JPS6167941A - 混成集積回路の封止方法 - Google Patents
混成集積回路の封止方法Info
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- JPS6167941A JPS6167941A JP19092784A JP19092784A JPS6167941A JP S6167941 A JPS6167941 A JP S6167941A JP 19092784 A JP19092784 A JP 19092784A JP 19092784 A JP19092784 A JP 19092784A JP S6167941 A JPS6167941 A JP S6167941A
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- Japan
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- integrated circuit
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、混成集積回路の封止方法に係り、とくにセラ
ミック等からなる回路基板上に絶縁体膜。
ミック等からなる回路基板上に絶縁体膜。
導体ｌＩ９．金成１反を留日して金属カバーを溶接する
ようにした混成集積回路の封止方法に関するものである
。
ようにした混成集積回路の封止方法に関するものである
。
近年、通信、電子装置は小形化、高集稽化が強く要望さ
れており、この要望に沿って印刷配線板に搭載される部
品の相互干渉等を防止するために、セラミック等からな
る回路基板に混成集積回路を実装して、この回路基板に
金属カバーで遮蔽することが行なわれている。
れており、この要望に沿って印刷配線板に搭載される部
品の相互干渉等を防止するために、セラミック等からな
る回路基板に混成集積回路を実装して、この回路基板に
金属カバーで遮蔽することが行なわれている。
このような混成集積回路の封止方法は、目的に応じて種
々行なわれているが、何れも一長一短があった。
々行なわれているが、何れも一長一短があった。
第３図〜第６図は、従来の混成集積回路の封止方法を説
明するための、第３図は粉体塗装した斜視図、第４図は
セラミックカバーを接着した斜視図、第５図は合成樹脂
成型をした斜視図、第６図は回路基板を金属ケース内に
挿入する分解斜視図である。
明するための、第３図は粉体塗装した斜視図、第４図は
セラミックカバーを接着した斜視図、第５図は合成樹脂
成型をした斜視図、第６図は回路基板を金属ケース内に
挿入する分解斜視図である。
第３図は、回路基板に図示しない混成集積回路ｌを実装
して、リード端子２を除く全面に粉体流り１層等で、粉
体塗装３を行なったものである。
して、リード端子２を除く全面に粉体流り１層等で、粉
体塗装３を行なったものである。
第４図は、回路基板４に図示しない混成集積回路ｌを実
装して、回路基板４にセラミック等からなるカバー５を
接着した構成である。
装して、回路基板４にセラミック等からなるカバー５を
接着した構成である。
第５図は、合成樹脂による成型で、回路基板４に図示し
ない混成集積回路１を実装して、リード端子２を除き、
合成樹脂６により成型したモールドタイプである。
ない混成集積回路１を実装して、リード端子２を除き、
合成樹脂６により成型したモールドタイプである。
第６図は、回路基板４に図示しない混成集積回路１を実
装した回路基板４を金属カバー６内に挿入してハーメチ
ックシールしたもの等が一般に行なわれている。
装した回路基板４を金属カバー６内に挿入してハーメチ
ックシールしたもの等が一般に行なわれている。
上記の構成の混成集積回路の封止方法は、それぞれに一
長一短があり、使用目的に応じて第３図〜第６図の構成
のものが使われるが、第３図の粉体塗装によるものは、
寸法的にバラツキが大きいとともに、シールド効果がな
く、第４図のセラミックカバーによる場合は、気密性に
難点がある。
長一短があり、使用目的に応じて第３図〜第６図の構成
のものが使われるが、第３図の粉体塗装によるものは、
寸法的にバラツキが大きいとともに、シールド効果がな
く、第４図のセラミックカバーによる場合は、気密性に
難点がある。
第５図のモールドタイプはコンパクトで寸法的に製品価
値があるが、型代が高価で、しかもシールド効果がなく
、さらに第６図の金属カバーによる方法は、シールド効
果、気密封止等は良好であるが、ＳＩＰダイブには不向
きである等それぞれの問題点があった。
値があるが、型代が高価で、しかもシールド効果がなく
、さらに第６図の金属カバーによる方法は、シールド効
果、気密封止等は良好であるが、ＳＩＰダイブには不向
きである等それぞれの問題点があった。
本発明は、上記の問題点を解決したシールド効果の良好
な混成集積回路の封止方法を提供するもので、その手段
は、回路基板に混成集積回路の導体パターン形成面の外
周の一部に絶縁体ペースト等で絶縁体膜を形成し、該絶
縁体膜上に導体材料からなる導体膜を形成して、該導体
股上に金属板を融着し、該金属板に金属カバーを溶接す
ることによってなされる。
な混成集積回路の封止方法を提供するもので、その手段
は、回路基板に混成集積回路の導体パターン形成面の外
周の一部に絶縁体ペースト等で絶縁体膜を形成し、該絶
縁体膜上に導体材料からなる導体膜を形成して、該導体
股上に金属板を融着し、該金属板に金属カバーを溶接す
ることによってなされる。
上記混成集積回路の封止方法は、回路基板上に形成した
混成集積回路の導体パターン面の、外周の一部に金属カ
バーを溶接するための、絶縁体膜。
混成集積回路の導体パターン面の、外周の一部に金属カ
バーを溶接するための、絶縁体膜。
導体膜ならびに金属板を積層して、金属カバーを容易、
確実に溶接できる実用的なものである。
確実に溶接できる実用的なものである。
以下図面を参照しながら本発明に係る混成集積回路の封
止方法の実施例について詳細に説明する。
止方法の実施例について詳細に説明する。
第１図および第２図は、本発明に係る混成集積回路の封
止方法の一実施例を説明するための、第１図は分解斜視
図、第２図は斜視図で、第３図〜第６図と同等の部分に
ついては同一符号を付している。
止方法の一実施例を説明するための、第１図は分解斜視
図、第２図は斜視図で、第３図〜第６図と同等の部分に
ついては同一符号を付している。
セラミック等からなる回路基板４に、混成集積回路１を
実装するための導体パターン８を形成する。そして回路
基板４に導体パターン８を形成した面の、外周の一部に
導体膜１０より若干幅の広い絶縁体膜９を形成したるの
ち、絶縁体膜９の上に絶縁体膜９より幅の狭い導体膜１
０を形成して、この導体膜１０に予め作製しておいた金
属板１１を半田等で融着する。
実装するための導体パターン８を形成する。そして回路
基板４に導体パターン８を形成した面の、外周の一部に
導体膜１０より若干幅の広い絶縁体膜９を形成したるの
ち、絶縁体膜９の上に絶縁体膜９より幅の狭い導体膜１
０を形成して、この導体膜１０に予め作製しておいた金
属板１１を半田等で融着する。
そして、絶縁体膜９と導体膜１０および金属板１１を積
電ねた状態で、金属板１１に金属カバー１２をレーザ溶
接等で接着した封止方法である。
電ねた状態で、金属板１１に金属カバー１２をレーザ溶
接等で接着した封止方法である。
なお、本実施例ではＳＩＰ型混成集積回路の封止構造に
ついて説明したが、ＳＩＰ型に限らずＤＩＰ型混成集積
回路の封止にも適用が可能である。
ついて説明したが、ＳＩＰ型に限らずＤＩＰ型混成集積
回路の封止にも適用が可能である。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る混成ｍｓ
回路の封止方法によれば、気密封止が確実に行なえると
ともに、シールド効果が有効であるので、品質および信
頼性の向上が期待できる。
回路の封止方法によれば、気密封止が確実に行なえると
ともに、シールド効果が有効であるので、品質および信
頼性の向上が期待できる。
第１図および第２図は、本発明に係る混成集積回路の封
止方法の一実施例を説明するための、第１図は分解斜視
図、第２図は斜視図、 第３図〜第６図は、従来の混成集積回路の封止方法を説
明するための、第３図は粉体塗装した斜視図、第４図は
セラミツタカバーを接着した斜視図、第５図は合成樹脂
成型をした斜視図、第６図は回路基板を金属ケース内に
挿入する分解斜視図である。 図中、１は混成集積回路、２はリード端子、３は粉体塗
装、４は回路基板、５はセラミックカバー、６は合成樹
脂、７は金属カバー、８は導体パリーン、９は絶縁体膜
、１０は導体膜、１１は金属板、１２は金属カバー、を
それぞれ示す。
止方法の一実施例を説明するための、第１図は分解斜視
図、第２図は斜視図、 第３図〜第６図は、従来の混成集積回路の封止方法を説
明するための、第３図は粉体塗装した斜視図、第４図は
セラミツタカバーを接着した斜視図、第５図は合成樹脂
成型をした斜視図、第６図は回路基板を金属ケース内に
挿入する分解斜視図である。 図中、１は混成集積回路、２はリード端子、３は粉体塗
装、４は回路基板、５はセラミックカバー、６は合成樹
脂、７は金属カバー、８は導体パリーン、９は絶縁体膜
、１０は導体膜、１１は金属板、１２は金属カバー、を
それぞれ示す。
Claims (1)
- 回路基板に混成集積回路の導体パターン形成面の外周
の一部に絶縁体ペースト等で絶縁体膜を形成し、該絶縁
体膜上に導体材料からなる導体膜を形成して、該導体膜
上に金属板を融着し、該金属板に金属カバーを溶接する
ことを特徴とする混成集積回路の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19092784A JPS6167941A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 混成集積回路の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19092784A JPS6167941A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 混成集積回路の封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6167941A true JPS6167941A (ja) | 1986-04-08 |
Family
ID=16266000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19092784A Pending JPS6167941A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 混成集積回路の封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6167941A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5331969A (en) * | 1976-09-06 | 1978-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Airtight sealing method of semiconductor device |
| JPS5896754A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-08 | Toshiba Corp | 気密封止パツケ−ジ |
-
1984
- 1984-09-11 JP JP19092784A patent/JPS6167941A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5331969A (en) * | 1976-09-06 | 1978-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Airtight sealing method of semiconductor device |
| JPS5896754A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-08 | Toshiba Corp | 気密封止パツケ−ジ |
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