JP2010138041A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010138041A JP2010138041A JP2008317012A JP2008317012A JP2010138041A JP 2010138041 A JP2010138041 A JP 2010138041A JP 2008317012 A JP2008317012 A JP 2008317012A JP 2008317012 A JP2008317012 A JP 2008317012A JP 2010138041 A JP2010138041 A JP 2010138041A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- region
- film formation
- susceptor
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】成膜するために導入するガスが分解されないまま排気されることを抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】基板11の一方の主表面上にたとえばSiCやSiのエピタキシャル層を形成するために用いる成膜装置100の本体部30は、ガス供給部9から供給される、成膜の原料となるガスを用いて成膜を行なう成膜領域21と、成膜に用いられなかった未反応の残留ガスを分解する分解領域22とを備えている。
【選択図】図1
【解決手段】基板11の一方の主表面上にたとえばSiCやSiのエピタキシャル層を形成するために用いる成膜装置100の本体部30は、ガス供給部9から供給される、成膜の原料となるガスを用いて成膜を行なう成膜領域21と、成膜に用いられなかった未反応の残留ガスを分解する分解領域22とを備えている。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板の一方の主表面上に成膜を行なう成膜装置に関するものであり、より特定的には、成膜するために導入するガスが分解されないまま排気されることを抑制する成膜装置に関するものである。
基板の一方の主表面上にエピタキシャル層を成長させるためには、エピタキシャル層を構成する物質を含有するガスを化学反応ないし熱分解させることにより、エピタキシャル層を構成する物質を基板の一方の主表面上に堆積するCVD(Chemical Vapor Deposition)法が用いられる。
図7は、従来より用いられるCVD法を用いた成膜装置の内部の構成を示す概略断面図である。図7に示す成膜装置600の本体部30は、エピタキシャル層を成膜する対象である基板11を載置するガスチャネル7と呼ばれる空洞化された領域を内側に備えている。このガスチャネル7の外側を囲むように、基板11を保持するとともに加熱する部材としてのサセプタ5を備えている。サセプタ5の外周には断熱材3が配置される。断熱材3の外周を囲むように石英管1が配置される。石英管1には高周波コイル2が巻回されている。サセプタ5は、成膜装置600の本体の外側に備えられる石英管1に巻回された加熱部である高周波コイル2により加熱される。つまり、高周波コイル2により加熱されたサセプタ5が、サセプタ5の空洞化された領域であるガスチャネル7に配置されている基板11を加熱する。加熱された基板11に対して、図1に示すように成膜装置600の本体の外側に備えられたガス供給部9から、成膜するためのガス(形成される膜を構成する元素を含む原料ガス)をガスチャネル7に供給する。なお、断熱材3は、サセプタ5の熱を石英管1など外部に伝えることを抑制するために配置されている。
ここで、たとえばSiC(炭化珪素)やSi(シリコン)のエピタキシャル層を形成するためには、たとえば特開2003−306398号公報(以下、「特許文献1」という)に開示されているように、Siを含有するガスとしてのSiH4(シラン)ガスとC(炭素)を含有するガスとしてのC3H8(プロパン)ガスと、キャリアガスとを所定の割合で混合したガスを用いる。したがって、図7に示す成膜装置600において、基板11を加熱した状態で、ガス供給部9からSiH4やC3H8などを含むガス(原料ガス)をガスチャネル7に供給する。
特開2003−306398号広報
たとえば成膜装置600を用いてSiCのエピタキシャル成長を行なった際に、ガス供給部9からガスチャネル7に供給する、SiH4やC3H8などのガスの一部はSiCの成膜に用いられる。一方、当該ガスの他の一部はSiCの成膜に用いられることなく残留ガスとして基板11上を通過し、下流側へと流れる。しかし、ガスチャネル7はサセプタ5により加熱されているため、上記残留ガスはガスチャネル7中にて熱により分解される。それゆえ、ガスチャネル7から排気されるガスにはSiH4はほとんど含まれない。
特にガスチャネル7のうち、サセプタ5に近い領域(図7におけるガスチャネル7の上下側の、サセプタ5に近い領域)に存在するSiH4の残留ガスについては、サセプタ5の加熱によりほぼ分解される。しかし、ガスチャネル7のうち中央付近の領域(図7におけるガスチャネル7の上下方向における中央付近の領域)については、上述したサセプタ5に近い領域よりサセプタ5から離れているためにサセプタ5の熱が伝わりにくい。このため、ガスチャネル7のうち中央付近の領域に存在するSiH4の残留ガスについては、加熱が十分にされないために十分に分解されないまま排気される可能性がある。
上述した特許文献1においては、CVD法を用いた炭化珪素単結晶の製造方法において、製造装置の内部のSiH4やC3H8などの残留ガスがサセプタの内壁でパーティクルなどの異物となり成長結晶表面に付着する現象を抑制する方法が開示されている。しかし特許文献1においては、残留ガスを分解ないし反応させて別の種類のガスとした上で排気する方法については開示されていない。特許文献1においては不活性ガスを用いて製造装置の内部の残留ガスの排気を促進する方法が示されているため、成膜の際の温度条件などによっては、当該残留ガスを分解ないし反応させることなく排気しているものと推察される。このように残留ガスが分解されることなく排気される(排気ガスに残留ガスが含有される)と、排気系の配管内で当該残留ガスが反応し、トラブルの原因となることも考えられる。
本発明は、以上の問題に鑑みなされたものであり、その目的は、成膜するために導入するガスが分解されないまま排気されることを抑制する成膜装置を提供することである。
本発明に係る成膜装置は、成膜を行なうためのガスを供給するガス供給部と、成膜を行なう基板を成膜を行なうための所定の温度にするための加熱部と、ガス供給部から供給されるガスを用いて成膜を行なう成膜領域とを備えた成膜装置である。成膜装置の内部に供給されたガスを分解する分解領域をさらに備えており、分解領域は、ガスの流通方向において成膜領域の下流側に配置される。
上述したようにガスの流通方向において、成膜領域の下流側に、分解領域を備えれば、成膜領域において成膜に用いられなかった残留ガスの一部が、成膜領域において分解されなかったとしても、成膜領域の下流側に備えられた分解領域において、当該残留ガスを分解することができる。このため、最終的に成膜装置から排気されるガスには、成膜に用いたガスが分解されずに残留した成分(残留ガス)はほとんど含まれない。たとえば成膜に用いるガスとしてSiH4を用いた場合、残留ガス(成膜に用いられなかったSiH4)が分解領域において分解されるため、成膜装置から排気されるガスに、分解されなかった未反応のSiH4のガスが混入することを抑制することができる。
上述した本発明に係る成膜装置において、加熱部は、電力を供給する電力供給部と、供給された電力を熱に変えるサセプタとを含んでおり、電力供給部およびサセプタは、成膜領域から分解領域まで流通方向に連続して延在することが好ましい。電力供給源を用いて分解領域のサセプタが加熱されることにより、当該サセプタが、成膜領域から流通して分解領域に到達した未反応のSiH4などの残留ガスを加熱することになる。この結果、未反応のSiH4などの残留ガスは分解される。このため、最終的に分解領域から成膜装置の外部に排気されるガスに未反応のSiH4などの残留ガスが混入することを確実に抑制することができる。また、成膜領域から分解領域にかけての電力供給部とサセプタとが連続して延在することにより、成膜装置の構造を簡単にすることができる。
また、本発明に係る成膜装置において、電力供給部は、成膜領域に位置する部分と分解領域に位置する部分とで、独立して制御可能であることが好ましい。このようにすれば、成膜領域に位置する部分と分解領域に位置する部分との加熱温度が異なる温度となるよう、それぞれ独立に制御することができるため、成膜領域は成膜、分解領域はガスの分解、と各領域の役割を明瞭にすることができる。
また、本発明に係る成膜装置において、サセプタは、成膜領域に位置する部分と分解領域に位置する部分とが別体であることが好ましい。すなわち、上述した電力供給部と同様に、サセプタについても、成膜領域に位置する部分と分解領域に位置する部分とを別体にすることが好ましい。このようにすれば、成膜領域に位置する電力供給部と分解領域に位置する電力供給部とが成膜領域のサセプタの温度と分解領域のサセプタの温度とを独立に制御することにより、成膜領域のサセプタの温度と分解領域のサセプタの温度とを、より高い精度で独立に制御することができる。その結果、成膜領域においては成膜反応に最適な加熱温度となるよう成膜領域の熱源を制御する一方、分解領域においては残留ガスの分解に適した温度となるように分解領域の熱源を制御することが可能になる。このため、成膜条件を最適化して膜質の優れた膜を形成すると同時に、未反応の残留ガスが排気ガスに混入する可能性を低減できる。
なお、本発明に係る成膜装置において、分解領域のサセプタの、ガスの流通方向に沿った方向の長さは、成膜領域において成膜を行なう基板の主表面の最大幅の1/2以上の長さを有することが好ましい。これは、分解領域において、未反応となっている残留ガスを加熱して完全に分解するためには、分解領域のガスの流通方向に沿った方向の長さを上述した長さ以上とすることにより、残留ガスをより確実に分解することができるためである。
さらに、本発明に係る成膜装置において、サセプタは、成膜に用いるガスが流通するガスチャネルを形成している。そして、分解領域におけるガスチャネルの、ガスの流通方向に垂直な方向における第1の断面積が、成膜領域におけるガスチャネルの、ガスの流通方向に垂直な方向における第2の断面積よりも小さいことが好ましい。より具体的には、分解領域におけるガスチャネルの幅または高さが、成膜領域におけるガスチャネルの幅または高さよりも小さいことが好ましい。また、ガスチャネルの壁面はサセプタにより構成されていてもよい。具体的には、サセプタに形成された開口部によりガスチャネルが構成されていてもよい。このようにすれば、分解領域において、たとえばガスチャネルを囲むように配置されたサセプタが発生する熱は、断面積が成膜領域よりも小さくなっている分解領域のガスチャネル中を流通するガスに、成膜領域よりも効率的に伝達される。このため、分解領域においてはガスチャネル中の残留ガス(未反応ガス)をより効率よく加熱することができる。したがって、ガスチャネルの未反応ガスをより効率よく分解することができる。
さらに具体的には、分解領域におけるガスチャネルの断面積(第1の断面積)が、成膜領域におけるガスチャネルの断面積(第2の断面積)の2/3以下であるように構成すれば、より顕著に上述した効果を奏することができる。あるいは、分解領域におけるガスチャネルの断面積(第1の断面積)が、ガスの流通方向における上流側から下流側に向けて単調減少するような構成としても、同様の効果を奏することができる。
本発明の成膜装置によれば、成膜するために導入するガスが分解されないまま排気されることを抑制する成膜装置を提供することができる。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態が説明される。なお、各実施の形態において、同一の機能を果たす部位には同一の参照符号が付されており、その説明は、特に必要がなければ、繰り返さない。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係る成膜装置の構成を示す、概略断面図である。図2は、図1の線分II−IIにおける概略断面図である。図1に示す、本発明の実施の形態1に係る成膜装置100は、基板11の一方の主表面上にたとえばSiCやSiのエピタキシャル層を形成するために用いるCVD装置である。すなわち、原料となるガスを熱分解して所望の基板上に成膜するために用いる装置である。なお、ここで主表面とは、表面のうち最も大きい面積を有する部分をいうこととする。
図1は、本発明の実施の形態1に係る成膜装置の構成を示す、概略断面図である。図2は、図1の線分II−IIにおける概略断面図である。図1に示す、本発明の実施の形態1に係る成膜装置100は、基板11の一方の主表面上にたとえばSiCやSiのエピタキシャル層を形成するために用いるCVD装置である。すなわち、原料となるガスを熱分解して所望の基板上に成膜するために用いる装置である。なお、ここで主表面とは、表面のうち最も大きい面積を有する部分をいうこととする。
図1に示すように、成膜装置100は、本体部30とガス供給部9とから構成される。本体部30は、成膜を行なう基板11の主表面上に所定の膜を成膜するための、成膜装置100の主要部となる部分である。また、ガス供給部9は、成膜を行なう本体部30の内部に、成膜の原料となるガスを供給する部分である。
本体部30は大きく、ガス供給部9から供給された成膜原料となるガス(原料ガスともよぶ)を用いて成膜を行なう成膜領域21と、成膜に用いられなかった未反応の残留ガスを分解する分解領域22とを備えている。したがって、成膜を行なった後に残留ガスを分解する処理を行なうため、原料ガスは成膜領域21から分解領域22に向かって流通するように成膜装置100は構成される。すなわち、原料ガスの流通方向において、分解領域22は成膜領域21の下流側に配置されることが好ましい。図1において、ガス供給部9の矢印に示すように、後述するガスチャネル7におけるガスの流通方向は左側から右側に流れる方向である。このため図1において成膜領域21が左側に、分解領域22が右側に配置されている。成膜領域21においては成膜を行なうため、また、分解領域22においては成膜に用いられなかった残留ガスをほぼ完全に分解することで、排気されるガスに未反応の残留ガスが混合されないようにするために、所望の領域に対して加熱を行なう。このような加熱を行なうために、本体部30には高周波コイル2を外部に配置した石英管1やサセプタ5などの各加熱部材が備えられている。
図1および図2の断面図に示すように、本体部30の長軸方向に垂直な断面における中央部分に、ガス供給部9が供給するガスの流路としての、サセプタ5の中央部を空洞化することで形成されたガスチャネル7が配置されている。なお、ここで長軸方向とは、図1における左右方向、図2における奥行き方向のように、ガスの流路に沿った方向(流通方向)をいうこととする。図1および図2に示すように、基板11は成膜領域21のガスチャネル7中に配置される。なお、ガスチャネル7はサセプタ5の中央部を空洞化して形成された領域であることから、空洞化されたサセプタ5の内周面(ガスチャネル7の壁面を構成するサセプタ5の内周面)が、基板11を保持する構成となっている。
図2の断面図に示すように、ガスチャネル7の断面形状は、たとえば矩形状を有している。ガスチャネル7中でのガスの流れの状態を成膜に適したものとするため、また、基板11を均等に加熱するため、ガスチャネル7の断面は矩形状とすることが好ましい。上述したようにガスチャネル7はサセプタ5の内部に形成した空洞であることから、見方を変えれば、ガスチャネル7の外周部を囲むように、サセプタ5が長軸方向に配置されていることになる。そしてサセプタ5の外周部を囲むように、断熱材3が配置されている。図2に示すように、長軸方向に垂直な断面における断熱材3の外周形状は円形状である。断熱材3の外周を覆うように石英管1が配置されている。石英管1は図2に示すように長軸方向に垂直な断面での外周形状が円形状となっている。そして石英管1には、ガスチャネル7に導入される、成膜に用いる原料としてのガスを加熱したり、分解したりするための電力を供給する電力供給部としての高周波コイル2が、断熱材3の外周側壁の周囲を周回するように(ガスチャネル7の周囲を周回するように)配置されている。
図2の断面図に示すように、ガスチャネル7の外周部を取り囲むサセプタ5の、長軸方向に垂直な断面における外周形状は、たとえば六角形状を有している。また、石英管1は円環状を有している。図1および図2に図示しない、高周波コイル2に高周波電流を流すための電源から、石英管1に配置された高周波コイル2に高周波電流を流すと、電磁誘導作用により、高周波コイル2に囲まれた領域、すなわち図2に示す高周波コイル2の内部の領域に存在する導電性物質は誘導加熱される。ここで、基板11を加熱する部材として配置されているサセプタ5としてたとえば導電性の高純度カーボンを用いれば、サセプタ5が電磁誘導作用を受けて発熱する。
このサセプタ5は、図1に示すように成膜領域21および分解領域22の両方に配置されている。成膜領域21におけるサセプタ5が、高周波コイル2に通電することより発熱すれば、ガスチャネル7に供給された、成膜の原料としてのガスおよび基板11が加熱される。この結果、基板11の主表面上に所定の膜を形成することができる。以上のように、高周波コイル2とサセプタ5が加熱部として配置されており、これらがガスおよび基板11を、成膜を行なうための所定の温度に加熱する。
成膜領域21のガスチャネル7には、ガス供給部9により、継続的に成膜用のガスが供給される。このガスの一部は成膜領域21において加熱、分解されて、基板11の主表面上に形成される膜の材料となる。しかし、特に図2に示したガスチャネル7の中央付近の領域(図1における上下方向の中央付近)に存在するガスは、ガスチャネル7中の他の領域に位置するガスよりサセプタ5からの距離が相対的に遠いため、成膜領域21において十分に加熱されないことがある。十分に加熱されなかったガスは成膜領域21において分解されず、未反応のまま残留ガスとして分解領域22のガスチャネル7に到達する。
分解領域22においては、サセプタ5からの熱によって、ガスチャネル7中を流通する未反応のガス(残留ガス)を加熱して分解することができる。したがって、サセプタ5により発生した熱が効率よくガスチャネル7のガスに伝播する構成とすることが好ましい。このため、図2に示すように、サセプタ5の外周部は六角形状とすることが好ましい。これは、高周波コイル2の高周波電力を効率よくサセプタ5に供給できるという理由による。
また、サセプタ5の1頂点Bの近傍において、図2に示すようにサセプタ5の厚みがたとえば位置Aの近傍でのサセプタ5の厚みより厚くなっている(つまり頂点Bの近傍においては位置Aの近傍よりサセプタ5の部分の体積が大きくなっている)。この結果、頂点Bの近傍において、サセプタ5の熱容量が大きくなる。このため、図2における上下方向については、サセプタ5がガスチャネル7に供給することができる熱量が安定する。
さらに、サセプタ5の断面形状を六角形状とすれば、サセプタ5の断面形状がたとえば四角形状である場合より、サセプタ5の全体を高周波コイル2の電磁誘導作用により均一に加熱することができる。これは六角形状が左右対称かつ点対称な形状であること、六角形状からなるサセプタ5の外周面上の任意の位置から高周波コイル2までの距離の偏差が、たとえば四角形状からなるサセプタ5における当該偏差に比べて小さくなることによるものである。
サセプタ5の外周面を取り囲み、石英管1とサセプタ5とに挟まれたように配置された断熱材3は、サセプタ5において発生する熱が、石英管1から成膜装置100の外部に伝わることを抑制するために配置されている。断熱材3の材質としては、たとえば炭素繊維を用いることができる。この断熱材3をサセプタ5の外周面上に接触するように、かつサセプタ5の外周面上を取り囲むように配置する。
以上のようにガスチャネル7が形成されたサセプタ5および断熱材3を順に配置したものを、図1および図2に示す円筒状の石英管1の内部に挿入することにより、本体部30を形成している。石英管1は、上述した高周波コイル2を円環状に巻回させたものをその内部に収納している。高周波コイル2の巻回を容易にするため、石英管1は図2に示すように断面形状を円環状とすることが好ましい。ここで、円筒状の石英管1の内周面と、断熱材3の外周面との間には一定の間隙を有するようにしてもよいし、図2に示すように石英管1の内周面と断熱材3の外周面とが接触していてもよい。
上述したように、加熱部である高周波コイル2とサセプタ5とは、成膜装置100の本体部30において、成膜領域21と分解領域22との両方に配置されている。また、図1に示すように、成膜領域21と分解領域22との両方に、より具体的には成膜領域21から分解領域22まで、長軸方向に連続して延在するように、サセプタ5、ガスチャネル7、断熱材3および石英管1(高周波コイル2)が配置されている。このような構成となっているため、成膜領域21および分解領域22の両方において、ガスチャネル7中に存在するガスに対して、高周波コイル2およびサセプタ5を用いて十分な熱を与えることができる。その結果、成膜領域21においてはガスチャネル7のガスおよび基板11を成膜に必要な温度に昇温することができる。さらに、分解領域22においては、成膜領域21において成膜に用いられなかった未反応の残留ガスを十分に加熱して、当該残留ガスを分解するのに必要な温度に昇温することができる。また、成膜領域21から分解領域22にかけての高周波コイル2とサセプタ5とが連続して延在することにより、成膜装置100の構造を簡単にすることができる。
なお、図1のように成膜領域21におけるサセプタ5と、分解領域22におけるサセプタ5とは、元々別であったものを連結する構成としてもよいが、成膜領域21から分解領域22へ、長軸方向に延伸するサセプタ5を一体として形成したものを用いてもよい。このようにしても、成膜領域21のサセプタ5と分解領域22のサセプタ5とを連結した構成の成膜装置100と同様の効果を奏することができる。
ただし、上述したような一体のサセプタ5とした場合、成膜領域21と分解領域22との、長軸方向における境界の位置にサセプタ5の境界が存在しない。このため、一見成膜装置100の長軸方向における成膜領域21と分解領域22との区別が困難となる可能性がある。この場合、成膜領域21に配置された基板搭載場所(図1において図示せず)の、成膜領域21の長軸方向に関する中央点をEcとし、Ecから成膜領域21の上流端Eu(ガス供給部9から本体部30にガスが導入される入口部分)までの、成膜領域21の長軸方向に沿った長さをLとする。このとき、Euから成膜領域21の長軸方向に沿った長さ2L分を成膜領域21とし、成膜領域21と長軸方向に連続して延在した、上記2L分よりガスの下流側の領域を分解領域22と定義する。
ここで、本発明の実施の形態1における成膜装置100において、分解領域22のサセプタ5の、ガスチャネル7に供給されるガスの流通方向に沿った方向の長さ(図1におけるL2)は、成膜を行なう基板11の主表面の最大幅(図2におけるL3)の1/2以上の長さを有することが好ましい。専ら未反応のガスを分解するための領域としての分解領域22を、上述した長さ分以上設けることにより、未反応の残留ガスを完全に分解することができる。その結果、分解領域22の最下流(図1における分解領域22の右端部)から排気されるガスに、未反応の残留ガスが混合することを抑制することができる。
なお、分解領域22を構成するたとえば断熱材3や石英管1についてもサセプタ5と同様に、ガスチャネル7に供給されるガスの流通方向に沿った方向の長さ(図1におけるL2)は、成膜を行なう基板11の主表面の最大幅(図2におけるL3)の1/2以上の長さを有することが好ましい。しかし、断熱材3や石英管1については上記長さがL3の1/2以上の長さである条件を満たさなくてもよい。
以上において、上述した成膜を行なう基板11の主表面の最大幅(図2におけるL3)とは、基板11の主表面における最大の寸法を意味する。たとえばSiウェハのように、基板11の主表面が円形を示す場合には、L3とは基板11の主表面の直径のことである。また、たとえば基板11の主表面が長方形の場合には、L3とは長方形の長辺の長さのことである。
上述したように成膜装置100はCVD法を用いて基板11の主表面上に所望の膜をエピタキシャル成長させる。基板11としては、たとえばSiやSiC、SiGeなどの半導体基板を用いることができる。そして、成膜の原料としてガス供給部9から供給するガスとしては、たとえばSiH4やC3H8のほか、Si2H6やGeH4などを用いることができる。そしてこれらのそれぞれのガスを用いた場合に形成できる成膜の種類としては、たとえばSiH4を用いればSiのエピタキシャル層、SiH4とC3H8、それにキャリアガスとしてのH2(水素)を供給した場合にはSiCのエピタキシャル層やSiGeなどを挙げることができる。
(実施の形態2)
図3は、本発明の実施の形態2に係る成膜装置の構成を示す、概略断面図である。図3に示す、本発明の実施の形態2に係る成膜装置200は、上述した本発明の実施の形態1に係る成膜装置100と、基本的に同様の構造を備えている。ただし、成膜装置200は、いわゆる縦型の成膜装置であって、長軸方向、すなわちガス供給部9から供給したガスがガスチャネル7において流通する方向が鉛直方向に沿っている。すなわち、図1における成膜装置100を、図3に示すようにガスが図の上下方向に流通するよう90°回転させた構造となっている。このため、成膜装置200では、成膜領域21上に分解領域22が積層配置された状態になっている。
図3は、本発明の実施の形態2に係る成膜装置の構成を示す、概略断面図である。図3に示す、本発明の実施の形態2に係る成膜装置200は、上述した本発明の実施の形態1に係る成膜装置100と、基本的に同様の構造を備えている。ただし、成膜装置200は、いわゆる縦型の成膜装置であって、長軸方向、すなわちガス供給部9から供給したガスがガスチャネル7において流通する方向が鉛直方向に沿っている。すなわち、図1における成膜装置100を、図3に示すようにガスが図の上下方向に流通するよう90°回転させた構造となっている。このため、成膜装置200では、成膜領域21上に分解領域22が積層配置された状態になっている。
ガスが上下方向に沿った方向に(具体的には下方から上方に向けて)流通する成膜装置200においても、ガスが左右方向(水平方向)に沿った方向に流通する成膜装置100と同様に、分解領域22を設けていることにより、成膜領域21にて分解しなかった未反応のガスを、分解領域22において加熱により分解することができるという効果を奏する。なお、ガス供給部9から供給される成膜の原料としてのガスは、ガスチャネル7の下方からガスチャネル7に導入され、ガスチャネル7中を上方に向けて流通する。したがって図3に示す成膜装置200のように、ガスの上流側に位置する成膜領域21が下側に、ガスの下流側に位置する分解領域22が上側になるように配置することが好ましい。
本発明の実施の形態2は、上述した各点においてのみ、本発明の実施の形態1と異なる。すなわち、本発明の実施の形態2において、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態1に順ずる。
(実施の形態3)
図4は、本発明の実施の形態3に係る成膜装置の構成を示す、概略断面図である。図4に示す、本発明の実施の形態3に係る成膜装置300は、上述した本発明の実施の形態1に係る成膜装置100と、基本的に同様の構成を備えている。ただし、図4に示すように成膜装置300は、分解領域22におけるガスチャネル7の、ガスの流通方向に垂直な方向における断面積(図2におけるガスチャネル7の面積に相当するもの)が、成膜領域21におけるガスチャネル7の、ガスの流通方向に垂直な方向における断面積よりも小さくなっている。以上の点においてのみ、成膜装置300は成膜装置100と異なっている。
図4は、本発明の実施の形態3に係る成膜装置の構成を示す、概略断面図である。図4に示す、本発明の実施の形態3に係る成膜装置300は、上述した本発明の実施の形態1に係る成膜装置100と、基本的に同様の構成を備えている。ただし、図4に示すように成膜装置300は、分解領域22におけるガスチャネル7の、ガスの流通方向に垂直な方向における断面積(図2におけるガスチャネル7の面積に相当するもの)が、成膜領域21におけるガスチャネル7の、ガスの流通方向に垂直な方向における断面積よりも小さくなっている。以上の点においてのみ、成膜装置300は成膜装置100と異なっている。
上述したように、たとえば本発明の実施の形態1に係る成膜装置100においても、成膜領域21において成膜に用いられず、かつ加熱により分解もされなかった未反応の残留ガスは、成膜領域21の下流側に配置されている分解領域22のガスチャネル7を流通する間に、分解領域22のサセプタ5からの熱により加熱、分解される。この分解領域22の、流路に沿った方向の長さ(図1におけるL2)を十分に設けることにより、分解領域22において残留ガスを確実に分解することができる。ここで分解領域22のガスチャネル7において、未反応の残留ガスをより確実に加熱して分解するため、分解領域22におけるガスチャネル7の断面積を、成膜領域21におけるガスチャネル7の断面積よりも小さくする。
分解領域22におけるガスチャネル7の断面積を小さくすることにより、分解領域22において、サセプタ5表面からの距離が相対的に遠いと考えられる、ガスチャネル7の上下方向の中央付近(ガスの流通方向に垂直な断面における中央付近)に存在するガスについても、サセプタ5表面までの距離を縮めることができる。したがって、ガスチャネル7の断面においてサセプタ5表面近傍からガスチャネル7の中央部にまで、サセプタ5からの熱を確実に伝えることができる。この結果、分解領域22においてガスチャネル7を流通する未反応の残留ガスのすべてに対して、確実にサセプタ5の熱を伝播させ、当該残留ガスを分解することができる。このため、より確実に、未反応の残留ガスが成膜装置100の外部に排気されるという問題の発生を抑制できる。
なお、上述した、分解領域22のガスチャネル7における残留ガスを確実に分解するための熱をガスチャネル7の断面全体に(ガスチャネル7の断面における端部から中央部にまで)伝えるという効果を奏するためには、分解領域22におけるガスチャネル7の断面積は、成膜領域21におけるガスチャネル7の断面積の2/3以下とすることが好ましい。一方、分解領域22におけるガスチャネル7の断面積があまり小さくなると、分解領域22における圧力損失が大きくなり、ガスの流れが妨げられる恐れもある。そのため、分解領域22におけるガスチャネル7の断面積は、成膜領域21におけるガスチャネル7の断面積の1/3以上とすることが好ましい。
また、分解領域22におけるガスチャネル7の断面積を成膜領域21におけるガスチャネル7の断面積に比べて小さくするためには、図4に示すように、ガスチャネル7の領域の上下方向の幅(高さ)を小さくすることが好ましい。このようにすれば、横方向の幅を小さくする場合よりも、基板11の本体部30への出し入れが容易になるという効果をえることができる。
また、分解領域22におけるガスチャネル7の断面積を成膜領域21におけるガスチャネル7の断面積より小さくする場合には、分解領域22におけるガスチャネル7の高さとともに幅も成膜領域21より狭くするようにしてもよい。
なお、上述した本発明の実施の形態2に係る、図3に示したようなガスの流通方向が上下方向である成膜装置200に対して、成膜装置300のように、分解領域22におけるガスチャネル7の断面積を小さくした構造を適用することもできる。
本発明の実施の形態3は、上述した各点においてのみ、本発明の実施の形態1と異なる。すなわち、本発明の実施の形態3において、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態1に順ずる。
(実施の形態4)
図5は、本発明の実施の形態4に係る成膜装置の構成を示す、概略断面図である。図5に示す、本発明の実施の形態4に係る成膜装置400は、上述した本発明の実施の形態1に係る成膜装置100や、本発明の実施の形態3に係る成膜装置300と、基本的に同様の態様を備えている。ただし、図5に示すように成膜装置400は、分解領域22におけるガスチャネル7の断面積が、ガスの流通方向における上流側から下流側(図の左側から右側)に向けて単調減少している。異なる観点から言えば、分解領域22ではガスチャネル7の側壁は上流側から下流側に向けて、ガスチャネル7の中央部に近づくようにテーパー状に形成されている。以上の点においてのみ、成膜装置400は成膜装置100と異なっている。
図5は、本発明の実施の形態4に係る成膜装置の構成を示す、概略断面図である。図5に示す、本発明の実施の形態4に係る成膜装置400は、上述した本発明の実施の形態1に係る成膜装置100や、本発明の実施の形態3に係る成膜装置300と、基本的に同様の態様を備えている。ただし、図5に示すように成膜装置400は、分解領域22におけるガスチャネル7の断面積が、ガスの流通方向における上流側から下流側(図の左側から右側)に向けて単調減少している。異なる観点から言えば、分解領域22ではガスチャネル7の側壁は上流側から下流側に向けて、ガスチャネル7の中央部に近づくようにテーパー状に形成されている。以上の点においてのみ、成膜装置400は成膜装置100と異なっている。
成膜装置400においても、成膜装置300と同様に、分解領域22におけるガスチャネル7の断面積を成膜領域21のガスチャネル7に比べて小さくすることにより、分解領域22におけるガスチャネル7において、未反応の残留ガスに対して確実に熱を伝播することを可能としている。
また、成膜装置300のように、成膜領域21と分解領域22とのガスチャネル7の断面積をステップ状に変化させた場合、ガスチャネル7を流通するガスが成膜領域21と分解領域22との境界におけるステップにて乱流を起こす可能性がある。しかし、図5に示した成膜装置400では、分解領域22において上流側でのガスチャネル7の断面積は成膜領域21のガスチャネル7の断面積と同じであり、分解領域22において当該断面積が徐々に小さくなっている。このため、成膜領域21と分解領域22との境界部で乱流が発生する可能性を低減できる。したがって、ガスの流れが乱れて基板11上に形成される膜の膜質に影響が及ぶといった問題の発生を抑制できる。
なお、上述した本発明の実施の形態2に係る、図3に示したガスの流通方向が上下方向である成膜装置200に対して、成膜装置400のように、分解領域22におけるガスチャネル7の断面積を徐々に小さくした構造を用いてもよい。
本発明の実施の形態4は、上述した各点においてのみ、本発明の実施の形態3と異なる。すなわち、本発明の実施の形態4において、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態1または3に順ずる。
(実施の形態5)
図6は、本発明の実施の形態5に係る成膜装置の構成を示す、概略断面図である。図6に示す、本発明の実施の形態5に係る成膜装置500は、上述した本発明の実施の形態1に係る成膜装置100と、基本的に同様の態様を備えている。ただし、図6に示すように成膜装置500は、電力供給部としての高周波コイル2が、成膜領域21に位置するコイル23と分解領域22に位置するコイル24とに分かれており、これらは独立して制御できる、すなわちコイル23とコイル24とが別々に、サセプタ5の別の領域を加熱することができる構成となっている。より具体的には、コイル23は成膜領域21のサセプタ5に電力を供給して加熱し、コイル24は分解領域22のサセプタ5に電力を供給して加熱する。
図6は、本発明の実施の形態5に係る成膜装置の構成を示す、概略断面図である。図6に示す、本発明の実施の形態5に係る成膜装置500は、上述した本発明の実施の形態1に係る成膜装置100と、基本的に同様の態様を備えている。ただし、図6に示すように成膜装置500は、電力供給部としての高周波コイル2が、成膜領域21に位置するコイル23と分解領域22に位置するコイル24とに分かれており、これらは独立して制御できる、すなわちコイル23とコイル24とが別々に、サセプタ5の別の領域を加熱することができる構成となっている。より具体的には、コイル23は成膜領域21のサセプタ5に電力を供給して加熱し、コイル24は分解領域22のサセプタ5に電力を供給して加熱する。
このように、成膜領域21のサセプタ5の加熱温度と分解領域22のサセプタ5の加熱温度とを独立に制御できるようにすれば、成膜領域21においては成膜反応に最適な加熱温度となるよう成膜領域21の高周波コイル2に投入される電力を制御する一方、分解領域22においては残留ガスの分解に適した温度となるように分解領域22の高周波コイル2に投入される電力を制御することが可能になる。より具体的には、分解領域22のサセプタ5の加熱温度を成膜領域21のサセプタの加熱温度よりも高くなるように制御することができる。
成膜装置500においても、上述した各実施の形態に係る成膜装置と同様に、成膜領域21において成膜に用いられず、かつ加熱により分解もされなかった未反応の残留ガスを分解領域22のガスチャネル7において分解できる。また、成膜装置500においては、たとえば分解領域22のサセプタ5の加熱温度を成膜領域21の加熱温度よりも高くなるように調整することができる。このようにすれば、たとえばサセプタ5の熱が伝播しにくい、分解領域22のガスチャネル7の中央付近の領域(図6における上下方向の中央付近)に存在する、未反応の残留ガスも十分に加熱することができる。その結果、熱が伝わりにくい領域(ガスチャネル7の中央付近の領域)に存在する残留ガスについても十分に加熱し、確実に分解することができる。
なお、本発明の実施の形態5における成膜装置500においても、分解領域22におけるサセプタ5は、成膜領域21におけるサセプタ5と、長軸方向に関して連結されていてもよい。また、成膜領域21におけるサセプタ5の加熱温度と分解領域22におけるサセプタ5の加熱温度とを独立に制御することが可能であるので、成膜装置500において、成膜領域21のサセプタ5と分解領域22のサセプタ5とを一体としたものを用いてもよい。ただし、成膜装置500においては、成膜領域21におけるサセプタ5と分解領域22におけるサセプタ5とが別体であることがより好ましい。このようにすれば、成膜領域21におけるコイル23は成膜領域21におけるサセプタ5を、分解領域22におけるコイル24は分解領域22におけるサセプタ5を、それぞれ独立に、より効率よく加熱することができる。
また、成膜装置500のように、成膜領域21のサセプタ5と分解領域22のサセプタ5との加熱温度を独立に制御できる構成を、たとえば上述した成膜装置200、300、400のいずれかに組み合わせて用いてもよい。たとえば上述した本発明の実施の形態3に係る成膜装置300に対して、成膜領域21のサセプタ5と分解領域22のサセプタ5との加熱温度を独立に制御できる構成を導入する。このようにすれば、分解領域22のガスチャネル7における未反応の残留ガスは、断面積が小さくなっていることと、分解領域22でのサセプタ5の加熱温度を成膜領域21でのサセプタ5の加熱温度よりも高くすることとの相乗効果により、成膜装置300よりもさらに確実に、未反応の残留ガスを加熱して完全に分解することができる。
本発明の実施の形態5は、上述した各点においてのみ、本発明の実施の形態1と異なる。すなわち、本発明の実施の形態5において、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態1に順ずる。
今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上述した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明は、成膜装置において、成膜するために導入するガスが分解されないまま排気されることを抑制する技術として、特に優れている。
1 石英管、2 高周波コイル、3 断熱材、5 サセプタ、7 ガスチャネル、9 ガス供給部、11 基板、21 成膜領域、22 分解領域、23,24 コイル、30 本体部、100,200,300,400,500,600 成膜装置。
Claims (8)
- 成膜を行なうためのガスを供給するガス供給部と、
成膜を行なう基板を成膜を行なうための所定の温度にするための加熱部と、
前記ガス供給部から供給されるガスを用いて成膜を行なう成膜領域とを備えた成膜装置であって、
前記成膜装置の内部に供給された前記ガスを分解する分解領域をさらに備えており、
前記分解領域は、前記ガスの流通方向において前記成膜領域の下流側に配置される、成膜装置。 - 前記加熱部は、
電力を供給する電力供給部と、
供給された電力を熱に変えるサセプタとを含んでおり、
前記電力供給部および前記サセプタは、前記成膜領域から前記分解領域まで前記流通方向に連続して延在する、請求項1に記載の成膜装置。 - 前記電力供給部は、前記成膜領域に位置する部分と前記分解領域に位置する部分とで、独立して制御可能である、請求項2に記載の成膜装置。
- 前記サセプタは、前記成膜領域に位置する部分と前記分解領域に位置する部分とが別体である、請求項2または3に記載の成膜装置。
- 前記分解領域の前記サセプタの、前記ガスの流通方向に沿った方向の長さは、前記成膜領域において成膜を行なう前記基板の主表面の最大幅の1/2以上の長さを有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記サセプタは、前記ガスが流通するガスチャネルを形成しており、
前記分解領域における前記ガスチャネルの、前記ガスの流通方向に垂直な方向における第1の断面積は、前記成膜領域における前記ガスチャネルの、前記ガスの流通方向に垂直な方向における第2の断面積よりも小さい、請求項1〜5のいずれか1項に記載の成膜装置。 - 前記第1の断面積は、前記第2の断面積の2/3以下である、請求項6に記載の成膜装置。
- 前記第1の断面積が、前記ガスの流通方向における上流側から下流側に向けて単調減少する、請求項6または7に記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008317012A JP2010138041A (ja) | 2008-12-12 | 2008-12-12 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008317012A JP2010138041A (ja) | 2008-12-12 | 2008-12-12 | 成膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010138041A true JP2010138041A (ja) | 2010-06-24 |
Family
ID=42348508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008317012A Pending JP2010138041A (ja) | 2008-12-12 | 2008-12-12 | 成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010138041A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012017502A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | カーボン膜成膜装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS537171A (en) * | 1976-07-09 | 1978-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | Vapor phase growth apparatus |
JPS53105370A (en) * | 1977-02-25 | 1978-09-13 | Hitachi Ltd | Vapor phase growing unit |
JPS6177696A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-21 | Nec Corp | 気相結晶成長装置 |
JPH0574712A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 有機金属気相成長装置 |
JP2007173467A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Toyota Motor Corp | 半導体薄膜製造装置 |
JP2008235438A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Hitachi Cable Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
-
2008
- 2008-12-12 JP JP2008317012A patent/JP2010138041A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS537171A (en) * | 1976-07-09 | 1978-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | Vapor phase growth apparatus |
JPS53105370A (en) * | 1977-02-25 | 1978-09-13 | Hitachi Ltd | Vapor phase growing unit |
JPS6177696A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-21 | Nec Corp | 気相結晶成長装置 |
JPH0574712A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 有機金属気相成長装置 |
JP2007173467A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Toyota Motor Corp | 半導体薄膜製造装置 |
JP2008235438A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Hitachi Cable Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012017502A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | カーボン膜成膜装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9039411B2 (en) | Thermal treatment apparatus | |
JP6026351B2 (ja) | 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置 | |
US9644286B2 (en) | Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus | |
JP4423205B2 (ja) | サセプタ・システム、及び、サセプタ・システムを含む装置 | |
JP2016154223A (ja) | Cvd装置および化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法 | |
JP2010138041A (ja) | 成膜装置 | |
JP7190894B2 (ja) | SiC化学気相成長装置 | |
JP2014123617A (ja) | 炭化珪素基板の製造方法および製造装置 | |
JP2010153483A (ja) | 成膜装置、及び、成膜方法 | |
US11424147B2 (en) | Deposition apparatus having particular arrangement of raw material supply port, partition plate, and opening for measuring a temperature | |
JP2007335800A (ja) | 半導体薄膜の製造方法および製造装置 | |
JP7175169B2 (ja) | SiCエピタキシャル成長装置 | |
JP5251720B2 (ja) | 化学気相成長半導体膜形成装置および化学気相成長半導体膜形成方法 | |
JP5192954B2 (ja) | 連続薄膜の形成方法、形成装置、成膜ガラス基板及び半導体素子 | |
JP2011132083A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置およびそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP2012059784A (ja) | 半導体薄膜製造装置及び窒化物半導体の製造方法 | |
JP2013256401A (ja) | 単結晶の製造装置 | |
JP4682001B2 (ja) | 水晶薄膜の製造装置 | |
JP2009246071A (ja) | 基板処理装置,基板処理方法 | |
KR20080017364A (ko) | 실리콘 화합물의 형성방법 | |
KR100603215B1 (ko) | 이중 가스 주입장치를 갖는 고온 화학 기상 증착 장치 | |
KR100695536B1 (ko) | 이중 기판을 갖는 화학기상증착 장치 | |
JP2017011183A (ja) | 炭化珪素半導体のエピタキシャル成長装置 | |
JP2007035727A (ja) | 気相成長装置およびそれを用いた気相成長方法 | |
WO2019188248A1 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110822 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20120817 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120821 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121218 |