JPS6161237A - 光デイスクおよび光デイスクのアドレス再生方法 - Google Patents
光デイスクおよび光デイスクのアドレス再生方法Info
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- JPS6161237A JPS6161237A JP59181752A JP18175284A JPS6161237A JP S6161237 A JPS6161237 A JP S6161237A JP 59181752 A JP59181752 A JP 59181752A JP 18175284 A JP18175284 A JP 18175284A JP S6161237 A JPS6161237 A JP S6161237A
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Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
所業上の利用分野
本発明は、光ディスク、および光ディスクにレーザ光を
絞って照射し、信号の記録、再生を行なう際の、アドレ
スの再生方法に関するものである。
絞って照射し、信号の記録、再生を行なう際の、アドレ
スの再生方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、大容量、高転送レートを目的とした光デイスクメ
モリの開発がさかんに行なわれている。
モリの開発がさかんに行なわれている。
その中で、光デイスク表面にＶ字形の溝を形成し、その
対向斜面を１組の信号面として信号を記録。
対向斜面を１組の信号面として信号を記録。
再生を行ない、容量、転送レートを２倍にする方式が提
案されている（特願昭５７−１４７１３３号。
案されている（特願昭５７−１４７１３３号。
特願昭５８−１７５２６９号）。この方式は第１図に示
した様に、斜面ＡとＢ、或いはＣとＤ等の互いに隣シ合
う２斜面に、第２図の様に第１のレーザスポット１と第
１のレーザとは独立に駆動できる第２のレーザスポット
２とを絞って照射することによシ、信号の記録、再生を
行なうものである。
した様に、斜面ＡとＢ、或いはＣとＤ等の互いに隣シ合
う２斜面に、第２図の様に第１のレーザスポット１と第
１のレーザとは独立に駆動できる第２のレーザスポット
２とを絞って照射することによシ、信号の記録、再生を
行なうものである。
信号の記録は記録媒体薄膜（例へばＴｅＯｘ、Ｘ＜２）
の反射率がレーザパワーの照射に↓シ変化することで行
なわれる。信号の再生は隣り合う２斜面（例へばＣとＤ
）を同時に読み出す。この再生方式については前記特許
出願の明細、書に詳しく示されている様に、Ｖ字状溝の
形状を最適化すれば、ディスクからの反射光のうち、±
１次光を中心として受光することによシ、各斜面の信号
をそれぞれ再生できる。信号のアドレスビットＰｉは第
３図に示す様にＶ字状の溝をカンティングする際にディ
スクの深さ方向に、変化を与えることで作る。
の反射率がレーザパワーの照射に↓シ変化することで行
なわれる。信号の再生は隣り合う２斜面（例へばＣとＤ
）を同時に読み出す。この再生方式については前記特許
出願の明細、書に詳しく示されている様に、Ｖ字状溝の
形状を最適化すれば、ディスクからの反射光のうち、±
１次光を中心として受光することによシ、各斜面の信号
をそれぞれ再生できる。信号のアドレスビットＰｉは第
３図に示す様にＶ字状の溝をカンティングする際にディ
スクの深さ方向に、変化を与えることで作る。
第３図でＶＣはＶ溝をカッティングするためカッタ、Ｐ
ｉは、このカッタを深さ方向にアドレスのビットに対応
して振動させてカッティングされたアドレスビットを示
している。実際のアドレスビットは第３図に示したより
はゆるやかにカッティングされるがここでは模式的に示
している。アドレスの再生はこの深さの変化で回折光強
度が変化することを利用して、再生用受光素子を用いて
読むことができる。しかし第４図の様に隣接する７字状
溝でＡとＢの斜面にカンティングされたアドレスとＣと
Ｄにカッティングされたアドレスがディスクの半径方向
で重なった様な場合、斜面ＢとＣで共有される山が両方
のアドレスで変調されるのでアドレスを読み誤る可能性
がある。以下この点について説明する。第５図はＶ溝デ
ィスクの断面図を示している。例へば、θ−１６１°、
ｐＴ＝＝８００ｎｍ、ｄ＝１３４ｎｍとすると、アドレ
スのカンティングのために深さ方向にε＝２００人の変
化を与えるとＶ溝の山５は半径方向１１にγ＝１２ｏｏ
人変化する。したがって第６図の様に隣接する■溝で半
径方向にアドレスＮとＭが重なってしまうような場合が
生じると、■溝の斜面ＢおよびＣの共有する山５はアド
レスＮとアドレスＭによって変調さ丸ることになり、第
７図のようにＶ溝３にカッティングされたアドレスＮを
再生するためのレーザスポット２にＶ溝４にカッティン
グされたアドレスＭの影響が生じ、アドレスＮを読み誤
る恐れがあった。
ｉは、このカッタを深さ方向にアドレスのビットに対応
して振動させてカッティングされたアドレスビットを示
している。実際のアドレスビットは第３図に示したより
はゆるやかにカッティングされるがここでは模式的に示
している。アドレスの再生はこの深さの変化で回折光強
度が変化することを利用して、再生用受光素子を用いて
読むことができる。しかし第４図の様に隣接する７字状
溝でＡとＢの斜面にカンティングされたアドレスとＣと
Ｄにカッティングされたアドレスがディスクの半径方向
で重なった様な場合、斜面ＢとＣで共有される山が両方
のアドレスで変調されるのでアドレスを読み誤る可能性
がある。以下この点について説明する。第５図はＶ溝デ
ィスクの断面図を示している。例へば、θ−１６１°、
ｐＴ＝＝８００ｎｍ、ｄ＝１３４ｎｍとすると、アドレ
スのカンティングのために深さ方向にε＝２００人の変
化を与えるとＶ溝の山５は半径方向１１にγ＝１２ｏｏ
人変化する。したがって第６図の様に隣接する■溝で半
径方向にアドレスＮとＭが重なってしまうような場合が
生じると、■溝の斜面ＢおよびＣの共有する山５はアド
レスＮとアドレスＭによって変調さ丸ることになり、第
７図のようにＶ溝３にカッティングされたアドレスＮを
再生するためのレーザスポット２にＶ溝４にカッティン
グされたアドレスＭの影響が生じ、アドレスＮを読み誤
る恐れがあった。
発明の目的
本発明の目的は以上に述べた様に、■溝光ディスクに信
号を記録再生するに際し、ディスク上の＠接する■溝の
アドレスが半径方向で重なっｆ？、、場合、アドレスの
読み誤シが生じるという従来の問題点を解決した光ディ
スクの提供およびこの光ディスクにおけるアドレスの正
確な再生方法を提供することである。
号を記録再生するに際し、ディスク上の＠接する■溝の
アドレスが半径方向で重なっｆ？、、場合、アドレスの
読み誤シが生じるという従来の問題点を解決した光ディ
スクの提供およびこの光ディスクにおけるアドレスの正
確な再生方法を提供することである。
発明の構成
本発明は半径方向の断面が７字状の溝である光ディスク
に、ディスクのアドレス領域としてアドレスのカッティ
ング長の少くなくとも２倍の長官を確保し、かつＶ字状
溝の半径方向でアドレスが重らぬ様アドレスのカッティ
ングされた光ディスクである。
に、ディスクのアドレス領域としてアドレスのカッティ
ング長の少くなくとも２倍の長官を確保し、かつＶ字状
溝の半径方向でアドレスが重らぬ様アドレスのカッティ
ングされた光ディスクである。
また本発明は前記ディスクのアドレスを再生する時に前
記Ｖ溝の両肩面上に絞って照射し７た２つのレーザが同
一のアドレスを検出したときに真のアドレスとして再生
を行うものであり、上記の方法でＶ字状溝を有す光ディ
スクのアドレスの正確な再生を可能にするものである。
記Ｖ溝の両肩面上に絞って照射し７た２つのレーザが同
一のアドレスを検出したときに真のアドレスとして再生
を行うものであり、上記の方法でＶ字状溝を有す光ディ
スクのアドレスの正確な再生を可能にするものである。
実施例の説明
以下に本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第８図ａは、等角速度駆動（以下ＣＡＶと略す）で■溝
ディスクに信号の記録再生を行なう場合のｖ溝ディスク
上にアドレスのカッティングされた状態を示している。
ディスクに信号の記録再生を行なう場合のｖ溝ディスク
上にアドレスのカッティングされた状態を示している。
この様にＣＡＶで信号の記録再生を行うときにはアドレ
ス領域はディスクの半径方向に並ぶ。ＡとＢ、Ｃとり、
ＥとＦ、がそれぞれ１組で第８図すの様に■６°りの２
斜面をそれぞれ表わしている。第８図すの８はアドレス
領域を示している。信号のアドレス長、アドレスの始ま
りを示すアドレスマーク、アドレスのニーｙ−ヲ監視す
るだめのエラーチェックコード等を含めたアドレスピン
ト数をＬとすると、このアドレス領域８は最低２Ｌビツ
トの情報をカッティングすることができる物理的な長さ
を確保してｂる。
ス領域はディスクの半径方向に並ぶ。ＡとＢ、Ｃとり、
ＥとＦ、がそれぞれ１組で第８図すの様に■６°りの２
斜面をそれぞれ表わしている。第８図すの８はアドレス
領域を示している。信号のアドレス長、アドレスの始ま
りを示すアドレスマーク、アドレスのニーｙ−ヲ監視す
るだめのエラーチェックコード等を含めたアドレスピン
ト数をＬとすると、このアドレス領域８は最低２Ｌビツ
トの情報をカッティングすることができる物理的な長さ
を確保してｂる。
第９図ａではこのアドレス領域８を３．４，６゜７で示
すように２等分し、半径方向で隣接するＶ溝で３，７の
ような領域に第８図すに示す様に交互にアドレスのカッ
ティングすることにより、アドレスが重らぬ様忙できる
ので再生ビーム１および２でのアドレスの読み出しが可
能となる。以下この点について説明する。今２組の隣接
する溝ＡとＢおよびＣとＤに着目する。ＡとＢで構成さ
れる１組のｖ溝のアドレス領域を２等分した部分を第９
図ａに示す様に３と６とする。同様に、ＣとＤで構成さ
れる添１組のアドレス領域を２等分した部分を４と７と
する。第９図ａでは３と７の部分にアドレスをカッティ
ングした様子を示しだ。
すように２等分し、半径方向で隣接するＶ溝で３，７の
ような領域に第８図すに示す様に交互にアドレスのカッ
ティングすることにより、アドレスが重らぬ様忙できる
ので再生ビーム１および２でのアドレスの読み出しが可
能となる。以下この点について説明する。今２組の隣接
する溝ＡとＢおよびＣとＤに着目する。ＡとＢで構成さ
れる１組のｖ溝のアドレス領域を２等分した部分を第９
図ａに示す様に３と６とする。同様に、ＣとＤで構成さ
れる添１組のアドレス領域を２等分した部分を４と７と
する。第９図ａでは３と７の部分にアドレスをカッティ
ングした様子を示しだ。
第９図すは第９図ａの正面図で深さ方向にアドレスをカ
ッティングしだときのＶ溝のトラック幅ＰＴの変化を示
している。トラックＡとＢに隣接するトラックＣとＤで
はアドレスをアドレス領域の４ではなく７のアドレス領
域にカッティングする。
ッティングしだときのＶ溝のトラック幅ＰＴの変化を示
している。トラックＡとＢに隣接するトラックＣとＤで
はアドレスをアドレス領域の４ではなく７のアドレス領
域にカッティングする。
こうすることによシ、トラックＢとＣ七の境界の山６は
アドレスＮとアドレスＭによって独立に変化するのでア
ドレスＮおよびアドレスＭはレーザスポット１と２によ
って正確に再生することができる。
アドレスＮとアドレスＭによって独立に変化するのでア
ドレスＮおよびアドレスＭはレーザスポット１と２によ
って正確に再生することができる。
次にアドレスの再生方法について述べる。信号の再生は
ディスク上に絞られた２つのスポット１゜２の反射光を
、従来例で説明した方法と同様な方法で再生できる。２
つのレーザスポット１，２０反射光９．１０（第１０図
）はそれぞれ斜面Ａ。
ディスク上に絞られた２つのスポット１゜２の反射光を
、従来例で説明した方法と同様な方法で再生できる。２
つのレーザスポット１，２０反射光９．１０（第１０図
）はそれぞれ斜面Ａ。
Ｂの信号を含んでおり第１０図ａ、ｂに示す２つの光検
出器Ｄ１ 、Ｄ２で受光され、信号の再生が行なわれる
。アドレスの再生も基本的には信号の再生と同様に行う
ことができ、光検出器ＤＩ、Ｄ２で同じアドレスが検出
されたときにアドレスを読めばよい。例へは第１１図で
再生スポット１１゜１２がアドレス領域６を通過すると
光検出器Ｄ１はレーザスポット１１の反射光９によりア
ドレスＰを検出するが、光検出器Ｄ２はレーザスポット
１２の反射光１０によりアドレスＱを検出するので読ま
ないが、再生スポット１１．１２がアドレス領域４を通
過するときには光検出器Ｄ１．Ｄ２は、レーザスポット
１ｊ、１２の反射光９，１゜により同じアドレスＭを検
出するので、アドレスとして再生することができる。第
１２図にアドレス再生回路の構成を示す。第１２図にお
いて、Ｄｌ。
出器Ｄ１ 、Ｄ２で受光され、信号の再生が行なわれる
。アドレスの再生も基本的には信号の再生と同様に行う
ことができ、光検出器ＤＩ、Ｄ２で同じアドレスが検出
されたときにアドレスを読めばよい。例へは第１１図で
再生スポット１１゜１２がアドレス領域６を通過すると
光検出器Ｄ１はレーザスポット１１の反射光９によりア
ドレスＰを検出するが、光検出器Ｄ２はレーザスポット
１２の反射光１０によりアドレスＱを検出するので読ま
ないが、再生スポット１１．１２がアドレス領域４を通
過するときには光検出器Ｄ１．Ｄ２は、レーザスポット
１ｊ、１２の反射光９，１゜により同じアドレスＭを検
出するので、アドレスとして再生することができる。第
１２図にアドレス再生回路の構成を示す。第１２図にお
いて、Ｄｌ。
Ｄ２は光検出器、１３．１４はアドレス信号の増幅器、
１５．１６は信号の増幅器、１７．１８はアドレス復調
ｉ！Ｌ１９はアドレスの一致検出回路、２０は一致検出
回路がアドレスの一致を検出したとき、アドレス出力を
出すアドレスバッファである。第１２図で反射光９，１
ｏは光検出器Ｄ１．Ｄ２で検出され、その信号は１３〜
１６までの増幅器で増幅され、アドレスの場合にはディ
スク上の変調されたアドレスを復調するアドレス復調回
路１了。
１５．１６は信号の増幅器、１７．１８はアドレス復調
ｉ！Ｌ１９はアドレスの一致検出回路、２０は一致検出
回路がアドレスの一致を検出したとき、アドレス出力を
出すアドレスバッファである。第１２図で反射光９，１
ｏは光検出器Ｄ１．Ｄ２で検出され、その信号は１３〜
１６までの増幅器で増幅され、アドレスの場合にはディ
スク上の変調されたアドレスを復調するアドレス復調回
路１了。
１８を通り、一致検出回路１９に入力されるっ一致検出
回路１９では光検出器Ｄ１．Ｄ２に入ってきたアドレス
が、同一であるか否かを検出し、同一の場合にはアドレ
スバッファ２Ｑよりアドレスがコントローラにとりこま
れる。この様に２つのスポットで同じアドレスを読むこ
とによシ、アドレスの正確な読み取りが可能になる。な
お■溝ディスク上のレーザスポット１１．１２は第１１
図に示した様にディスクの半径方向にそろっている必要
はなく第１３図の様にトラック方向にＳだけずれていて
もよい。この場合にはレーザスポット１２′がレーザス
ポット１１′よりもアドレスＮを先に読むことになる。
回路１９では光検出器Ｄ１．Ｄ２に入ってきたアドレス
が、同一であるか否かを検出し、同一の場合にはアドレ
スバッファ２Ｑよりアドレスがコントローラにとりこま
れる。この様に２つのスポットで同じアドレスを読むこ
とによシ、アドレスの正確な読み取りが可能になる。な
お■溝ディスク上のレーザスポット１１．１２は第１１
図に示した様にディスクの半径方向にそろっている必要
はなく第１３図の様にトラック方向にＳだけずれていて
もよい。この場合にはレーザスポット１２′がレーザス
ポット１１′よりもアドレスＮを先に読むことになる。
この場合には第１４図に示しだ様に、レーザスポット１
１′のアドレス読み取り時間の遅れをディレィ回路ＤＬ
を入れて補償しておけばよい。
１′のアドレス読み取り時間の遅れをディレィ回路ＤＬ
を入れて補償しておけばよい。
以下本発明の他の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１５図にＶ溝光ディスクに等線速度駆動（以下ＣＬＶ
と略す）の場合における本発明の実施例を示す。第１５
図で斜線部がアドレス領域を示し、２１〜２４がそれぞ
れ■溝を表わしているっこの場合信号のアクセスの基本
単位をｌバイトとすると、このｌバイトが占める記録の
物理的な長さは光ディスクの外周、内周にかかわらずど
こても一定である。この長さをＲＬとし、とのＲＬは信
号のアドレスを含むものとする。前の実施例で示したＣ
ＡＶの場合の様にアドレスが半径方向に全ては並ばぬが
この場合も第１６図に示したアドレス領域が半径方向に
重なってしまう様な場合がある。
と略す）の場合における本発明の実施例を示す。第１５
図で斜線部がアドレス領域を示し、２１〜２４がそれぞ
れ■溝を表わしているっこの場合信号のアクセスの基本
単位をｌバイトとすると、このｌバイトが占める記録の
物理的な長さは光ディスクの外周、内周にかかわらずど
こても一定である。この長さをＲＬとし、とのＲＬは信
号のアドレスを含むものとする。前の実施例で示したＣ
ＡＶの場合の様にアドレスが半径方向に全ては並ばぬが
この場合も第１６図に示したアドレス領域が半径方向に
重なってしまう様な場合がある。
それはＲＬの整数倍が、光ディスクの中心ＣＥから注目
しているＶ溝ｖ１の半径γの２π倍（πは円周率）とな
ったときである。っまシＮ−ＲＬ＝２πγ（Ｎ：整数） なるときである。第１６図に示す様に隣接する溝ｖｏ、
■１．ｖ２に注目するっこのときあるＶ溝と隣接するＶ
溝の間隔を２Ｐとすると、今注目して−る溝ｖ１ と一
つ夕１側の溝■２又は１つ内側の溝■。
しているＶ溝ｖ１の半径γの２π倍（πは円周率）とな
ったときである。っまシＮ−ＲＬ＝２πγ（Ｎ：整数） なるときである。第１６図に示す様に隣接する溝ｖｏ、
■１．ｖ２に注目するっこのときあるＶ溝と隣接するＶ
溝の間隔を２Ｐとすると、今注目して−る溝ｖ１ と一
つ夕１側の溝■２又は１つ内側の溝■。
の円周の差δは、約２π・２Ｐある。今２Ｐ＝１．６（
μｍ）とすると、δ＝１０（μｍ）となる。ｖｌにある
アドレス２６とｖｏにあるアドレス２６又はｖ２にある
アドレス２７は、アドレス長ＡＲがδよりも長くなれば
半径方向で重なってしまい、前の実施例で述べたと同様
の理山て、アト、レス２５゜２６．２７を正確に読むこ
とが難かしくなる。この難点を解決するために本実施例
では第１７図に示す様にアドレス領域の長さをアドレス
のカッティングに必要な物理的長さの２倍（２・ＡＲ）
に、δを加えたものにして、アドレス領域９の両端にア
ドレスのカッティングする領域をもうけ、アドレス領域
の中央付近にアドレスをカッティングしない領域８をも
うける。
μｍ）とすると、δ＝１０（μｍ）となる。ｖｌにある
アドレス２６とｖｏにあるアドレス２６又はｖ２にある
アドレス２７は、アドレス長ＡＲがδよりも長くなれば
半径方向で重なってしまい、前の実施例で述べたと同様
の理山て、アト、レス２５゜２６．２７を正確に読むこ
とが難かしくなる。この難点を解決するために本実施例
では第１７図に示す様にアドレス領域の長さをアドレス
のカッティングに必要な物理的長さの２倍（２・ＡＲ）
に、δを加えたものにして、アドレス領域９の両端にア
ドレスのカッティングする領域をもうけ、アドレス領域
の中央付近にアドレスをカッティングしない領域８をも
うける。
この領域内で第１７図の様に、アドレス領域９のアドレ
スカッティング領域の前半、後半、前半の様に隣接する
Ｖ溝でアドレス２Ｂ、２９．３０が半径方向に重らぬ様
にカッティングする。この場合のアドレス２Ｂ、２９．
３０は必ずしも一連のアドレスではないが、アクセスの
基本単位ｌとアドレスのフォーマットが決定し、アドレ
スのカッティングに必要なビット長が決まると、アドレ
ス領域とその領域にカッティングするアドレスとカッテ
ィングする領域は一義的に前もって決定することができ
る。アドレスの再生は、前の実施例で説明したと同様に
行なうことができる。以上のようにアドレスをカッティ
ングすることで、■溝光ディスクにＣＬＶでカッティン
グされたアドレスをよシ正確に読むことが可能となる。
スカッティング領域の前半、後半、前半の様に隣接する
Ｖ溝でアドレス２Ｂ、２９．３０が半径方向に重らぬ様
にカッティングする。この場合のアドレス２Ｂ、２９．
３０は必ずしも一連のアドレスではないが、アクセスの
基本単位ｌとアドレスのフォーマットが決定し、アドレ
スのカッティングに必要なビット長が決まると、アドレ
ス領域とその領域にカッティングするアドレスとカッテ
ィングする領域は一義的に前もって決定することができ
る。アドレスの再生は、前の実施例で説明したと同様に
行なうことができる。以上のようにアドレスをカッティ
ングすることで、■溝光ディスクにＣＬＶでカッティン
グされたアドレスをよシ正確に読むことが可能となる。
発明の効果
以上の様に本発明はＶ溝光ディスクに、■溝形成時ニ、
アドレス領域を、アドレスのカッティングに必要な長さ
の少くなくとも２倍の長官をとシ、信号のアドレスが隣
接するＶ溝の半径方向で重らない様に、アドレス領域内
でアドレスをカッティングする場所を決めることで、Ｖ
溝光ディスク上の信号のより正確な読み取りを可能にす
ることができ、その実用的効果は大なるものがある。
アドレス領域を、アドレスのカッティングに必要な長さ
の少くなくとも２倍の長官をとシ、信号のアドレスが隣
接するＶ溝の半径方向で重らない様に、アドレス領域内
でアドレスをカッティングする場所を決めることで、Ｖ
溝光ディスク上の信号のより正確な読み取りを可能にす
ることができ、その実用的効果は大なるものがある。
また本発明は２つのレーザでそれぞれ再生したアドレス
が一致したときに真のアドレスとすることによシ、アド
レスの正確な読取りを行なうことができる。
が一致したときに真のアドレスとすることによシ、アド
レスの正確な読取りを行なうことができる。
第１図はＶ溝光ディスクの部分断面図、第２図はＶ溝光
ディスク上に照射されたレーザスポットを示す図、第３
図はＶ溝光ディスクの深さ方向にカッティングされたア
ドレスのピットおよびビットをカッティングするカッタ
を示す図、第４図は隣接するＶ溝でアドレスが重なった
場合を示す図、第５図は深さ方向にアドレスをカッティ
ングしたときのＶ溝の変化を示す図、第６図は■溝ディ
スクのアドレスが半径方向で重なった場合を示す図、第
７図は従来例におけるＶ溝のアドレスとその再生につい
て示す正面図、第８図ａはＣＡＶで信号再生する際の本
発明の一実施例におけるアドレス領域を示す図、第８図
すは本発明の一実施例におけるディスク上のアドレスを
示す図、第９図ａは本発明の一実施例におけるアドレス
ビットを示す斜視図、第９図すは本発明の一実施例にお
けるディスク上のアドレスを示す正面図、第１ｏ図はＶ
溝ディスクの信号再生のだめの光検出器と反射レーザビ
ームを示す図、第１１図は本発明におけるディスクのア
ドレス領域にアドレスが記録された様子を示す図、第１
２図は本発明の一実施例におけるアドレスおよび信号再
生のだめの回路構成を示す回路図、第１３図は２つのレ
ーザスポットがディスク回転方向で離れている場合を示
す図、第１４図は２つのレーザスポットがディスク回転
方向に離れている場合のアドレス再生回路を示す回路図
、第１５図は等線速駆動（ＣＬＶ）で信号の記録再生を
行なう場合の本発明の一実施例におけるディスク上のア
ドレスを示す図、第１６図は従来例においてＣＬＶで信
号の記録再生を行う際のアドレスの重なシを示す図、第
１７図は本発明におけるアドレス領域とアドレスがカッ
ティングされた様子を示す図である。 １．２，１１．１２・・・・・・レーザスポット、３゜
４．６．７・・・・・・アドレスカッティングエリア、
８・・・・・・アドレス領域、５・・・・・・Ｖ溝の山
、９，１０・・・・・・反射されたレーザスポット、１
７．１８・・・・・・アドレス復調回路、１９・・・・
・・一致検出回路、Ｐｉ・・・・・アドレスビット、Ｖ
Ｃ・・・・・・Ｖ溝とアドレスのカッタ、ＰＴ・・・・
・・Ｖ渦信号トラックの幅、Ｍ、Ｎ。 Ｐ、Ｑ・・・・・・アドレス信号、ＤＩ、Ｄ２・・・・
・・光検出器、Ｓ・・・・・・２つのスポット間の距離
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図 Ａｔ３ ＣＤ 第５図 ｌ 第６図 第７図 第８図 第８図 （′ｂ） 第９図 σ Ａ Ｂ ｏ Ｄ Ｅ 第１０図 第１１図 Ａ Ｂ ＣＤＥＦ ：′；１２図 コントローラ 第１３図 第１４図 Ａ コントｖ−５ 第１５図 ？５ 第１６図
ディスク上に照射されたレーザスポットを示す図、第３
図はＶ溝光ディスクの深さ方向にカッティングされたア
ドレスのピットおよびビットをカッティングするカッタ
を示す図、第４図は隣接するＶ溝でアドレスが重なった
場合を示す図、第５図は深さ方向にアドレスをカッティ
ングしたときのＶ溝の変化を示す図、第６図は■溝ディ
スクのアドレスが半径方向で重なった場合を示す図、第
７図は従来例におけるＶ溝のアドレスとその再生につい
て示す正面図、第８図ａはＣＡＶで信号再生する際の本
発明の一実施例におけるアドレス領域を示す図、第８図
すは本発明の一実施例におけるディスク上のアドレスを
示す図、第９図ａは本発明の一実施例におけるアドレス
ビットを示す斜視図、第９図すは本発明の一実施例にお
けるディスク上のアドレスを示す正面図、第１ｏ図はＶ
溝ディスクの信号再生のだめの光検出器と反射レーザビ
ームを示す図、第１１図は本発明におけるディスクのア
ドレス領域にアドレスが記録された様子を示す図、第１
２図は本発明の一実施例におけるアドレスおよび信号再
生のだめの回路構成を示す回路図、第１３図は２つのレ
ーザスポットがディスク回転方向で離れている場合を示
す図、第１４図は２つのレーザスポットがディスク回転
方向に離れている場合のアドレス再生回路を示す回路図
、第１５図は等線速駆動（ＣＬＶ）で信号の記録再生を
行なう場合の本発明の一実施例におけるディスク上のア
ドレスを示す図、第１６図は従来例においてＣＬＶで信
号の記録再生を行う際のアドレスの重なシを示す図、第
１７図は本発明におけるアドレス領域とアドレスがカッ
ティングされた様子を示す図である。 １．２，１１．１２・・・・・・レーザスポット、３゜
４．６．７・・・・・・アドレスカッティングエリア、
８・・・・・・アドレス領域、５・・・・・・Ｖ溝の山
、９，１０・・・・・・反射されたレーザスポット、１
７．１８・・・・・・アドレス復調回路、１９・・・・
・・一致検出回路、Ｐｉ・・・・・アドレスビット、Ｖ
Ｃ・・・・・・Ｖ溝とアドレスのカッタ、ＰＴ・・・・
・・Ｖ渦信号トラックの幅、Ｍ、Ｎ。 Ｐ、Ｑ・・・・・・アドレス信号、ＤＩ、Ｄ２・・・・
・・光検出器、Ｓ・・・・・・２つのスポット間の距離
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図 Ａｔ３ ＣＤ 第５図 ｌ 第６図 第７図 第８図 第８図 （′ｂ） 第９図 σ Ａ Ｂ ｏ Ｄ Ｅ 第１０図 第１１図 Ａ Ｂ ＣＤＥＦ ：′；１２図 コントローラ 第１３図 第１４図 Ａ コントｖ−５ 第１５図 ？５ 第１６図
Claims (4)
- （１）半径方向の断面がＶ字状の溝を有し、前記Ｖ字状
溝に沿って深さ方向にカッティングされるアドレスのア
ドレス領域が前記アドレスのＶ字状溝に沿ったカッティ
ング長の少なくとも２倍の長さを有し、かつ隣接するＶ
字状溝で前記カッティングされたアドレスが半径方向に
重ならないようにアドレス領域内でアドレスがカッティ
ングされていることを特徴とする光ディスク。 - （２）アドレス領域が、Ｖ字状溝に沿って前半の領域と
後半の領域に２等分され、かつ前記前半または後半の領
域に隣接するＶ字状溝の半径方向で重ならないように、
交互にアドレスがカッティングされ、等角速度駆動され
て記録または再生される特許請求の範囲第１項記載の光
ディスク。 - （３）アドレス領域が、少なくともアドレスのカッティ
ング長の２倍の長さにＶ字状溝の幅の２π倍の長さを加
えた長さを有し、等線速度駆動されて記録または再生さ
れる特許請求の範囲第１項記載の光ディスク。 - （４）半径方向の断面がＶ字状の溝を有し、前記Ｖ字状
溝に沿って深さ方向にカッティングされるアドレスのア
ドレス領域が前記アドレスのＶ字状溝に沿ったカッティ
ング長の少なくとも２倍の長さを有し、かつ隣接するＶ
字状溝で前記カッティングされたアドレスが半径方向に
重ならないようにアドレス領域内でアドレスがカッティ
ングされている光ディスクの隣り合う２つの斜面上に、
独立に駆動できる２つのレーザを絞って照射し、前記２
斜面上に独立に信号を記録または再生する際に、前記２
つのレーザでそれぞれ再生したアドレスが一致した場合
に真のアドレスとすることを特徴とする光ディスクのア
ドレス再生方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181752A JPS6161237A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 光デイスクおよび光デイスクのアドレス再生方法 |
| US06/768,843 US4712204A (en) | 1984-08-31 | 1985-08-23 | Optical disk and method for reproducing reference signal therefrom |
| EP85110716A EP0176755B1 (en) | 1984-08-31 | 1985-08-26 | Optical disk and method for reproducing reference signal therefrom |
| DE8585110716T DE3574644D1 (de) | 1984-08-31 | 1985-08-26 | Optische platte und verfahren zur erzeugung eines signals davon. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181752A JPS6161237A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 光デイスクおよび光デイスクのアドレス再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6161237A true JPS6161237A (ja) | 1986-03-29 |
| JPH0248982B2 JPH0248982B2 (ja) | 1990-10-26 |
Family
ID=16106264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59181752A Granted JPS6161237A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 光デイスクおよび光デイスクのアドレス再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6161237A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6163930A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 円盤状記録担体及び円盤状記録担体のアドレス信号再生装置 |
| JPS62271227A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスクのアドレス再生回路 |
| JPH01134727A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスクおよびそのアドレス記録再生回路 |
| JPH06333237A (ja) * | 1993-05-19 | 1994-12-02 | Nec Corp | 光学情報記録媒体及び光学情報の記録・消去・再生方法 |
| US5383176A (en) * | 1992-05-15 | 1995-01-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical disk |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59181752A patent/JPS6161237A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6163930A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 円盤状記録担体及び円盤状記録担体のアドレス信号再生装置 |
| JPS62271227A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスクのアドレス再生回路 |
| JPH01134727A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスクおよびそのアドレス記録再生回路 |
| US5383176A (en) * | 1992-05-15 | 1995-01-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical disk |
| US5645978A (en) * | 1992-05-15 | 1997-07-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing optical disk |
| US6379864B1 (en) | 1992-05-15 | 2002-04-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing an optical disk |
| JPH06333237A (ja) * | 1993-05-19 | 1994-12-02 | Nec Corp | 光学情報記録媒体及び光学情報の記録・消去・再生方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0248982B2 (ja) | 1990-10-26 |
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