JPS6157946A - アモルフアスシリコン感光体製造用装置 - Google Patents
アモルフアスシリコン感光体製造用装置Info
- Publication number
- JPS6157946A JPS6157946A JP59179908A JP17990884A JPS6157946A JP S6157946 A JPS6157946 A JP S6157946A JP 59179908 A JP59179908 A JP 59179908A JP 17990884 A JP17990884 A JP 17990884A JP S6157946 A JPS6157946 A JP S6157946A
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- Japan
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- reaction tank
- cylindrical
- electrode
- outside
- electrodes
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はアモルファスシリコン感光体製造用装置に関す
る。
る。
〈従来技術〉
アモルファスシリコン（以下ａＳＬとする）感光体を製
造する装置としてプラズマＣＶＤ （以下Ｐ−ＣＶＤ）
装置が最も適した装置として用いられている。この装置
は真空反応槽内に感光体の基板を１個または複数個設置
し、これを接地し、一方、一般に基板を囲むような形状
の電極を設け、これに高周波電力を印加して真空反応槽
内に導入したモノシラン（Ｓ＝Ｈ４）ガス等の原料ガス
を放電によりプラズマ状態にし、このプラズマ中で発生
ずる有効ラジカルが基体上でａ Ｓ ｂ ＩＩＱとして
成膜する装置である。
造する装置としてプラズマＣＶＤ （以下Ｐ−ＣＶＤ）
装置が最も適した装置として用いられている。この装置
は真空反応槽内に感光体の基板を１個または複数個設置
し、これを接地し、一方、一般に基板を囲むような形状
の電極を設け、これに高周波電力を印加して真空反応槽
内に導入したモノシラン（Ｓ＝Ｈ４）ガス等の原料ガス
を放電によりプラズマ状態にし、このプラズマ中で発生
ずる有効ラジカルが基体上でａ Ｓ ｂ ＩＩＱとして
成膜する装置である。
従来の装置は、容■結合型の円筒形Ｐ−ＣＶＤ装置を１
基または複数基を円形に又は直列に配置したものであり
、夫々の基体は自転することにより均一なａ Ｓ ｉ
１１２厚を得るよう工夫がされている。
基または複数基を円形に又は直列に配置したものであり
、夫々の基体は自転することにより均一なａ Ｓ ｉ
１１２厚を得るよう工夫がされている。
原料ガスの導入は一般に上部からなされる。また多数の
穴のある原料ガス噴出管を反応槽に導入して、槽内で均
質なガス濃度になるように、その多数の穴より原料ガス
を導入するようにしたものも提案されている。また反応
槽の排気は、大部分の装置では反応槽の下部より排気を
行っている。
穴のある原料ガス噴出管を反応槽に導入して、槽内で均
質なガス濃度になるように、その多数の穴より原料ガス
を導入するようにしたものも提案されている。また反応
槽の排気は、大部分の装置では反応槽の下部より排気を
行っている。
しかしこの様な従来装置では、反応槽中を流れるガス通
路が短くなり、故に原料ガスが基体上にａＳ＝に転換さ
れる効率が低く、通常その効率が高々十数パーセント程
度である。また従来の装置では複数個の基体に成膜する
場合、基体が夫々自転してはいるものの、反応槽中の全
基体上に均一均質なａＳＬ膜を成膜することは非常に難
しいとう欠点があった。
路が短くなり、故に原料ガスが基体上にａＳ＝に転換さ
れる効率が低く、通常その効率が高々十数パーセント程
度である。また従来の装置では複数個の基体に成膜する
場合、基体が夫々自転してはいるものの、反応槽中の全
基体上に均一均質なａＳＬ膜を成膜することは非常に難
しいとう欠点があった。
く目的〉
本発明は上記従来技術の欠点をＩＷ消し、均一均質なａ
Ｓｉ感光体を効率よく製造する装置の提供を目的とする
。
Ｓｉ感光体を効率よく製造する装置の提供を目的とする
。
〈構成〉
本発明はプラズマＣＶＤ装置の円筒形反応槽内に同心円
状の内外２個の円筒状電極を設け、該２個の円筒状電極
間に円ｆ１？ｉ形導体からなる感光体基体を前記円筒状
電極と同心の円周上に等間隔で配般し、各感光体基体を
それが置かれた円周上を自転しつつ公転させるようにし
たことを特徴とするアモルファスシリコン感光体装造用
装置である。
状の内外２個の円筒状電極を設け、該２個の円筒状電極
間に円ｆ１？ｉ形導体からなる感光体基体を前記円筒状
電極と同心の円周上に等間隔で配般し、各感光体基体を
それが置かれた円周上を自転しつつ公転させるようにし
たことを特徴とするアモルファスシリコン感光体装造用
装置である。
〈実施例〉
第１図は実施例装置の概略構成図で、第２図は実施例装
置の要部の水平断面図、第３図は実施例装置の要部の斜
視図である。
置の要部の水平断面図、第３図は実施例装置の要部の斜
視図である。
反応槽１０に対して原料ガスボンへ１から原料ガスがガ
ス流量制御器２を通って導入される。排ガスはメカニカ
ルブースターポンプ系３を経て排ガス処理機４に入り処
理される。５は拡散ポンプ系である。また高周波電力は
高周波電源６からマツチングボックス７を介して印加さ
れる。
ス流量制御器２を通って導入される。排ガスはメカニカ
ルブースターポンプ系３を経て排ガス処理機４に入り処
理される。５は拡散ポンプ系である。また高周波電力は
高周波電源６からマツチングボックス７を介して印加さ
れる。
前記反応４［１０は上下が蓋された同心二重円筒状に形
成されている。そして外側周壁１１の内側に近接して外
側電極２１を、また内側周壁１２の外［Ｊｌｌに近接し
て内側電極２２が設けられている。
成されている。そして外側周壁１１の内側に近接して外
側電極２１を、また内側周壁１２の外［Ｊｌｌに近接し
て内側電極２２が設けられている。
したかって外側電極２１と内側電極２２もまた反応４ｕ
１０と同心の２正円ｔＪｊ状電極を構成している。
１０と同心の２正円ｔＪｊ状電極を構成している。
この外側電極２１と内側電極２２間に、該電極２Ｉ。
２２より等距離の同一円周上に夫々等しい間隔を置いて
、夫々の軸方向を電極２１．２２の中心軸と平行にして
円筒形の導体からなる感光体基体３０を複数個設けてい
る。そして各感光体基体３０は図示しない駆動源及びギ
ヤ機構等により、各感光体基体３０が置かれた円周上を
自転しながら公転するように構成されている。第２図で
はＱ矢符方向に自転し、Ｐ矢符方向に公転する場合を示
している。原料ガスの反応槽１０内への導入口４０と反
応槽ｌＯからの排出口５０は反応槽１０の外側周壁１１
に相互に１８０°の相対位置をもって設シナられている
。なお、導入口４０及び排出口５゜に該当する外側電極
２１の部分２１ａ、２１ｂはメツシュ状に形成されてい
る。
、夫々の軸方向を電極２１．２２の中心軸と平行にして
円筒形の導体からなる感光体基体３０を複数個設けてい
る。そして各感光体基体３０は図示しない駆動源及びギ
ヤ機構等により、各感光体基体３０が置かれた円周上を
自転しながら公転するように構成されている。第２図で
はＱ矢符方向に自転し、Ｐ矢符方向に公転する場合を示
している。原料ガスの反応槽１０内への導入口４０と反
応槽ｌＯからの排出口５０は反応槽１０の外側周壁１１
に相互に１８０°の相対位置をもって設シナられている
。なお、導入口４０及び排出口５゜に該当する外側電極
２１の部分２１ａ、２１ｂはメツシュ状に形成されてい
る。
実際の壕業例の一例について述べると、反応槽１０の径
を４７ｃｍとし、外側電極２１を反応槽１゜の外側周壁
１１から数ミリメートル離して設け、内側に径ふり１７
ｃｍの内側電極２２を配し、Ｌｏｃｎ径のＡ２円筒の基
体３０を８本、内外電極２１゜２２間に配し、基体３０
の自転速度を４〜１０回／分、公転速度を１〜２．５回
／分で行なうように設計した。そして、高周波電力は１
３ 、５６ＭＩＩｚで約４００Ｗ印加し、モノシランガ
スのみを原料ガスとして用いて０．３Ｔｏｒｒの槽内ガ
ス圧でプラズマ放電を行った。この際基体３０は約２５
０″Ｃに加熱されている。
を４７ｃｍとし、外側電極２１を反応槽１゜の外側周壁
１１から数ミリメートル離して設け、内側に径ふり１７
ｃｍの内側電極２２を配し、Ｌｏｃｎ径のＡ２円筒の基
体３０を８本、内外電極２１゜２２間に配し、基体３０
の自転速度を４〜１０回／分、公転速度を１〜２．５回
／分で行なうように設計した。そして、高周波電力は１
３ 、５６ＭＩＩｚで約４００Ｗ印加し、モノシランガ
スのみを原料ガスとして用いて０．３Ｔｏｒｒの槽内ガ
ス圧でプラズマ放電を行った。この際基体３０は約２５
０″Ｃに加熱されている。
この条件で得た全基体３０上のａＳＬは均質で均一な厚
さの膜となった。膜厚からガスのａＳＬへの転換効率を
推定すると約３０％となり、従来装置の約３倍の効率と
なった。
さの膜となった。膜厚からガスのａＳＬへの転換効率を
推定すると約３０％となり、従来装置の約３倍の効率と
なった。
く効果〉
本発明は以上の構成よりなり、基体が反応槽内で自転及
び公転を同時に行っていることにより均質、均一なａＳ
ｉ膜を反応槽内の全ての基体上に成膜することができる
。また原料ガスの反応槽内への導入口と反応槽からの排
出口を１８０°の相対位置に設けるようにすれば、ガス
の流れる通路が長く、複数個の基体周辺を通過するので
、排気されるまでに原料ガスの利用効率が大幅に改善さ
れる。
び公転を同時に行っていることにより均質、均一なａＳ
ｉ膜を反応槽内の全ての基体上に成膜することができる
。また原料ガスの反応槽内への導入口と反応槽からの排
出口を１８０°の相対位置に設けるようにすれば、ガス
の流れる通路が長く、複数個の基体周辺を通過するので
、排気されるまでに原料ガスの利用効率が大幅に改善さ
れる。
１１、 図面のｎｒｉ小な説明
第１図は実施例装置の概咄１１１Ｖ成図で、第２図は実
施例装置の要部の水平断面図、第３図は実施例装置の要
部の斜視図である。
施例装置の要部の水平断面図、第３図は実施例装置の要
部の斜視図である。
Claims (2)
- （１）プラズマＣＶＤ装置の円筒形反応槽内に同心円状
の内外２個の円筒状電極を設け、該２個の円筒状電極間
に円筒形導体からなる感光体基体を前記円筒状電極と同
心の円周上に等間隔で配設し、各感光体基体をそれが置
かれた円周上を自転しつつ公転させるようにしたことを
特徴とするアモルファスシリコン感光体製造用装置。 - （２）原料ガスの反応槽内への導入口と反応槽からの排
出口は円筒形反応槽の側周壁に１８０°の相対位置をも
って設けられている特許請求の範囲第１項記載のアモル
ファスシリコン感光体製造用装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59179908A JPS6157946A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | アモルフアスシリコン感光体製造用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59179908A JPS6157946A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | アモルフアスシリコン感光体製造用装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6157946A true JPS6157946A (ja) | 1986-03-25 |
| JPH029672B2 JPH029672B2 (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16074010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59179908A Granted JPS6157946A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | アモルフアスシリコン感光体製造用装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6157946A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51112263A (en) * | 1975-03-28 | 1976-10-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor surface processor base |
| JPS5546056A (en) * | 1978-09-29 | 1980-03-31 | Hitachi Ltd | Electronic fuel injection device |
-
1984
- 1984-08-29 JP JP59179908A patent/JPS6157946A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51112263A (en) * | 1975-03-28 | 1976-10-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor surface processor base |
| JPS5546056A (en) * | 1978-09-29 | 1980-03-31 | Hitachi Ltd | Electronic fuel injection device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH029672B2 (ja) | 1990-03-02 |
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