JPS6167735A - 分光反射率可変合金及び記録材料 - Google Patents
分光反射率可変合金及び記録材料Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は新規な分光反射率可変合金及び記録材料に係り
、特に光・熱エネルギーが与えられることにより合金の
結晶構造の変化にともなう分光反射率変化を利用した情
報記録、表示、センサ等の媒体に使用可能な合金に関す
る。
、特に光・熱エネルギーが与えられることにより合金の
結晶構造の変化にともなう分光反射率変化を利用した情
報記録、表示、センサ等の媒体に使用可能な合金に関す
る。
近年、情報記録の高密度化、デジタル化が進むにつれて
種々の情報記録再生方式の開発が進められている。特に
レーザの光エネルギを情報の記録1消去、再生に利用し
た光ディスクは工業レアメタルNn80.1f183
(光ディスクと材料)に記載されているように磁気ディ
スクに比べ、高い記録密度が可能であり、今後の情報記
録の有力な方式である。このうち、レーザによる再生装
置はコンパクト・ディスク(CD)として実用化されて
いる。
種々の情報記録再生方式の開発が進められている。特に
レーザの光エネルギを情報の記録1消去、再生に利用し
た光ディスクは工業レアメタルNn80.1f183
(光ディスクと材料)に記載されているように磁気ディ
スクに比べ、高い記録密度が可能であり、今後の情報記
録の有力な方式である。このうち、レーザによる再生装
置はコンパクト・ディスク(CD)として実用化されて
いる。
一方、記録可能な方式には追記型と書き換え可能□ 型
の大きく2つに分けられる。前者は1回の書き込みのみ
が可能であり、消去はできない。後者はくり返しの記録
、消去が可能な方式である。追記型の記録方法はレーザ
光により記録部分の媒体を破壊あるいは成形して凹凸を
つけ、再生にはこの凹凸部分でのレーザ光の干渉による
光反射量の変化を利用する。この記録媒体にはTeやそ
の合金を利用して、その溶解、昇華による凹凸の成形が
一般的に知られている。この種の媒体では毒性など若干
の問題を含んでいる。書き換え可能型の記録媒体として
は光磁気材料が主流である。この方法は光エネルギを利
用してキュリ一点あるいは補償点温度付近で媒体の局部
的な磁気異方性を反転させ記録し、その部分での偏光入
射光の磁気ファラデー効果及び磁気カー効果による偏光
面の回転量にて再生する。この方法は書き換え可能型の
最も有望なものとして数年後の実用化を目指し精力的な
研究開発が進められている。しかし、現在のところ偏光
面の回転量の大きな材料がなく多層膜化などの種々の工
夫をしてもS/N、C/Nなどの出力レベルが小さいと
いう大きな問題がある。
の大きく2つに分けられる。前者は1回の書き込みのみ
が可能であり、消去はできない。後者はくり返しの記録
、消去が可能な方式である。追記型の記録方法はレーザ
光により記録部分の媒体を破壊あるいは成形して凹凸を
つけ、再生にはこの凹凸部分でのレーザ光の干渉による
光反射量の変化を利用する。この記録媒体にはTeやそ
の合金を利用して、その溶解、昇華による凹凸の成形が
一般的に知られている。この種の媒体では毒性など若干
の問題を含んでいる。書き換え可能型の記録媒体として
は光磁気材料が主流である。この方法は光エネルギを利
用してキュリ一点あるいは補償点温度付近で媒体の局部
的な磁気異方性を反転させ記録し、その部分での偏光入
射光の磁気ファラデー効果及び磁気カー効果による偏光
面の回転量にて再生する。この方法は書き換え可能型の
最も有望なものとして数年後の実用化を目指し精力的な
研究開発が進められている。しかし、現在のところ偏光
面の回転量の大きな材料がなく多層膜化などの種々の工
夫をしてもS/N、C/Nなどの出力レベルが小さいと
いう大きな問題がある。
その他の書き換え可能型方式として記録媒体の非晶質と
結晶質の可逆的相変化による反射率変化を利用したもの
がある。例えばNatjonal Technical
Report Vo129 Ha 5 (1983)に
記載T o Oxに少量のGeおよびSnを添加した合
金がある。
結晶質の可逆的相変化による反射率変化を利用したもの
がある。例えばNatjonal Technical
Report Vo129 Ha 5 (1983)に
記載T o Oxに少量のGeおよびSnを添加した合
金がある。
しかし、この方式は非晶質相の結晶化温を低く、常温に
おける相の不安定さがディスクの信頼性に結びつく大き
な問題点である。
おける相の不安定さがディスクの信頼性に結びつく大き
な問題点である。
一方、色調変化を利用した合金として、特開昭57−1
40845がある。この合金は(12〜15)wt%A
Q −(1〜5 ) w t%Nj−残Cuよりなる
合金でマルテンサイト変態温度を境にして、赤から黄金
色に可逆的に変化することを利用したものである。マル
テンサイト変態は温度の低下にともなって必然的に生ず
る変態のため、マルテンサイト変態温度以上に保持した
状態で得られる色調はマルテンサイト変調温度以下にも
ってくることはできない。また逆にマルテンサイト変態
温度以下で得られる色調のものをマルテンサイト変態温
度以上にすると、変態をおこして別の色調に変化してし
まう。したがって、マルテンサイト変態の上下でおこる
2つの色調は同一温度で同時に得ることはできない。し
たがってこの原理では記録材料として適用することはで
きない。
40845がある。この合金は(12〜15)wt%A
Q −(1〜5 ) w t%Nj−残Cuよりなる
合金でマルテンサイト変態温度を境にして、赤から黄金
色に可逆的に変化することを利用したものである。マル
テンサイト変態は温度の低下にともなって必然的に生ず
る変態のため、マルテンサイト変態温度以上に保持した
状態で得られる色調はマルテンサイト変調温度以下にも
ってくることはできない。また逆にマルテンサイト変態
温度以下で得られる色調のものをマルテンサイト変態温
度以上にすると、変態をおこして別の色調に変化してし
まう。したがって、マルテンサイト変態の上下でおこる
2つの色調は同一温度で同時に得ることはできない。し
たがってこの原理では記録材料として適用することはで
きない。
本発明の目的は、同一温度で部分的に異なった分光反射
率を保持することのできる分光反射率可変合金及び記録
材料を提供するにある。
率を保持することのできる分光反射率可変合金及び記録
材料を提供するにある。
(発明の要旨)
本発明は、4間hf戊彷とし、ゲ)Vマユシム2o〜Z
8”IL硬O; /l ”’ フルミーラムρ、0/〜
b、o虹’t°;忌令硲冷からなることを特徴とする分
光反射率可変合金にある。
8”IL硬O; /l ”’ フルミーラムρ、0/〜
b、o虹’t°;忌令硲冷からなることを特徴とする分
光反射率可変合金にある。
即ち、本発明は、固体状態で室温より高い第1の温度(
高温)及び第1の温度より低い温度(低温)状態で異な
った結晶構造を有する合金において、該合金は前記高温
からの急冷によって前記低温における非急冷による結晶
構造と異なる結晶構造を有することを特徴とする分光反
射率可変合金にある。
高温)及び第1の温度より低い温度(低温)状態で異な
った結晶構造を有する合金において、該合金は前記高温
からの急冷によって前記低温における非急冷による結晶
構造と異なる結晶構造を有することを特徴とする分光反
射率可変合金にある。
本発明合金は面相状態での加熱冷却処理により、同一温
度で少なくとも2種の分光反射率を有し、可逆的に分光
反射率を変えることのできるものである。すなわち、本
発明に係る合金は固相状態で少なくとも2つの温度領域
で結晶構造の異なった相を有し、それらの内、高温相を
急冷した状態と非急冷の標準状態の低温和状態とで分光
反射率が異なり、高温和温度領域での加熱急冷と低温和
温度領域での加熱冷却により分光反射率が可逆的に変化
するものである。
度で少なくとも2種の分光反射率を有し、可逆的に分光
反射率を変えることのできるものである。すなわち、本
発明に係る合金は固相状態で少なくとも2つの温度領域
で結晶構造の異なった相を有し、それらの内、高温相を
急冷した状態と非急冷の標準状態の低温和状態とで分光
反射率が異なり、高温和温度領域での加熱急冷と低温和
温度領域での加熱冷却により分光反射率が可逆的に変化
するものである。
AQの添加は耐酸化性を向上させることにある。
・すなわち、AQが含有していないCu−Ge合金では
耐酸化性が悪いため後述する熱処理によって酸化してし
まい色調変化の色別が困難である。しかしAQを0.0
1〜3.0重量%含むと耐酸化性が顕著に向上し色調変
化が明確になる効果がでてくる。第1図はCu、−Ge
合金の相変態に伴う結晶構造の変化を示したものである
が、この図を利用して記録材料として必要な信号1文字
9図形。
耐酸化性が悪いため後述する熱処理によって酸化してし
まい色調変化の色別が困難である。しかしAQを0.0
1〜3.0重量%含むと耐酸化性が顕著に向上し色調変
化が明確になる効果がでてくる。第1図はCu、−Ge
合金の相変態に伴う結晶構造の変化を示したものである
が、この図を利用して記録材料として必要な信号1文字
9図形。
記号等の情報を記録及び消去する原理を説明する。
第1図の〔I〕組成の合金において、固相状態では2つ
の相状態がある。すなわち、ζ+ε相及びζ+ε、相が
ある。結晶構造はζ、ε、ε1のそれぞれの単相状態で
異なり、従ってこれらの単独では当然であるが、これら
の混合相によってもこれらの光学特性も変化する。結晶
構造の違いによる光学特性の違いとして分光反射率につ
いて説明する。T1は記録されたものが読みとれる温度
を意味し、室温と考えてもさしつかえない。T1での平
衡状態ではζ−richζ+ε1相であるので合金の分
光反射率は9母1に近い。これをT4まで加熱し、急冷
するとζ+ε相がT1に保持される。
の相状態がある。すなわち、ζ+ε相及びζ+ε、相が
ある。結晶構造はζ、ε、ε1のそれぞれの単相状態で
異なり、従ってこれらの単独では当然であるが、これら
の混合相によってもこれらの光学特性も変化する。結晶
構造の違いによる光学特性の違いとして分光反射率につ
いて説明する。T1は記録されたものが読みとれる温度
を意味し、室温と考えてもさしつかえない。T1での平
衡状態ではζ−richζ+ε1相であるので合金の分
光反射率は9母1に近い。これをT4まで加熱し、急冷
するとζ+ε相がT1に保持される。
T1におけるイ相の分光反射率はζ+ε1相とは異なる
。したがって両相を区別することができる。
。したがって両相を区別することができる。
一般的な色調の特徴を述べると、T、保持後急冷した場
合のT、でのζ+ε相は白紫色であり、ζ十ε、相は白
紫色である。即ちζ+ε、相状態の合金に例えば数μm
径のレーザ光を照射して局部的にT4まで加熱した後、
レーザ照射を止める。
合のT、でのζ+ε相は白紫色であり、ζ十ε、相は白
紫色である。即ちζ+ε、相状態の合金に例えば数μm
径のレーザ光を照射して局部的にT4まで加熱した後、
レーザ照射を止める。
照射部は急冷され、T1ではレーザ照射部のみζ十ε相
となる。レーザ照射をしない部分はζ+E□相のままで
あるので、T1において、レーザ照射部とそれ以外の部
分とで分光反射率が異なり両者を区別することができる
。この状態が記録の状態に相当する。一方T4加熱後急
冷して、T。
となる。レーザ照射をしない部分はζ+E□相のままで
あるので、T1において、レーザ照射部とそれ以外の部
分とで分光反射率が異なり両者を区別することができる
。この状態が記録の状態に相当する。一方T4加熱後急
冷して、T。
に保持されたζ+ε相状態のものをT工より高いT2
に加熱すると相がζ+E1相に変化しT□の温度に戻し
てもζ+ε1相のままである。したがって、前記のよう
にレーザ照射で局部的にζ+E相にした部分にレーザ光
を照射し、T2の温度に加熱すると、ζ十ε相がζ+ε
1相に変化する。
に加熱すると相がζ+E1相に変化しT□の温度に戻し
てもζ+ε1相のままである。したがって、前記のよう
にレーザ照射で局部的にζ+E相にした部分にレーザ光
を照射し、T2の温度に加熱すると、ζ十ε相がζ+ε
1相に変化する。
その後T1の温度に戻してもζ+ε1相の状態が保持さ
れる。すなわち、これが消去に相当する。
れる。すなわち、これが消去に相当する。
なおζ+ε相をζ+ξ1相に変化させるにはT1よりも
高い温度に加熱すればよいが、上限温度としては、高温
に保持した状態でε相が析出しない温度、第1図でのT
e、すなわち、共析温度である。以上の過程は繰返し行
なうことが可能であり、いわゆる書き換え可能な記録媒
体として適用可能である。
高い温度に加熱すればよいが、上限温度としては、高温
に保持した状態でε相が析出しない温度、第1図でのT
e、すなわち、共析温度である。以上の過程は繰返し行
なうことが可能であり、いわゆる書き換え可能な記録媒
体として適用可能である。
記録方法としてはさらに別の方法が適用できる。
すなわち、記録前の状態として、温度T1でζ+E相状
態の試料を用いる。これに例えば数μm径のレーザ光を
照射して、T2に加熱すると、レーザ照射部はζ+E、
相に変化する。冷却してT1の温度でもレーザ照射部は
ζ+ε1相であり、レーザ未照射部のζ+ε相と分光反
射率が異なり区別ができる。したがって記録できること
になる。
態の試料を用いる。これに例えば数μm径のレーザ光を
照射して、T2に加熱すると、レーザ照射部はζ+E、
相に変化する。冷却してT1の温度でもレーザ照射部は
ζ+ε1相であり、レーザ未照射部のζ+ε相と分光反
射率が異なり区別ができる。したがって記録できること
になる。
消去するには試料全面をT2 に加熱後、冷却すること
で可能である。このような処理をすると温度T、で、全
面がζ+ε1相に変化するからである。
で可能である。このような処理をすると温度T、で、全
面がζ+ε1相に変化するからである。
以上のように本発明は固相状態で少なくとも2種類の結
晶構造の異なる相を有し、一方の温度領域での和製他方
の温度領域で保持する合金を用いることによって記録及
び消去可能な材料である。
晶構造の異なる相を有し、一方の温度領域での和製他方
の温度領域で保持する合金を用いることによって記録及
び消去可能な材料である。
以上のような光、熱エネルギーによる記録、消去機構に
よれば、合金の組成は前述のように限定される。すなわ
ち、高温のζ十ε相が急冷により適冷できる組成範囲で
なければならない。
よれば、合金の組成は前述のように限定される。すなわ
ち、高温のζ十ε相が急冷により適冷できる組成範囲で
なければならない。
本発明では高温で安定なζ+ε相を記録の読み出しがで
きる温度に急冷し保持させることを利用する。従って、
加熱急冷によって記録、消去を効果的に実現されるため
には記録媒体の熱容量を小さくするとその応答速度が高
まる。そのため、気相あるいは液相から箔あるいは膜状
に直接急冷固化させた薄膜状にすることが有効である。
きる温度に急冷し保持させることを利用する。従って、
加熱急冷によって記録、消去を効果的に実現されるため
には記録媒体の熱容量を小さくするとその応答速度が高
まる。そのため、気相あるいは液相から箔あるいは膜状
に直接急冷固化させた薄膜状にすることが有効である。
薄膜の形成方法としてPVD (蒸着、スパッタリング
法等)、CVD法、溶湯を高速回転する金属ロール上に
注湯して急冷凝固させる溶湯急冷法、微粉末を塗布して
焼成する方法、電気めっき、化学めっき等がある。箔、
薄膜の結晶粒は分光反射率を局部的に変化させ高い電気
信号出力を得るため、できるだけ微細なことが好ましい
。前述の方法は一般に急冷状態で箔あるいは膜が形成さ
れるので結晶粒は非常に微細であり、記録媒体作製法と
して非常に適している。また、熱容量を小さくするとい
う観点から記録媒体の金属あるいけ合金を粉末にするこ
とも非常に有効である。これをバインダーなどと混ぜて
塗布し膜状にすればより有効である。以上のような基板
上へ成形された膜の場合、その膜を記録単位の最小程度
の大きさに化学エラチングなどにより区切り、個々の膜
の熱容量を低減することも有効である。
法等)、CVD法、溶湯を高速回転する金属ロール上に
注湯して急冷凝固させる溶湯急冷法、微粉末を塗布して
焼成する方法、電気めっき、化学めっき等がある。箔、
薄膜の結晶粒は分光反射率を局部的に変化させ高い電気
信号出力を得るため、できるだけ微細なことが好ましい
。前述の方法は一般に急冷状態で箔あるいは膜が形成さ
れるので結晶粒は非常に微細であり、記録媒体作製法と
して非常に適している。また、熱容量を小さくするとい
う観点から記録媒体の金属あるいけ合金を粉末にするこ
とも非常に有効である。これをバインダーなどと混ぜて
塗布し膜状にすればより有効である。以上のような基板
上へ成形された膜の場合、その膜を記録単位の最小程度
の大きさに化学エラチングなどにより区切り、個々の膜
の熱容量を低減することも有効である。
以上のような分光反射率、色調の可逆的変化を利用すれ
ば、光ディスク・メモリの記録媒体への応用はもとより
、表示素子、温度センサなどのセンサ類への応用もでき
る。
ば、光ディスク・メモリの記録媒体への応用はもとより
、表示素子、温度センサなどのセンサ類への応用もでき
る。
(合金組成)
本発明合金は、高温及び低温状態で異なった結晶′gI
造を有するもので、高温からの急冷によってその急冷さ
れた結晶構造が形成されるものでなければならない。更
に、この急冷されて形成された相は所定の温度での加熱
によって低温状態での結晶構造に変化するものでなけれ
ばならない。
造を有するもので、高温からの急冷によってその急冷さ
れた結晶構造が形成されるものでなければならない。更
に、この急冷されて形成された相は所定の温度での加熱
によって低温状態での結晶構造に変化するものでなけれ
ばならない。
(ノンパルりとそのHi告法)
本発明合金は反射率の可変性を得るために材料の加熱急
冷によって過電相を形成できるものが必要である。高速
で情報の製作及び記憶させるには材料の急熱急冷効果の
高い熱蓉量の小さいノンバルクが望ましい。即ち、所望
の微小面積に対して投入されたエネルギーによ′つて実
質的に所望の面種部分だけが深さ全体にわたって基準と
なる結晶構造と異なる結晶構造に変り得る容積を持つノ
ンバルクであることが望ましい。従って、所望の微小面
積によって高密度の情報を製作するには、熱容量の小さ
いノンバルクである箔、膜、細線あるいは粉末等が望ま
しい。記録密度として、20メガビット/d以上となる
ような微小面積での情報の製作には0.01〜0.2μ
mの膜厚とするのがよい。一般に金属間化合物は塑性加
工が難しい。
冷によって過電相を形成できるものが必要である。高速
で情報の製作及び記憶させるには材料の急熱急冷効果の
高い熱蓉量の小さいノンバルクが望ましい。即ち、所望
の微小面積に対して投入されたエネルギーによ′つて実
質的に所望の面種部分だけが深さ全体にわたって基準と
なる結晶構造と異なる結晶構造に変り得る容積を持つノ
ンバルクであることが望ましい。従って、所望の微小面
積によって高密度の情報を製作するには、熱容量の小さ
いノンバルクである箔、膜、細線あるいは粉末等が望ま
しい。記録密度として、20メガビット/d以上となる
ような微小面積での情報の製作には0.01〜0.2μ
mの膜厚とするのがよい。一般に金属間化合物は塑性加
工が難しい。
従って、箔、膜、細線あるいは粉末にする手法として材
料を気相あるいは液相から直接急冷固化させて所定の形
状にすることが有効である。これらの方法にはPV’D
法(蒸着、スパッタリング法等)、CVD法、溶湯を高
速回転する高熱伝導性を有する部材からなる。特に金属
ロール円周面上に注湯して急冷凝固させる溶湯急冷法、
電気メッキ、化学メッキ法等がある。膜あるいは粉末状
の材料を利用する場合、基板上に直接゛形成するか、塗
布して基板上に接着することが効果的である。塗布する
場合、粉末を加熱しそも反応などを起こさないバインダ
ーがよい。また、加熱による材料の酸化等を防止するた
め、材料表面、基板上に形成した膜あるいは塗布層表面
をコーティングすることも有効である。
料を気相あるいは液相から直接急冷固化させて所定の形
状にすることが有効である。これらの方法にはPV’D
法(蒸着、スパッタリング法等)、CVD法、溶湯を高
速回転する高熱伝導性を有する部材からなる。特に金属
ロール円周面上に注湯して急冷凝固させる溶湯急冷法、
電気メッキ、化学メッキ法等がある。膜あるいは粉末状
の材料を利用する場合、基板上に直接゛形成するか、塗
布して基板上に接着することが効果的である。塗布する
場合、粉末を加熱しそも反応などを起こさないバインダ
ーがよい。また、加熱による材料の酸化等を防止するた
め、材料表面、基板上に形成した膜あるいは塗布層表面
をコーティングすることも有効である。
箔又は細線は溶湯急冷法によって形成するのが好ましく
、厚さ又は直径0.1mn以下が好ましい。
、厚さ又は直径0.1mn以下が好ましい。
□ 特にO,]lLm以下の結晶粒径の箔又は細線を製
造するには0.05mm以下の厚さ又は直径が好ましい
。
造するには0.05mm以下の厚さ又は直径が好ましい
。
粉末は、溶湯を気体又は液体の冷媒とともに噴霧させて
水中に投入させて急冷するガイアトマイズ法によって形
成させることが好ましい。その粒径は0.1mn以下が
好ましく、特に粒径1μm以下の超微粉が好ましい。
水中に投入させて急冷するガイアトマイズ法によって形
成させることが好ましい。その粒径は0.1mn以下が
好ましく、特に粒径1μm以下の超微粉が好ましい。
膜は前述の如く蒸着、スパッタリング、CVD電気メッ
キ、化学メッキ等によって形成できる。
キ、化学メッキ等によって形成できる。
特に、0.1μm以下の膜厚を形成するにはスパッタリ
ングが好ましい。スパッタリングは目標の合金組成のコ
ントロールが容易にできる。
ングが好ましい。スパッタリングは目標の合金組成のコ
ントロールが容易にできる。
(組m)
本発明合金は、高温及び低温において異なる結晶構造を
有し、高温からの急冷によって高温における結晶構造を
低温で保持される過電相の組成を有するものでなければ
ならない。高温では不規則格子の結晶構造を有するが、
過電相は一例としてC5−CΩ型又はDO3型の規則格
子を有する金属間化合物が好ましい。光学的性質を大き
く変化させることのできるものとして本発明合金はこの
金属間化合物を主に形成する合金が好ましく、特に合金
全体が金属間化合物を形成する組成が好ましい。この金
属間化合物は電子化合物と呼ばれ、特に3/2電子化合
物(平均外殻電子濃度e / aが3/2)の合金組成
付近のものが良好である。
有し、高温からの急冷によって高温における結晶構造を
低温で保持される過電相の組成を有するものでなければ
ならない。高温では不規則格子の結晶構造を有するが、
過電相は一例としてC5−CΩ型又はDO3型の規則格
子を有する金属間化合物が好ましい。光学的性質を大き
く変化させることのできるものとして本発明合金はこの
金属間化合物を主に形成する合金が好ましく、特に合金
全体が金属間化合物を形成する組成が好ましい。この金
属間化合物は電子化合物と呼ばれ、特に3/2電子化合
物(平均外殻電子濃度e / aが3/2)の合金組成
付近のものが良好である。
本発明合金は超微細結晶粒を有する合金が好ましく、特
に結晶粒径は0.1μm以下が好ましい。
に結晶粒径は0.1μm以下が好ましい。
即ち、結晶粒は可視光領域の波長の値より小さいのが好
ましいが、半導体レーザ光の波長の値より小さいもので
もよい。
ましいが、半導体レーザ光の波長の値より小さいもので
もよい。
(特性)
本発明の分光反射率可変合金及び記録材料は、可視光領
域における分光反射率を同一温度で少なくとも2種類形
成させることができる。即ち、高温からの急冷によって
形成された結晶構造(組織)を有するものの分光反射率
が非急冷によって形成された結晶構造(組織)を有する
ものの分光反射率と異なっていることが必要である。
域における分光反射率を同一温度で少なくとも2種類形
成させることができる。即ち、高温からの急冷によって
形成された結晶構造(組織)を有するものの分光反射率
が非急冷によって形成された結晶構造(組織)を有する
ものの分光反射率と異なっていることが必要である。
また、急冷と非急冷によって得られるものの分光反射率
の差は5%以上が好ましく、特に10%以上有すること
が好ましい。分光反射率の差が大きければ、目視による
色の識別が容易であり、後で記載する各種用途において
顕著な効果がある。
の差は5%以上が好ましく、特に10%以上有すること
が好ましい。分光反射率の差が大きければ、目視による
色の識別が容易であり、後で記載する各種用途において
顕著な効果がある。
分光反射させる光源として、電磁波であれば可視光以外
でも使用可能であり、赤外線、紫外線なども使用可能で
ある。
でも使用可能であり、赤外線、紫外線なども使用可能で
ある。
本発明合金のその他の特性として、電気抵抗率、光の屈
折率、光の偏光率、光の透過率なども分光反射率と同様
に可逆的に変えることができ、各種情報の記録9表示、
センサー等の再生、検出手段として利用することができ
る。
折率、光の偏光率、光の透過率なども分光反射率と同様
に可逆的に変えることができ、各種情報の記録9表示、
センサー等の再生、検出手段として利用することができ
る。
分光反射率は合金の表面あらさ状態に関係するので、前
述のように少なくとも可視光領域において10%以上有
するように少なくとも目的とする部分において鏡面にな
っているのが好ましい。
述のように少なくとも可視光領域において10%以上有
するように少なくとも目的とする部分において鏡面にな
っているのが好ましい。
(用途)
本発明合金は、加熱急冷によって部分的又は全体に結晶
構造の変化による電磁波の分光反射率、電気抵抗率、屈
折率、偏光率、透過率等の物理的又は電気的特性を変化
させ、これらの特性の変化を利用して記録、表示、セン
サー等の素子に使用することができる。
構造の変化による電磁波の分光反射率、電気抵抗率、屈
折率、偏光率、透過率等の物理的又は電気的特性を変化
させ、これらの特性の変化を利用して記録、表示、セン
サー等の素子に使用することができる。
情報等の記録の手段として、電圧及び電流の形での電気
エネルギー、電磁波(可視光、輻射熱。
エネルギー、電磁波(可視光、輻射熱。
赤外線、紫外線、写真用閃光ランプの光、電子ビーム、
陽子線、アルゴンレーザ、半導体レーザ等のレーザ光線
、熱等)を用いることができ、特にその照射による分光
反射率の変化を利用して光ディスクの記録媒体に利用す
るのが好ましい。光ディスクには、ディジタルオーディ
オディスク(DAD又はコンパクトディスク)、ビデオ
ディスク、メモリーディスクなどがあり、これらに使用
可能である。本発明合金を光ディスクの記録媒体に使用
することにより再生専用型、追加記録型。
陽子線、アルゴンレーザ、半導体レーザ等のレーザ光線
、熱等)を用いることができ、特にその照射による分光
反射率の変化を利用して光ディスクの記録媒体に利用す
るのが好ましい。光ディスクには、ディジタルオーディ
オディスク(DAD又はコンパクトディスク)、ビデオ
ディスク、メモリーディスクなどがあり、これらに使用
可能である。本発明合金を光ディスクの記録媒体に使用
することにより再生専用型、追加記録型。
書換型ディスク装置にそれぞれ使用でき、特に書換型デ
ィスク装置においてきわめて有効である。
ィスク装置においてきわめて有効である。
本発明合金を光ディスクの記録媒体に使用した場合の記
録及び再生の原理の例は次の通りである。
録及び再生の原理の例は次の通りである。
先ず、記録媒体を局部的に加熱し該加熱後の急冷によっ
て高温度領域での結晶構造を低温度領域で保持させて所
定の情報を記録し、又は高温相をベースとして、局部的
に加熱して高温和中に局部的に低温相によって記録し、
記録部分に光を照射して加熱部分と非加熱部分の光学的
特性の差を検出して情報を再生することができる。更に
情報として記録された部分を記録時の加熱温度より低い
温度又は高い温度で加熱し記録された情報を消去するこ
とができる。光はレーザ光線が好ましく、特に短波長レ
ーザが好ましい:本発明の加熱部分と非加熱部分との反
射率が500nm又は800nm付近の波長において最
も大きいので、このような波長を有するレーザ光を再生
に用いるのが好ましい。記録、再生には同じレーザ源が
用いられ、消去に記録のものよりエネルギー密度を小さ
くした他のレーザ光を照射するのが好ましい。
て高温度領域での結晶構造を低温度領域で保持させて所
定の情報を記録し、又は高温相をベースとして、局部的
に加熱して高温和中に局部的に低温相によって記録し、
記録部分に光を照射して加熱部分と非加熱部分の光学的
特性の差を検出して情報を再生することができる。更に
情報として記録された部分を記録時の加熱温度より低い
温度又は高い温度で加熱し記録された情報を消去するこ
とができる。光はレーザ光線が好ましく、特に短波長レ
ーザが好ましい:本発明の加熱部分と非加熱部分との反
射率が500nm又は800nm付近の波長において最
も大きいので、このような波長を有するレーザ光を再生
に用いるのが好ましい。記録、再生には同じレーザ源が
用いられ、消去に記録のものよりエネルギー密度を小さ
くした他のレーザ光を照射するのが好ましい。
また、本発明合金を記録媒体に用いたディスクは情報が
記録されているか否かが目視で判別できる大きなメリッ
トがある。
記録されているか否かが目視で判別できる大きなメリッ
トがある。
表示として、特に可視光での分光反射率を部分的に変え
ることができるので塗料を使用せずに文字、図形、記号
等を記録することができ、それらの表示は目視によって
識別することができる。また、これらの情報は消去する
ことができ、記録と消去のくり返し使用のほか、永久保
存も可能である。その応用例として時計の文字盤、アク
セサリ−などがある。
ることができるので塗料を使用せずに文字、図形、記号
等を記録することができ、それらの表示は目視によって
識別することができる。また、これらの情報は消去する
ことができ、記録と消去のくり返し使用のほか、永久保
存も可能である。その応用例として時計の文字盤、アク
セサリ−などがある。
センサーとして、特に可視光での分光反射率の変化を利
用する温度センサーがある。予め高温相に変る温度が分
っている本発明の合金を使用したセンサーを測定しよう
とする温度領域に保持し、その適冷によって過電相を保
持させることによっておおよその温度検出ができる。
用する温度センサーがある。予め高温相に変る温度が分
っている本発明の合金を使用したセンサーを測定しよう
とする温度領域に保持し、その適冷によって過電相を保
持させることによっておおよその温度検出ができる。
C’S造法)
本発明は、固体状態で室温より高い第1の温度と該第1
の温度より低い第2の温度とで異なった結晶構造を有す
る前述した化学組成の合金表面の一部に、前記第1の温
度より急冷して前記第2の温度における結晶構造と異な
る結晶構造を有する領域を形成し、前記急冷されて形成
された結晶構造を有する領域と前記第2の゛温度での結
晶構造を有する領域とで異なった分光反射率を形成させ
ることを特徴とする分光反射率可変合金の製造法にある
。
の温度より低い第2の温度とで異なった結晶構造を有す
る前述した化学組成の合金表面の一部に、前記第1の温
度より急冷して前記第2の温度における結晶構造と異な
る結晶構造を有する領域を形成し、前記急冷されて形成
された結晶構造を有する領域と前記第2の゛温度での結
晶構造を有する領域とで異なった分光反射率を形成させ
ることを特徴とする分光反射率可変合金の製造法にある
。
更に、本発明は固体状態で室温より高い第1の温度と該
第1の温度より低い第2の温度で異なった結晶構造を有
する前述した化学組成の合金表面の全部に、前記第1の
温度から急冷して前記第2の温度における結晶構造と異
なる結晶構造を形成させ、次いで前記合金表面の一部を
前記第2の温度に加熱して前記第2の温度における結晶
構造を有する領域を形成し、前記急冷されて形成された
結晶構造を有する領域と前記第2の温度における結晶構
造を有する領域とで異なった分光反射率を形成させるこ
とを特徴とする分光反射率可変合金の製造法にある。
第1の温度より低い第2の温度で異なった結晶構造を有
する前述した化学組成の合金表面の全部に、前記第1の
温度から急冷して前記第2の温度における結晶構造と異
なる結晶構造を形成させ、次いで前記合金表面の一部を
前記第2の温度に加熱して前記第2の温度における結晶
構造を有する領域を形成し、前記急冷されて形成された
結晶構造を有する領域と前記第2の温度における結晶構
造を有する領域とで異なった分光反射率を形成させるこ
とを特徴とする分光反射率可変合金の製造法にある。
第1の温度からの冷却速度は102℃/秒以上、より好
ましくは103℃/秒以上が好ましい。
ましくは103℃/秒以上が好ましい。
(実施例1)
Cu −22w t、%Ge−1wt%AQ合金を溶融
状態にして、その溶湯を高速回転するロール外周上に注
湯急冷する手法、いわゆる液体急冷法によって約40μ
m厚さのリボン状箔を作製した。
状態にして、その溶湯を高速回転するロール外周上に注
湯急冷する手法、いわゆる液体急冷法によって約40μ
m厚さのリボン状箔を作製した。
このリボンは室温で紫色であった。このリボンを500
℃2 min加熱後空冷すると白紫色に変化した。さら
にこのリボンを650℃2mi、n加熱水冷するとその
色調は紫色に変化した。これらの色調、 変化を加熱
時間と温度の関係で整理すると第2図のようになる。す
なわち、300〜380℃では紫色と白紫色の中間色で
あり、400〜600℃では白紫色、650℃以上では
紫色となる。これは加熱時間によってほとんど変化しな
い。このようにして白紫色になった箔を650℃以上に
加熱すると紫色となり、紫色になった箔を600℃以下
で加熱すると白紫色にもどる。このようにこの2色の間
に可逆的な色調記憶効果が生じる。以上の色調変化は−
1;記した合金以外の本発明の組成範囲のいずれの場合
にも同様な傾向であった。第3図はこれら両者の分光反
射率を測定した結果である。個々に特有な反射率変化を
示し680nm付近を除いた波長領域で識別することが
可能であった。以後、この2つの加熱急冷を繰り返して
もこの相違はほとんど変化せず可逆的な変化の再現性が
確認できた。
℃2 min加熱後空冷すると白紫色に変化した。さら
にこのリボンを650℃2mi、n加熱水冷するとその
色調は紫色に変化した。これらの色調、 変化を加熱
時間と温度の関係で整理すると第2図のようになる。す
なわち、300〜380℃では紫色と白紫色の中間色で
あり、400〜600℃では白紫色、650℃以上では
紫色となる。これは加熱時間によってほとんど変化しな
い。このようにして白紫色になった箔を650℃以上に
加熱すると紫色となり、紫色になった箔を600℃以下
で加熱すると白紫色にもどる。このようにこの2色の間
に可逆的な色調記憶効果が生じる。以上の色調変化は−
1;記した合金以外の本発明の組成範囲のいずれの場合
にも同様な傾向であった。第3図はこれら両者の分光反
射率を測定した結果である。個々に特有な反射率変化を
示し680nm付近を除いた波長領域で識別することが
可能であった。以後、この2つの加熱急冷を繰り返して
もこの相違はほとんど変化せず可逆的な変化の再現性が
確認できた。
(実施例2)
スパッタ蒸着によりガラス基板上に50nm厚さの実施
例1と同組成の合金薄膜を作製し、その上に保護膜とし
てAfl、O,もしくはSio2を50nm厚さスパッ
タ蒸着により被覆した。作製した膜は紫色を呈した。つ
いで、この膜を550℃2m1n加熱空冷した結果色調
は白紫色に変化した。
例1と同組成の合金薄膜を作製し、その上に保護膜とし
てAfl、O,もしくはSio2を50nm厚さスパッ
タ蒸着により被覆した。作製した膜は紫色を呈した。つ
いで、この膜を550℃2m1n加熱空冷した結果色調
は白紫色に変化した。
この分光反射率は第3図に示した結果とほぼ同等であっ
た。膜の全面を白紫色化した試料にスポット径約2μm
の半導体レーザを出力30mW以下で走査させた。室温
でレーザ照射部を観察した結果を白紫色の基地に幅約2
μmの紫色の線を描けていることが分った。すなわち、
レーザ光による局部加熱によって色を変化させ、レーザ
照射を色変化によって記録することができることを確認
した。次に、レーザ出力を低くするか、レーザ光の焦点
を膜面かられずかにずらした状態で変色部にレーザ光を
照射すると前記の紫色に変゛化した線部分は基地の白紫
色に可逆的に変化した。すなわち、紫色に記録したもの
を消去することができることを確認した。この可逆的変
化は以後繰返しても可能であることも確認された。
た。膜の全面を白紫色化した試料にスポット径約2μm
の半導体レーザを出力30mW以下で走査させた。室温
でレーザ照射部を観察した結果を白紫色の基地に幅約2
μmの紫色の線を描けていることが分った。すなわち、
レーザ光による局部加熱によって色を変化させ、レーザ
照射を色変化によって記録することができることを確認
した。次に、レーザ出力を低くするか、レーザ光の焦点
を膜面かられずかにずらした状態で変色部にレーザ光を
照射すると前記の紫色に変゛化した線部分は基地の白紫
色に可逆的に変化した。すなわち、紫色に記録したもの
を消去することができることを確認した。この可逆的変
化は以後繰返しても可能であることも確認された。
以」二の結果はArレーザによっても得られることを確
認した。
認した。
(実施例3)
実施例2と同一方法で作製した試料、すなわち、室温で
全面が紫色の試料に半導体レーザ(出方おいて白紫色に
変化し、基地の色と識別できた。
全面が紫色の試料に半導体レーザ(出方おいて白紫色に
変化し、基地の色と識別できた。
すなわちレーザによる記録ができた。その後、全体を5
50℃に2m1n加熱すると全体は白紫色に変化し、記
録した部分を消去することができた。
50℃に2m1n加熱すると全体は白紫色に変化し、記
録した部分を消去することができた。
以上の結果はArレーザによっても実現できた。
本発明は光、熱エネルギーにより結晶−結晶量相変化に
基づく記録、消去回部な記録材料であり、従来に比べ、
出力レベルが高く安定である。
基づく記録、消去回部な記録材料であり、従来に比べ、
出力レベルが高く安定である。
第1図はCu−Ge合金の相変態に伴う結晶構造の変化
を示す模式的に表わした二元系合金状態図、第2図はC
u −22Go−IAρ合金の色調変化を温度との関係
によって表わした線図、第37兜は記録材料に用いたC
u −22G e −I A 0合第7口 時 間(防) 覚30 ヲ皮 長 (nnt)
を示す模式的に表わした二元系合金状態図、第2図はC
u −22Go−IAρ合金の色調変化を温度との関係
によって表わした線図、第37兜は記録材料に用いたC
u −22G e −I A 0合第7口 時 間(防) 覚30 ヲ皮 長 (nnt)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、銅を主成分とし、ゲルマニウム20〜28重量%及
びアルミニウム0.01〜3.0重量%を含む合金から
なることを特徴とする分光反射率可変合金。 2、固体状態で室温より高い第1の温度と該第1の温度
より低い第2の温度で異なつた結晶構造を有する合金表
面の一部が、前記第1の温度からの急冷によつて前記第
2の温度における結晶構造と異なつた結晶構造を有し、
他は前記第2の温度における結晶構造を有し前記急冷さ
れた結晶構造とは異なつた分光反射率を有する特許請求
の範囲第1項に記載の分光反射率可変合金。 3、前記合金は金属間化合物を有する特許請求の範囲第
1項又は第2項に記載の分光反射率可変合金。 4、前記第1の温度は固相変態点より高い温度である特
許請求の範囲第1項〜第3項のいずれかに記載の分光反
射率可変合金。 5、前記急冷によつて形成された結晶構造を有するもの
の分光反射率と非急冷によつて形成された前記低温にお
ける結晶構造を有するものの分光反射率との差が5%以
上である特許請求の範囲第1項〜第4項のいずれかに記
載の分光反射率可変合金。 6、前記合金の分光反射率は波長400〜1000nm
で10%以上である特許請求の範囲第1項〜第5項のい
ずれかに記載の分光反射率可変合金。 7、前記合金はノンバルク材である特許請求の範囲第1
項〜第6項のいずれかに記載の分光反射率可変合金。 8、前記合金は結晶粒径が0.1μm以下である特許請
求の範囲第1項〜第7項のいずれかに記載の分光反射率
可変合金。 9、前記合金は薄膜、箔、ストリップ、粉末及び細線の
いずれかである特許請求の範囲第1項〜第8項のいずれ
かに記載の分光反射率可変合金。 10、銅を主成分とし、ゲルマニウム20〜28重量%
及びアルミニウム0.01〜3.0重量%を含む合金か
らなることを特徴とする記録材料。 11、固体状態で室温より高い第1の温度と該第1の温
度より低い第2の温度とで異なつた結晶構造を有する合
金であつて、該合金表面の少なくとも一部が前記第1の
温度からの急冷によつて前記第2の温度における結晶構
造と異なつた結晶構造を形成する合金組成を有する特許
請求の範囲第10項に記載の記録材料。 12、前記合金の溶湯を回転する高熱伝導性部材からな
るロール円周面上に注湯してなる箔又は細線である特許
請求の範囲第10項又は第11項に記載の記録材料。 13、前記合金を蒸着又はスパッタリングによつて堆積
してなる薄膜である特許請求の範囲第10項又は第11
項に記載の記録材料。 14、前記合金の溶湯を液体又は気体の冷却媒体を用い
て噴霧してなる粉末である特許請求の範囲第10項又は
第11項に記載の記録材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59187945A JPS6167735A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | 分光反射率可変合金及び記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59187945A JPS6167735A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | 分光反射率可変合金及び記録材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6167735A true JPS6167735A (ja) | 1986-04-07 |
Family
ID=16214920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59187945A Pending JPS6167735A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | 分光反射率可変合金及び記録材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6167735A (ja) |
-
1984
- 1984-09-10 JP JP59187945A patent/JPS6167735A/ja active Pending
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