JPS6170444A - 電子線微小分析装置における濃度分析方法 - Google Patents
電子線微小分析装置における濃度分析方法Info
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- JPS6170444A JPS6170444A JP59192231A JP19223184A JPS6170444A JP S6170444 A JPS6170444 A JP S6170444A JP 59192231 A JP59192231 A JP 59192231A JP 19223184 A JP19223184 A JP 19223184A JP S6170444 A JPS6170444 A JP S6170444A
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-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
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- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は電子線微小分析装置におりる濃度分析方法に関
する。
する。
［従来の技術〕
電子線微小分析装置においては、電子線照射点と試料と
の相対的な移動により複数の元素を含む試料上を電子線
により二次元的に走査することにより、試料の広域面で
Ｘ線強度を計数し、該Ｘ線強度を試料中の元素の濃度に
変換して、表示装置に濃度マツプとして表示する方法が
採られている。
の相対的な移動により複数の元素を含む試料上を電子線
により二次元的に走査することにより、試料の広域面で
Ｘ線強度を計数し、該Ｘ線強度を試料中の元素の濃度に
変換して、表示装置に濃度マツプとして表示する方法が
採られている。
ところで、Ｘ線強度を濃度に変換する方法としては、原
子番号補正係数ＧＺ、吸収補正係数Ｑａ。
子番号補正係数ＧＺ、吸収補正係数Ｑａ。
けい光補正係数Ｇｆの３Ｆ１の補正係数を用いて変換す
る所謂ＺＡＦ法と、濃度と特性Ｘ線強度との関係を表わ
す曲線を予め求めておき、この曲線からＸ線強度値に基
づいて１１ｉ１度値を求める検ｍ線法とが一般的に用い
られている。
る所謂ＺＡＦ法と、濃度と特性Ｘ線強度との関係を表わ
す曲線を予め求めておき、この曲線からＸ線強度値に基
づいて１１ｉ１度値を求める検ｍ線法とが一般的に用い
られている。
［発明が解決しようとする問題点］
この様なＸ線強度を濃度に変換する方法において、電子
線により試料の広域面を走査して、該走査点よりの特性
Ｘ線の強度を計測して、該Ｘ線強度を各走査点毎に濃度
に変換して広域の濃度マツプを作成する場合には、ＺＡ
Ｆ法は各照射点毎に異った種々の補正係数が必要となる
ばかりでなく、補正のための演算も複雑であるため、一
点の補正計算に比較的長い時間を要し、多数点の補正計
算を行なう場合には長時間必要とし実用的でない。
線により試料の広域面を走査して、該走査点よりの特性
Ｘ線の強度を計測して、該Ｘ線強度を各走査点毎に濃度
に変換して広域の濃度マツプを作成する場合には、ＺＡ
Ｆ法は各照射点毎に異った種々の補正係数が必要となる
ばかりでなく、補正のための演算も複雑であるため、一
点の補正計算に比較的長い時間を要し、多数点の補正計
算を行なう場合には長時間必要とし実用的でない。
そのため、従来の濃度マツプは全て検量線法を使用して
いる。ところが、検を線法においては、試料が近似的に
２元素と見なし得る場合にしか適用できないため、組成
が複雑な試料の場合には各点の濃度を精度良く求められ
ない。本発明は以上の欠点を解消して、試料が３元素以
上から成る場合にも、高精度に各元素の二次元分布を算
出することのできる電子線微小分析装置における濃度分
析方法を提供することを目的としている。
いる。ところが、検を線法においては、試料が近似的に
２元素と見なし得る場合にしか適用できないため、組成
が複雑な試料の場合には各点の濃度を精度良く求められ
ない。本発明は以上の欠点を解消して、試料が３元素以
上から成る場合にも、高精度に各元素の二次元分布を算
出することのできる電子線微小分析装置における濃度分
析方法を提供することを目的としている。
［問題点を解決するための手段］
このような目的を達成するため、本発明は、電子線照射
点と試料との相対的な移動により複数の元素を含む試料
上を電子線により二次元的に走査し、該走査に伴って試
料より発生する特性Ｘ線の強度を検出し、該検出された
信号を演算制御装置により処理して該試料に存在する各
元素の濃度の二次元分布を求める方法において、標準試
料に対する該試料よりの特性Ｘ線の相対強度をに、真の
濃度値を与えるために該相対強度を補正するための係数
をβで表わすとき、Ｘ線取出角、該電子線の加速電圧、
及び該試料に含まれる元素固有の物理定数と該元素の組
み合せによって決まる物理定数に基づいて、該演算制御
装置により該試料に含まれる該元素の補正係数と濃度値
との関係を表わす近似式を実質的に求めると共に、該特
性Ｘ線強度に基づいて該走査各点における該元素の相対
強度Ｋを求め、該相対強度Ｋを仮の濃度値と見做すこと
により、該近似式を用いて該仮りの濃度値に対応した各
点の補正係数を算出し、該算出された補正係数と該相対
強度値を乗樟することにより、各点における該元素の真
の濃度値を算出するようにしたことを特徴としている。
点と試料との相対的な移動により複数の元素を含む試料
上を電子線により二次元的に走査し、該走査に伴って試
料より発生する特性Ｘ線の強度を検出し、該検出された
信号を演算制御装置により処理して該試料に存在する各
元素の濃度の二次元分布を求める方法において、標準試
料に対する該試料よりの特性Ｘ線の相対強度をに、真の
濃度値を与えるために該相対強度を補正するための係数
をβで表わすとき、Ｘ線取出角、該電子線の加速電圧、
及び該試料に含まれる元素固有の物理定数と該元素の組
み合せによって決まる物理定数に基づいて、該演算制御
装置により該試料に含まれる該元素の補正係数と濃度値
との関係を表わす近似式を実質的に求めると共に、該特
性Ｘ線強度に基づいて該走査各点における該元素の相対
強度Ｋを求め、該相対強度Ｋを仮の濃度値と見做すこと
により、該近似式を用いて該仮りの濃度値に対応した各
点の補正係数を算出し、該算出された補正係数と該相対
強度値を乗樟することにより、各点における該元素の真
の濃度値を算出するようにしたことを特徴としている。
［発明の原理］
次に本発明における基本となっている考えを説明する。
例えば元素Ａのみから成る標準試料と、濃度Ｃａの元素
Ａを含む試料に対して、同一条件で測定された特性Ｘ線
強度を各Ｉｓ、Ｉｕとすると元素Ａの特性Ｘ線に関する
相対強度Ｋａは、Ｋａ ＝ ｌｕ ／ Ｉｓ
−−■で表わすことができ、この相対強度Ｋａは近似
的に濃度Ｃａに等しいことが知られている。しかし、実
際には種々の要因によりＣａとＫａは異なる値となり、
より精度の良い濃度値を求めるには、次式のように相対
強度Ｋａに補正係数βａを東線する必要がある。
Ａを含む試料に対して、同一条件で測定された特性Ｘ線
強度を各Ｉｓ、Ｉｕとすると元素Ａの特性Ｘ線に関する
相対強度Ｋａは、Ｋａ ＝ ｌｕ ／ Ｉｓ
−−■で表わすことができ、この相対強度Ｋａは近似
的に濃度Ｃａに等しいことが知られている。しかし、実
際には種々の要因によりＣａとＫａは異なる値となり、
より精度の良い濃度値を求めるには、次式のように相対
強度Ｋａに補正係数βａを東線する必要がある。
Ｃａ＝βａＸＫａ ・・・・・・■今、試料
が例えば元素Ａ、Ｂから成るものとして、それぞれの元
素濃度をＣａ 、 Ｃｂ （但し、Ｏ≦Ｃａ≦１．０
≦Ｃｂ≦１且つｃａ ＋ｃｂ ＝ｉとすれば、Ｃａに対
するＣａ１つまりｍａｃａと補正係数βａの関係は、第
２図のグラフの（イ）。
が例えば元素Ａ、Ｂから成るものとして、それぞれの元
素濃度をＣａ 、 Ｃｂ （但し、Ｏ≦Ｃａ≦１．０
≦Ｃｂ≦１且つｃａ ＋ｃｂ ＝ｉとすれば、Ｃａに対
するＣａ１つまりｍａｃａと補正係数βａの関係は、第
２図のグラフの（イ）。
（ロ）又は（ハ）のような点（１，１＞を通る曲線のう
ちのいずれかで表わされることが知られている。Ｃａ軸
の切片の値αｂａと曲線のカーブの様子は電子線の加速
電圧や元素Ａ、Ｂの組み合わせにより変化する。この第
２図から明らかなように、この曲線は略直線に近い単純
な曲線であるので、この曲線は一次式あるいは２次式で
良く近似できる。これらの曲線を一次近似した式は、Ｃ
ａ ＝Ｃａ ＋αｂａ（１−Ｃａ ） −■と表わすこ
とができる。同様に元素Ｂの濃度ｃｂと補正係数βｂと
の関係は Ｃｂ ＝Ｃｂ ＋αａｂ（１−Ｃｂ ） ・”−■で表
わすことができる。■及び０式においてαｂａ。
ちのいずれかで表わされることが知られている。Ｃａ軸
の切片の値αｂａと曲線のカーブの様子は電子線の加速
電圧や元素Ａ、Ｂの組み合わせにより変化する。この第
２図から明らかなように、この曲線は略直線に近い単純
な曲線であるので、この曲線は一次式あるいは２次式で
良く近似できる。これらの曲線を一次近似した式は、Ｃ
ａ ＝Ｃａ ＋αｂａ（１−Ｃａ ） −■と表わすこ
とができる。同様に元素Ｂの濃度ｃｂと補正係数βｂと
の関係は Ｃｂ ＝Ｃｂ ＋αａｂ（１−Ｃｂ ） ・”−■で表
わすことができる。■及び０式においてαｂａ。
αａｂはＸ線取出し角、加速電圧及び元素Ａ、Ｂが決定
すれば、予め求めておくことができる定数である。更に
又、この様な関係は、元素Ａ、Ｂ、・・・・・・Ｎから
成る試料へ拡張することができ、その場合の各元素の補
正係数βａ、βｂ、・・・・・・βｎと濃度Ｃａ 、
Ｃｂ 、・・・・・・Ｃｎとの関係は次式の様に表わす
ことができる。
すれば、予め求めておくことができる定数である。更に
又、この様な関係は、元素Ａ、Ｂ、・・・・・・Ｎから
成る試料へ拡張することができ、その場合の各元素の補
正係数βａ、βｂ、・・・・・・βｎと濃度Ｃａ 、
Ｃｂ 、・・・・・・Ｃｎとの関係は次式の様に表わす
ことができる。
ここで、各係数α１ｊは元素ｉとＪに固有な物理定数と
、これらの元素の組み合わせによって決まる物理定数を
用いて前述したＺＡＦ法によって算出することができる
。本発明は以上の原理に基づいてなされたものである。
、これらの元素の組み合わせによって決まる物理定数を
用いて前述したＺＡＦ法によって算出することができる
。本発明は以上の原理に基づいてなされたものである。
［実施例］
以下本発明を図面に基づいて詳述する。
第１図は本発明に係る分析方法を実施するため（１）□
、ｍ□工あう。１．１．よ、イ、あ０、該電子線１は図
示外の対物レンズにより試料２の表面上に集束される。
、ｍ□工あう。１．１．よ、イ、あ０、該電子線１は図
示外の対物レンズにより試料２の表面上に集束される。
該試料２は図示していない試料ステージに載置されてお
り、試料ステージの移動により電子線１により二次元的
に走査される。
り、試料ステージの移動により電子線１により二次元的
に走査される。
３は電子線１を試料２に照射した場合に、該走査点より
放射されるＸ線４を分光するための分光結晶であり、該
分光結晶３により分光された特定波長のＸ線は、Ｘ線検
出器５で検出される。又、Ｘ線検出器５で検出されたＸ
線強度は電気信号（パルス）に変換された後、Ｘ線計測
回路６により計数され演算制御装置７を介して記憶装置
８の各走査点に対応した記憶領域に記憶される。９は演
算制御装置に接続された院極線管などの表示装置であり
、該表示装置９には各走査点での元素濃度を表わす濃度
マツプが表示される。
放射されるＸ線４を分光するための分光結晶であり、該
分光結晶３により分光された特定波長のＸ線は、Ｘ線検
出器５で検出される。又、Ｘ線検出器５で検出されたＸ
線強度は電気信号（パルス）に変換された後、Ｘ線計測
回路６により計数され演算制御装置７を介して記憶装置
８の各走査点に対応した記憶領域に記憶される。９は演
算制御装置に接続された院極線管などの表示装置であり
、該表示装置９には各走査点での元素濃度を表わす濃度
マツプが表示される。
以上の様に構成された装置において、定性分析等によっ
て、試料が例えば元素Ａ、Ｂ、Ｃから成る場合に、各元
素Ａ、Ｂ、Ｃの濃度Ｃａ 、 Ｃｂ 。
て、試料が例えば元素Ａ、Ｂ、Ｃから成る場合に、各元
素Ａ、Ｂ、Ｃの濃度Ｃａ 、 Ｃｂ 。
ＣＧを求める場合について説明する。先ず、前記０式は
この場合は以下の様になる。
この場合は以下の様になる。
（Ｉ−人千全ｆＥＪ）
そこで、ＺＡＦ法を用いて各係数αｂａ、αＣａ。
αａｂ、αｃｂ、αａｃ、αｂｃの値を演算制御袋＠７
を用いて算出し、各算出された値を記憶装置８に記憶し
てあく。次に、元素Ａのみから成る標準試料に電子線を
照射し、特性Ｘ線強度ＩＳａを検出し、その検出値デー
タを記憶装置８に記憶させる。同様に元素Ｂ、Ｃから成
る標準試料についても特性Ｘ線強度１ｓｂ、（ＳＯを表
わすデータを記憶装置８に記憶させる。次に試料２上を
電子線１により走査し、演算制御装置７の制御により、
各走査点（Ｘ、Ｙ）における元素Ａの特性Ｘ線強度■ｕ
ａ（Ｘ、Ｙ）を検出して、この値を記憶装置８の各走査
点に対応した記憶領域に記憶する。同様に各走査点（Ｘ
、Ｙ）における元素Ｂ、Ｃの特性Ｘ線強度の検出値Ｉｕ
ｂ（Ｘ、Ｙ）、Ｉｕｃ（Ｘ、Ｙ） についても記憶装置
８に記憶させる。そこで、演算制御装置７は記憶装置８
に記憶されているデータｌｓａとＩｕａ（Ｘ、Ｙ）を読
み出した後、これらの値を用いて前記０式を演算し、各
走査点における元素Ａの相対強度Ｋａ （Ｘ、Ｙ）を
締出して記憶装置８に記憶させる。同様に、元素Ｂ、Ｃ
の相対強度Ｋｂ （Ｘ、Ｙ）、Ｋｃ （Ｘ、Ｙ）に
ついても記憶装置８に記憶させる。そこで、演算制御装
置７は順次各点（Ｘ、Ｙ）の相対強度Ｋａ （Ｘ、Ｙ
）、Ｋｂ （Ｘ、Ｙ）、Ｋｃ （Ｘ、Ｙ）を記憶装
置８より読み出す。これらの値は、各々０式における濃
度値ｃａ 、ｃｂ 、ｃｃの仮の値とみなせるため、演
算装置７はＣａ 、Ｃｂ 、Ｃｃの代わりに、これらの
値を代入して０式を算出する。次に、演算制御装置７は
この算出された値βａ （Ｘ、Ｙ）とＫａ （Ｘ、
Ｙ）を用いて０式を演算し、元素Ａの濃度値Ｃａ （
Ｘ、Ｙ）を算出し、算出された結果を記憶装置８に記憶
させる。この様にして、試料の各走査点より計測された
Ｘ線強度を元素Ａの濃度値へ変換し終えると、演算制御
装置７により、この変換値を予め離散的に設けられたり
ＩＷ １ｌｉａ度レベルと比較して、各点の濃度レベル
がどの階層に該当するかを求め、この階層を表わす情報
に基づいて元素Ａの濃度マツプを表示装置９に表示する
。
を用いて算出し、各算出された値を記憶装置８に記憶し
てあく。次に、元素Ａのみから成る標準試料に電子線を
照射し、特性Ｘ線強度ＩＳａを検出し、その検出値デー
タを記憶装置８に記憶させる。同様に元素Ｂ、Ｃから成
る標準試料についても特性Ｘ線強度１ｓｂ、（ＳＯを表
わすデータを記憶装置８に記憶させる。次に試料２上を
電子線１により走査し、演算制御装置７の制御により、
各走査点（Ｘ、Ｙ）における元素Ａの特性Ｘ線強度■ｕ
ａ（Ｘ、Ｙ）を検出して、この値を記憶装置８の各走査
点に対応した記憶領域に記憶する。同様に各走査点（Ｘ
、Ｙ）における元素Ｂ、Ｃの特性Ｘ線強度の検出値Ｉｕ
ｂ（Ｘ、Ｙ）、Ｉｕｃ（Ｘ、Ｙ） についても記憶装置
８に記憶させる。そこで、演算制御装置７は記憶装置８
に記憶されているデータｌｓａとＩｕａ（Ｘ、Ｙ）を読
み出した後、これらの値を用いて前記０式を演算し、各
走査点における元素Ａの相対強度Ｋａ （Ｘ、Ｙ）を
締出して記憶装置８に記憶させる。同様に、元素Ｂ、Ｃ
の相対強度Ｋｂ （Ｘ、Ｙ）、Ｋｃ （Ｘ、Ｙ）に
ついても記憶装置８に記憶させる。そこで、演算制御装
置７は順次各点（Ｘ、Ｙ）の相対強度Ｋａ （Ｘ、Ｙ
）、Ｋｂ （Ｘ、Ｙ）、Ｋｃ （Ｘ、Ｙ）を記憶装
置８より読み出す。これらの値は、各々０式における濃
度値ｃａ 、ｃｂ 、ｃｃの仮の値とみなせるため、演
算装置７はＣａ 、Ｃｂ 、Ｃｃの代わりに、これらの
値を代入して０式を算出する。次に、演算制御装置７は
この算出された値βａ （Ｘ、Ｙ）とＫａ （Ｘ、
Ｙ）を用いて０式を演算し、元素Ａの濃度値Ｃａ （
Ｘ、Ｙ）を算出し、算出された結果を記憶装置８に記憶
させる。この様にして、試料の各走査点より計測された
Ｘ線強度を元素Ａの濃度値へ変換し終えると、演算制御
装置７により、この変換値を予め離散的に設けられたり
ＩＷ １ｌｉａ度レベルと比較して、各点の濃度レベル
がどの階層に該当するかを求め、この階層を表わす情報
に基づいて元素Ａの濃度マツプを表示装置９に表示する
。
又、元素Ｂ又はＣについての濃度マツプの表示も同様に
行なうことができる。
行なうことができる。
尚、上述した実施例は本発明の一実施例に過ぎず、幾多
の他の態様を取り得る。
の他の態様を取り得る。
例えば、上述した実施例においては、補正係数と濃度と
の関係を表わす式を一次式で近似するようにしたが、二
次式で近似しても良く、その場合には、より精度の高い
分析を行なうことができる。
の関係を表わす式を一次式で近似するようにしたが、二
次式で近似しても良く、その場合には、より精度の高い
分析を行なうことができる。
［発明の効果］
以上の様に本発明においては、元素の濃度値の補正係数
と濃度との関係を表わす近似式を求め、相対強度を仮の
濃度と見做して該近似式を用いて該仮の濃度値に対応し
た補正係数を算出し、該算出された補正係数と該相対強
度値を乗算することにより、該元素の濃度値を求めるよ
うにしているため、試料が３元素以上を含む場合でも、
各点についてＺＡＦ法による複雑な計算をしなくとも、
上述した比較的簡単な計算により精度の良い濃度値を求
めることができる。
と濃度との関係を表わす近似式を求め、相対強度を仮の
濃度と見做して該近似式を用いて該仮の濃度値に対応し
た補正係数を算出し、該算出された補正係数と該相対強
度値を乗算することにより、該元素の濃度値を求めるよ
うにしているため、試料が３元素以上を含む場合でも、
各点についてＺＡＦ法による複雑な計算をしなくとも、
上述した比較的簡単な計算により精度の良い濃度値を求
めることができる。
第１図は本発明を実施するための装置の一例を示すため
の図、第２図は濃度値を求めるための補正係数と濃度と
の関係を示すための図である。 １：電子線、２：試料、３：分光結晶、４：特性Ｘ線、
５：Ｘ線検出器、６：Ｘ線計数回路、７：演算制御装置
、８：記憶装置、９：表示装置。
の図、第２図は濃度値を求めるための補正係数と濃度と
の関係を示すための図である。 １：電子線、２：試料、３：分光結晶、４：特性Ｘ線、
５：Ｘ線検出器、６：Ｘ線計数回路、７：演算制御装置
、８：記憶装置、９：表示装置。
Claims (1)
- 電子線照射点と試料との相対的な移動により複数の元素
を含む試料上を電子線により二次元的に走査し、該走査
に伴つて試料より発生する特性Ｘ線の強度を検出し、該
検出された信号を演算制御装置により処理して該試料に
存在する各元素の濃度の二次元分布を求める方法におい
て、標準試料に対する該試料よりの特性Ｘ線の相対強度
をＫ、真の濃度値を与えるために該相対強度を補正する
ための係数をβで表わすとき、Ｘ線取出角、該電子線の
加速電圧、及び該試料に含まれる元素固有の物理定数と
該元素の組み合せによつて決まる物理定数に基づいて、
該演算制御装置により該試料に含まれる該元素の補正係
数と濃度値との関係を表わす近似式を実質的に求めると
共に、該特性Ｘ線強度に基づいて該走査各点における該
元素の相対強度Ｋを求め、該相対強度Ｋを仮の濃度値と
見做すことにより、該近似式を用いて該仮りの濃度値に
対応した各点の補正係数を口出し、該算出された補正係
数と該相対強度値を乗算することにより、各点における
該元素の真の濃度値を算出するようにした電子線微小分
析装置における濃度分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59192231A JPS6170444A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 電子線微小分析装置における濃度分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59192231A JPS6170444A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 電子線微小分析装置における濃度分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6170444A true JPS6170444A (ja) | 1986-04-11 |
Family
ID=16287840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59192231A Pending JPS6170444A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 電子線微小分析装置における濃度分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6170444A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0326947A (ja) * | 1989-06-24 | 1991-02-05 | Shimadzu Corp | Ｘ線分光法による定量分析方法 |
| JP2002062270A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Jeol Ltd | 電子線を用いた表面分析装置における面分析データ表示方法 |
| JP2004163135A (ja) * | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Jeol Ltd | Ｘ線分析装置 |
| JP2005201640A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Jeol Ltd | 試料評価方法及び試料評価装置 |
| JP2006118941A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Jeol Ltd | 面分析データを表示する電子プローブｘ線分析装置 |
-
1984
- 1984-09-13 JP JP59192231A patent/JPS6170444A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0326947A (ja) * | 1989-06-24 | 1991-02-05 | Shimadzu Corp | Ｘ線分光法による定量分析方法 |
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