JPS6175564A - ｎ型ＧａＡｌＡｓ用オ−ミツク電極 - Google Patents
ｎ型ＧａＡｌＡｓ用オ−ミツク電極Info
- Publication number
- JPS6175564A JPS6175564A JP19750384A JP19750384A JPS6175564A JP S6175564 A JPS6175564 A JP S6175564A JP 19750384 A JP19750384 A JP 19750384A JP 19750384 A JP19750384 A JP 19750384A JP S6175564 A JPS6175564 A JP S6175564A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- type gaalas
- ohmic electrode
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005275 alloying Methods 0.000 abstract description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はｎ型ＧａＡｌＡｓ 用オーミック電極に関する
。
。
（ロ）従来の技術
従来、ｎをＧａＡｌＡｓ 用オーミック電極としては５
ｏｔｉｄ−５ｔａｔｅ ＥｔｅＣｔｒｏｎｉＣｓ、 １
９７５．Ｖｏｔ、 １８ 。
ｏｔｉｄ−５ｔａｔｅ ＥｔｅＣｔｒｏｎｉＣｓ、 １
９７５．Ｖｏｔ、 １８ 。
ｐｐ５４１−５５０ の特にＴａｂｌｅ ２．に開示さ
れている如（Ａｕ−Ｇｅ −Ｎ ｉ 、 Ａｕ −５ｎ
等が用いられている。
れている如（Ａｕ−Ｇｅ −Ｎ ｉ 、 Ａｕ −５ｎ
等が用いられている。
然るにこれら材料の合金化温度は通常４５０℃以上必要
であり、実験室等で基板の表面状台を最高条件にしたと
しても４００℃が低温の限界であった。
であり、実験室等で基板の表面状台を最高条件にしたと
しても４００℃が低温の限界であった。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
本来、オーミック電極の合金化温度は低ければ半導体素
子に手える熱的影響が小となる。この点に鑑みて発明で
は４００℃以下の温度条件で合金化処理ができ、かつそ
の接触抵抗も実用に充分なる程度のｎ型Ｇ ａ ＡｔＡ
ｓ 用オーミック電極を提供せんとするものである。
子に手える熱的影響が小となる。この点に鑑みて発明で
は４００℃以下の温度条件で合金化処理ができ、かつそ
の接触抵抗も実用に充分なる程度のｎ型Ｇ ａ ＡｔＡ
ｓ 用オーミック電極を提供せんとするものである。
し）問題点を解決するだめの手段
本発明のｎ型Ｇ ａ ＡｔＡ ｓ 用オーミック電極の
特徴はＡｕ、Ｓｎ％Ｃｒからなることにある。
特徴はＡｕ、Ｓｎ％Ｃｒからなることにある。
（ホ）作 用
このように構成するとＣｒがｎ型ＧａＡｌＡｓ表面に形
成された自然酸化膜を還元し、夫質的に暎を消滅せしめ
、Ｓｎのｎ型ＧａＡｌＡｓ 中への拡散をたすけること
となる。
成された自然酸化膜を還元し、夫質的に暎を消滅せしめ
、Ｓｎのｎ型ＧａＡｌＡｓ 中への拡散をたすけること
となる。
（へ）実施例
第１図は本発明の一実施例を示し、キャリア濃度が１０
１９ンー で厚さが２５０／Ａｍのｐ？ＧａＡｓ基板（
１）の−主面上にキャリア濃度が１０１８／ｃ−で層厚
が２５μｍのｐｕＧａＯ，５５Ａｔ０．４５ΔＳからな
る９層（２）、キャリア濃度が５ｙ１０１６〜ｌＸ１０
１ｓ／−で層厚が２０μｍのｎ型Ｑａ Ｏ，５５ＡｔＯ
，６５Ａｓからなるｎ層（３）を１唄次槓層してなる半
導体発光ダイオードチップのｎ層（３）上に形成される
ｎ側電極（４）に本発明を適用したものである。祈る電
極１４１は共ｎ層（６）及び３０００Ａ厚のＡｕｎ層７
１を順次積層し加熱処理したものである。また上記基板
（１）裏面に形成されたｐ側電極１８）としては周知の
Ａｕ−Ｃｒ合金を用いた。
１９ンー で厚さが２５０／Ａｍのｐ？ＧａＡｓ基板（
１）の−主面上にキャリア濃度が１０１８／ｃ−で層厚
が２５μｍのｐｕＧａＯ，５５Ａｔ０．４５ΔＳからな
る９層（２）、キャリア濃度が５ｙ１０１６〜ｌＸ１０
１ｓ／−で層厚が２０μｍのｎ型Ｑａ Ｏ，５５ＡｔＯ
，６５Ａｓからなるｎ層（３）を１唄次槓層してなる半
導体発光ダイオードチップのｎ層（３）上に形成される
ｎ側電極（４）に本発明を適用したものである。祈る電
極１４１は共ｎ層（６）及び３０００Ａ厚のＡｕｎ層７
１を順次積層し加熱処理したものである。また上記基板
（１）裏面に形成されたｐ側電極１８）としては周知の
Ａｕ−Ｃｒ合金を用いた。
第２図中○印は本実施例において上記ｎ側電極１４１の
合金化（アロイ）温度と順方向電流２０ｍＡの でＡＶＦ（順方向電圧〕との関係を示し、徒だ図中△印
は本実施例におけるｎ側電極１４１に換えて所る電極を
Ａｕ−Ｓｎ合金で構成した際のその合金比況の 度と１順方向電流２０ｍＡで、ＶＦ との関係を示す。
合金化（アロイ）温度と順方向電流２０ｍＡの でＡＶＦ（順方向電圧〕との関係を示し、徒だ図中△印
は本実施例におけるｎ側電極１４１に換えて所る電極を
Ａｕ−Ｓｎ合金で構成した際のその合金比況の 度と１順方向電流２０ｍＡで、ＶＦ との関係を示す。
尚、このときの合金化時間は５分間とした。
第２図より明らかな如く、従来の電極では合金化温度が
４００℃以下ではＶＦが急激に立上がるのに対し、本実
施例では上記温度が４００℃以下で３００℃程度までＶ
Ｆを２．Ｏｖ以下に抑えることができる。
４００℃以下ではＶＦが急激に立上がるのに対し、本実
施例では上記温度が４００℃以下で３００℃程度までＶ
Ｆを２．Ｏｖ以下に抑えることができる。
第６図中○印は本実施例においてｎ層（３）のＡ７１゜
モル比と順方向電流２０ｍＡでのＶＦ との関係を示し
、また図中×印は本実施例におけるｎ側電極をＡｕ−Ｓ
ｎ合金で構成した際のｎ層（３）のモル比と順方向電流
２０ｍ１でのＶＦ との関係を示す。尚、上記ｎ層の合
金化条件は４００℃、５分間としだ。
モル比と順方向電流２０ｍＡでのＶＦ との関係を示し
、また図中×印は本実施例におけるｎ側電極をＡｕ−Ｓ
ｎ合金で構成した際のｎ層（３）のモル比と順方向電流
２０ｍ１でのＶＦ との関係を示す。尚、上記ｎ層の合
金化条件は４００℃、５分間としだ。
第６図より明らかな如く、従来のＡｕ−Ｓｎ合金を用い
た電極ではＡｔモル比が０．５以上となると１唄方向電
圧ＶＦが急激に増大するのに対して、本実施例の電極で
ｌ’ＪＡｔモル比が０．５以上となっても順方同市１１
ＥＶＦ の急激な増大は見られず、このＶＦ を２．０
■以内に納めることが用能である。
た電極ではＡｔモル比が０．５以上となると１唄方向電
圧ＶＦが急激に増大するのに対して、本実施例の電極で
ｌ’ＪＡｔモル比が０．５以上となっても順方同市１１
ＥＶＦ の急激な増大は見られず、このＶＦ を２．０
■以内に納めることが用能である。
尚、本実施例ではＣｒ層（５）、Ｓｎ層（６）及びＡｕ
２００八以下が好ましく ２００Ａ以上では接融抵抗が
増大することが確認されている。また、Ｓｎ層（６）は
その層１９が６００Ａ〜４００λが最適７ありこの範囲
外では接触抵抗が増大することが確認されている。更に
Ａｕ １ｍ＋７１の層厚は６０００λ程度が好適である
ことが確認されている。
２００八以下が好ましく ２００Ａ以上では接融抵抗が
増大することが確認されている。また、Ｓｎ層（６）は
その層１９が６００Ａ〜４００λが最適７ありこの範囲
外では接触抵抗が増大することが確認されている。更に
Ａｕ １ｍ＋７１の層厚は６０００λ程度が好適である
ことが確認されている。
また、本実施例では各電極層を層状に形成したがＳｎ層
（６）とＡｕｎ層７＋とをＡｕ−Ｓｎ合金としても良い
。
（６）とＡｕｎ層７＋とをＡｕ−Ｓｎ合金としても良い
。
（ト）発明の効果
本発明のオーミック電極はその合金化温度が４００℃以
下であっても充分なオーミック接鯵が得られるため、そ
の合金化時に半導体素子に与える熱的影響が従来に比し
て小さくなる。従って本発明はＧａＡ４Ａｓ を材料と
する半導体レーザ、ＬＥＤ、ＦＥＴ、太陽電池等に広く
適用できる。
下であっても充分なオーミック接鯵が得られるため、そ
の合金化時に半導体素子に与える熱的影響が従来に比し
て小さくなる。従って本発明はＧａＡ４Ａｓ を材料と
する半導体レーザ、ＬＥＤ、ＦＥＴ、太陽電池等に広く
適用できる。
図は本発明の実施例を示し、第１図は断ｎｏ図、第２図
及び第６図は特性図である。 （３１−ｎ層、！５１ ＝ Ｃｒ層、１６１−＝ Ｓ
ｎ層、１７） ＝Ａｕ層。
及び第６図は特性図である。 （３１−ｎ層、！５１ ＝ Ｃｒ層、１６１−＝ Ｓ
ｎ層、１７） ＝Ａｕ層。
Claims (1)
- （１）Ａｕ、Ｓｎ、Ｃｒからなることを特徴とするｎ型
ＧａＡｌＡｓ用オーミック電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19750384A JPS6175564A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | ｎ型ＧａＡｌＡｓ用オ−ミツク電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19750384A JPS6175564A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | ｎ型ＧａＡｌＡｓ用オ−ミツク電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6175564A true JPS6175564A (ja) | 1986-04-17 |
| JPH0412630B2 JPH0412630B2 (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=16375553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19750384A Granted JPS6175564A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | ｎ型ＧａＡｌＡｓ用オ−ミツク電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6175564A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2177357A2 (en) | 2008-08-29 | 2010-04-21 | Fujifilm Corporation | Negative-working lithographic printing plate precursor and method of lithographic printing using same |
-
1984
- 1984-09-20 JP JP19750384A patent/JPS6175564A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2177357A2 (en) | 2008-08-29 | 2010-04-21 | Fujifilm Corporation | Negative-working lithographic printing plate precursor and method of lithographic printing using same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0412630B2 (ja) | 1992-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7087933B2 (en) | Light-emitting semiconductor device and method of fabrication | |
| TWI274429B (en) | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof | |
| JP3299145B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体のｐ型電極およびその形成方法 | |
| JP2000164928A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2006287226A (ja) | はんだ結合を形成するために規定された層列を有する半導体チップ及び支持体と半導体チップとの間にはんだ結合を形成するための方法 | |
| US20070114515A1 (en) | Nitride semiconductor device having a silver-base alloy electrode | |
| US20210226095A1 (en) | Light-emitting diode and manufacturing method thereof | |
| JPS6112070A (ja) | Ｉｎを基礎とした３―５族化合物デバイスへの白金電極 | |
| JP4298861B2 (ja) | ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード | |
| JP3746569B2 (ja) | 発光半導体素子 | |
| JP2004146539A (ja) | 発光素子の製造方法及び発光素子 | |
| JPH0645651A (ja) | ｎ型ＳｉＣ用電極とその形成方法 | |
| JP3997523B2 (ja) | 発光素子 | |
| JP3363343B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH08264900A (ja) | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6175564A (ja) | ｎ型ＧａＡｌＡｓ用オ−ミツク電極 | |
| JPH08306643A (ja) | ３−５族化合物半導体用電極および発光素子 | |
| JPH11150302A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JPS62155562A (ja) | ３−５族化合物半導体素子の電極構造 | |
| JPH03184377A (ja) | 化合物半導体用電極 | |
| JP2006332610A (ja) | 発光素子の製造方法及び発光素子 | |
| JPH0658897B2 (ja) | ｎ型ＧａＡｓ及びｎ型ＧａＡ▲ｌ▼Ａｓ用オーミック電極の製造方法 | |
| JPH02114675A (ja) | 半導体発光素子ならびにその製造方法 | |
| JPS62234369A (ja) | ３−ｖ族化合物半導体素子の電極構造 | |
| JPS6342535Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |