JPS6168892A - 薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6168892A JPS6168892A JP59191290A JP19129084A JPS6168892A JP S6168892 A JPS6168892 A JP S6168892A JP 59191290 A JP59191290 A JP 59191290A JP 19129084 A JP19129084 A JP 19129084A JP S6168892 A JPS6168892 A JP S6168892A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- emitting layer
- light emitting
- gas
- zns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 46
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 11
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910007277 Si3 N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、平面薄型ディスプレイ・デバイスとして、文
字、記号及び図形等を含むコンピュータの出力表示端末
機器その他種々の表示装置に文字、記号及び図形等の静
止画像、動画像の表示手段として利用される薄膜ＥＬ素
子の製造方法に関し、より詳しくは薄膜ＥＬ素子に設け
られる硫化亜鉛発光層の成膜方法に関するものである。
字、記号及び図形等を含むコンピュータの出力表示端末
機器その他種々の表示装置に文字、記号及び図形等の静
止画像、動画像の表示手段として利用される薄膜ＥＬ素
子の製造方法に関し、より詳しくは薄膜ＥＬ素子に設け
られる硫化亜鉛発光層の成膜方法に関するものである。
〔従来技術とその問題点）
この種の交流駆動型１ｌｙｉＥＬ素子の基本構造として
は、第１図に示されるものがある。すなわち、１は、ガ
ラス等の基板、２は、Ｉｎ２ ０３ 、 Ｓｎ ０２等
からなる透明電極、３は、Ｙ２ ０３ 、 Ｔａ２ ０
５ 。
は、第１図に示されるものがある。すなわち、１は、ガ
ラス等の基板、２は、Ｉｎ２ ０３ 、 Ｓｎ ０２等
からなる透明電極、３は、Ｙ２ ０３ 、 Ｔａ２ ０
５ 。
Ｓｉ３ Ｎ４等からなる第１誘電体層、４は、発光中
心としＴＯ，１〜２．０重ａ％のＨｎ（又は、Ｔｂ、
Ｔｍ。
心としＴＯ，１〜２．０重ａ％のＨｎ（又は、Ｔｂ、
Ｔｍ。
Ｙｂ、 Ｅｒ、 Ｓｍ、 Ｃｕ、 Ａｎ 、 Ｂｒ等
）ドープしたＺｎＳ発光層、５は、Ｙ２ ０３ 、 Ｔ
ａ２ ０５ 、 Ｓｉ３ Ｎ４等からなる第２誘電体
層、６は、Ｆｅ、 Ｎｉ、 Ａｎ 、 Ｔａ。
）ドープしたＺｎＳ発光層、５は、Ｙ２ ０３ 、 Ｔ
ａ２ ０５ 、 Ｓｉ３ Ｎ４等からなる第２誘電体
層、６は、Ｆｅ、 Ｎｉ、 Ａｎ 、 Ｔａ。
ＨＯ等からなる背面電極である。
従来、この簿膜ＥＬ素子のＺｎＳ発光層１．４を成膜す
る方法は、下記のとおりであった。
る方法は、下記のとおりであった。
先ず、公知の真空蒸着装置内に基板１を配置し、この基
板１上に透明電極２を積層し、この透明電極２上に第１
誘電体層３を積層する。次に、前記真空蒸着装置内を１
×１０〜１ｘ １０’ｍｍ１１ｇの烏貝空にし、前記透
明電極２．前記第１誘電体層３を積層した基板１を加熱
しながら、蒸着源として前記した発光中心をドープした
ＺｎＳの焼結ペレットをＷ、 ８０． Ｔａ等の加熱用
ボートに入れ、この加熱用ボートを抵抗加熱して蒸着に
より前記第１誘電体層３上にＺｎＳ発光層４を成膜する
。または、前記焼結ペレットを蒸着源として電子ビーム
加熱法によって、前記同様にＺｎＳ発光層４を成膜する
。
板１上に透明電極２を積層し、この透明電極２上に第１
誘電体層３を積層する。次に、前記真空蒸着装置内を１
×１０〜１ｘ １０’ｍｍ１１ｇの烏貝空にし、前記透
明電極２．前記第１誘電体層３を積層した基板１を加熱
しながら、蒸着源として前記した発光中心をドープした
ＺｎＳの焼結ペレットをＷ、 ８０． Ｔａ等の加熱用
ボートに入れ、この加熱用ボートを抵抗加熱して蒸着に
より前記第１誘電体層３上にＺｎＳ発光層４を成膜する
。または、前記焼結ペレットを蒸着源として電子ビーム
加熱法によって、前記同様にＺｎＳ発光層４を成膜する
。
しかしながら、従来の７ｎＳ発光層の成膜方法では、成
膜するときの雰囲気が高真空であるがゆえに、ＺｎＳ発
光層が成膜されるとき、蒸着源である２ｎＳの焼結ペレ
ットから蒸発するＺｎＳの一部が解離して、ＺｎＳ発光
層は硫黄（Ｓ）成分の不足した状態の発光層となってし
まう欠点があった。これは、ＺｎＳ発光層中にＳと結合
していないＺｎ原子が存在づることを意味するもので、
このために、透明電極と背面電極とを介して２ｎＳ発光
層に電界を印加すると、前記２ｎ原子が加Ｓ発光層中の
２ｎＳ結晶粒界又はＺｎＳ発光層の界面に析出し、薄膜
ＥＬ素子の発光輝度電圧特性に悪影響を及ぼす欠点があ
った。すなわち、発光の閾値電圧が低くなる方向へ発光
輝度特性が変化する。このことは、通常の表示状態にお
いて消去状態の輝度（通常１ ｆｔ−Ｌ以下）が高くな
ることを意味するもので、長期間使用した表示内容の浮
き上り現象として現われ、表示画像を著しく阻害する欠
点となった。また、ＺｎＳ発光層を成膜中において、真
空蒸着装置内の８２０やＣＯ２等の残留酸化性気体によ
って、２ｎＳ 。
膜するときの雰囲気が高真空であるがゆえに、ＺｎＳ発
光層が成膜されるとき、蒸着源である２ｎＳの焼結ペレ
ットから蒸発するＺｎＳの一部が解離して、ＺｎＳ発光
層は硫黄（Ｓ）成分の不足した状態の発光層となってし
まう欠点があった。これは、ＺｎＳ発光層中にＳと結合
していないＺｎ原子が存在づることを意味するもので、
このために、透明電極と背面電極とを介して２ｎＳ発光
層に電界を印加すると、前記２ｎ原子が加Ｓ発光層中の
２ｎＳ結晶粒界又はＺｎＳ発光層の界面に析出し、薄膜
ＥＬ素子の発光輝度電圧特性に悪影響を及ぼす欠点があ
った。すなわち、発光の閾値電圧が低くなる方向へ発光
輝度特性が変化する。このことは、通常の表示状態にお
いて消去状態の輝度（通常１ ｆｔ−Ｌ以下）が高くな
ることを意味するもので、長期間使用した表示内容の浮
き上り現象として現われ、表示画像を著しく阻害する欠
点となった。また、ＺｎＳ発光層を成膜中において、真
空蒸着装置内の８２０やＣＯ２等の残留酸化性気体によ
って、２ｎＳ 。
２ｎ原子が一部ＺｎＯとなつｔ、ＺｎＳ発光層中に混入
してしまうので、発光効率が低下してしまう欠点があっ
た。さらに、ＺｎＯが多くなると発光色が変化してしま
う欠点もあった。
してしまうので、発光効率が低下してしまう欠点があっ
た。さらに、ＺｎＯが多くなると発光色が変化してしま
う欠点もあった。
本発明は、前記の事情に鑑みてなされたもので、その目
的は、ＺｎＳ発光層中にＳと結合していない２ｎ原子を
生じせしめることを防止し、かつＺｎＯを２ｎＳ発光層
中に生じさせないことにより、発光効率が高く、かつ発
光輝度電圧特性の良好な薄膜ＥＬ素子を製造することで
あり、この目的を達成するために、透明電極と背面電極
との間に硫化亜鉛発光層を設けた薄膜ＥＬ素子の製造方
法において、基板を加熱しながら、硫化水素ガス雰囲気
又は硫化水素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気中で
高周波放電を行い、真空蒸着により前記発光層を成膜す
ることを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供する
。以下、本発明の一実施例を第１図の？ａ薄膜ＥＬ素子
是本構造及び第２図に基づき下記に詳述する。
的は、ＺｎＳ発光層中にＳと結合していない２ｎ原子を
生じせしめることを防止し、かつＺｎＯを２ｎＳ発光層
中に生じさせないことにより、発光効率が高く、かつ発
光輝度電圧特性の良好な薄膜ＥＬ素子を製造することで
あり、この目的を達成するために、透明電極と背面電極
との間に硫化亜鉛発光層を設けた薄膜ＥＬ素子の製造方
法において、基板を加熱しながら、硫化水素ガス雰囲気
又は硫化水素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気中で
高周波放電を行い、真空蒸着により前記発光層を成膜す
ることを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供する
。以下、本発明の一実施例を第１図の？ａ薄膜ＥＬ素子
是本構造及び第２図に基づき下記に詳述する。
（実施例）
先ず、第２図に示すような高周波放電を発生させる高周
波コイルを設けた公知の真空蒸着装置７内に、アルミノ
シリケートガラスＮＡ４０ （株式会社保谷硝子製）の
基板１を基板ホルダー８に嵌合して配置し、この基板１
上にＩｎ２ ０３を主成分とする透明電極２を積層し、
次に、３０００人のＹ２Ｏ３からなる第１誘電体層３を
成膜する。次に、前記真空蒸着装置７内を１Ｘ １０’
１ｌｌｌｌｌｌｌ（ｌ以下の高真空にすべく排気口９か
ら排気した後、Ｈ２Ｓガス雰囲気にすべくＨ２Ｓガスを
ガス導入口１０から導入して、前記真空蒸着装置７内の
Ｈ２Ｓガス分圧を１Ｘ １０−４ｍｍ１１ｇ、 ８２
０ 、 ＣＯ２等（１）残留気体分圧ヲ１Ｘ １０’ｍ
１ｌｌＨ（］以下にし、前記真空蒸着装置７内の高周波
コイル１１から、高周波電源１２によって高周波放電を
発生させ、かつ前記基板１をヒータ１３で加熱して２０
０℃に保持し、０．５重け％の）ｌｎをドープしたＺｎ
Ｓ焼結ペレット１４を、電子ビーム加熱法（電子銃１５
）により加熱して蒸発させ、前記第１誘電体層３上に約
６０００人のＨｎをドープした１ｎＳ発光層４を成膜す
る。この際、蒸発したＺｎＳが、前記第１誘電体層３上
に成膜されるとぎ、一部の２ｎＳは、Ｓ原子を失いｌｎ
原子となるが、高周波放電によって生成した１１２Ｓラ
ジカル、１１Ｓラジカル。
波コイルを設けた公知の真空蒸着装置７内に、アルミノ
シリケートガラスＮＡ４０ （株式会社保谷硝子製）の
基板１を基板ホルダー８に嵌合して配置し、この基板１
上にＩｎ２ ０３を主成分とする透明電極２を積層し、
次に、３０００人のＹ２Ｏ３からなる第１誘電体層３を
成膜する。次に、前記真空蒸着装置７内を１Ｘ １０’
１ｌｌｌｌｌｌｌ（ｌ以下の高真空にすべく排気口９か
ら排気した後、Ｈ２Ｓガス雰囲気にすべくＨ２Ｓガスを
ガス導入口１０から導入して、前記真空蒸着装置７内の
Ｈ２Ｓガス分圧を１Ｘ １０−４ｍｍ１１ｇ、 ８２
０ 、 ＣＯ２等（１）残留気体分圧ヲ１Ｘ １０’ｍ
１ｌｌＨ（］以下にし、前記真空蒸着装置７内の高周波
コイル１１から、高周波電源１２によって高周波放電を
発生させ、かつ前記基板１をヒータ１３で加熱して２０
０℃に保持し、０．５重け％の）ｌｎをドープしたＺｎ
Ｓ焼結ペレット１４を、電子ビーム加熱法（電子銃１５
）により加熱して蒸発させ、前記第１誘電体層３上に約
６０００人のＨｎをドープした１ｎＳ発光層４を成膜す
る。この際、蒸発したＺｎＳが、前記第１誘電体層３上
に成膜されるとぎ、一部の２ｎＳは、Ｓ原子を失いｌｎ
原子となるが、高周波放電によって生成した１１２Ｓラ
ジカル、１１Ｓラジカル。
Ｓラジカル又はＨ２Ｓ、Ｈ３，Ｓ の活性種が、第１
誘電体層３上で分解し、この分解により生じたＳ原子が
前記７ｎ原子と反応することによりＺｎＳとなって成膜
される。よって、前記第１誘電体層３上に成膜されたＺ
ｎＳ発光層４中に、Ｓ原子を失ったＩｎ原子の混入を防
止することができる。さらに、Ｈ２Ｓガス分圧が残留気
体分圧より大であるので、ＺｎＯの発生を防止し、前記
ＺｎＳ発光層４中に、ＺｎＯの混入を防止することもで
きる。次に、前記透明電極２．前記第１誘電体層３及び
前記ＺｎＳ発光層４を順次積層した前記基板１を真空蒸
着装置内で、３５０〜６５０℃の温度範囲で１〜２時間
熱処理する。この熱処理によって、前記ＺｎＳ発光層４
内に緩い結合状態で存在している２ｎＳが、強固な結合
となり、かつ発光中心としてのＨｎが、２ｎＳ発光層４
内に均一に分散するので、発光効率が高くなる。次に、
再度、前記基板１上に設けられたＺｎＳ発光層４上に３
０００人のＹ２Ｏ３からなる第２誘電体層５を積層し、
さらに、この第２誘電体層５ＦにＡｌからなる背面電極
６を積層する。
誘電体層３上で分解し、この分解により生じたＳ原子が
前記７ｎ原子と反応することによりＺｎＳとなって成膜
される。よって、前記第１誘電体層３上に成膜されたＺ
ｎＳ発光層４中に、Ｓ原子を失ったＩｎ原子の混入を防
止することができる。さらに、Ｈ２Ｓガス分圧が残留気
体分圧より大であるので、ＺｎＯの発生を防止し、前記
ＺｎＳ発光層４中に、ＺｎＯの混入を防止することもで
きる。次に、前記透明電極２．前記第１誘電体層３及び
前記ＺｎＳ発光層４を順次積層した前記基板１を真空蒸
着装置内で、３５０〜６５０℃の温度範囲で１〜２時間
熱処理する。この熱処理によって、前記ＺｎＳ発光層４
内に緩い結合状態で存在している２ｎＳが、強固な結合
となり、かつ発光中心としてのＨｎが、２ｎＳ発光層４
内に均一に分散するので、発光効率が高くなる。次に、
再度、前記基板１上に設けられたＺｎＳ発光層４上に３
０００人のＹ２Ｏ３からなる第２誘電体層５を積層し、
さらに、この第２誘電体層５ＦにＡｌからなる背面電極
６を積層する。
次に、本実施例による薄膜ＥＬ素子の発光輝度電圧特性
を第３図の曲線Ａで示す。比較例として、１１２Ｓガス
を導入せずに製造した薄ＩＩ！ＥＬ素子の発光輝度特性
を曲線Ｂで示す。この図で示すとおり、本実施例による
薄膜ＥＬ素子の方が、発光輝度が高く、さらに、発光の
閾値電圧も高いので発光輝度電圧特性も良好である。こ
のように特性を良好にした原因としては、前記したよう
にＳ原子を失ったＺｎ原子をＺｎＳ発光層中に混入する
ことを防止したことのみならず、高周波放電中でＺｎＳ
発光層を成膜することにより、蒸着源（本実施例ではＺ
ｎＳ焼結ベレット。）から蒸発したＺｎＳ 、 Ｚｎ。
を第３図の曲線Ａで示す。比較例として、１１２Ｓガス
を導入せずに製造した薄ＩＩ！ＥＬ素子の発光輝度特性
を曲線Ｂで示す。この図で示すとおり、本実施例による
薄膜ＥＬ素子の方が、発光輝度が高く、さらに、発光の
閾値電圧も高いので発光輝度電圧特性も良好である。こ
のように特性を良好にした原因としては、前記したよう
にＳ原子を失ったＺｎ原子をＺｎＳ発光層中に混入する
ことを防止したことのみならず、高周波放電中でＺｎＳ
発光層を成膜することにより、蒸着源（本実施例ではＺ
ｎＳ焼結ベレット。）から蒸発したＺｎＳ 、 Ｚｎ。
Ｓ等の粒子の一部が、プラズマ状態に活性化されている
ものと考えられ、これらの活性種の勤ぎによってＺｎＳ
発光層の結晶性がより高くなったとも考えられる。
ものと考えられ、これらの活性種の勤ぎによってＺｎＳ
発光層の結晶性がより高くなったとも考えられる。
前記実施例では、８２ Ｓガス雰囲気において■２Ｓガ
ス分圧ヲ１ ｘｌｏ−’ｍｍＨｇトＬタケレトモ、これ
に限定されない。しかし望ましくは、２×１０〜１Ｘ１
ｌＸ１０−３ＩＩ１がヨイ。マタ、前記実施例ではＨ２
Ｓガス雰囲気中でＺｎＳ発光層を成膜したが、高周波放
電を一層安定に維持するために、８２ ＳガスとＡｒ等
の不活性ガスとの混合ガスを前記実施例と同一の真空蒸
着装置内に導入し、混合ガス雰囲気（混合ガスのみなら
ず、残留気体が含まれていてもよい。）中で成膜しても
よい。ざらに、前記混合ガスの分圧は、望ましくは２
Ｘ １０’〜１×１０’ｍｍ１１ｇがよい。またさらに
、前記混合ガス雰囲気中（７） ｔｌ ２ Ｓ ｊｊ
ス（７） 分圧ハ、１ ｘ １０−”ｍｍＨｇ以上で１
Ｘ １Ｏ−３ｎ＋ｍ１１ｇ未満が望ましい。前記した
望ましいＨ２Ｓガス分圧の範囲及び混合ガス分圧の範囲
の理由は、下記のとおりである。先ず、Ｈ２Ｓガス雰囲
気によるＨ２ Ｓガス分圧及び混合ガス雰囲気による混
合ガス分圧が、１ ｘ １０−３ｍｍ１１ｇを越えると
気体分子の平均自由行程が短かくなり、ＺｎＳの蒸発粒
子が、気相中のＨ２Ｓ 、 Ａｒあるいはこれらから生
ずる活性種と衝突して、ＺｎＳ発光層の成膜に非常に時
間を貸すこととなる。一方、Ｈ２Ｓガス雰囲気による１
（２Ｓガス分圧及び混合ガス雰囲気による混合ガス分圧
を２ ｘ １０’ｍｍＨｇ未満とすると、高周波放電を
安定に維持することが困難となる。
ス分圧ヲ１ ｘｌｏ−’ｍｍＨｇトＬタケレトモ、これ
に限定されない。しかし望ましくは、２×１０〜１Ｘ１
ｌＸ１０−３ＩＩ１がヨイ。マタ、前記実施例ではＨ２
Ｓガス雰囲気中でＺｎＳ発光層を成膜したが、高周波放
電を一層安定に維持するために、８２ ＳガスとＡｒ等
の不活性ガスとの混合ガスを前記実施例と同一の真空蒸
着装置内に導入し、混合ガス雰囲気（混合ガスのみなら
ず、残留気体が含まれていてもよい。）中で成膜しても
よい。ざらに、前記混合ガスの分圧は、望ましくは２
Ｘ １０’〜１×１０’ｍｍ１１ｇがよい。またさらに
、前記混合ガス雰囲気中（７） ｔｌ ２ Ｓ ｊｊ
ス（７） 分圧ハ、１ ｘ １０−”ｍｍＨｇ以上で１
Ｘ １Ｏ−３ｎ＋ｍ１１ｇ未満が望ましい。前記した
望ましいＨ２Ｓガス分圧の範囲及び混合ガス分圧の範囲
の理由は、下記のとおりである。先ず、Ｈ２Ｓガス雰囲
気によるＨ２ Ｓガス分圧及び混合ガス雰囲気による混
合ガス分圧が、１ ｘ １０−３ｍｍ１１ｇを越えると
気体分子の平均自由行程が短かくなり、ＺｎＳの蒸発粒
子が、気相中のＨ２Ｓ 、 Ａｒあるいはこれらから生
ずる活性種と衝突して、ＺｎＳ発光層の成膜に非常に時
間を貸すこととなる。一方、Ｈ２Ｓガス雰囲気による１
（２Ｓガス分圧及び混合ガス雰囲気による混合ガス分圧
を２ ｘ １０’ｍｍＨｇ未満とすると、高周波放電を
安定に維持することが困難となる。
また、混合ガス雰囲気によるＨ２Ｓガス分圧が１Ｘ １
０−”ｍｍＨｇ未満であると、ＺｎＳ発光層の成膜中に
おいて、Ｓ原子が不足した状態、すなわちＳ原子を失っ
たＺｎ原子がＺｎＳ発光層中にとり残された状態で成膜
されてゆくこととなり、かつ残留気体によって生ずるＺ
ｎＯを防止する。Ｉ：でより完全とはならない。
０−”ｍｍＨｇ未満であると、ＺｎＳ発光層の成膜中に
おいて、Ｓ原子が不足した状態、すなわちＳ原子を失っ
たＺｎ原子がＺｎＳ発光層中にとり残された状態で成膜
されてゆくこととなり、かつ残留気体によって生ずるＺ
ｎＯを防止する。Ｉ：でより完全とはならない。
また、ＺｎＳ発光層の成膜時における基板の温度は、２
ｎＳ発光層の結晶性をよくするために、出来る限り高温
がよいが、３００°Ｃを越えると前記実施例によれば第
１誘電体層へのｌｎＳの付着確率が極めて小さくなるた
めに、３００℃以下が望ましい。
ｎＳ発光層の結晶性をよくするために、出来る限り高温
がよいが、３００°Ｃを越えると前記実施例によれば第
１誘電体層へのｌｎＳの付着確率が極めて小さくなるた
めに、３００℃以下が望ましい。
さらに望ましくは、第１誘電体層等のＺｎＳ発光層を積
層する層上でのＨ２Ｓラジカル等の活性種の分解反応を
促進するために、１５０〜３００℃の範囲がよい。
層する層上でのＨ２Ｓラジカル等の活性種の分解反応を
促進するために、１５０〜３００℃の範囲がよい。
また、前記実施例によれば、蒸着源として焼結ベレット
を用いたが、抵抗加熱法のときは、発光中心となる元素
をドープしたＩｎｓの粉末を用いてもよい。ここで、蒸
着源を加熱する方法としては、ｌｎＳの特性を考慮すれ
ば、前記した電子ビーム加熱法や抵抗加熱法がよい。さ
らに、前記実施例では、スパッタリング法でｌｎＳ発光
層を形成しないが、その理由は、スパッタリング法では
、形成されたｌｎＳ発光層の結晶性が然いために、高輝
度の薄膜ＥＬｉ子が得られないためである。またさらに
、本発明が使用される薄膜ＥＬ素子は、前記実施例の構
造のものに限らず、第１．第２誘電体層としてそれぞれ
多層膜からなる複合誘電体層でもよく、また、光吸収性
の薄膜をｌｎＳ発光層と背面電極との間に介在させたも
のでもよい。さらに、誘電体層を１層しか有しない薄膜
ＥＬ素子や、直流型薄膜ＥＬ素子の発光層に対しても同
様の効果がある。
を用いたが、抵抗加熱法のときは、発光中心となる元素
をドープしたＩｎｓの粉末を用いてもよい。ここで、蒸
着源を加熱する方法としては、ｌｎＳの特性を考慮すれ
ば、前記した電子ビーム加熱法や抵抗加熱法がよい。さ
らに、前記実施例では、スパッタリング法でｌｎＳ発光
層を形成しないが、その理由は、スパッタリング法では
、形成されたｌｎＳ発光層の結晶性が然いために、高輝
度の薄膜ＥＬｉ子が得られないためである。またさらに
、本発明が使用される薄膜ＥＬ素子は、前記実施例の構
造のものに限らず、第１．第２誘電体層としてそれぞれ
多層膜からなる複合誘電体層でもよく、また、光吸収性
の薄膜をｌｎＳ発光層と背面電極との間に介在させたも
のでもよい。さらに、誘電体層を１層しか有しない薄膜
ＥＬ素子や、直流型薄膜ＥＬ素子の発光層に対しても同
様の効果がある。
以上、本発明によれば、ＺｎＳ発光層中には、Ｓと結合
していないＺｎ原子や加０がほとんど存在することなく
、したがって、薄膜ＥＬ素子の発光輝度も高くなり、発
光輝度電圧特性も良好となる。
していないＺｎ原子や加０がほとんど存在することなく
、したがって、薄膜ＥＬ素子の発光輝度も高くなり、発
光輝度電圧特性も良好となる。
さらに、発光効率も良好となる。
第１刃は、薄膜ＥＬ素子の基本構造を示す断面図、第２
図は、本発明の一実施例で用いた高周波コイルを設けて
いる真空蒸着装置の概略図、第３図は、本発明の一実施
例による簿膜ＥＬ素子の発光輝度電圧特性を示す図であ
る。 １・・・基板、２・・・透明電極、３・・・第１誘電体
層、４・・・２ｎＳ発光層、５・・・第２誘電体層、６
・・・背面電極、１１・・・高周波コイル 第１図 第３図 ｔｏｏ ２００ ３００ 斤Ｙ 力１］ 電圧 （Ｖ）
図は、本発明の一実施例で用いた高周波コイルを設けて
いる真空蒸着装置の概略図、第３図は、本発明の一実施
例による簿膜ＥＬ素子の発光輝度電圧特性を示す図であ
る。 １・・・基板、２・・・透明電極、３・・・第１誘電体
層、４・・・２ｎＳ発光層、５・・・第２誘電体層、６
・・・背面電極、１１・・・高周波コイル 第１図 第３図 ｔｏｏ ２００ ３００ 斤Ｙ 力１］ 電圧 （Ｖ）
Claims (4)
- （１）透明電極と背面電極との間に硫化亜鉛発光層を設
けた薄膜ＥＬ素子の製造方法において、基板を加熱しな
がら、硫化水素ガス雰囲気又は硫化水素ガスと不活性ガ
スとの混合ガス雰囲気中で高周波放電を行い、真空蒸着
により前記発光層を成膜することを特徴とする薄膜ＥＬ
素子の製造方法。 - （２）特許請求の範囲（１）項記載の硫化水素ガス雰囲
気において、前記硫化水素ガスの分圧が２×１０＾−＾
５〜１×１０＾−＾３ｍｍＨｇの範囲であることを特徴
とする薄膜ＥＬ素子の製造方法。 - （３）特許請求の範囲第（１）項記載の硫化水素ガスと
不活性ガスとの混合ガス雰囲気において、前記混合ガス
の分圧が２×１０＾−＾５〜１×１０＾−＾３ｍｍＨｇ
の範囲であることを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法
。 - （４）特許請求の範囲第（３）項記載の混合ガス雰囲気
中のＨ＿２Ｓガスの分圧が１×１０＾−＾５ｍｍＨｇ以
上で１×１０ｍｍＨｇ未満の範囲であることを特徴とす
る薄膜ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59191290A JPS6168892A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59191290A JPS6168892A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6168892A true JPS6168892A (ja) | 1986-04-09 |
Family
ID=16272102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59191290A Pending JPS6168892A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6168892A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61232597A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | 富士通株式会社 | エレクトロルミネセンスパネルの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57123684A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Sumitomo Electric Industries | Method of producing thin film light emitting element |
| JPS60172196A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-05 | 松下電器産業株式会社 | エレクトロルミネセンス素子およびその製造法 |
| JPS6142893A (ja) * | 1984-08-01 | 1986-03-01 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
-
1984
- 1984-09-11 JP JP59191290A patent/JPS6168892A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57123684A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Sumitomo Electric Industries | Method of producing thin film light emitting element |
| JPS60172196A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-05 | 松下電器産業株式会社 | エレクトロルミネセンス素子およびその製造法 |
| JPS6142893A (ja) * | 1984-08-01 | 1986-03-01 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61232597A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | 富士通株式会社 | エレクトロルミネセンスパネルの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60182692A (ja) | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JP2795194B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 | |
| JPS62218476A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| US5029320A (en) | Thin film electroluminescence device with Zn concentration gradient | |
| JPS6168892A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP4042895B2 (ja) | Ｐｌ、ｃｌ又はｅｌ用酸化物蛍光体及びエレクトロルミネッセンス素子並びにその製造方法 | |
| JP2006351357A (ja) | 赤色ｅｌ素子 | |
| JPS6142893A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| US20020047515A1 (en) | Electroluminescent device and oxide phosphor for use therein | |
| JPS6391995A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6329489A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6244984A (ja) | 薄膜エレクトロ・ルミネセンス素子およびその製造方法 | |
| JP3294633B2 (ja) | 薄膜ｅｌディスプレイ素子 | |
| JPH07122363A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JP2572080B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| JP3016323B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPS6332894A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP3590986B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3349221B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JPS62108496A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JP2760607B2 (ja) | 発光素子 | |
| JPH08138867A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子およびエレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JPS60172196A (ja) | エレクトロルミネセンス素子およびその製造法 | |
| JP2009256573A (ja) | 衝突励起型ｅｌ用蛍光体、衝突励起型ｅｌ用蛍光体薄膜の製造方法、薄膜ｅｌ素子、薄膜ｅｌディスプレイ及び薄膜ｅｌランプ | |
| JP2005290196A (ja) | 蛍光体材料、蛍光体薄膜及びその製造方法、発光素子、並びに、ｅｌ素子 |