JPS6155794B2 - - Google Patents
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- JPS6155794B2 JPS6155794B2 JP741480A JP741480A JPS6155794B2 JP S6155794 B2 JPS6155794 B2 JP S6155794B2 JP 741480 A JP741480 A JP 741480A JP 741480 A JP741480 A JP 741480A JP S6155794 B2 JPS6155794 B2 JP S6155794B2
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- Japan
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- circuit
- light emitting
- voltage
- amplifier
- drive current
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 5
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 4
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体発光素子を用いた光通信装置に
於て、発光素子が故障あるいは劣化した場合の異
常信号発生回路に関する。
於て、発光素子が故障あるいは劣化した場合の異
常信号発生回路に関する。
半導体発光素子の故障や劣化を検出する方法の
一つとして、発光素子の出力パワーが一定となる
ように駆動電流を制御する光出力安定化制御回路
に於て、駆動電流を監視し、その電流値があらか
じめ設定された基準値を越した時に異常信号を発
生させるようにするものが知られている。第１図
は上記従来の異常信号回路を光出力安定化制御回
路と組み合せて示したものである。
一つとして、発光素子の出力パワーが一定となる
ように駆動電流を制御する光出力安定化制御回路
に於て、駆動電流を監視し、その電流値があらか
じめ設定された基準値を越した時に異常信号を発
生させるようにするものが知られている。第１図
は上記従来の異常信号回路を光出力安定化制御回
路と組み合せて示したものである。
ここで発光素子は半導体レーザを用いており、
駆動電流とは正確には直流バイアス電流を指して
おり、信号電流回路は略されている。
駆動電流とは正確には直流バイアス電流を指して
おり、信号電流回路は略されている。
半導体レーザ１０とその出力を光電変換する光
検出器１１、増幅器１３を経て半導体レーザ駆動
用トランジスタ１４へ負帰還して安定化回路が構
成されている。この時半導体レーザ１０に流れる
駆動電流はほぼ駆動用トランジスタ１４のエミツ
タ抵抗ＲE１５に流れる電流に等しいので、半導
体レーザ駆動電流をＲEの両端電圧として検出
し、この電圧値があらかじめ設定されている基準
値Ｖs１７を越える場合には異常信号を発生させ
るものである。そしてこのＶsは通常半導体レー
ザ１０の標準駆動電流のα（α≒15）倍した値が
用いられる。ここで標準駆動電流とは半導体レー
ザを、標準環境状態で動作させた時の値を指す。
検出器１１、増幅器１３を経て半導体レーザ駆動
用トランジスタ１４へ負帰還して安定化回路が構
成されている。この時半導体レーザ１０に流れる
駆動電流はほぼ駆動用トランジスタ１４のエミツ
タ抵抗ＲE１５に流れる電流に等しいので、半導
体レーザ駆動電流をＲEの両端電圧として検出
し、この電圧値があらかじめ設定されている基準
値Ｖs１７を越える場合には異常信号を発生させ
るものである。そしてこのＶsは通常半導体レー
ザ１０の標準駆動電流のα（α≒15）倍した値が
用いられる。ここで標準駆動電流とは半導体レー
ザを、標準環境状態で動作させた時の値を指す。
ところが、このような従来の回路によると半導
体レーザ１０の駆動電流対光出力特性はばらつき
が非常に大きく、半導体レーザ１０を交換した時
や、駆動電流の設定を変更した時には、そのつど
Ｖsを適正値へ変更する必要があつた。
体レーザ１０の駆動電流対光出力特性はばらつき
が非常に大きく、半導体レーザ１０を交換した時
や、駆動電流の設定を変更した時には、そのつど
Ｖsを適正値へ変更する必要があつた。
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、標準
駆動電流設定回路と基準値Ｖs設定回路とを連動
させ、標準駆動電流値の変動に伴い自動的にＶs
値が適正値になる回路を提供することを目的とす
る。
駆動電流設定回路と基準値Ｖs設定回路とを連動
させ、標準駆動電流値の変動に伴い自動的にＶs
値が適正値になる回路を提供することを目的とす
る。
以下図面を参照して本発明を詳述する。
第２図は本発明の第１の実施例を示すものであ
る。光出力安定化動作は従来例とほぼ同じである
が、標準状態では第１の増幅器２３の出力電圧は
0Vであり駆動電流は設定電圧ＲB２７のみで与え
られる。第２の増幅器２６のゲインを定める抵抗
を図の様にR1２４，R2２５とし、駆動トランジ
スタ３０のベース・エミツタ間電位差をＶBEとす
ると、半導体レーザ２０に流れる標準駆動電流Ｉ
EOは次式で与えられる。
る。光出力安定化動作は従来例とほぼ同じである
が、標準状態では第１の増幅器２３の出力電圧は
0Vであり駆動電流は設定電圧ＲB２７のみで与え
られる。第２の増幅器２６のゲインを定める抵抗
を図の様にR1２４，R2２５とし、駆動トランジ
スタ３０のベース・エミツタ間電位差をＶBEとす
ると、半導体レーザ２０に流れる標準駆動電流Ｉ
EOは次式で与えられる。
ＩEO＝｛ＶB（１＋Ｒ２／Ｒ１）−ＶBE｝×１／ＲＥ
……(1) 従つて比較器３２への標準状態での入力電圧Ｖ
iopは Ｖiop＝ＶB（１＋Ｒ２／Ｒ１）−ＶBE ……(2) 又第２図の様にＶBE／（１＋Ｒ２／Ｒ１）の定電圧回路 ２８と増幅度（１ ＋Ｒ２／Ｒ１）αの第３の増幅器２ ９を組み合せれば、基準値Ｖsは となる。
……(1) 従つて比較器３２への標準状態での入力電圧Ｖ
iopは Ｖiop＝ＶB（１＋Ｒ２／Ｒ１）−ＶBE ……(2) 又第２図の様にＶBE／（１＋Ｒ２／Ｒ１）の定電圧回路 ２８と増幅度（１ ＋Ｒ２／Ｒ１）αの第３の増幅器２ ９を組み合せれば、基準値Ｖsは となる。
従つて、Ｖs＝Ｖiop・α
＝ＩEO・ＲE・α ……(4)
となり、Ｖsは標準駆動電流のα倍で設定され
る。
る。
このように本実施例では、半導体レーザ２０の
出力を光検出器２１で検出し、この信号を増幅器
２６を介して駆動トランジスタ３０に負帰還して
安定化制御回路を構成し、一方設定電圧ＶB２７
を増幅器２６の一端子に印加するとともに定電圧
回路２８を介して他の増幅器２９に印加し、この
増幅器２９の出力を比較回路３２の基準値Ｖsと
して用いるようにしている。そして増幅器２６の
ゲインを定める抵抗値に基づいて定電圧回路２８
の電圧値及び増幅器２９のゲインを決め、基準値
Ｖsが入力電圧Ｖiopのα倍になるようにしてい
る。
出力を光検出器２１で検出し、この信号を増幅器
２６を介して駆動トランジスタ３０に負帰還して
安定化制御回路を構成し、一方設定電圧ＶB２７
を増幅器２６の一端子に印加するとともに定電圧
回路２８を介して他の増幅器２９に印加し、この
増幅器２９の出力を比較回路３２の基準値Ｖsと
して用いるようにしている。そして増幅器２６の
ゲインを定める抵抗値に基づいて定電圧回路２８
の電圧値及び増幅器２９のゲインを決め、基準値
Ｖsが入力電圧Ｖiopのα倍になるようにしてい
る。
従つて本発明によれば、標準駆動電流ＩEOの変
更に伴ない基準値Ｖsは自動的に変化して絶えず
Ｖs＝ＩEO・ＲE・αの関係が保たれる。
更に伴ない基準値Ｖsは自動的に変化して絶えず
Ｖs＝ＩEO・ＲE・αの関係が保たれる。
第３図は本発明の第２の実施例を示すもので、
光出力安定化動作中ではＲE５１に流れる電流の
増減分と、第１の増幅器４３の出力値の増減とは
１対１の関係にあることから、その出力値を比較
器５２で監視し異常信号を出すようにしたもの
で、第１の実施例と本質的に同じものである。尚
この場合ＶBE／（１＋Ｒ２／Ｒ１）の定電圧回路４８ と、（１＋Ｒ１／Ｒ２）（α−１）の増幅度をもつ第３
の 増幅器４９を必要とする。
光出力安定化動作中ではＲE５１に流れる電流の
増減分と、第１の増幅器４３の出力値の増減とは
１対１の関係にあることから、その出力値を比較
器５２で監視し異常信号を出すようにしたもの
で、第１の実施例と本質的に同じものである。尚
この場合ＶBE／（１＋Ｒ２／Ｒ１）の定電圧回路４８ と、（１＋Ｒ１／Ｒ２）（α−１）の増幅度をもつ第３
の 増幅器４９を必要とする。
以上の様に本発明では光出力安定化回路に於
て、半導体発光素子の標準駆動電流設定回路と、
異常信号発生回路の基準値設定回路とを連動させ
ることにより、任意の半導体発光素子の交換に際
し異常信号発生基準値が自動的に設定され、監視
回路の調整が必要なくなるという大きな特長を得
ることが出来る。
て、半導体発光素子の標準駆動電流設定回路と、
異常信号発生回路の基準値設定回路とを連動させ
ることにより、任意の半導体発光素子の交換に際
し異常信号発生基準値が自動的に設定され、監視
回路の調整が必要なくなるという大きな特長を得
ることが出来る。
第１図は従来の半導体発光素子監視回路の構成
図、第２図は本発明の一実施例の構成図、第３図
は本発明の他の実施例を示す構成図である。 ２０，４０……半導体レーザ、２１……光検出
器、２２，４２……光検出器の負荷抵抗、２３，
４３……第１の増幅器、２４，２５，４４，４５
……増幅度設定抵抗、２６，４６……第２の増幅
器、２７，４７……設定電圧、２８，４８……定
電圧源、２９，４９……第３の増幅器、３０，５
０……半導体レーザ駆動用トランジスタ、３１，
５１……エミツタ抵抗、３２，５２……比較器。
図、第２図は本発明の一実施例の構成図、第３図
は本発明の他の実施例を示す構成図である。 ２０，４０……半導体レーザ、２１……光検出
器、２２，４２……光検出器の負荷抵抗、２３，
４３……第１の増幅器、２４，２５，４４，４５
……増幅度設定抵抗、２６，４６……第２の増幅
器、２７，４７……設定電圧、２８，４８……定
電圧源、２９，４９……第３の増幅器、３０，５
０……半導体レーザ駆動用トランジスタ、３１，
５１……エミツタ抵抗、３２，５２……比較器。
Claims (1)
- １ 半導体発光素子の光出力が一定となるように
この発光素子の駆動電流を制御する負帰還回路
と、この負帰還回路の一部を構成する第１の増幅
器に設定電圧を印加する手段と、前記設定電圧を
定電圧回路を介して第２の増幅器に印加する手段
と、前記発光素子の駆動電流に相当する電圧値と
前記第２の増幅器の出力である基準電圧とを比較
する手段とを備え、前記発光素子の標準駆動電流
の値と前記基準電圧とが常に一定の関係を有する
ように前記第１、第２の増幅器の利得及び前記定
電圧回路の電圧値を所定の値に設定してなること
を特徴とする半導体発光素子監視回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP741480A JPS56105685A (en) | 1980-01-26 | 1980-01-26 | Monitoring circuit for semiconductor luminous element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP741480A JPS56105685A (en) | 1980-01-26 | 1980-01-26 | Monitoring circuit for semiconductor luminous element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56105685A JPS56105685A (en) | 1981-08-22 |
| JPS6155794B2 true JPS6155794B2 (ja) | 1986-11-29 |
Family
ID=11665201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP741480A Granted JPS56105685A (en) | 1980-01-26 | 1980-01-26 | Monitoring circuit for semiconductor luminous element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56105685A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58222580A (ja) * | 1982-06-19 | 1983-12-24 | Pioneer Electronic Corp | 発光機能を有するダイオ−ドの光出力制御回路 |
| JPS63115241U (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-25 | ||
| KR100897819B1 (ko) * | 2007-06-21 | 2009-05-18 | 주식회사 동부하이텍 | 발광 다이오드 구동 회로 |
-
1980
- 1980-01-26 JP JP741480A patent/JPS56105685A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56105685A (en) | 1981-08-22 |
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