JPS6159829A - 縮小投影式アライメント装置 - Google Patents
縮小投影式アライメント装置Info
- Publication number
- JPS6159829A JPS6159829A JP59180531A JP18053184A JPS6159829A JP S6159829 A JPS6159829 A JP S6159829A JP 59180531 A JP59180531 A JP 59180531A JP 18053184 A JP18053184 A JP 18053184A JP S6159829 A JPS6159829 A JP S6159829A
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- JP
- Japan
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- wafer
- alignment
- reduction projection
- reticle
- lens
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体製造に用いられる縮小投影露光において
レチクルとウェハとをアライメントする縮小投影アライ
メント方法及びその装置に関するものである。
レチクルとウェハとをアライメントする縮小投影アライ
メント方法及びその装置に関するものである。
従来の縮小投影アライメント＠曾は、特開昭５７−１４
２６１２号に記載されているように構成されていた。し
かしながらこの装置では、チップサイズの変化に応じて
変動するレチクル上のアライメントマークの縮小投影レ
ンズの半径方向の位置には対処できるものであるが、特
に露光位置アライメントにおいて、ウェハ上のアライメ
ントマークの位置を縮小投影レンズの接線方向に変動さ
せた場合には配照されておらずレチクルとウェハとを高
精度にアライメントすることができなかりた。
２６１２号に記載されているように構成されていた。し
かしながらこの装置では、チップサイズの変化に応じて
変動するレチクル上のアライメントマークの縮小投影レ
ンズの半径方向の位置には対処できるものであるが、特
に露光位置アライメントにおいて、ウェハ上のアライメ
ントマークの位置を縮小投影レンズの接線方向に変動さ
せた場合には配照されておらずレチクルとウェハとを高
精度にアライメントすることができなかりた。
本発明の目的は、従来技術の問題点を解決し、高いアラ
イメントａ度と高いスループットカ得られるようにした
縮小投影アライメント方法及びその装置を提供すること
にある。
イメントａ度と高いスループットカ得られるようにした
縮小投影アライメント方法及びその装置を提供すること
にある。
本発明は上記目的を達成するために、レチクル上の回路
パターンを縮小投影レンズによりウェハ上に投影露光す
る際、レチクルとウェハとをアライメントする縮小投影
アライメント方法において、縮小投影レンズの光軸を通
る垂直面に対して横方向に変位した方向からウェハのア
ライメント用パターンの照明光を入力 して上記縮小投
影レンズに対して該レンズの入射瞳の中心を含む面と入
射瞳面とで形成される直線上に入射させ、該縮小投影レ
ンズを介して上記直線上だ沿って得られるウェハのアラ
イメント用パターンからの反射光俊とレチクルのアライ
メント用パターンからの光俊とを撮像手段で検出してレ
チクルとウェハとをアライメントすることを特徴とする
縮小投影アライメント方法及びその装着である。
パターンを縮小投影レンズによりウェハ上に投影露光す
る際、レチクルとウェハとをアライメントする縮小投影
アライメント方法において、縮小投影レンズの光軸を通
る垂直面に対して横方向に変位した方向からウェハのア
ライメント用パターンの照明光を入力 して上記縮小投
影レンズに対して該レンズの入射瞳の中心を含む面と入
射瞳面とで形成される直線上に入射させ、該縮小投影レ
ンズを介して上記直線上だ沿って得られるウェハのアラ
イメント用パターンからの反射光俊とレチクルのアライ
メント用パターンからの光俊とを撮像手段で検出してレ
チクルとウェハとをアライメントすることを特徴とする
縮小投影アライメント方法及びその装着である。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体的に説明
する。本発明に係る縮小投影露光製雪は第２図に示す如
く構成されている。
する。本発明に係る縮小投影露光製雪は第２図に示す如
く構成されている。
即ち、レチクル１上の回路パターン４を縮小レンズ２を
介してウェハ３上にステップアンド、レビートして１チ
ツプ毎（１露光領域毎）露光する際、レチクルのパター
ン４とウェハ３上のパターン６を位♂合せ（アライメン
ト）する必要がある。このために、レチクル上のアライ
メント・マーク５とウェハ上のターゲット−マーク７が
あってアライメント光学系８，８′によりアライメント
が行なわれる。１１は露光光を示す。
介してウェハ３上にステップアンド、レビートして１チ
ツプ毎（１露光領域毎）露光する際、レチクルのパター
ン４とウェハ３上のパターン６を位♂合せ（アライメン
ト）する必要がある。このために、レチクル上のアライ
メント・マーク５とウェハ上のターゲット−マーク７が
あってアライメント光学系８，８′によりアライメント
が行なわれる。１１は露光光を示す。
上記アライメント光学系８．８′は縮小レンズ２の接線
方向（Ｔ）移動ステージ９．９′及び半径方向（Ｒ）移
動ステージ１０．１０’上に搭載されている。
方向（Ｔ）移動ステージ９．９′及び半径方向（Ｒ）移
動ステージ１０．１０’上に搭載されている。
第３図はアライメント光学系８，８′の中心光軸が縮小
レンズの中心光軸１２を結ぶ直交軸１３．１！ｌ’上に
位置する場合を示す。
レンズの中心光軸１２を結ぶ直交軸１３．１！ｌ’上に
位置する場合を示す。
ところで半導体の製造では、第４図に示すよ５に露光工
程の数に従って位置ずれをなくすためにウェハ上に複数
個のターゲット・マーク７゜７′を設ける必要がある。
程の数に従って位置ずれをなくすためにウェハ上に複数
個のターゲット・マーク７゜７′を設ける必要がある。
一方し千クル上のアライメントマーク５，５′は固定さ
れているため、レチクル上の回路パターン４をウェハ上
の６尾重ね露光する場合、一度５と７でアライメントを
行った後、一定のオフセット量ΔＡだけアライメント光
学系８，８′移動させて露光する。即ち、第５図及び第
７図に示すようにウェハ上のターゲット・マーク７゜７
′にあわせて、レチクル上のアライメント・マーク５．
５′を任意位蓋に設置し、ここにアライメント光学系８
，８′を取り付けた接線方向移動ステージ９．９′を移
動させることにより、アライメント後ウェハを移動させ
る必要がなくなり、アライメント終了後、ただちに露光
を行うことができる（露光位置アライメント）。従って
ウェハ移動させる場合に比較してこの際発生する位置決
めエラーやスループソ）の低下を押えることができる。
れているため、レチクル上の回路パターン４をウェハ上
の６尾重ね露光する場合、一度５と７でアライメントを
行った後、一定のオフセット量ΔＡだけアライメント光
学系８，８′移動させて露光する。即ち、第５図及び第
７図に示すようにウェハ上のターゲット・マーク７゜７
′にあわせて、レチクル上のアライメント・マーク５．
５′を任意位蓋に設置し、ここにアライメント光学系８
，８′を取り付けた接線方向移動ステージ９．９′を移
動させることにより、アライメント後ウェハを移動させ
る必要がなくなり、アライメント終了後、ただちに露光
を行うことができる（露光位置アライメント）。従って
ウェハ移動させる場合に比較してこの際発生する位置決
めエラーやスループソ）の低下を押えることができる。
第７図、第８図にアライメント光学系の構造とその基本
光路の一例を示す。
光路の一例を示す。
ウェハ照明にはレーザ光１９を用いる。ミラー２０ヲ通
った光は、ガルバノミラ−２１で揺動される。レンズ２
２でＦｌの位置に絞られた光は、レンズ２３、ミラー２
４ 、２５、偏光ビームスプリッタ２６、λ／４板２７
を介してレンズ２Ｂ中のＦ２の位置に再度絞られる。さ
らにレンズ２９、ミラー３０、レチクル１を介し、最終
的に縮小レンズ２０入射瞳３５面Ｆ４に絞られる。これ
によりウェハ３上のＦ４（アルイはターゲット・マーク
７）上に平行光線が照射される。ガルバノミラ−２１の
位ｆＰｏの共役的は、Ｐｌ、Ｆ２．Ｆ３．Ｆ４となるた
め、Ｆ４は３５の如く揺動し、さら にＦ４は、３４の
如く揺動する。
った光は、ガルバノミラ−２１で揺動される。レンズ２
２でＦｌの位置に絞られた光は、レンズ２３、ミラー２
４ 、２５、偏光ビームスプリッタ２６、λ／４板２７
を介してレンズ２Ｂ中のＦ２の位置に再度絞られる。さ
らにレンズ２９、ミラー３０、レチクル１を介し、最終
的に縮小レンズ２０入射瞳３５面Ｆ４に絞られる。これ
によりウェハ３上のＦ４（アルイはターゲット・マーク
７）上に平行光線が照射される。ガルバノミラ−２１の
位ｆＰｏの共役的は、Ｐｌ、Ｆ２．Ｆ３．Ｆ４となるた
め、Ｆ４は３５の如く揺動し、さら にＦ４は、３４の
如く揺動する。
ウェハ３のターゲット・マークの像は、こんどはレチク
ル１、ミラー３０、レンズ２９ 、２８、λ／４板２７
、偏光ビーム・スプリッタ２６を介し、ミラー３１経由
でセンサ３２に結像する。センサ３２の位置は第７図Ｐ
１点に相当する。なお、元の利用効率を高めるため、入
射光はＰ偏光にして偏光ビーム・スプリッタ２６を直進
させ、一方戻り光はＳ偏光にして反射させている。
ル１、ミラー３０、レンズ２９ 、２８、λ／４板２７
、偏光ビーム・スプリッタ２６を介し、ミラー３１経由
でセンサ３２に結像する。センサ３２の位置は第７図Ｐ
１点に相当する。なお、元の利用効率を高めるため、入
射光はＰ偏光にして偏光ビーム・スプリッタ２６を直進
させ、一方戻り光はＳ偏光にして反射させている。
また、アライメントに露光光と異なる波長を用いた場合
、縮小レンズ２の色収差が発生することから、Ｆ３の位
置は、し千クル１からＬの距離だけ離れている。
、縮小レンズ２の色収差が発生することから、Ｆ３の位
置は、し千クル１からＬの距離だけ離れている。
さて、第８図の光学系でウェハ照明光は縮小レンズ２の
半径方向には揺動しているのに対して接線方向には、細
いビームのままである。第９図は、アライメント光学系
の正面図、つまり縮小レンズに対して接線方向の断面状
態を示したものである。アライメント光学系８力１らレ
ンズ２９、ミラー３０を介して出てき次光３８は、縮小
レンズ２を介してＦ４の位置でウェハに照射される。し
かし、光束３８が縮小レンズ２の入射瞳中心を含む面１
３と入射瞳面３５との交わる１ｕｉ１５上を通らないた
めウェハに対してこの光線は傾いており、戻り光の光束
中心は３９を通り、Ｐｓで照射光の光束中心３Ｂと重な
りウェハ倫をここで形成するもののアライメント光学系
８に傾いて入射される。
半径方向には揺動しているのに対して接線方向には、細
いビームのままである。第９図は、アライメント光学系
の正面図、つまり縮小レンズに対して接線方向の断面状
態を示したものである。アライメント光学系８力１らレ
ンズ２９、ミラー３０を介して出てき次光３８は、縮小
レンズ２を介してＦ４の位置でウェハに照射される。し
かし、光束３８が縮小レンズ２の入射瞳中心を含む面１
３と入射瞳面３５との交わる１ｕｉ１５上を通らないた
めウェハに対してこの光線は傾いており、戻り光の光束
中心は３９を通り、Ｐｓで照射光の光束中心３Ｂと重な
りウェハ倫をここで形成するもののアライメント光学系
８に傾いて入射される。
第１０図は、第９図のアライメント光学系８０部分を展
開したものである。アライメント光学系のセンサ３２か
らその共役面４０までの系は固定である。したがって、
ウェハ１が２方向に変動するとウェハの倫Ｐ３が必ずし
もセンサの共役面４０上にのらなくなる。
開したものである。アライメント光学系のセンサ３２か
らその共役面４０までの系は固定である。したがって、
ウェハ１が２方向に変動するとウェハの倫Ｐ３が必ずし
もセンサの共役面４０上にのらなくなる。
第１１図は、ウェハがＺ方向に変動した時の２３点付近
の様子を拡大したものである。ウェハが設計値通りの位
置にある時、Ｆ３はセンサの共役面４０上にあるが、ウ
ェハが２方向に変動するとΔＺ′ずれてＰ’ｓの位置に
来る。この時センサは、センサ共役面４０上のスポット
位置Ｐ／を検出するため、ΔＴのアライメント誤差を生
じてしまう。
の様子を拡大したものである。ウェハが設計値通りの位
置にある時、Ｆ３はセンサの共役面４０上にあるが、ウ
ェハが２方向に変動するとΔＺ′ずれてＰ’ｓの位置に
来る。この時センサは、センサ共役面４０上のスポット
位置Ｐ／を検出するため、ΔＴのアライメント誤差を生
じてしまう。
このようなアライメント誤差を解消するためには、セン
サの共役面４０上を横ぎるスポットの位置がウェハのＺ
方向の移動によらず常に一定に保つ必要がある。
サの共役面４０上を横ぎるスポットの位置がウェハのＺ
方向の移動によらず常に一定に保つ必要がある。
一般に、縮小投影ム“ｌ光装音の縮小レンズの射出瞳の
位置は無限遠の位置にある。つまり、第１１図のように
ウェハ照明光３Ｂが、縮小し／ズ２の入射＠３５の中心
を含む面内１３と入射瞳面３５の交わる直線１５上を通
れば、ウェハへの入射角がアライメント光学系の正面か
ら見て垂直（Ｆ４）となり戻り方もこの逆の光路を通る
。
位置は無限遠の位置にある。つまり、第１１図のように
ウェハ照明光３Ｂが、縮小し／ズ２の入射＠３５の中心
を含む面内１３と入射瞳面３５の交わる直線１５上を通
れば、ウェハへの入射角がアライメント光学系の正面か
ら見て垂直（Ｆ４）となり戻り方もこの逆の光路を通る
。
第１３図は、Ｐ３付近を拡大したものであるが、照明光
とウェハからの反射光の光束中心とが同一光路３８上を
通るため、Δ２′のウェハ変動による僧面ずれがあって
も、センサの共役面４０上での位置は変化しない。従っ
て、アライメント誤差も発生しない。
とウェハからの反射光の光束中心とが同一光路３８上を
通るため、Δ２′のウェハ変動による僧面ずれがあって
も、センサの共役面４０上での位置は変化しない。従っ
て、アライメント誤差も発生しない。
更に本発明の実施例を具体的に説明する。
第１図は、アライメント光学系のウェハ照明に関する部
分を上方から見たものである。アライメント光学系の光
軸面５１が、レチクル１及び縮小レンズの光軸面５０か
ら接線方向（Ｔ方向）に平行にずれた時、入射瞳の中心
Ｆ４の共役点はＦ／。
分を上方から見たものである。アライメント光学系の光
軸面５１が、レチクル１及び縮小レンズの光軸面５０か
ら接線方向（Ｔ方向）に平行にずれた時、入射瞳の中心
Ｆ４の共役点はＦ／。
の位置、さらにＦｔ、の位置に作られる。そこで、ミラ
ー２４ 、２５をアライメント光学系８内の小ステージ
５４にのせ、アライメント光学系の動きに比例したべ１
を同時にＴ方向に移動させると５本来光軸面５１を通り
、Ｆ２の位置に集光していた光軸５３を出た光は、光軸
面５２を通り、Ｆ′２０位置に集光する九めＲ終曲にＦ
４の備蓄、すなわち入射瞳の中心を通るようになる。ガ
ルバノミラ−２１を駆動すると、１１Ｍ４は入射瞳を含
む面１３の上を動くことになる。
ー２４ 、２５をアライメント光学系８内の小ステージ
５４にのせ、アライメント光学系の動きに比例したべ１
を同時にＴ方向に移動させると５本来光軸面５１を通り
、Ｆ２の位置に集光していた光軸５３を出た光は、光軸
面５２を通り、Ｆ′２０位置に集光する九めＲ終曲にＦ
４の備蓄、すなわち入射瞳の中心を通るようになる。ガ
ルバノミラ−２１を駆動すると、１１Ｍ４は入射瞳を含
む面１３の上を動くことになる。
ミ７ ２４．２５をのせたステージ５４の移動量は、ア
ライメント光学系８の接線方向の移動量に比例するため
、接線方向の移動量をクサビ又はテコ機構を用いて縮小
してステージ５４に伝えればよい。
ライメント光学系８の接線方向の移動量に比例するため
、接線方向の移動量をクサビ又はテコ機構を用いて縮小
してステージ５４に伝えればよい。
同様の効果は、レンズ２３を接線方向に微動することに
よっても実現できる。また、アライメント方式として、
第１５図に示すように７レネルゾーンターゲツトを用い
た方式でも露光位置アライメントを行うために第１４図
のように、アライメント光学系６０を接線方向あるいは
、半径方向に゛動かす場合には、ウェハ照明光の光束中
心６１を縮小レンズ２の入射瞳の中心Ｐに一致゛させる
必要がある。さて、６２はレーザ、６３ 、６４ 、６
５はレンズ、６６はハーフミラ−１６７、６８はミラー
、６９はセンサ、７０はフレネルゾーンターゲットであ
る。例えばここで、アライメントスコープ６０の接線方
向（Ｔ）の動きに比例して、レンズ６３を同じく接線方
向に動かしてやれば、それが実現可能である。
よっても実現できる。また、アライメント方式として、
第１５図に示すように７レネルゾーンターゲツトを用い
た方式でも露光位置アライメントを行うために第１４図
のように、アライメント光学系６０を接線方向あるいは
、半径方向に゛動かす場合には、ウェハ照明光の光束中
心６１を縮小レンズ２の入射瞳の中心Ｐに一致゛させる
必要がある。さて、６２はレーザ、６３ 、６４ 、６
５はレンズ、６６はハーフミラ−１６７、６８はミラー
、６９はセンサ、７０はフレネルゾーンターゲットであ
る。例えばここで、アライメントスコープ６０の接線方
向（Ｔ）の動きに比例して、レンズ６３を同じく接線方
向に動かしてやれば、それが実現可能である。
以上、本発明によればアライメント光学系を縮小レンズ
の接線方向あるいは半径方向に移動させる露光位置アラ
イメントにおいてもアライメント精度を低下させないた
め、高集積半心体の露光に適した高いアライメント精度
とスループットを得ることができる効果を奏する。
の接線方向あるいは半径方向に移動させる露光位置アラ
イメントにおいてもアライメント精度を低下させないた
め、高集積半心体の露光に適した高いアライメント精度
とスループットを得ることができる効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例であるアライメント光学系を
示した上面図、第２図は本発明に係る縮小投影露光装置
の斜視図、第３図及び第５図はし千クルとアライメント
光学系の関係を示す上面図、第４図及び第６図はレチク
ルパターンとウェハパターンの関係を示す図、第７図は
アライメント光学系の構成を示す斜視図、第８図はアラ
イメント光学系の光路図、第９図及び第１２図はアライ
メントスコープを示す正面図、第１０図は正面から見た
アライメントスコープの光路図、第１１図及び第１３図
は２３点付近の光束拡大図、８ｇ１４図はフレネルゾー
ンターゲットを用いたアライメント光学系の斜視図、第
１５図はフレネルシー／ターゲットマークを示した図で
ある。 １・′・・し千クル、 ２・・・縮小レンズ、３
・・・ウェハ、 ８・・・アライメントスコー
プ、 ２８ 、２９・・・レンズ、３０・・・ミラー、２１・
・・・ガルバノミラ−１３５・・・入射瞳。
示した上面図、第２図は本発明に係る縮小投影露光装置
の斜視図、第３図及び第５図はし千クルとアライメント
光学系の関係を示す上面図、第４図及び第６図はレチク
ルパターンとウェハパターンの関係を示す図、第７図は
アライメント光学系の構成を示す斜視図、第８図はアラ
イメント光学系の光路図、第９図及び第１２図はアライ
メントスコープを示す正面図、第１０図は正面から見た
アライメントスコープの光路図、第１１図及び第１３図
は２３点付近の光束拡大図、８ｇ１４図はフレネルゾー
ンターゲットを用いたアライメント光学系の斜視図、第
１５図はフレネルシー／ターゲットマークを示した図で
ある。 １・′・・し千クル、 ２・・・縮小レンズ、３
・・・ウェハ、 ８・・・アライメントスコー
プ、 ２８ 、２９・・・レンズ、３０・・・ミラー、２１・
・・・ガルバノミラ−１３５・・・入射瞳。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レチクル上の回路パターンを縮小投影レンズにより
ウェハ上に投影露光する際、レチクルとウェハとをアラ
イメントする縮小投影アライメント方法において、縮小
投影レンズの光軸を通る垂直面に対して横方向に変位し
た方向からウェハのアライメント用パターンの照明光を
入力して上記縮小投影レンズに対して該レンズの入射瞳
の中心を含む面と入射瞳面とで形成される直線上に入射
させ、該縮小投影レンズを介して上記直線上に沿って得
られるウェハのアライメント用パターンからの反射光像
とレチクルのアライメント用パターンからの光像とを撮
像手段で検出してレチクルとウェハとをアライメントす
ることを特徴とする縮小投影アライメント方法。 ２、レチクル上の回路パターンを縮小投影レンズにより
ウェハ上に投影露光する際、レチクルとウェハとをアラ
イメントする縮小投影アライメント装置において、少く
ともウェハのアライメント用パターンを縮小投影レンズ
を介して照明する照明光学系と、レチクルのアライメン
ト用パターンの光像と、縮小投影レンズを介してウェハ
のアライメント用パターンからの反射光像とを撮像する
撮像手段とを載置したアライメント光学系を縮小投影レ
ンズに対してほぼ接線方向に移動させる移動手段を設け
、該移動手段を作動させたとき、上記ウェハのアライメ
ント用パターンを照明するための照明光の光束の中心を
縮小投影レンズに対して該レンズの入射瞳の中心を含む
面と入射瞳面とで形成される直線上に入射させる入射手
段を上記照明光学系内に設置したことを特徴とする縮小
投影アライメント装置。 ３、上記入射手段を上記移動手段の動きに連動させたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の縮小投影ア
ライメント装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59180531A JPS6159829A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 縮小投影式アライメント装置 |
| US06/762,329 US4701050A (en) | 1984-08-10 | 1985-08-05 | Semiconductor exposure apparatus and alignment method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59180531A JPS6159829A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 縮小投影式アライメント装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159829A true JPS6159829A (ja) | 1986-03-27 |
| JPH0322685B2 JPH0322685B2 (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=16084889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59180531A Granted JPS6159829A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-31 | 縮小投影式アライメント装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6159829A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5612727A (en) * | 1979-07-12 | 1981-02-07 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Aligning device for ic projection exposure apparatus |
| JPS57142612A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-03 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Alignment optical system of projection type exposure device |
| JPS58165326A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-30 | ウロマスク | 集積回路製造機の整合装置 |
| JPS5919320A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-31 | Canon Inc | 検出光学系 |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59180531A patent/JPS6159829A/ja active Granted
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| JPS58165326A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-30 | ウロマスク | 集積回路製造機の整合装置 |
| JPS5919320A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-31 | Canon Inc | 検出光学系 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0322685B2 (ja) | 1991-03-27 |
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