使保留区中的二氧化硅膜层形成纳米线栅结构；
去除所有第一压印胶膜层。
具体地，在具体实施时，在本发明实施例提供的制作方法中，金属层的材料可以为铝、铜、银、金中之一或组合。当然，在实际应用中，上述金属层的材料可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
具体地，在具体实施时，在本发明实施例提供的制作方法中，刻蚀工艺可以为干法刻蚀。在实际应用中，干法刻蚀可以与现有技术中的工艺相同，在此不做赘述。
下面采用铝作为金属层材料并结合具体工艺示意图，对本发明提供的制作方法进行说明，但不限制本发明。
实施例二、
金属线栅偏振片的制作过程，具体可以包括以下步骤：
(1)在衬底基板母板200上依次形成铝膜层210和覆盖铝膜层210的二氧化硅膜层220；如图4a所示。
具体地，可以采用涂覆、沉积、打印、喷墨等用于成膜的工艺在衬底基板母板200上形成铝膜层210和二氧化硅膜层220。其中，形成的二氧化硅膜层220的厚度可以为500～150nm，形成的铝膜层210的厚度可以为100～250nm。
(2)在形成有铝膜层210和二氧化硅膜层220的衬底基板母板200上形成第一光刻胶膜层230；如图4b所示。
具体地，可以采用涂覆工艺在衬底基板母板200上形成第一光刻胶膜层230。
(3)对第一光刻胶膜层230曝光、显影后，形成具有保留区B1与非保留区B2的第一光刻胶膜层230的图形。其中，保留区B1对应显示面板的面板区，非保留区B2用于暴露二氧化硅膜层220；如图4c所示。
具体地，在对第一光刻胶膜层230进行曝光、显影后，还可以对其进行后烘坚膜处理，以使第一光刻胶膜层230附着力增强。
(4)采用干法刻蚀工艺对二氧化硅膜层220进行刻蚀，去除非保留区B2中的二氧化硅膜层220，保留保留区B1中的二氧化硅膜层220；如图4d所示；
(5)剥离与保留区B1对应区域的第一光刻胶膜层；如图4e所示。
(6)在形成有保留区B1中的二氧化硅膜层220的衬底基板母板200上形成第一压印胶膜层240；如图4f所示。
具体地，可以采用涂覆工艺在衬底基板母板200上形成第一压印胶膜层240。
(7)利用纳米压印软模版对第一压印胶膜层240进行压印并进行紫外光照射，使第一压印胶膜层240形成多个凹陷241；如图4g所示。
(8)采用干法刻蚀工艺对与凹陷对应区域中的第一压印胶膜层240与二氧化硅膜层220进行刻蚀，去除与凹陷对应区域的第一压印胶膜层240与二氧化硅膜层220，使保留区B1中的二氧化硅膜层220形成纳米线栅结构；如图4h所示。
具体地，在干法刻蚀工艺过程中，在去除与凹陷对应区域的第一压印胶膜层240与二氧化硅膜层220时，还可以去除与非保留区对应区域的第一压印胶膜层。
(9)去除所有第一压印胶膜层；如图4i所示。
(10)采用干法刻蚀工艺对与非保留区和纳米线栅结构的间隙对应区域的铝膜层210进行刻蚀，使保留区B1中的铝膜层210形成纳米线栅结构；如图4j所示。
在实际应用中，衬底基板母板上会形成多个保留区，在步骤(10)之后还可以包括：通过切割工艺将衬底基板母板进行切割，使衬底基板母板与保留区对应的区域形成一个金属线栅偏振片。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种采用上述制作方法制作的金属线栅偏振片，如图4j所示，包括：衬底基板母板200以及依次设置于衬底基板母板200的金属层(图4j以铝膜层210作为金属层为例)和二氧化硅膜层220。其中，金属层具有纳米线栅结构，并且金属层在衬底基板母板200的正投影与二氧化硅膜层220在衬底基板母板200的正投影重叠。
本发明实施例提供的采用上述制作方法制作而成的金属线栅偏振片，通过先采用光刻工艺对二氧化硅膜层进行构图，再在采用纳米压印工艺对二氧化硅膜层进行纳米压印，然后采用刻蚀工艺对与非保留区和纳米线栅结构的间隙对应区域的金属层进行刻蚀以使保留区中的金属层形成纳米线栅结构。从而将制作而成的金属线栅偏振片应用于显示面板中时，可以提高金属线栅偏振片与显示面板的对位精准度。并且，由于金属线栅表面覆盖了二氧化硅膜层，使得金属线栅偏振片在使用过程不易产生锈蚀，延长了金属线栅偏振片的使用寿命。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的上述任一种金属线栅偏振片。该显示面板解决问题的原理与上述金属线栅偏振片相似，因此该显示面板的实施可以参见上述金属线栅偏振片的实施，重复之处在此不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该显示装置的实施可以参见上述金属线栅偏振片的实施例，重复之处不再赘述。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种金属线栅偏振片的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板母板的一侧依次形成金属层以及覆盖所述金属层的二氧化硅膜层；
采用光刻工艺对所述二氧化硅膜层进行构图，形成具有保留区与非保留区的二氧化硅膜层的图形；其中，所述保留区对应显示面板的面板区，所述非保留区用于暴露所述金属层；
采用纳米压印工艺对所述保留区中的二氧化硅膜层进行构图，使所述保留区中的二氧化硅膜层形成纳米线栅结构；其中，所述纳米线栅结构的间隙用于暴露所述金属层；
采用刻蚀工艺对与所述非保留区和所述纳米线栅结构的间隙对应区域的金属层进行刻蚀，使与所述保留区对应区域的金属层形成纳米线栅结构。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用光刻工艺对所述二氧化硅膜层进行构图，具体包括：
在形成有所述金属层和二氧化硅膜层的衬底基板母板上形成第一光刻胶膜层；
对所述第一光刻胶膜层曝光、显影后，形成与所述保留区对应区域的第一光刻胶膜层的图形，暴露出所述非保留区中的二氧化硅膜层；
采用刻蚀工艺，仅去除所述非保留区中的二氧化硅膜层；
剥离与所述保留区对应区域的第一光刻胶膜层。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用纳米压印工艺对所述保留区中的二氧化硅膜层进行构图，具体包括：
在形成有所述保留区中的二氧化硅膜层的衬底基板母板上形成第一压印胶膜层；
采用纳米压印软模版对所述第一压印胶膜层进行压印并进行紫外光照射，使所述第一压印胶膜层形成多个凹陷；其中，所述凹陷至少形成于与所述保留区对应区域中，且所述保留区对应区域中的凹陷对应所述纳米线栅结构的间隙；
采用刻蚀工艺，去除与所述凹陷对应区域的第一压印胶膜层与二氧化硅膜层，使所述保留区中的二氧化硅膜层形成纳米线栅结构；
去除所有第一压印胶膜层。
4.一种采用如权利要求1-3任一项所述的制作方法制作的金属线栅偏振片，其特征在于，包括：衬底基板母板以及依次设置于所述衬底基板母板的保留区中的金属层与二氧化硅膜层；其中，所述金属层具有纳米线栅结构；
所述金属层在所述衬底基板母板的正投影与所述二氧化硅膜层在所述衬底基板母板的正投影重叠。
5.一种金属线栅偏振片的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板母板的一侧形成金属层；
采用光刻工艺对所述金属层进行构图，形成具有保留区与非保留区的金属层的图形；其中，所述保留区对应显示面板的面板区，所述非保留区用于暴露所述衬底基板母板；
采用纳米压印工艺对所述保留区中的金属层进行构图，使所述保留区中的金属层形成纳米线栅结构。
6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，采用光刻工艺对所述金属层进行构图，具体包括：
在形成有所述金属层的衬底基板母板上形成第二光刻胶膜层；
对所述第二光刻胶膜层曝光、显影后，形成与所述保留区对应区域的第二光刻胶膜层的图形，暴露出所述非保留区中的金属层；
采用刻蚀工艺，仅去除所述非保留区中的金属层；
剥离与所述保留区对应区域的第二光刻胶膜层。
7.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，采用纳米压印工艺对所述保留区中的金属层进行构图，具体包括：
在形成有所述保留区中的金属层的衬底基板母板上形成第二压印胶膜层：
采用纳米压印软模版对所述第二压印胶膜层进行压印并进行紫外光照射，使所述第二压印胶膜层形成多个凹陷；其中，所述凹陷至少形成于与所述保留区对应区域中，且所述保留区对应区域中的凹陷对应所述纳米线栅结构的间隙；
采用刻蚀工艺，去除与所述凹陷对应区域的第二压印胶膜层与金属层，使所述保留区中的金属层形成纳米线栅结构；
去除所有第二压印胶膜层。
8.一种采用如权利要求5-7任一项所述的制作方法制作的金属线栅偏振片，其特征在于，包括：衬底基板母板以及设置于所述衬底基板母板的保留区中的金属层；其中，所述金属层具有纳米线栅结构。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求4或8所述的金属线栅偏振片。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。
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Legal Events
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20210112 |
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