CN110579903A - 一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置，包括：衬底基板，位于衬底基板像素区域中开口区域的线栅偏振层，以及位于线栅偏振层背离衬底基板的一侧且与线栅偏振层的图形一致的透明图案。在实际制作过程中，可先整面制作线栅偏振层，并利用透明图案实现对线栅偏振层的掩膜，保留仅位于像素区域中开口区域的线栅偏振层，如此则无需设置在对线栅偏振层进行对位过程中的对位间隙，提高了液晶显示面板的开口率。

Description

一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)具有体积小，功耗低，无辐射等特点，近年来得到迅速发展，在当前的平板显示器市场中占据主导地位。TFT-LCD的主体结构为液晶面板，液晶面板包括背光源、对盒的阵列基板和彩膜基板，液晶分子填充在阵列基板和彩膜基板之间。
为减少制作工艺，降低生产成本，相关技术中，在阵列基板上制作线栅偏振器(Wire Grid Polarizer，WGP)，且该线栅偏振其可复用为偏振片和像素电极。然而，在制作线栅偏振器的过程中，线栅偏振器的对位标识与阵列基板的整体基准标识之间存在着一定要进行对位(Align)的问题。目前，最新设备所制作线栅偏振器的对位标识与阵列基板的整体基准标识之间存在大概10um左右的对位间隙(Align margin),减小了TFT-LCD的开口率。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置，用以提高TFT-LCD的开口率。
因此，本发明实施例提供的一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板像素区域中开口区域的线栅偏振层，以及位于所述线栅偏振层背离所述衬底基板的一侧且与所述线栅偏振层的图形一致的透明图案。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述线栅偏振层包括多条相互电连接的金属线，各所述金属线之间具有狭缝；所述阵列基板还包括：
覆盖所述狭缝的透明结构，所述透明结构与所述透明图案为同层设置的一体结构。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述线栅偏振层包括多条相互电连接的金属线，各所述金属线之间具有狭缝；所述阵列基板还包括：
位于各所述狭缝内的填充物，所述填充物与所述透明图案为一体结构。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述填充物包括：与其所在所述狭缝一侧的所述金属线接触的第一分部，与其所在所述狭缝另一侧的所述金属线接触的第二分部，以及连接所述第一分部和所述第二分部的第三分部；
所述第一分部与所述第二分部之间具有间隙；
所述第三分部与所述衬底基板接触。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述填充物完全填充所述狭缝。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于各所述金属线与所述透明图案之间的二氧化硅层；
所述二氧化硅层在所述衬底基板上的正投影与所述金属线在所述衬底基板上的正投影相互重合。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述像素区域中非开口区域内的晶体管，以及位于所述透明图案所在层背离所述线栅偏振层一侧的电极结构；
所述线栅偏振层复用为公共电极，所述电极结构为与所述晶体管的漏极电连接的像素电极；
或者，所述线栅偏振层复用为像素电极，并与所述晶体管的漏极电连接；所述电极结构为公共电极。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
提供一衬底基板：
在所述衬底基板上整面形成线栅偏振层；
在位于所述衬底基板的像素区域中开口区域内的所述线栅偏振层上，形成与所述线栅偏振层的图形一致的透明图案；
以所述透明图案为掩膜板，对所述线栅偏振层进行刻蚀。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述线栅偏振层包括多条相互电连接的金属线，各所述金属线之间具有狭缝；在形成与所述线栅偏振层的图形一致的透明图案的同时，还包括：
形成覆盖所述狭缝的透明结构，所述透明结构与所述透明图案为同层设置的一体结构。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，同时形成与所述线栅偏振层的图形一致的透明图案，以及覆盖所述狭缝的透明结构，具体包括：
在所述线栅偏振层上整面形成透明材料层；
在所述像素区域中开口区域内的所述透明材料层上涂覆光刻胶；
以所述光刻胶为掩膜板，对所述透明材料层进行刻蚀，形成正投影与各所述金属线重合的所述透明图案，以及覆盖各所述狭缝的所述透明结构。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，以所述光刻胶为掩膜板，对所述透明材料层进行刻蚀，具体包括：
以所述光刻胶为掩膜板，采用干法刻蚀工艺，对所述透明材料层进行刻蚀。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，以所述透明图案为掩膜板，对所述线栅偏振层进行刻蚀，具体包括：
以所述透明图案与所述透明结构二者上方的所述光刻胶为掩膜板，对所述线栅偏振层进行刻蚀。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在以所述透明图案与所述透明结构二者上方的所述光刻胶为掩膜板，对所述线栅偏振层进行刻蚀之后，还包括：对所述光刻胶进行剥离。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述线栅偏振层包括多条相互电连接的金属线，各所述金属线之间具有狭缝，在形成与所述线栅偏振层的图形一致的透明图案的同时，还包括：
形成填充于各所述狭缝内的填充物，所述填充物与所述透明图案为一体结构。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，同时形成与所述线栅偏振层的图形一致的透明图案，以及填充于各所述狭缝内的填充物，具体包括：
形成包覆各所述金属线的透明材料层，同一所述狭缝内的所述透明材料层之间具有间隙或相互接触；
在所述像素区域中开口区域内的所述透明材料层上涂覆光刻胶；
以所述光刻胶为掩膜板，对所述透明材料层进行刻蚀，形成正投影与各所述金属线重合的透明图案，以及填充于各所述狭缝内的填充物；
所述填充物包括：与其所在所述狭缝一侧的所述金属线接触的第一分部，与其所在所述狭缝另一侧的所述金属线接触的第二分部，以及连接所述第一分部和所述第二分部的第三分部；所述第一分部与所述第二分部之间具有间隙；所述第三分部与所述衬底基板接触；或者，所述填充物完全填充所述狭缝。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，以所述透明图案为掩膜板，对所述线栅偏振层进行刻蚀，具体包括：
以所述透明图案和所述填充物为掩膜板，对所述线栅偏振层进行刻蚀。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，以所述透明图案和所述填充物为掩膜板，对所述线栅偏振层进行刻蚀之前，还包括：
对所述光刻胶进行剥离处理；
对所述透明图案和所述填充物进行退火处理。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，以所述光刻胶为掩膜板，对所述透明材料层进行刻蚀，具体包括：
以所述光刻胶为掩膜板，采用湿法刻蚀工艺，对所述透明材料层进行刻蚀。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，包括：相对而置的阵列基板和对向基板；其中，
所述阵列基板为本发明实施例提供的上述阵列基板。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：本发明实施例提供的上述液晶显示面板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置，包括：衬底基板，位于衬底基板像素区域中开口区域的线栅偏振层，以及位于线栅偏振层背离衬底基板的一侧且与线栅偏振层的图形一致的透明图案。在实际制作过程中，可先整面制作线栅偏振层，并利用透明图案实现对线栅偏振层的掩膜，保留仅位于像素区域中开口区域的线栅偏振层，如此则无需设置在对线栅偏振层进行对位过程中的对位间隙，提高了液晶显示面板的开口率。
附图说明
图1至图3分别为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图；
图5为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的具体流程图之一；
图6为采用图5所示制作方法制备图1所示阵列基板的过程中各步骤对应的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的具体流程图之二；
图8为采用图7所示制作方法制备图2所示阵列基板的过程中各步骤对应的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的具体流程图之三；
图10为采用图9所示制作方法制备图3所示阵列基板的过程中各步骤对应的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的液晶显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的一种阵列基板，如图1至图3所示，包括：衬底基板101，位于衬底基板101像素区域中开口区域的线栅偏振层102，以及位于线栅偏振层102背离衬底基板101的一侧且与线栅偏振层102的图形一致的透明图案103。
在本发明实施例提供的上述阵列基板中，包括：衬底基板101，位于衬底基板101像素区域中开口区域的线栅偏振层102，以及位于线栅偏振层102背离衬底基板101的一侧且与线栅偏振层102的图形一致的透明图案103。在实际制作过程中，可先整面制作线栅偏振层102，并利用透明图案103实现对线栅偏振层102的掩膜，保留仅位于像素区域中开口区域的线栅偏振层102，如此则无需设置在对线栅偏振层进行对位过程中的对位间隙，提高了液晶显示面板的开口率。
相关技术中，还存在采用阵列基板上整面制作的WGP作为偏光片的技术方案，该方案使得WGP与信号线(例如栅线和数据线)之间形成电容，导致栅线和数据线上的信号出现延迟。而本发明中仅在像素区域中开口区域设置了线栅偏振层102，相较于相关技术中整面制作WGP的技术方案，减小了线栅偏振层102与信号线之间的电容，改善了信号线上信号延迟的程度。
可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图1所示，线栅偏振层102包括多条相互电连接的金属线，各金属线之间具有狭缝；阵列基板还包括：
覆盖狭缝的透明结构103’，透明结构103’与透明图案103为同层设置的一体结构。
也就是说，透明图案103在衬底基板101上的正投影与金属线在衬底基板101上的正投影相互重合，透明结构103’在衬底基板101上的正投影与狭缝在衬底基板101上的正投影相互重合，即透明图案103与透明结构103’为位于线栅偏振层102上方的一透明材料层。在实际获得在像素区域中开口区域内的线栅偏振层102过程中，采用透明图案103与透明结构103’构成的透明材料层进行掩膜。
可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2和图3所示，线栅偏振层102包括多条相互电连接的金属线，各金属线之间具有狭缝；阵列基板还包括：
位于各狭缝内的填充物103”，填充物103”与透明图案103为一体结构。
也就是说，透明图案103在衬底基板101上的正投影与金属线在衬底基板101上的正投影相互重合，填充物103”在衬底基板101上的正投影位于狭缝在衬底基板101上的正投影内。在实际获得在像素区域中开口区域内的线栅偏振层102过程中，采用透明图案103与填充物103”构成一体结构进行掩膜。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2所示，填充物103”包括：与其所在狭缝一侧的金属线接触的第一分部，与其所在狭缝另一侧的金属线接触的第二分部，以及连接第一分部和第二分部的第三分部；
第一分部与第二分部之间具有间隙；
第三分部与衬底基板101接触。
在另一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3所示，填充物103”完全填充狭缝。
需要说明的是，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，线栅偏振层102内狭缝的宽度与入射光(具体为自然光)的波长相比足够小的情况下，入射光中与狭缝的延伸方向垂直的光波矢量透射，与狭缝的延伸方向平行的光波矢量被吸收或反射，形成偏振光，该偏振光的偏振方向与狭缝的延伸方向垂直。从而线栅偏振层102可具有液晶显示面板的下偏光片的功能，不需要再设置下偏光片，简化了液晶显示面板的结构，能够实现产品的薄型化。在液晶显示装置中，上述入射光具体由背光源提供。并且，线栅偏振层102的狭缝宽度小于0.5μ.，即相较于入射光的波长足够小，可使得入射光经过线栅偏振层102后，形成偏振光。线栅偏振层102内金属线的材料可以为Cu、Al、Ag、Mo、Cr、Nd、Ni、Mn、Ti、Ta、W等金属以及这些金属的合金，金属线所在金属层可以为单层结构或者多层结构(例如Cu\Mo、Ti\Cu\Ti、Mo\Al\Mo等)。
可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图1至图3所示，还包括：位于各金属线与透明图案103之间的二氧化硅层104；
二氧化硅层104在衬底基板101上的正投影与金属线在衬底基板101上的正投影相互重合。
采用二氧化硅层104作为掩膜板(hard mask)，可提高金属线所在层的刻蚀选择比，得到较高深宽比的线栅偏振栅102。当然，在具体实施时，为简化制作工艺，也可以不设置二氧化硅层。
可选地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于像素区域中非开口区域内的晶体管105，以及位于透明图案103所在层背离线栅偏振层102一侧的电极结构106；
如图1至图3所示，线栅偏振层102复用为公共电极，电极结构106为与晶体管105的漏极电连接的像素电极；可以理解的是，在线栅偏振层102复用为公共电极的情况下，各个像素区域内的线栅偏振层102可以相互独立，也可以相互电连接；
或者，线栅偏振层102复用为像素电极，并与晶体管105的漏极电连接；电极结构106为公共电极；可选地，电极结构106可以为狭缝电极，在工作过程中，同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场，以及电极结构106与线栅偏振层102间产生的电场形成多维电场，使得狭缝电极间、线栅偏振层102正上方所有液晶分子都能够产生偏转，实现高级超维场开关(Advanced Super Dimension Switch，ADS)显示模式，提高了液晶工作效率并增大了透光率，提高了产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹等优点。
此外，在本发明实施例提供的阵列基板中，晶体管105可以为底栅型晶体管，如图1至图3所示；也可以为顶栅型晶体管，在此不做限定。
具体地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中的晶体管105为底栅型结构时，如图1至图3所示，在阵列基板上，源极s和漏极d均位于有源层a的上方，栅极g位于有源层a的下方，栅极g与有源层a之间设置有栅绝缘层107，源极s和漏极d所在层之上设置有钝化层108。复用为像素电极的电极结构106位于钝化层108之上，并通过贯穿钝化层108的过孔与晶体管105中的漏极d电连接。
其中，栅极g、源极s和漏极d的材料可以为Cu、Al、Ag、Mo、Cr、Nd、Ni、Mn、Ti、Ta、W等金属以及这些金属的合金，栅极g所在金属层、源极s和漏极d所在金属层均可以为单层结构或者多层结构(例如Cu\Mo、Ti\Cu\Ti、Mo\Al\Mo等)。栅绝缘层107和钝化层108的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅其中之一或组合，在此不做限定。有源层a的材料可以为多晶硅半导体材料、非晶硅半导体材料、氧化物半导体材料或有机半导体材料，在此不做限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，如图4所示，具体可以包括以下步骤：
S401、提供一衬底基板：
S402、在衬底基板上整面形成线栅偏振层；
S403、在位于衬底基板的像素区域中开口区域内的线栅偏振层上，形成与线栅偏振层的图形一致的透明图案；
S404、以透明图案为掩膜板，对线栅偏振层进行刻蚀。
在实际制作过程中，先整面制作线栅偏振层，并利用位于像素区域中开口区域内的透明图案实现对线栅偏振层的掩膜，保留仅位于像素区域中开口区域的线栅偏振层，如此则无需设置在对线栅偏振层进行对位过程中的对位间隙，提高了液晶显示面板的开口率。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，S402、在衬底基板上整面形成线栅偏振层，具体可以包括：
在衬底基板101上依次沉积金属层和二氧化硅层；其中，金属层的厚度可以为100nm～300nm，二氧化硅层的厚度可以为50nm～100nm；
在二氧化硅层上涂覆压印胶；
对压印胶进行纳米压印，以形成压印胶图案；
采用压印胶图案作为刻蚀掩膜以对二氧化硅层进行刻蚀，以形成二氧化硅图案；
采用二氧化硅图案作为刻蚀掩膜以对金属层进行刻蚀，以形成中间图案，该中间图案通常包括金属线栅结构和残留在金属线栅结构上的二氧化硅图案；
对中间图案进行刻蚀，以去除残留在金属线栅结构上的二氧化硅图案，从而制得具有相同图案的线栅偏振层和二氧化硅层。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，线栅偏振层包括多条相互电连接的金属线，各金属线之间具有狭缝；在执行步骤S403形成与线栅偏振层的图形一致的透明图案的同时，还需要执行以下步骤：
形成覆盖狭缝的透明结构，透明结构与透明图案为同层设置的一体结构。
也就是说，透明图案在衬底基板上的正投影与金属线在衬底基板上的正投影相互重合，透明结构在衬底基板上的正投影与狭缝在衬底基板上的正投影相互重合，且透明图案与透明结构为位于线栅偏振层上方的一透明层。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，同时形成与线栅偏振层的图形一致的透明图案，以及覆盖狭缝的透明结构，具体可以包括：
在线栅偏振层上整面形成透明材料层；
在像素区域中开口区域内的透明材料层上涂覆光刻胶；
以光刻胶为掩膜板，对透明材料层进行刻蚀，形成正投影与各金属线重合的透明图案，以及覆盖各狭缝的透明结构。
透明材料层的材料可以为氧化铟锡、氧化铟锌等透明导电材料，也可以为氧化硅、氮化硅等其他透明绝缘材料，在此不做限定。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，以光刻胶为掩膜板，对透明材料层进行刻蚀，具体包括：
以光刻胶为掩膜板，采用干法刻蚀工艺，对透明材料层进行刻蚀。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，以透明图案为掩膜板，对线栅偏振层进行刻蚀，具体可以包括：
以透明图案与透明结构二者上方的光刻胶为掩膜板，对线栅偏振层进行刻蚀。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在以透明图案与透明结构二者上方的光刻胶为掩膜板，对线栅偏振层进行刻蚀之后，还需要执行步骤：对光刻胶进行剥离。
在另一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，线栅偏振层包括多条相互电连接的金属线，各金属线之间具有狭缝，在执行步骤S403形成与线栅偏振层的图形一致的透明图案的同时，还可以执行步骤：
形成填充于各狭缝内的填充物，填充物与透明图案为一体结构。
也就是说，透明图案在衬底基板上的正投影与金属线在衬底基板上的正投影相互重合，填充物在衬底基板上的正投影位于狭缝在衬底基板101的正投影内。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，同时形成与线栅偏振层的图形一致的透明图案，以及填充于各狭缝内的填充物，具体可以包括：
形成包覆各金属线的透明材料层，同一狭缝内的透明材料层之间具有间隙或相互接触；
在像素区域中开口区域内的透明材料层上涂覆光刻胶；
以光刻胶为掩膜板，对透明材料层进行刻蚀，形成正投影与各金属线重合的透明图案，以及填充于各狭缝内的填充物；
填充物包括：与其所在狭缝一侧的金属线接触的第一分部，与其所在狭缝另一侧的金属线接触的第二分部，以及连接第一分部和第二分部的第三分部；第一分部与第二分部之间具有间隙；第三分部与衬底基板接触；或者，填充物完全填充狭缝。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，以透明图案为掩膜板，对线栅偏振层进行刻蚀，具体可以包括：
以透明图案和填充物为掩膜板，对线栅偏振层进行刻蚀。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，以透明图案和填充物为掩膜板，对线栅偏振层进行刻蚀之前，还可以执行以下步骤：
对光刻胶进行剥离处理；
对透明图案和填充物进行退火处理；在退火过程中，氧化铟锡等透明材料构成的透明图案和填充物，可由非晶态转换为多晶态，防止了后续刻蚀线偏振层102的过程中，将透明图案和填充物刻蚀掉，进而影响最终形成的偏振层102的图案。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，以光刻胶为掩膜板，对透明材料层进行刻蚀，具体可以包括：
以光刻胶为掩膜板，采用湿法刻蚀工艺，对透明材料层进行刻蚀。
需要说明的是，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成各层结构涉及到的构图工艺，不仅可以包括沉积、光刻胶涂覆、掩模板掩模、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等部分或全部的工艺过程，还可以包括其他工艺过程，具体以实际制作过程中形成所需构图的图形为准，在此不做限定。例如，在显影之后和刻蚀之前还可以包括后烘工艺。
其中，沉积工艺可以为化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法或物理气相沉积法，在此不做限定；掩膜工艺中所用的掩膜板可以为半色调掩膜板(Half ToneMask)、单缝衍射掩模板(Single Slit Mask)或灰色调掩模板(Gray Tone Mask)，在此不做限定；刻蚀可以为干法刻蚀或者湿法刻蚀，在此不做限定。
为更好地理解本发明实施例提供的上述制作方法的技术方案，以下将通过三个可能的实施例进行说明。
实施例一
图5和图6具体示出了本发明实施例一提供的制作方法的详细过程，及采用该方法制作图1所示阵列基板的过程中，各步骤对应的阵列基板的结构示意图，具体如下：
步骤S501、提供一衬底基板101。
步骤S502、在衬底基板上整面形成多条金属线构成的线栅偏振层102，以及位于线栅偏振层102之上且正投影与金属线的正投影相互重合的二氧化硅层104。
可选地，可通过纳米压印(Nano Imprinting Lithography，NIL)工艺来形成线偏振层102和二氧化硅层104；具体而言，在衬底基板101上依次沉积金属层和二氧化硅层；在二氧化硅层上涂覆压印胶；对压印胶进行纳米压印，以形成压印胶图案；采用压印胶图案作为刻蚀掩膜以对二氧化硅层进行刻蚀，以形成二氧化硅图案；采用二氧化硅图案作为刻蚀掩膜以对金属层进行刻蚀，以形成中间图案，该中间图案通常包括金属线栅结构和残留在金属线栅结构上的二氧化硅图案；对中间图案进行刻蚀，以去除残留在金属线栅结构上的二氧化硅图案，从而制得具有相同图案的线栅偏振层102和二氧化硅层104。
步骤S503、在线栅偏振层102上整面形成透明材料层109。
步骤S504、在像素区域中开口区域内的透明材料层109上涂覆光刻胶110。
步骤S505、以光刻胶110为掩膜板，采用干法刻蚀工艺，对透明材料层109进行刻蚀，形成正投影与各金属线重合的透明图案103，以及覆盖各狭缝的透明结构103’。
步骤S506、以透明图案103与透明结构103’二者上方的光刻胶110为掩膜板，对线栅偏振层102进行刻蚀。
步骤S507、对光刻胶110进行剥离。
步骤S508、在透明图案103与透明结构103’所在层之上依次制作栅极g、栅绝缘层107、有源层a、源极s和漏极d、钝化层108。该步骤所涉及的膜层采用常规技术手段即可形成，在此不做详述。
至此，完成了图1所示阵列基板的制作。
由上述描述可以看出，在实际制作过程中，先整面制作线栅偏振层，并利用位于像素区域中开口区域内的透明图案103和透明结构103’构成的透明材料层实现对线栅偏振层102的掩膜，保留仅位于像素区域中开口区域的线栅偏振层102，如此则无需设置在对线栅偏振层102进行对位过程中的对位间隙，提高了液晶显示面板的开口率。
实施例二
图7和图8具体示出了本发明实施例二提供的制作方法的详细过程，及采用该方法制作图2所示阵列基板的过程中，各步骤对应的阵列基板的结构示意图，具体如下：
步骤S701、提供一衬底基板101。
步骤S702、在衬底基板上整面形成多条金属线构成的线栅偏振层102，以及位于线栅偏振层102之上且正投影与金属线的正投影相互重合的二氧化硅层104。
可选地，可通过纳米压印(Nano Imprinting Lithography，NIL)工艺来形成线偏振层102和二氧化硅层104；具体而言，在衬底基板101上依次沉积金属层和二氧化硅层；在二氧化硅层上涂覆压印胶；对压印胶进行纳米压印，以形成压印胶图案；采用压印胶图案作为刻蚀掩膜以对二氧化硅层进行刻蚀，以形成二氧化硅图案；采用二氧化硅图案作为刻蚀掩膜以对金属层进行刻蚀，以形成中间图案，该中间图案通常包括金属线栅结构和残留在金属线栅结构上的二氧化硅图案；对中间图案进行刻蚀，以去除残留在金属线栅结构上的二氧化硅图案，从而制得具有相同图案的线栅偏振层102和二氧化硅层104。
步骤S703、形成包覆各金属线的透明材料层109，同一狭缝内的透明材料层109之间具有间隙。
步骤S704、在像素区域中开口区域内的透明材料层109上涂覆光刻胶110。
步骤S705、以光刻胶110为掩膜板，采用湿法刻蚀工艺，对透明材料层109进行刻蚀，形成正投影与各金属线重合的透明图案103，以及填充于各狭缝内的填充物103”，填充物103”包括：与其所在狭缝一侧的金属线接触的第一分部，与其所在狭缝另一侧的金属线接触的第二分部，以及连接第一分部和第二分部的第三分部；第一分部与第二分部之间具有间隙；第三分部与衬底基板101接触。
步骤S706、对光刻胶110进行剥离处理；并对透明图案103和填充物103”进行退火处理。在退火过程中，氧化铟锡等透明材料构成的透明图案103和填充物103”，可由非晶态转换为多晶态，防止了后续刻蚀线偏振层102的过程中，将透明图案103和填充物103”刻蚀掉，进而影响最终形成的偏振层102的图案。
步骤S707、以透明图案103和填充物103”为掩膜板，对线栅偏振层102进行刻蚀。
步骤S708、在透明图案103和填充物103”所在层之上依次制作栅极g、栅绝缘层107、有源层a、源极s和漏极d、钝化层108。该步骤所涉及的膜层采用常规技术手段即可形成，在此不做详述。
至此，完成了图2所示阵列基板的制作。
由上述描述可以看出，在实际制作过程中，先整面制作线栅偏振层，并利用位于像素区域中开口区域内的透明图案103和填充物103”构成的透明材料层实现对线栅偏振层102的掩膜，保留仅位于像素区域中开口区域的线栅偏振层102，如此则无需设置在对线栅偏振层102进行对位过程中的对位间隙，提高了液晶显示面板的开口率。
实施例三
图9和图10具体示出了本发明实施例三提供的制作方法的详细过程，及采用该方法制作图3所示阵列基板的过程中，各步骤对应的阵列基板的结构示意图，具体如下：
步骤S901、提供一衬底基板101。
步骤S902、在衬底基板上整面形成多条金属线构成的线栅偏振层102，以及位于线栅偏振层102之上且正投影与金属线的正投影相互重合的二氧化硅层104。
可选地，可通过纳米压印(Nano Imprinting Lithography，NIL)工艺来形成线偏振层102和二氧化硅层104；具体而言，在衬底基板101上依次沉积金属层和二氧化硅层；在二氧化硅层上涂覆压印胶；对压印胶进行纳米压印，以形成压印胶图案；采用压印胶图案作为刻蚀掩膜以对二氧化硅层进行刻蚀，以形成二氧化硅图案；采用二氧化硅图案作为刻蚀掩膜以对金属层进行刻蚀，以形成中间图案，该中间图案通常包括金属线栅结构和残留在金属线栅结构上的二氧化硅图案；对中间图案进行刻蚀，以去除残留在金属线栅结构上的二氧化硅图案，从而制得具有相同图案的线栅偏振层102和二氧化硅层104。
步骤S903、形成包覆各金属线的透明材料层109，同一狭缝内的透明材料层109之间具有间隙。
步骤S904、在像素区域中开口区域内的透明材料层109上涂覆光刻胶110。
步骤S905、以光刻胶110为掩膜板，采用湿法刻蚀工艺，对透明材料层109进行刻蚀，形成正投影与各金属线重合的透明图案103，以及完全填充于各狭缝内的填充物103”。
步骤S906、对光刻胶110进行剥离处理；并对透明图案103和填充物103”进行退火处理。在退火过程中，氧化铟锡等透明材料构成的透明图案103和填充物103”，可由非晶态转换为多晶态，防止了后续刻蚀线偏振层102的过程中，将透明图案103和填充物103”刻蚀掉，进而影响最终形成的偏振层102的图案。
步骤S907、以透明图案103和填充物103”为掩膜板，对线栅偏振层102进行刻蚀。
步骤S908、在透明图案103和填充物103”所在层之上依次制作栅极g、栅绝缘层107、有源层a、源极s和漏极d、钝化层108。该步骤所涉及的膜层采用常规技术手段即可形成，在此不做详述。
至此，完成了图3所示阵列基板的制作。
由上述描述可以看出，在实际制作过程中，先整面制作线栅偏振层，并利用位于像素区域中开口区域内的透明图案103和填充物103”构成的透明材料层实现对线栅偏振层102的掩膜，保留仅位于像素区域中开口区域的线栅偏振层102，如此则无需设置在对线栅偏振层102进行对位过程中的对位间隙，提高了液晶显示面板的开口率。
值得注意的是，通过调节透明材料层109的厚度，具体地，在透明材料层109的厚度较小时，可以形成图1中透明图案103与透明结构103’构成的一体结构；在透明材料层109的厚度较大时，可形成图2和图3中透明图案103与填充物103”构成的一体结构。
基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种液晶显示面板，如图11所示，包括：相对而置的阵列基板001和对向基板002，位于二者之间的液晶层003，以及位于阵列基板001背离对向基板002一侧的背光源004。该阵列基板为本发明实施例提供的上述阵列基板。当然，背光源004还可以为侧入式背光源，在此不做限定。由于该液晶显示面板解决问题的原理与上述阵列基板解决问题的原理相似，因此，本发明实施例提供的该液晶显示面板的实施可以参见本发明实施例提供的上述阵列基板的实施，重复之处不再赘述。此外，对于本领域技术人员公知的液晶显示面板中的其他部件(例如导光板)，在此也不再介绍。
可选地，在本发明实施例提供的上述液晶显示面板中，如图11所示，对向基板002包括：第一衬底基板201，位于衬底基板201上用于限定色阻层(图中具体示出了红色色阻R和绿色色阻G，在实际应用中还可以包括蓝色色阻B、黄色色阻Y、白色色阻W等)的黑矩阵202，位于黑矩阵202与衬底基板201之间且被黑矩阵202的图形所覆盖的指纹识别层(PINsensor)203和读取线(RO line)204，以及整面设置的第一线偏振层205和绝缘层(OC)206。第一线偏振层205内金属线的延伸方向与阵列基板中线栅偏振层102内金属线的延伸方向相互交叉。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述液晶显示面板，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、智能手表、健身腕带、个人数字助理等任何具有显示功能的产品或部件。由于该显示装置解决问题的原理与上述液晶显示面板解决问题的原理相似，因此，该显示装置的实施可以参见上述液晶显示面板的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的上述阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置，包括：衬底基板，位于衬底基板像素区域中开口区域的线栅偏振层，以及位于线栅偏振层背离衬底基板的一侧且与线栅偏振层的图形一致的透明图案。在实际制作过程中，可先整面制作线栅偏振层，并利用透明图案实现对线栅偏振层的掩膜，保留仅位于像素区域中开口区域的线栅偏振层，如此则无需设置在对线栅偏振层进行对位过程中的对位间隙，提高了液晶显示面板的开口率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (20)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板像素区域中开口区域的线栅偏振层，以及位于所述线栅偏振层背离所述衬底基板的一侧且与所述线栅偏振层的图形一致的透明图案。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述线栅偏振层包括多条相互电连接的金属线，各所述金属线之间具有狭缝；所述阵列基板还包括：
覆盖所述狭缝的透明结构，所述透明结构与所述透明图案为同层设置的一体结构。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述线栅偏振层包括多条相互电连接的金属线，各所述金属线之间具有狭缝；所述阵列基板还包括：
位于各所述狭缝内的填充物，所述填充物与所述透明图案为一体结构。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述填充物包括：与其所在所述狭缝一侧的所述金属线接触的第一分部，与其所在所述狭缝另一侧的所述金属线接触的第二分部，以及连接所述第一分部和所述第二分部的第三分部；
所述第一分部与所述第二分部之间具有间隙；
所述第三分部与所述衬底基板接触。
5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述填充物完全填充所述狭缝。
6.如权利要求2-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于各所述金属线与所述透明图案之间的二氧化硅层；
所述二氧化硅层在所述衬底基板上的正投影与所述金属线在所述衬底基板上的正投影相互重合。
7.如权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述像素区域中非开口区域内的晶体管，以及位于所述透明图案所在层背离所述线栅偏振层一侧的电极结构；
所述线栅偏振层复用为公共电极，所述电极结构为与所述晶体管的漏极电连接的像素电极；
或者，所述线栅偏振层复用为像素电极，并与所述晶体管的漏极电连接；所述电极结构为公共电极。
8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板：
在所述衬底基板上整面形成线栅偏振层；
在位于所述衬底基板的像素区域中开口区域内的所述线栅偏振层上，形成与所述线栅偏振层的图形一致的透明图案；
以所述透明图案为掩膜板，对所述线栅偏振层进行刻蚀。
9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述线栅偏振层包括多条相互电连接的金属线，各所述金属线之间具有狭缝；在形成与所述线栅偏振层的图形一致的透明图案的同时，还包括：
形成覆盖所述狭缝的透明结构，所述透明结构与所述透明图案为同层设置的一体结构。
10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，同时形成与所述线栅偏振层的图形一致的透明图案，以及覆盖所述狭缝的透明结构，具体包括：
在所述线栅偏振层上整面形成透明材料层；
在所述像素区域中开口区域内的所述透明材料层上涂覆光刻胶；
以所述光刻胶为掩膜板，对所述透明材料层进行刻蚀，形成正投影与各所述金属线重合的所述透明图案，以及覆盖各所述狭缝的所述透明结构。
11.如权利要求10所述的制作方法，其特征在于，以所述光刻胶为掩膜板，对所述透明材料层进行刻蚀，具体包括：
以所述光刻胶为掩膜板，采用干法刻蚀工艺，对所述透明材料层进行刻蚀。
12.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，以所述透明图案为掩膜板，对所述线栅偏振层进行刻蚀，具体包括：
以所述透明图案与所述透明结构二者上方的所述光刻胶为掩膜板，对所述线栅偏振层进行刻蚀。
13.如权利要求12所述的制作方法，其特征在于，在以所述透明图案与所述透明结构二者上方的所述光刻胶为掩膜板，对所述线栅偏振层进行刻蚀之后，还包括：对所述光刻胶进行剥离。
14.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述线栅偏振层包括多条相互电连接的金属线，各所述金属线之间具有狭缝，在形成与所述线栅偏振层的图形一致的透明图案的同时，还包括：
形成填充于各所述狭缝内的填充物，所述填充物与所述透明图案为一体结构。
15.如权利要求14所述的制作方法，其特征在于，同时形成与所述线栅偏振层的图形一致的透明图案，以及填充于各所述狭缝内的填充物，具体包括：
形成包覆各所述金属线的透明材料层，同一所述狭缝内的所述透明材料层之间具有间隙或相互接触；
在所述像素区域中开口区域内的所述透明材料层上涂覆光刻胶；
以所述光刻胶为掩膜板，对所述透明材料层进行刻蚀，形成正投影与各所述金属线重合的透明图案，以及填充于各所述狭缝内的填充物；
所述填充物包括：与其所在所述狭缝一侧的所述金属线接触的第一分部，与其所在所述狭缝另一侧的所述金属线接触的第二分部，以及连接所述第一分部和所述第二分部的第三分部；所述第一分部与所述第二分部之间具有间隙；所述第三分部与所述衬底基板接触；或者，所述填充物完全填充所述狭缝。
16.如权利要求15所述的制作方法，其特征在于，以所述透明图案为掩膜板，对所述线栅偏振层进行刻蚀，具体包括：
以所述透明图案和所述填充物为掩膜板，对所述线栅偏振层进行刻蚀。
17.如权利要求16所述的制作方法，其特征在于，以所述透明图案和所述填充物为掩膜板，对所述线栅偏振层进行刻蚀之前，还包括：
对所述光刻胶进行剥离处理；
对所述透明图案和所述填充物进行退火处理。
18.如权利要求15所述的制作方法，其特征在于，以所述光刻胶为掩膜板，对所述透明材料层进行刻蚀，具体包括：
以所述光刻胶为掩膜板，采用湿法刻蚀工艺，对所述透明材料层进行刻蚀。
19.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：相对而置的阵列基板和对向基板；其中，
所述阵列基板为如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
20.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求19所述的液晶显示面板。
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