JPS6170538A - 薄膜型光学素子およびその作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、薄膜型光学素子およびその作製方法に関する
ものである。

〔従来技術〕

従来、薄膜型即ち、光導波路を用いた光学稟ｆ−を光偏
向器、光変調巽、スペクトラム７ナライヂー、相関器、
光スィッチ等に応用する研究が盛んに行なわれている。

このような薄膜型光学入子は、光導波路の屈折率を音響
光学（ＡＯ）効果或いは電気光学（ＥＯ）効果等の外的
作用により変化せしめ、この光導波路内を伝播する光を
庭調又は偏向させるものである。上記光学素子を形成す
る場合の基板としては、圧電性、音饗光学効果及び電気
光学効果に優れ、かつ光体Ｗ損失が少ないニオブ酸リチ
ウム（以下ＬｉＮ　ｂｏ３と記す）結晶及びタンタル酸
リチウム（以下ＬｉＴａＯ３と記す）結晶が広く用いら
れている。この様な結晶基板を用いて、薄膜光４波路を
作製する代表的な方法として、チタン（以下Ｔｉと記す
）を前記結晶基板表面に、高温で熱拡散することにより
、該結晶基板表面に、基板の屈折率よりわずかに大きな
屈折率を有する光導波路層を形成する方法がある。しか
し、この方法により作製された薄膜光導波路は、光学損
傷を受は易く、非富に小さいパワーの光しか該導波路に
導入できないという欠点がある。ここで光学損傷とは、
「光導波路に入力する光強度を増大していったとさに、
該光導波路内を伝播し外部に取り出される光の強度が、
散乱によって＋ｉｉｉ記入力光入力光強度して増大しな
くなる現象」を占う。

また、光学損傷を改善する光る波路の他の作製方法とし
て、イオン交換法が知られている。

この方法は、硝醜タリウム（以下ＴＩ　Ｎｏ　３と記す
）、ｒ／１酸銀（以下ＡｇＮＯ３と記す）、硝酸カリウ
ム（以下ＫＮＯ３と記す）等のＲ融塩中又は、安ｊ、香
酸（Ｃ６Ｈ５ＣＯＯＨ）等の弱酸中で、ＬｉＮｂＯ３又
は、ＬｉＴａＯ３の結晶ノ、（板を低温熱処理すること
により、該結晶基根内のリチウムイオン（Ｌ　ｉ　”）
が弱酸中ノプロトン（Ｈ”）等のイオン種と交換され、
大きなに＋（折率差（ムｈ−Ｑ、１２）をもっ光導波路
層が形成されるものである。」−記イオン交換法により
ｔ’＋製された薄膜光導波路の光学損傷のしきいイーｌ
よ、ＴＩ拡散のものより数１０倍程度向上する良い特性
をもつ反面、Ｌ記イオン交換処理によってＬｉＮｂＯ３
、ＬｉＴａＯ３結晶固有の圧電性やｆ気光学特性が低下
し、９１えば光偏向＝に用いる場合、導波光の回折効率
が下がるという問題点を有していた。

どころで　光偏向器、光変調器を光に升効果６　’＋Ｍ
気光学効果を利用して実現しようとする場ｊ？、Ｉｔ！
ｆ記各効果の効率を」、げろことが素子形成において重
要になる。光；び１果を利用する代表例としては、光導
波路上にホトリソグラフィーで作製したくし型電極に高
周波電界を印加し、光導波路上に弾性表面波を励起させ
る方法がある。この場合、光導波路上に励起された弾性
表１１１ｉ波と光導波路中を伝播する導波光との相互作
用は、導波光のエネルギー分４１が基板表面近傍に閉じ
込められるほど増大することが知られテイル、　　（Ｃ
，Ｓ、Ｔｓａｉ、ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳＡＣＴｒＯＮＳ
ＯＮ　ＣＩＲＣＵＩＴＳ　ＡＮＤ　ＳＹＳＴＥＭＳ、Ｖ
ＯＬ、ＣＡＳ−２６、１２，１９７９） −・力、　＋ｉｉ＋述のようなの光導波路に導波光を入
出力する場合、半導体レーザ或いは光ファイバＴから光
導波路漏血を介して行なっている。この場合光の結合効
率を高める為には、導波光の工２ルキー分４１は光ファ
イバ雰の光エネルギー？）　／１＋に合わせて、基板の
１’／さ方向に広がっている必゛政がある。

このように、導波光を人出力せしめる光結合部と、導波
光を変調、偏向せしめる光機能部とでは求められる導波
光のエネルギー分布が異なる為、従来の咥！ｉ膜型光学
λ子では、高効率の変調、偏向と、高結合効率とを同時
に満足することは難かしかった。また、この問題の解決
法として、光導波路をチタンの拡散によって形成する場
合には、光結合部と光機能部とでチタンの拡１１をＣ度
を異ならしめる方法が提案されている。

〔近藤充和、小松啓部、太＋１Ｊ義徳”８４春期ｊ乙物
講演会″Ｐ稿３１ａ−に−７及び同著名７ＬｈＴｏｐｔ
ｉｃａｌ　Ｍｅｅｔｉｎｇ　ｏｎ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅ
ｄａｎｄ　Ｇｕｉｄｅ、ｄ−Ｗａｖｅ　０ｐｔｉｃｓ　
ＴｕＡ５−１）しかしながら、前述のようにイオン注入
によって光導波路を形成する場合には、上記問題を解決
するイ１効な手段が知られていなかった。

〔）Ｂ＋３＋１の５１波〕 Ｋ完＋１１Ｊの「１的は、光７　Ｊｉｊ　１４５のしき
い値が十分高パ、シかも導波光の入出力の際の結合効率
が高く、かつ効率良く光の変調又は偏向を行なう薄膜型
光学素子およびその作製方法を提供することにある。

本発明は、素子を形成するニオブ酸リチウム結晶基板又
はタンタル酸リチウム結晶基板の表面にプロトンが注入
もしくは熱拡散されて形成された光導波路と、プロトン
が注入も熱拡散もされていない領域とを設け、また光導
波路端面から導波光を入出力させる光結合部と、光導波
路の屈折率を外的作用によって変化せしめ前記導波光を
変調又は偏向させる光機能部の内、光機能部の方が光結
合部よりも基板表面近傍のプロトン密度を高くシ、また
光機能部において外的作用を生じさせる電極をプロトン
が注入も熱拡散もされていない領域に形成することによ
って玉記目的を達成するものである。

〔実施例〕

第１図は、＠テ光学効果を利用した本発明に１　　　　
　　　　よる薄膜型光学素子の第１の実施例を示す斜視
図である。ｌはＸ板もしくはｙ板ＬｉＮｂＯ３ム１．晶
ノ、（板、２はプロトン交換によって形成された光導波
路、３，４は研磨された光導波路端面、５，６はンリノ
ドリカルレ７ズ、７．２３はくし型電極、２０は光導波
路２よりもプロト７の密度が高いプロトン光密度層、２
１．２２はプロトンが注入されていない領域のＴｉ拡散
層である。

波長６３２８人のＨｅ−Ｎｅレーザーからの（４行光８
は、研磨された光導波路端面３上に、ンリントリカルレ
ノズ５により光導波路の厚さ方向に集光し、光導波路内
に結合される。先導液路端面から結合された導波光９は
、くし型電極７にＲＦパワーを加えることにより発生し
たｔｉ性表面波ｌＯにより回折され１回折光は、光導波
路端面４から出射、ンリンドリカルレンズ６により１・
行光になる。この時の光導波路端面３での集光光束の幅
（集光方向）と導波光の幅はほぼ一致しているため、８
０％と高い結合効；４孟か得られた。ここでくし型電極
２３はくし型電極７から発生した弾性表面波１０の受信
用として使用される。

また、光導波路２は、弾性表面波１０と導波光９とが相
互作用をする領域において、図のようにプロトン高密度
層２０が形成され、基板表面近傍のプロトンの密度が大
きくなっているため、上記領域で導波光の電界強度分布
が基板表面ｆｉ１ｇへ引き上げられ、導波光の弾性表面
波による回折効率は高い値が得られた。

更に、前記くし型電極７および２３は、夫々プロトンが
注入されていない＜（ｒ域のＴｉ拡散層２１．２２上に
形成されている為、従来のようなプロトン注入による圧
電性の低下は生じず。

挿入損失が小さい為に、低電圧で弾性表面波を生じさせ
て、高効率で光変調或いは光偏向を行なうことが出来る
。

第２図は、第１図の如き薄１？２型光学素子の作製方法
を説明する略断面図である。

先ず、：Ａ２図（ａ）に示される如く、ｙ板もしくはＸ
板（７）　Ｌ　ｉ　、Ｎ　ｂ　Ｏ３＆’＋晶基板ｌの７
面もしくはＸ面をニュートンリング数本以内の平面度に
研磨した後、アセトン次いで純水による通常の趙η波洗
浄を行い、窒素ガスを吹きつけて乾燥させた１次に、上
記７面もしくはＸ面に電子ヒーム蒸着により２００人の
厚さにＴｉ薄膜を蒸着し、酸素雰囲気中で９６５℃、２
４５時間熱拡散させ、第２図（ｂ）に示される如く、Ｔ
ｉ熱拡散層１１を形成した。熱拡散される金属としては
、Ｖ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｏ　。

Ｎｂ、Ｇｅ等を用いても良い。

次に、第２図の（Ｃ）に示す如く　基板表面の一部の、
後はど電極を設ける部分にＣｒ薄膜１２を法肩し、プロ
トン交換処理時のマスクとした０次に、安、０．査酸に
安、９．香酸リチウムをモル比で２％添加し、アルミナ
のルツボにいれた。

この安、ω、香醜及び安息香酸リチウムのはいったルツ
ボ中に前記マスクを形成したＬｉＮｂＯ３結晶基扱を入
れ、これらを熱炉に入れて２５０°Ｃの温度で５時間保
持してイオン交換処理を行なった。その結果、：Ａ２図
（Ｃ）に示される如＜、Ｔｉ拡散層１１中のマスクで覆
われていない部分にプロトン交換Ｗ１３が形成された。

プロトン交換層形成に当っては、安息香酸と安息香酸リ
チウムの混合液以外に、カルボン酸において解離度が１
Ｏ−６からｌＯ→である材料とこのカルボン酸のカルボ
キシル基の水素が、リチウムに置換されている材料との
混合物、例えばパルミチン鹸（ＣＨ３（ＣＨ２）１４ｃ
ＯＯＨ）とパルミチン酸リチウム（ＣＨ３（ＣＨ２）１
４ＣＯＯＬ　＋）との混合物や、ステアリン酸（ＣＨ３
（ＣＨ２）　１ｓｃＯＯＨ）とステアリン酸リチウム（
（ｌ（−３（Ｃ）１２）１ｓＣＯＯＬ　＋）との混合物
があげられる。また、リチウムで置換された材料のモル
比は、１％から１０％の範囲で変化させ種々のサンプル
を作製した。エタノールで超音波洗浄を行ない、窒素ガ
スを吹きつけて乾燥させた後、エツチングにより、マス
クを除去した。

次に、上記結晶基板を熱炉にいれ、加熱した木を通して
酸素を流量１．０１７分で渣入しながら、この水蒸気を
含んだ湿った酸素雰囲気中で３５０°Ｃで４時間アニー
ル処理を行なった。その結果、第２図の（ｄ）に示され
る如く、上記マスク１２が形成されていた領域を除いて
は。

結晶基板側にプロトンが拡散した光導波路層１５ができ
た。

次に、第２図（ｅ）のように弾性表面波と４波光とが相
互作用をする光機能部のみ開口したＣｒ薄膜１４を上記
光導波路１５上に蒸Ｚｉ　シた。ここで第２図（ｅ）は
光機能部を含む（ｄ）とは興なる領域での断面図である
。このＣｒ１ｊｌｌＱ１４は、次に行なうプロトン交換
処理時のマスクとして用いるものである。このマスクを
設けた基板を安息香酸に安息香融リチウムをモル比で５
％添加した材料中で、２５０℃１時間のプロトン交換処
理を行なった。その結果、第２図の（ｅ）に示される如
く、開口部のみプロトン交換が行なわれるため、上記光
機能部の基板表面近傍にのみプロトンの密度が大きいプ
ロトン高密度層２０が形成された。このプロトン交換処
理にあたっては、最初のプロトン交換処理で用いたパル
ミチン酸とパルミチン酸リチウムとの混合物やステアリ
ン酸とステアリ７・ン醜リチウムとの混合物等を用いる
ことかでさる。上記プロトン交換後、再びエタノールで
超音波洗浄を行ない、窒素ガスを吹きつけて乾燥させた
後、エツチングによりマスク材であるＣｒ薄膜１４を除
去した。

上記プロトン交換処理条件は、これ以外のものでも良い
が、光ａ山部でのＯＨ基の吸収ピークの波数が３４８０
ｃｍ−１から３５０３ｃｍ−１の範囲に存在するように
選定することが望ましし１゜ 又、上記プロトン交換時に、電極が形成されるへき領域
はやはりＣｒｆｌｌｌＱでマスクされているため、第２
図の（ｄ）に示される状！ａと変化はない。

最後に、通常のフォトリソグラフィーの手法を用いて、
第２図の（ｆ）に示される如く、くし型電極１６を形成
した。

ここで光導波路１５とプロトン高密度層２０との屈折Ｊ
差が大きく、境界部分での導波光の損失が大きい場合は
、くし型電極形成する前に７ニール外理を行なえば良い
。

１一記実施例において、光導波路はＴｉ拡拡散びプロト
ンの熱拡散により形成されたが、Ｔｆ拡拡散必ずしも必
要ではなく、プロトンの注入又は熱拡散のみ、或いはプ
ロトンを注入又は熱拡散するとともにＬｉＯを外部拡散
することによって光導波路を形成しても良い。

第３図は、第１図の素子を電気光学（ＥＯ）効果を利用
した光偏向器に適用した第２実施例を示す概略図である
。第３図において、第１図と共通の部分には同一の符号
を附し、詳細な説明は省略する。

方向に集光し、光導波路内に結合される。光導波路端面
から結合された導波光９は、を気光学（ＥＯ）効果用の
くし型電極１７に電圧を印加することによって生じた位
相格子によって回折され、もう一方の光導波路端面４か
ら出射し、ンリンドリカルレンズ６により平行光に変え
られる。ここで作製したくし型電極は、電極巾および電
極間の間隔２．２ｇｍ、交さ幅３．８　ｍ　ｍ　。

対数３５０対であった。また１図には表われていないが
、くシ型電Ｊｉ１７が形成された部分には、プロトンが
注入されていない。

本実施例においても、電気光学効果により位相格子が生
ずる領域にはプロトン高密度ＦｉＦ２０が形成され、導
波光９の電界強度分布はこの領域で基板表面側へ引き上
げられる。また、くシ型電極１７の形成部にはプロトン
が注入されていない為、電気光学特性が劣化することも
ない、従って、上記くし型電極１７に電圧５ｖを印加し
たところ、９０％の回折効率が得られ、低電圧で高回折
効率が得られることがわかった。また、導波路端面にお
ける結合効率も８０％と良好であった。

Ａ　　　　　　　　　第３図示の素子の作製方法につい
て、第４図で説明する。

まず、第４図（ａ）に示される如＜、Ｘ板のＬｉＮｂＯ
２結晶基板１（ｘ方向に１ｍｍ厚。

２方向およびｙ方向に夫々１インチ）の−面（例えばＸ
十面）を、ニュートンリング数本以内の平面度に研磨し
後、夫々、メタノール、アセトン、純水による常の超音
波洗浄を行ない、窒素ガスを吹きつけ乾燥させた。

＋ｉη記洗浄、乾燥した基板表面上に、２００人の膜厚
のＴｉｆｉ膜を電子ビーム蒸着により作製し、上記基板
を溶融石英製のホルダーに立て。

９６５℃の熱拡散炉にセットした。雰囲気ガスとしては
乾燥した０２ガスを１１／ｍｉｎの流ｒ直で拡散炉に導
入した。室温から９６５℃まで１６℃／　ｍ　ｉ　ｎの
速度で炉内温度を上げ、１時間後炉内の温度が一定にな
った後２．５時間９６５℃に保持し、その後引続いて６
００℃に保持した第２の熱拡散炉に移動した。更に第２
の拡散炉へ通電を中止し６００°Ｃかも室温まで放冷し
、結晶基板ｌ上に、第４図（ｂ）に示される如＜、Ｔｉ
熱拡散層１１を形成した。熱拡散する金属としては、Ｖ
、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ。

ＣＯ、Ｎ　ｂ　、　Ｇ　ｅ等を用いても良い。

次に、Ｔｉ拡拡散の基板を洗浄、乾燥した後に、ポジ型
ホトレジストをスピナーで厚さｌ〜１．５μｍにスピナ
ーコートし、くシ型電極のネガマスクで密着霧光し、く
し５電極部のみが残°らないように現像した。水洗後乾
燥し、真空蒸着装＄１ニ装荷シテ、ｌＸｌ０−６Ｔｏｒ
ｒまで排気を行い、ＥＢ蒸着によってＡｕ（膜厚１５０
０人）を蒸着した。蒸着後７セトンに数分浸すことによ
って、ホトレジスト上のＡｕｌｌＩ２がリフトオフで除
去され、第４図の（Ｃ）に示される如く、くし型電極２
４のみが基板上に形成された。この際のくし型電極は、
電極巾および電極間の間隔２．２ルｍ、交さ幅３．８ｍ
ｍ、対数３５０対であった。

次に、安息香酸に安息香酸リチウムをモル比で２％添加
し、アルミナのルツボにいれた。この安息香酸及び安息
香酸リチウムの入ったルツボの中に第４図（Ｃ）の電極
２４が設けられたＬｉＮｂＯ３結晶基板を入れて、これ
らを熱炉に入れて２５０℃の温度で５時間保持してイオ
ノ交換処理を行なった。その結果、第４図（ｄ）に示さ
れる如＜、ＴｉＪｒＡ散層１１中の電極が形成されてい
ない部分にプロトン交換層１３が形成された。プロトン
交換層形成にちっては、安、ｅ、６醜と安息香酸リチウ
ムの混合液以外に、カルボッ酸に於て解離度が１Ｏ−６
から１Ｏ−３である材料とこのカルモノ醸のカルボキシ
ル基の水素が、リチウムに置換されている材料との混合
物、例えばパルミチン醜（ＣＨ３（ＣＨ２）１４ＣＯＯ
Ｈ）とパルミチン醜リチウム（ＣＨ３（ＣＨ２）１４ｃ
ＯＯＬ＋）との混合物やステア９／酸（ＣＨ３（ＣＨ２
）１６ＣＯＯＨ）とステアリン酸リチウム（ＣＨ３（Ｃ
Ｈ２）１６ｃＯ０Ｌｉ）との混合物があげられる。又、
リチウムで置換された材料のモル比は、１％から１０％
の範囲で変化させ種々のサンプルを作製した。

エタノールでａ宮波洗沖を行ない、窒素ガスを吹きつけ
て乾燥させた。

次に、第２図（ｄ）に小才如く、上極形成部のみにＣｒ
　ｔ：’ｊ　Ｉｔ草２５をノ入ノｉし、このノ、（板を
、安、Ｑ６酸に安Ｐ、８該リチウムをモル比で１％添加
した材料中で、２５０℃１時間のプロトン交換処理を行
なった。その結果、プロトン交換層１４が形成された。

このプロトン交換処理にあたっては、最初のプロトン交
換処理で用いたバルミチン酸とバルミチン酸リチウムと
の混合物やステアリン酸とステアリン酸リチウムとの混
合物等を用いることができる。と記プロトン交換＠１再
びエタノールで超音波洗浄を行ない。

窒素ガスを吹きつけて乾燥させた後、エツチングにより
薄膜２５を除去した。

更に、Ｅ記基板を熱炉にいれ、加熱した水を通して酸素
を流量１．０文／分で流入しながら。

この水蒸気を含んだ湿ったＭ素雰囲気中で３５０℃で４
時間アニール処理を行なった。

ソノ結果、第４図の（ｅ）に、１″Ｘされる如＜、、１
１　　　　　　　　板の内側にプロトンか熱拡散した光
導波路１５が形成された。

次に、第４図（ｆ）に示される如く、光機能部（ＥＯ素
子の場合、電極部となる）のみ開［ＪしたＣ　ｒ／ＩＮ
ｌ！　１２を蒸着し、上記ＪＪ５扱を安息香酸に安、ω
６酸リチウムをモル比５％添加した材料中で、２５０℃
１時間のプロトン交換処理を行なった。その結果、第４
図の（ｆ）に示される如く、光機能部にのみプロトンの
密度が高いプロトン高密度層２０が形成された。このプ
ロト／交換処理にあたっては、最初のプロトン交換処理
で用いたバルミチン酸とパルミチン酸リチウムとの混合
物やステアリン酸とステアリン酸リチウムとの混合物等
を用いることができる。

上記プロトン交換後、再びエタノールで超音波洗浄を行
ない、窒素カスを吹きつけて乾燥させた。

乾燥後、Ｃｒ用エツチング液を用いて、マスクとして用
いたＣｒ薄膜を除去し、本発明の薄膜光学素子を作製し
た。

本発明は以上の実施例に限らず１Ｍ々の応用かｕ（能で
ある。

例えば前述の実施例では基板としてＬｉＮｂＯ３結晶基
板を用いたが、タンタル酸リチウム（Ｌｉ７ａ０３）結
晶基板を用いても、全く同様の作製方法で、未発明の薄
膜型光学素子を形成することが出来る。

また光変調、光偏向の手段も前述の音響光学効果或いは
電気光学効果に限らず、磁気光学（ＭＯ）効果の静磁気
表面波（Ｍａｇｎｅｔｏｓｔａｔ　１ｃｓｕｒｆａｃｅ
　ｗａｖｅｓ）による回折を利用したり、熱光学（ＴＯ
）効果を利用してもかまわない。

更に本発明は光偏向器以外にも光変調器等、種々の装置
に適用できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明のｔ’ｌ膜型元型光学素子
光導波路の基板表面近傍のプロトンの密度を光機能部の
方が光結合部より高くなるようにしたことによって、光
学４Ｄ傷のしきい値を十分高く保ちながら、導波光の入
出力における結合効率を高めると同時に光偏向又は光変
調の効率を向上させる効果を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に基づく薄膜型光学素子を音響光学効果
による光偏向器に用いた実施例を示す概略図、：５２図
は第１図示の素子の作製過程の一例を示す略断面図、第
３図は本発明を電気光学効果による光偏向器に用いた実
施例を示す概略図、第４図は第３図示の素子の作製過程
の一例を示す略断面図である。 １　・・・　ＬｉＮｂＯ３結晶基板、 ２　・・・　光導波路層、 ３．４　・・・　研磨された光導波路端面、５．６　・
・・　シリンドリカルレンズ、７．１７．２３　　・・
・　くし型電極。 ８　・・・　レーザー光。 １０　・・・　弾性表面波。 ２０　・・・　プロトン高密度層。 ２１．２２・・・　プロトンの注入されていないＴｉ拡
散層。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ニオブ酸リチウム結晶基板又はタンタル酸リチウ
   ム結晶基板の表面にプロトンが注入もしくは熱拡散され
   て形成された光導波路と、プロトンが注入も熱拡散もさ
   れていない領域とを有し、前記光導波路端部面から導波
   光を入出力させる光結合部と、前記光導波路の屈折率を
   外的作用によつて変化せしめ前記導波光を変調又は偏向
   させる光機能とが設けられて成り、前記光機能部の方が
   光結合部よりも基板表面近傍のプロトン密度が高く、ま
   た前記光機能部において外的作用を生じさせる電極が前
   記プロトンが注入も熱拡散もされていない領域に形成さ
   れた薄膜型光学素子。
2. （２）ニオブ酸リチウム結晶基板又はタンタル酸リチウ
   ム結晶基板の表面の一部にマスクを形成する過程と、前
   記マスクで覆われていない基板表面全体にプロトンを注
   入する過程と、前記注入されたプロトンを熱拡散せしめ
   光導波路を形成する過程と、前記光導波路の端部を除い
   た一部分に基板表面近傍のみプロトンを再注入する過程
   と、前記マスクで覆われていた部分に電極を設け、前記
   光導波路の屈折率を外的作用により変化せしめ、該光導
   波路の導波光を変調又は偏向させる光機能部を形成する
   過程とから成る薄膜型光学素子の作製方法。