JPS6161706B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6161706B2 JPS6161706B2 JP7297581A JP7297581A JPS6161706B2 JP S6161706 B2 JPS6161706 B2 JP S6161706B2 JP 7297581 A JP7297581 A JP 7297581A JP 7297581 A JP7297581 A JP 7297581A JP S6161706 B2 JPS6161706 B2 JP S6161706B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse
- semiconductor
- terminal plate
- rectifier
- output terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 30
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は整流回路装置を構成するのに用いら
れる半導体整流素子スタツクに関するものであ
る。
れる半導体整流素子スタツクに関するものであ
る。
第1図は半導体整流素子を用いた従来の整流回
路装置の回路図で、図において、1は半導体整流
素子、2はヒユーズ、3は直流負荷、4は三相の
交流電源である。そして、一般に、この整流回路
装置は図に5で示すような半導体整流素子スタツ
クを複数個(三相の場合は3個)用いて構成され
る。
路装置の回路図で、図において、1は半導体整流
素子、2はヒユーズ、3は直流負荷、4は三相の
交流電源である。そして、一般に、この整流回路
装置は図に5で示すような半導体整流素子スタツ
クを複数個(三相の場合は3個)用いて構成され
る。
第2図Aはこの半導体整流素子スタツク5の従
来の具体的構成を模式的に示す側面図、第2図B
はその接続回路図である。図において、6は半導
体整流素子1を挾むように設けられこの半導体整
流素子1を冷却するための冷却片、7は交流入力
端子用導体、8は正電圧側の直流出力端子用導
体、9は負電圧側の直流出力端子用導体、10は
交流入力端子用導体7と2個のヒユーズ7のそれ
ぞれ半導体整流素子1への接続側とは反対側の端
子とを接続する導体である。なお、Uは交流入力
端子、PおよびNはそれぞれ正電圧側および負電
圧側の直流出力端子を示す。
来の具体的構成を模式的に示す側面図、第2図B
はその接続回路図である。図において、6は半導
体整流素子1を挾むように設けられこの半導体整
流素子1を冷却するための冷却片、7は交流入力
端子用導体、8は正電圧側の直流出力端子用導
体、9は負電圧側の直流出力端子用導体、10は
交流入力端子用導体7と2個のヒユーズ7のそれ
ぞれ半導体整流素子1への接続側とは反対側の端
子とを接続する導体である。なお、Uは交流入力
端子、PおよびNはそれぞれ正電圧側および負電
圧側の直流出力端子を示す。
このように、従来の半導体整流素子スタツク5
は半導体整流素子1と、これを冷却する冷却片6
と、ヒユーズ2とをそれぞれ所要個数、所要順序
に直列に積み重ねた構造になつており、これを3
個用いれば第1図に示したような半導体整流回路
装置の一例である三相ブリツジ整流回路装置を構
成することができる。
は半導体整流素子1と、これを冷却する冷却片6
と、ヒユーズ2とをそれぞれ所要個数、所要順序
に直列に積み重ねた構造になつており、これを3
個用いれば第1図に示したような半導体整流回路
装置の一例である三相ブリツジ整流回路装置を構
成することができる。
ところで、第1図の回路構成ではヒユーズ2が
半導体整流素子1で構成される各整流アームに配
設されている。そして、直流負荷3が大きなイン
ダクタンスをもつている場合、何らかの必要で交
流入力側のしや断器(図示せず)を切つた後に
も、直流負荷3側の蓄積エネルギーによる電流が
整流アームに流れる。この電流は相当大きい場合
もあるが、この電流によつてヒユーズ2が切れて
は不都合なので、ヒユーズ2の電流容量をこれを
耐えるように設定するのが普通である。しかし、
そのようにすると、実際に実動作時に整流素子1
に過負荷電流が流れてもフユーズ2が溶断せず保
護機能を失う可能性がある。
半導体整流素子1で構成される各整流アームに配
設されている。そして、直流負荷3が大きなイン
ダクタンスをもつている場合、何らかの必要で交
流入力側のしや断器(図示せず)を切つた後に
も、直流負荷3側の蓄積エネルギーによる電流が
整流アームに流れる。この電流は相当大きい場合
もあるが、この電流によつてヒユーズ2が切れて
は不都合なので、ヒユーズ2の電流容量をこれを
耐えるように設定するのが普通である。しかし、
そのようにすると、実際に実動作時に整流素子1
に過負荷電流が流れてもフユーズ2が溶断せず保
護機能を失う可能性がある。
第3図はこの点を改良した半導体整流回路装置
の回路図で、第1図の回路と同一符号は同等部分
を示している。このようにヒユーズ2を整流アー
ムから除き交流側に入れることによつて、直流負
荷3側からの蓄積エネルギー放出時の電流の影響
は全くなくなり、本来の過負荷電流に対する保護
機能を十分発揮させるようにできる。
の回路図で、第1図の回路と同一符号は同等部分
を示している。このようにヒユーズ2を整流アー
ムから除き交流側に入れることによつて、直流負
荷3側からの蓄積エネルギー放出時の電流の影響
は全くなくなり、本来の過負荷電流に対する保護
機能を十分発揮させるようにできる。
この発明は第2図に示した従来の半導体整流素
子スタツクに簡単な改良を施すだけで第3図の整
流回路装置の構成に適した改良された半導体整流
素子スタツクを提供することを目的としている。
子スタツクに簡単な改良を施すだけで第3図の整
流回路装置の構成に適した改良された半導体整流
素子スタツクを提供することを目的としている。
第4図Aはこの発明の一実施例の構成を模式的
に示す側面図、第4図Bはその接続回路図であ
る。第2図の従来例と同一符号は同等部分を示し
ている。この半導体整流素子スタツク5aは第2
図Aの従来例の構成に対して、各半導体整流素子
1とこれに隣接して配置された各ヒユーズとのそ
れぞれの接続点を結ぶ導体11を設けるのみで、
ヒユーズ2を整流アーム内から追い出して交流側
へ配置することができ、第3図に示した改良され
た半導体整流回路装置の構成に使用できる。
に示す側面図、第4図Bはその接続回路図であ
る。第2図の従来例と同一符号は同等部分を示し
ている。この半導体整流素子スタツク5aは第2
図Aの従来例の構成に対して、各半導体整流素子
1とこれに隣接して配置された各ヒユーズとのそ
れぞれの接続点を結ぶ導体11を設けるのみで、
ヒユーズ2を整流アーム内から追い出して交流側
へ配置することができ、第3図に示した改良され
た半導体整流回路装置の構成に使用できる。
以上のように、この発明では従来の半導体整流
素子スタツクに接続導体を一本追加するのみで、
フユーズ機能の十分発揮できる改良された半導体
整流回路装置の構成に適した半導体整流素子スタ
ツクが得られる。
素子スタツクに接続導体を一本追加するのみで、
フユーズ機能の十分発揮できる改良された半導体
整流回路装置の構成に適した半導体整流素子スタ
ツクが得られる。
第1図は従来の半導体整流回路装置の回路図、
第2図Aはこれに用いる従来の半導体整流素子ス
タツクの構成を模式的に示す側面図、第2図Bは
その接続回路図、第3図は改良された半導体整流
回路装置の回路図、第4図Aはこの発明の一実施
例の構成を模式的に示す側面図、第4図Bはその
接続回路図である。 図において、1は半導体整流素子、2はフユー
ズ、5,5aは半導体整流素子スタツク、6は冷
却片(冷却導体片)、7は交流入力端子板、8は
正電圧側(第1の)直流出力端子板、9は負電圧
側(第2の)直流出力端子板、10,11は接続
導体である。なお、図中同一符号は同一または相
当部分を示す。
第2図Aはこれに用いる従来の半導体整流素子ス
タツクの構成を模式的に示す側面図、第2図Bは
その接続回路図、第3図は改良された半導体整流
回路装置の回路図、第4図Aはこの発明の一実施
例の構成を模式的に示す側面図、第4図Bはその
接続回路図である。 図において、1は半導体整流素子、2はフユー
ズ、5,5aは半導体整流素子スタツク、6は冷
却片(冷却導体片)、7は交流入力端子板、8は
正電圧側(第1の)直流出力端子板、9は負電圧
側(第2の)直流出力端子板、10,11は接続
導体である。なお、図中同一符号は同一または相
当部分を示す。
Claims (1)
- 1 第1のヒユーズ、この第1のヒユーズの一方
の端子板に直接または冷却用の冷却導体片を介し
て第1の電極が当接する第1の半導体整流素子、
この第1の半導体整流素子の第2の電極に直接ま
たは冷却導体片を介して当接する第1の直流出力
端子板、この第1の直流出力端子板に絶縁物を介
して当接する交流入力端子板、この交流入力端子
板に絶縁物を介して当接する第2の直流出力端子
板、この第2の直流出力端子板に直接または冷却
導体片を介して第1の電極が当接する第2の半導
体整流素子、およびこの第2の半導体整流素子の
第2の電極に直接または冷却導体片を介して一方
の端子板が当接する第2のヒユーズを順次重畳し
て構成され、上記第1のヒユーズの他方の端子板
と上記交流入力端子板と上記第2のヒユーズの他
方の端子板とを接続し、上記第1のヒユーズの上
記一方の端子板と上記第2のヒユーズの上記一方
の端子板とを接続してなる半導体整流素子スタツ
ク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7297581A JPS57187960A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Stack of semiconductor rectifier elements |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7297581A JPS57187960A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Stack of semiconductor rectifier elements |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57187960A JPS57187960A (en) | 1982-11-18 |
JPS6161706B2 true JPS6161706B2 (ja) | 1986-12-26 |
Family
ID=13504895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7297581A Granted JPS57187960A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Stack of semiconductor rectifier elements |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57187960A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6424301A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Hitachi Lighting Ltd | Fluorescent lamp appliance |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003204677A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Toshiba Corp | 電力変換装置 |
CN105515404B (zh) * | 2016-01-19 | 2018-08-21 | 中国船舶重工集团公司第七0四研究所 | 一种中压整流装置 |
-
1981
- 1981-05-13 JP JP7297581A patent/JPS57187960A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6424301A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Hitachi Lighting Ltd | Fluorescent lamp appliance |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57187960A (en) | 1982-11-18 |
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