JPS6177696A - 気相結晶成長装置 - Google Patents
気相結晶成長装置Info
- Publication number
- JPS6177696A JPS6177696A JP20021784A JP20021784A JPS6177696A JP S6177696 A JPS6177696 A JP S6177696A JP 20021784 A JP20021784 A JP 20021784A JP 20021784 A JP20021784 A JP 20021784A JP S6177696 A JPS6177696 A JP S6177696A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- growth
- gas
- substrate
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体エビタΦシャル膜を成長させる半導体
結晶気相成長装置に関する。
結晶気相成長装置に関する。
（従来技術とその問題点）
半導体の結晶成長法の一つとして気相成長法がある。こ
れは気体状の原料を結晶成長室に送シこんで気相原料か
ら半導体結晶を成長させるものである。特に有機金属原
料の熱分解反応を利用した気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ’
）は、高品質の結晶成長を広い応用範囲を以て行なうこ
とができ、かつ量産性に優れ友方法として注目されてい
る。第７図は、従来ＭＯ−ＣＶＤで用いられている結晶
成長室の構造の一例でらる［例えば、ジャーナル・オブ
・クリスタルグロウス（Ｊ 、 Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒ
ｏｗｔｈ ）ｓ １ ＜ １９７５ ）１７２ ］。結
晶成長室１１は、反応管とも呼ばれ、石英によりつくら
れており内径ｄ１の円筒形状を有している。図は円筒の
軸を含む断面図で示しである。従来技術による成長法に
ついてＧａＡｓの成長を例にとって記述する。ＧａＡｓ
基板１３をグラファイト製サセプタ１２の上におき、高
周波コイル１４によって加熱する。成長に供される原料
気体トリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびアルシン（Ａ
ｓＨ２）は、キャリアガスである水素（Ｈｌ）とともに
矢印１７のように反応管１１に導入される。反応終了後
の廃ガスは矢印１８のように反応管１１よりとシ除かれ
る。原料気体は反応管の内部を矢印１９のように流れる
。原料気体はサセプタ１２および基板１３の表面近くで
境界層１６を形成する。この境界層１６は、境界１５に
おいて一様な気体流と接しており、成長のために気体原
料分子は、境界層１６の外部から境界層にはいり、矢印
２０のように境界層１６の内部を拡散して基板１３の表
面に達して結晶膜成長のために消費される。
れは気体状の原料を結晶成長室に送シこんで気相原料か
ら半導体結晶を成長させるものである。特に有機金属原
料の熱分解反応を利用した気相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ’
）は、高品質の結晶成長を広い応用範囲を以て行なうこ
とができ、かつ量産性に優れ友方法として注目されてい
る。第７図は、従来ＭＯ−ＣＶＤで用いられている結晶
成長室の構造の一例でらる［例えば、ジャーナル・オブ
・クリスタルグロウス（Ｊ 、 Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒ
ｏｗｔｈ ）ｓ １ ＜ １９７５ ）１７２ ］。結
晶成長室１１は、反応管とも呼ばれ、石英によりつくら
れており内径ｄ１の円筒形状を有している。図は円筒の
軸を含む断面図で示しである。従来技術による成長法に
ついてＧａＡｓの成長を例にとって記述する。ＧａＡｓ
基板１３をグラファイト製サセプタ１２の上におき、高
周波コイル１４によって加熱する。成長に供される原料
気体トリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびアルシン（Ａ
ｓＨ２）は、キャリアガスである水素（Ｈｌ）とともに
矢印１７のように反応管１１に導入される。反応終了後
の廃ガスは矢印１８のように反応管１１よりとシ除かれ
る。原料気体は反応管の内部を矢印１９のように流れる
。原料気体はサセプタ１２および基板１３の表面近くで
境界層１６を形成する。この境界層１６は、境界１５に
おいて一様な気体流と接しており、成長のために気体原
料分子は、境界層１６の外部から境界層にはいり、矢印
２０のように境界層１６の内部を拡散して基板１３の表
面に達して結晶膜成長のために消費される。
ＭＯ−ＣＶＤ法は、１回で大面積の基板に成長できるの
がその特長の一つであるが、従来法では基板が大きくな
ると、膜の均一性が劣化してしまう。
がその特長の一つであるが、従来法では基板が大きくな
ると、膜の均一性が劣化してしまう。
第８図は、第７図に示した従来法で成長したＧ３Ａｓ層
の膜厚の場所依存性を示したものでちる。
の膜厚の場所依存性を示したものでちる。
横軸は、基板上量も気体流の上流を基準として流れの方
向にその距離をとり、縦軸は成長膜厚を示す。図のよう
に基板が大きくなると流れの下流程厚さが減少する。つ
まシ下流程成長速度が遅い。
向にその距離をとり、縦軸は成長膜厚を示す。図のよう
に基板が大きくなると流れの下流程厚さが減少する。つ
まシ下流程成長速度が遅い。
このように従来法によると、ＭＯ−ＣＶＤ法により半導
体結晶を成長した場合、基板が大きくなると、膜の均一
性が劣化するという欠点を有する。
体結晶を成長した場合、基板が大きくなると、膜の均一
性が劣化するという欠点を有する。
（発明の目的）
本発明は、このような従来の欠点を除去し、大面積の基
板上に均一性のよい半導体結晶層を成長させることを可
能とした気相結晶成長装置を提供することＫある。
板上に均一性のよい半導体結晶層を成長させることを可
能とした気相結晶成長装置を提供することＫある。
（発明の構成）
本発明は、反応管内に気相原料を流してその流れと表面
がほぼ平行になるように配置した基板上に結晶成長を行
なう気相結晶成長装置において、結晶成長を行なう領域
で、気体の流れの上流から下流に向かって反応管内部の
気体の流れる部分の断面積を徐々に小さくしたことを特
徴とする。反応管内部の気体の流れる部分の断面積を小
さくするには、反応管自体の断面積を小さくしてもよい
し、あるいは反応管内に他の断面積を小さくする部材を
設置する方法によってもよい。
がほぼ平行になるように配置した基板上に結晶成長を行
なう気相結晶成長装置において、結晶成長を行なう領域
で、気体の流れの上流から下流に向かって反応管内部の
気体の流れる部分の断面積を徐々に小さくしたことを特
徴とする。反応管内部の気体の流れる部分の断面積を小
さくするには、反応管自体の断面積を小さくしてもよい
し、あるいは反応管内に他の断面積を小さくする部材を
設置する方法によってもよい。
（発明の作用・原理）
本発明は上述の構成をとることによシ、従来技術の問題
点を解決した。
点を解決した。
以下に本発明の作用、原理について説明する。
第２図は、気体の流速と境界層の厚さの関係について示
したものでちる。基板３１上を気体が流速ｖｌ（５−Ｌ
２ ）で流れているとき、基板上に厚さＸＩ（ｔ＝１．
２）の境界層３２が形成される。第２図（ａｌ 、 （
ｂｌはそれぞれｖｌ ＝ Ｖｌ 、 ＶＩ＝ Ｖｚ （
９１〉ｖ２）の場合を示す。図で示されるように、気体
流速の大きい方の境界層の厚さＸｉ は小さくなる。ま
た第３図には、他の条件を一定とした時気体流速とＧ
ａ Ａ ｓの成長速度の関係の一例を示す。
したものでちる。基板３１上を気体が流速ｖｌ（５−Ｌ
２ ）で流れているとき、基板上に厚さＸＩ（ｔ＝１．
２）の境界層３２が形成される。第２図（ａｌ 、 （
ｂｌはそれぞれｖｌ ＝ Ｖｌ 、 ＶＩ＝ Ｖｚ （
９１〉ｖ２）の場合を示す。図で示されるように、気体
流速の大きい方の境界層の厚さＸｉ は小さくなる。ま
た第３図には、他の条件を一定とした時気体流速とＧ
ａ Ａ ｓの成長速度の関係の一例を示す。
横軸は流速、縦軸は成長速度である。流速はｔＭ／Ｓで
、成長速度はμｍ／ｍで示す。流速が大きくなる程、成
長速度が大きくなることが示される。
、成長速度はμｍ／ｍで示す。流速が大きくなる程、成
長速度が大きくなることが示される。
これは、次のように説明される。第２図に示したように
流速が大きい程境界層の厚さが薄ぐなシ、供給原料が境
界層を拡散して基板表面に達する迄の時間が短くなり、
このために膜の成長速度が大きくなる。従ってこれまで
述べたことから、ＭＯ−ＣＶＤ法において成長速度を制
御するには、気体流速を制御して境界層の厚さを制御す
ればよいことがわかる。
流速が大きい程境界層の厚さが薄ぐなシ、供給原料が境
界層を拡散して基板表面に達する迄の時間が短くなり、
このために膜の成長速度が大きくなる。従ってこれまで
述べたことから、ＭＯ−ＣＶＤ法において成長速度を制
御するには、気体流速を制御して境界層の厚さを制御す
ればよいことがわかる。
ところで、従来法で、下流はど成長速度が遅くなる原因
は、下流に行くに従って原料が枯渇するためと考えられ
る。枯渇の機構はまだ明確でないが、膜成長のためや、
気体分子の相互反応により成分が消費されるためと考え
られる。しかし、いずれにしても下流に向かって成長速
度の減少する分を補償するようＫすれば、膜厚の均一性
を向上させることができる。そこで、これまでの考察に
もとづき、下流に向かりて流速を増し、境界層の厚さが
薄くなるようにすれば、膜厚の均一性が向上するという
結論を得た。反応管内に一定量の気体を流し、流速を反
応管の場所によシ変化させるには、反応管の断面積を変
えればよい。つまり、断面積を小さくすれば、流速が増
し、逆に断面積を大きくすれば流速は減少する。そこで
、下流に向かって反応管の断面積を小さくすれば、下流
はど流速が増して境界層が薄くなり、下流で気体原料の
枯渇による成長速度の減少が補償され、均一性の向上し
た半導体成長膜が得られる。実際に得られた効果につい
ては次の実施例によシ説明する。
は、下流に行くに従って原料が枯渇するためと考えられ
る。枯渇の機構はまだ明確でないが、膜成長のためや、
気体分子の相互反応により成分が消費されるためと考え
られる。しかし、いずれにしても下流に向かって成長速
度の減少する分を補償するようＫすれば、膜厚の均一性
を向上させることができる。そこで、これまでの考察に
もとづき、下流に向かりて流速を増し、境界層の厚さが
薄くなるようにすれば、膜厚の均一性が向上するという
結論を得た。反応管内に一定量の気体を流し、流速を反
応管の場所によシ変化させるには、反応管の断面積を変
えればよい。つまり、断面積を小さくすれば、流速が増
し、逆に断面積を大きくすれば流速は減少する。そこで
、下流に向かって反応管の断面積を小さくすれば、下流
はど流速が増して境界層が薄くなり、下流で気体原料の
枯渇による成長速度の減少が補償され、均一性の向上し
た半導体成長膜が得られる。実際に得られた効果につい
ては次の実施例によシ説明する。
（実施例）
以下本発明の実施例について図面を利用して詳細に説明
する。第１図は本発明の第１の実施例を示す図である。
する。第１図は本発明の第１の実施例を示す図である。
結晶成長室となる反応管４１は石英でつくられており、
断面は円形で上流側の内径がｄＦ１下流側の内径がｄＲ
（ｄｒ＞ｄａ）となっている。そして、基板４３が置か
れている部分では、内径がｄ、からｄＲへ徐々に減小し
ている。第１図は円筒状反応管の軸を含む断面図を示す
。第１の実施例をＧａＡｓの成長に適用した例を示す。
断面は円形で上流側の内径がｄＦ１下流側の内径がｄＲ
（ｄｒ＞ｄａ）となっている。そして、基板４３が置か
れている部分では、内径がｄ、からｄＲへ徐々に減小し
ている。第１図は円筒状反応管の軸を含む断面図を示す
。第１の実施例をＧａＡｓの成長に適用した例を示す。
ＧａＡｓ基板４３をグラファイト製サセプタ４２の上に
おき、高周波コイル４４で加熱する。原料気体となるＴ
ＭＧおよびＡｓＨ３は、キャリアガスＨ２とともに矢印
４６のように反応管４１に導入される。反応管４１に導
入された原料気体は矢印４８の如く反応管内部を流れ、
結晶成長に供されたのち、矢印４７の如く外部に棄てら
れる。サセプタ４２および基板４３の表面近くで形成さ
れる境界層４５の中を矢印４９の如く、気体原料分子は
拡散して基板４３の表面に達して結晶膜成長のために消
費される。本実施例では、サセプタ４２の上流における
反応管４１の内径ｄ、が下流における内径ｄＲよりも大
きくなっているため、下流程流速が大きく、境界層が薄
くなる（上流では厚さがＸＦ 、下流ではＸＨ”、 Ｘ
Ｆ） ＸＲ）。第４図は第１図に示した方法で成長した
ＧａＡａ層の膜厚の場所依存性を示したものである。横
軸は基板上最も気体流の上流を基準として流れの方向に
その距離をとり、縦軸は成長膜厚を示す。「発明の作用
・原理」の項で説明した効果によシ下流における成長速
度の低下が緩和され、膜厚の均一性の大幅な改善がみら
れた。
おき、高周波コイル４４で加熱する。原料気体となるＴ
ＭＧおよびＡｓＨ３は、キャリアガスＨ２とともに矢印
４６のように反応管４１に導入される。反応管４１に導
入された原料気体は矢印４８の如く反応管内部を流れ、
結晶成長に供されたのち、矢印４７の如く外部に棄てら
れる。サセプタ４２および基板４３の表面近くで形成さ
れる境界層４５の中を矢印４９の如く、気体原料分子は
拡散して基板４３の表面に達して結晶膜成長のために消
費される。本実施例では、サセプタ４２の上流における
反応管４１の内径ｄ、が下流における内径ｄＲよりも大
きくなっているため、下流程流速が大きく、境界層が薄
くなる（上流では厚さがＸＦ 、下流ではＸＨ”、 Ｘ
Ｆ） ＸＲ）。第４図は第１図に示した方法で成長した
ＧａＡａ層の膜厚の場所依存性を示したものである。横
軸は基板上最も気体流の上流を基準として流れの方向に
その距離をとり、縦軸は成長膜厚を示す。「発明の作用
・原理」の項で説明した効果によシ下流における成長速
度の低下が緩和され、膜厚の均一性の大幅な改善がみら
れた。
第５図に本発明の第２の実施例を示す。この場合には石
英製反応管６１の内法は成長反応の起る領域で気体流の
上流から下流まで一定となっている。断面形状はほぼ矩
形となっている。第５図は、反応管の縦断面図を示す。
英製反応管６１の内法は成長反応の起る領域で気体流の
上流から下流まで一定となっている。断面形状はほぼ矩
形となっている。第５図は、反応管の縦断面図を示す。
成長反応の起こる領域には、くさび形をしておシ、その
厚みが下流はど厚くなる石英製の部材７０が反応管６１
の内部に置かれている。第２の実施例をＧａＡｓの成長
に適用し九個を説明する。Ｇ ａ Ａ ｓ基板６３をグ
ラファイト製サセプタ６２の上におき、高周波コイル６
４で加熱する。原料気体となるＴＭＧおよびＡ ｓ Ｈ
ｓは、キャリアガスＨ２とともに矢印６６のように反応
管６１に導入され、矢印６８の如く反応管内部を流れ、
結晶成長に供されたのち、矢印６７の如く外部に棄てら
れる。気体原料分子は、境界層６５の中を矢印６９の如
く拡散して基板６３０表面に達して結晶膜成長のために
消費される。本実施例では、厚みが上流から下流に向か
って厚くなっている石英部材７０が反応管６１の内部に
おいであるため、反応管内部の気体の流れる部分の断面
積が上流から下流に向かって小さくなっている。
厚みが下流はど厚くなる石英製の部材７０が反応管６１
の内部に置かれている。第２の実施例をＧａＡｓの成長
に適用し九個を説明する。Ｇ ａ Ａ ｓ基板６３をグ
ラファイト製サセプタ６２の上におき、高周波コイル６
４で加熱する。原料気体となるＴＭＧおよびＡ ｓ Ｈ
ｓは、キャリアガスＨ２とともに矢印６６のように反応
管６１に導入され、矢印６８の如く反応管内部を流れ、
結晶成長に供されたのち、矢印６７の如く外部に棄てら
れる。気体原料分子は、境界層６５の中を矢印６９の如
く拡散して基板６３０表面に達して結晶膜成長のために
消費される。本実施例では、厚みが上流から下流に向か
って厚くなっている石英部材７０が反応管６１の内部に
おいであるため、反応管内部の気体の流れる部分の断面
積が上流から下流に向かって小さくなっている。
このため下流程流速が大きく、境界層６５の厚さが、上
流でＸＦ、下流でｘｎ （ｘｙ）ｘＢ ）となり下流程
薄くなる。そのため、再び「発明の作用・原理」の項で
説明した効果により下流における成長速度の低下が緩和
され、膜厚の均一性の大幅な改善がみられた。膜厚の均
一性は反応管６１の中に設置する石英製部材７０の形状
に強く依存する。
流でＸＦ、下流でｘｎ （ｘｙ）ｘＢ ）となり下流程
薄くなる。そのため、再び「発明の作用・原理」の項で
説明した効果により下流における成長速度の低下が緩和
され、膜厚の均一性の大幅な改善がみられた。膜厚の均
一性は反応管６１の中に設置する石英製部材７０の形状
に強く依存する。
実験データにもとづいて最適化した形状のものを用いて
成長し九〇ａＡｓの膜厚の場所依存性を示したものが第
６図である。横軸は基板上最も気体流の上流を基準とし
てとり九流れの方向の距離を備であられし、縦軸は成長
膜厚をμｍで表わした。
成長し九〇ａＡｓの膜厚の場所依存性を示したものが第
６図である。横軸は基板上最も気体流の上流を基準とし
てとり九流れの方向の距離を備であられし、縦軸は成長
膜厚をμｍで表わした。
この図から広い面積にわたって膜厚が均一となっている
ことがわかる。
ことがわかる。
なお、上記実施例ではＧａＡａの成長の場合について詳
述したが、本発明は、他の半導体ＩｎＰ、 ＡｌＧａＡ
ｓ 、ＡＪＩＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＰＡｓ 、Ｚｎ５ｅ
Ｓ 。
述したが、本発明は、他の半導体ＩｎＰ、 ＡｌＧａＡ
ｓ 、ＡＪＩＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＰＡｓ 、Ｚｎ５ｅ
Ｓ 。
ＣｄＨｇＴｅ等に適用できることはいうまでもない。
（発明の効果）
本発明を１用することによシ、大面積の基板上に均一性
のよい半導体結晶層を成長させることを可能とした気相
結晶成長装置の提供が実現できる。
のよい半導体結晶層を成長させることを可能とした気相
結晶成長装置の提供が実現できる。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図、第２図（ａ
ｌ 、 （ｂｌは本発明の原理２作用を説明するための
図、第３図は気体流速と膜成長速度の関係を示すグラフ
、第４図は第１図に示した第１の実施例におけるＧａＡ
ｓ層の膜厚の場所依存性を示すグラフ、第５図は本発明
の第２の実施例を示す横断面図、第６図は第５図の第２
実施例におけるＧ ａ Ａ ｓ層の膜厚の場所依存性を
示すグラフ、第７図は従来の有機金属気相成長装置の縦
断面図、第８図は第７図の従来装置で成長し７’ｈＧａ
Ａｓ層の膜厚の場所依存性を示すグラフである。４１．
６１・・・・・・反応管、４２．６２・・・・・・サセ
プタ、４３．６３・・・・・・基板、４４．６４・・・
・・・高周波コイル、４５．６５・・・・・・境界層、
７０・・・・・・石英部材。 ζａ−） 一事 ２ 図 流速（Ｃ％ｈ） 等 ３ 面 ５已め匡（θυ 某 ４ｖ
ｌ 、 （ｂｌは本発明の原理２作用を説明するための
図、第３図は気体流速と膜成長速度の関係を示すグラフ
、第４図は第１図に示した第１の実施例におけるＧａＡ
ｓ層の膜厚の場所依存性を示すグラフ、第５図は本発明
の第２の実施例を示す横断面図、第６図は第５図の第２
実施例におけるＧ ａ Ａ ｓ層の膜厚の場所依存性を
示すグラフ、第７図は従来の有機金属気相成長装置の縦
断面図、第８図は第７図の従来装置で成長し７’ｈＧａ
Ａｓ層の膜厚の場所依存性を示すグラフである。４１．
６１・・・・・・反応管、４２．６２・・・・・・サセ
プタ、４３．６３・・・・・・基板、４４．６４・・・
・・・高周波コイル、４５．６５・・・・・・境界層、
７０・・・・・・石英部材。 ζａ−） 一事 ２ 図 流速（Ｃ％ｈ） 等 ３ 面 ５已め匡（θυ 某 ４ｖ
Claims (1)
- 反応管内に気相原料を流してその流れと表面がほぼ平
行になるように配置した基板上に結晶成長を行なう気相
結晶成長装置において、結晶成長を行なう領域で、気体
の流れの上流から下流に向かって反応管内部の気体の流
れる部分の断面積を徐々に小さくしたことを特徴とする
気相結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20021784A JPS6177696A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 気相結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20021784A JPS6177696A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 気相結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177696A true JPS6177696A (ja) | 1986-04-21 |
Family
ID=16420756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20021784A Pending JPS6177696A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 気相結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177696A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003104525A1 (ja) * | 2002-06-10 | 2003-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| JP2010138041A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 成膜装置 |
-
1984
- 1984-09-25 JP JP20021784A patent/JPS6177696A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003104525A1 (ja) * | 2002-06-10 | 2003-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| JP2010138041A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 成膜装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01125923A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6177696A (ja) | 気相結晶成長装置 | |
| JPS60112694A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPS58151397A (ja) | 気相エピタキシヤル結晶製造方法 | |
| JPS5973496A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH11513352A (ja) | 物体をエピタキシャル成長させる方法及びそのような成長のための装置 | |
| JP2733725B2 (ja) | 半導体結晶成長方法 | |
| JP3104677B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物結晶成長装置 | |
| JP3035953B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼―▲ｖ▼族化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPH02126632A (ja) | 化合物半導体結晶層の気相成長方法及びそれに用いる反応管 | |
| JPH04372118A (ja) | 非晶質半導体薄膜の製造法 | |
| JPH11513353A (ja) | 物体をエピタキシャル成長させるための方法及びそのような成長を行うための装置 | |
| JP4135543B2 (ja) | 炭化珪素結晶の成長方法 | |
| JPH0691012B2 (ja) | 半導体薄膜気相成長装置 | |
| JPS59164697A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH01206618A (ja) | 有機金属気相成長方法 | |
| JPH11152572A (ja) | ガス拡大整流器 | |
| JPS59111323A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS5854627A (ja) | 半導体結晶の気相成長方法およびその成長装置 | |
| JPS61229321A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPS63313825A (ja) | 気相エピタキシャル成長方法 | |
| JPS63122212A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH04160094A (ja) | 半導体薄膜気相成長装置 | |
| JPH0360800B2 (ja) | ||
| JPS6191099A (ja) | ＧａＡｓ気相成長方法 |