JPS58222580A - 発光機能を有するダイオ−ドの光出力制御回路 - Google Patents
発光機能を有するダイオ−ドの光出力制御回路Info
- Publication number
- JPS58222580A JPS58222580A JP57105866A JP10586682A JPS58222580A JP S58222580 A JPS58222580 A JP S58222580A JP 57105866 A JP57105866 A JP 57105866A JP 10586682 A JP10586682 A JP 10586682A JP S58222580 A JPS58222580 A JP S58222580A
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- Japan
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- diode
- laser diode
- current
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/30—Driver circuits
- H05B45/395—Linear regulators
- H05B45/397—Current mirror circuits
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
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- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は発光機能を有するダイオードの光出力制御回
路に関し、特にレーザダイオードの光出力を一定に維持
する光出力制御回路に関する。
路に関し、特にレーザダイオードの光出力を一定に維持
する光出力制御回路に関する。
第1図はレーザダイオードの光出力制御回路の1例を示
す図であり、lがレーザダイオードであって駆動トラン
ジスタ2のコレクタ電流により駆動されろ。このレーザ
ダイオード1のレーザ出力を受光するいわゆるモニタダ
イオード3設けられており、このダイオード3に流れる
電流が抵抗R1により検出され電圧変換される。この電
圧は差動アンプ4の逆相入力となっており、その正相入
力には基準電圧■Rが印加されている。この差動アンプ
4の出力は、抵抗】t3.コンデンサC1からなるロー
パスフィルタ5を介して駆動アンプ601人力となって
いる。このアンプ6の出力によりトランジスタ2がベー
ス駆動される。尚、抵抗R2は差動アンプ4の帰還抵抗
であり、抵抗R4はトランジスタ2のエミッタ抵抗であ
る。
す図であり、lがレーザダイオードであって駆動トラン
ジスタ2のコレクタ電流により駆動されろ。このレーザ
ダイオード1のレーザ出力を受光するいわゆるモニタダ
イオード3設けられており、このダイオード3に流れる
電流が抵抗R1により検出され電圧変換される。この電
圧は差動アンプ4の逆相入力となっており、その正相入
力には基準電圧■Rが印加されている。この差動アンプ
4の出力は、抵抗】t3.コンデンサC1からなるロー
パスフィルタ5を介して駆動アンプ601人力となって
いる。このアンプ6の出力によりトランジスタ2がベー
ス駆動される。尚、抵抗R2は差動アンプ4の帰還抵抗
であり、抵抗R4はトランジスタ2のエミッタ抵抗であ
る。
かかる構成で、先ず電源投入の瞬間ではレーザダイオー
ド】に電流が流れていないためにモニタダイオード3の
光電流は零となっている。従って、アンプ40入力は、
逆相側がO■、正相側が■Rであり出力電圧は正の電圧
となる。この出力電圧がフィルタ5により遅れて駆動ア
ンプ6の正相入力へ印加され、その結果レーザダイオー
ド1に電流が流れ始める。これによりレーザダイオード
1からレーザ光が発生されてモニタダイオード3に受光
され光電流が流れる。最終的には抵抗R1の両端電圧が
略■Rと同じ値となって回路は平衡状態となるのである
。
ド】に電流が流れていないためにモニタダイオード3の
光電流は零となっている。従って、アンプ40入力は、
逆相側がO■、正相側が■Rであり出力電圧は正の電圧
となる。この出力電圧がフィルタ5により遅れて駆動ア
ンプ6の正相入力へ印加され、その結果レーザダイオー
ド1に電流が流れ始める。これによりレーザダイオード
1からレーザ光が発生されてモニタダイオード3に受光
され光電流が流れる。最終的には抵抗R1の両端電圧が
略■Rと同じ値となって回路は平衡状態となるのである
。
ここで、レーザダイオード1に流れる電流をID(mA
)、モニタダイオード3に流れる電流を■l(μA)と
し、これら各電流を求めると次式となる。
)、モニタダイオード3に流れる電流を■l(μA)と
し、これら各電流を求めると次式となる。
1 、 = A B (ID 1−th、 )
・・(1)”o−(1+ %/R+)R2
/R4・・・(2)Aはモニタダイオード3の充電流感
度(pA/mW)。
・・(1)”o−(1+ %/R+)R2
/R4・・・(2)Aはモニタダイオード3の充電流感
度(pA/mW)。
■3はレーザダイオード1の変換ゲイン(mW/ml’
) 。
) 。
r−thはレーザダイオードのスレッシュホールド電流
(mA)である。これら(1)、(2)式より、I 、
= (R2V、/R,、−R4Ith )/(R4/
AJ3+R,、) ・・・(3)となる。この(3
)式で表わされる電流■、が一定になるように制御され
れば、レーザダイオード1の光出力P。は一定となる。
(mA)である。これら(1)、(2)式より、I 、
= (R2V、/R,、−R4Ith )/(R4/
AJ3+R,、) ・・・(3)となる。この(3
)式で表わされる電流■、が一定になるように制御され
れば、レーザダイオード1の光出力P。は一定となる。
いま、(3)式中の各パラメータを定数とすれば、基準
電圧VR((より定まる一定の光出力に制御されること
が判る。
電圧VR((より定まる一定の光出力に制御されること
が判る。
しかしながら、レーザダイオード1の電流lD対光出力
P。の特性は、第2図のように温度条件により羞しく変
化することから、スレッシュホールド電流I4Aも著し
く変化することになる。このxthは経時変化によって
も大きく変化することが知られており、よって、(3)
式の1.なる値はIthの温度変化や経時変化により大
きく変動することになる。
P。の特性は、第2図のように温度条件により羞しく変
化することから、スレッシュホールド電流I4Aも著し
く変化することになる。このxthは経時変化によって
も大きく変化することが知られており、よって、(3)
式の1.なる値はIthの温度変化や経時変化により大
きく変動することになる。
すなわち、第1図の回路では、レーザダイオード1の光
出力P。の目標値が温度や時間に伴って著しく変動し良
好な光制御特性を得ることは困難となっている。
出力P。の目標値が温度や時間に伴って著しく変動し良
好な光制御特性を得ることは困難となっている。
具体的条件の下に、光出力の目標値に対応したモニタダ
イオード3の電流■1の変化を計算してみる。VR=0
.IV、R,=10にΩ、 R,2= 200 KΩ、
R4= 20Ω、 A = 10 pA/mW 、
B = I mW/mAとすれば、Ith、 = 45
.mAO時I、 = 5.44 /4A 、 1.、!
A = 30 mAの時I、 = 6.9 pk 、
Ith= 15 mAの時I、 = 8.4 pAとな
る。
イオード3の電流■1の変化を計算してみる。VR=0
.IV、R,=10にΩ、 R,2= 200 KΩ、
R4= 20Ω、 A = 10 pA/mW 、
B = I mW/mAとすれば、Ith、 = 45
.mAO時I、 = 5.44 /4A 、 1.、!
A = 30 mAの時I、 = 6.9 pk 、
Ith= 15 mAの時I、 = 8.4 pAとな
る。
すなわち、I4Aが±15yxA変化すると、■1は±
21係変動し、よってレーザダイオード出力P。が±2
1チ変動することになる。抵抗R2の値を犬とすれば、
(3)式より判るように、その変動幅は減少するが差動
アンプ4の特性上抵抗R2の値を大とするには限界があ
る。
21係変動し、よってレーザダイオード出力P。が±2
1チ変動することになる。抵抗R2の値を犬とすれば、
(3)式より判るように、その変動幅は減少するが差動
アンプ4の特性上抵抗R2の値を大とするには限界があ
る。
尚、第3図は第1図の回路を機能表現したブロック図で
あり、i/V 、V/Iは夫々電流−電圧変換、電圧−
電流変換の各機能を意味する。本発明の目的はレーザダ
イオードのスレッシュホールド電流の変動にもかかわら
ずダイオードの光出力を一定に維持し得る光出力制御回
路を提供することである。
あり、i/V 、V/Iは夫々電流−電圧変換、電圧−
電流変換の各機能を意味する。本発明の目的はレーザダ
イオードのスレッシュホールド電流の変動にもかかわら
ずダイオードの光出力を一定に維持し得る光出力制御回
路を提供することである。
本発明による発光機能を有するダイオードの光出力制御
回路は、光出力の制御目標値を決定するパラメータを当
該ダイオードの動作電流に応じて制御するようにしたこ
とを特徴としている。
回路は、光出力の制御目標値を決定するパラメータを当
該ダイオードの動作電流に応じて制御するようにしたこ
とを特徴としている。
以下に図面を用いて本発明を説明する。
第4図は本発明の実施例の回路図であり、第1図と同等
部分は同一符号により示されその説明は省略する。本例
では、レーザダイオード1に流れる動作電流■Dを検出
してこの電流に応じて差動アンプ4の正相入力である基
準電圧(第1図ではVR)を制御するようにしたもので
ある。そのために、差動アンプ7が設けられており、こ
の正相入力へ、トランジスタ2のエミッタ抵抗R4によ
る電圧が抵抗1%、 、 R6により分圧されて印加さ
れている。その逆相入力には基準電圧VR+が抵抗R8
を介して供給されている。このアンプ7の出力が差動ア
ンプ4の正相入力となっている。尚、抵抗R6に並列に
コンデンサC2が設けられており、アンプ7を含むフィ
ードバック系の特性を改善している。
部分は同一符号により示されその説明は省略する。本例
では、レーザダイオード1に流れる動作電流■Dを検出
してこの電流に応じて差動アンプ4の正相入力である基
準電圧(第1図ではVR)を制御するようにしたもので
ある。そのために、差動アンプ7が設けられており、こ
の正相入力へ、トランジスタ2のエミッタ抵抗R4によ
る電圧が抵抗1%、 、 R6により分圧されて印加さ
れている。その逆相入力には基準電圧VR+が抵抗R8
を介して供給されている。このアンプ7の出力が差動ア
ンプ4の正相入力となっている。尚、抵抗R6に並列に
コンデンサC2が設けられており、アンプ7を含むフィ
ードバック系の特性を改善している。
差動アンプ7の出力電圧VRは、
VR= R4ID (1%e/(R5+ R6) )
((R? +Ra )/ R8)+ VRIR? /
”s ・・・(4)となる。ここ
で、(Eta/(R,+Re))((R7+Rs)/R
s)は定数であるからこれをKとおき、VR1”?/R
eをVR2とすれば(4)式は、 ■R=KR4■D+■R2・・・(5)と表わされる。
((R? +Ra )/ R8)+ VRIR? /
”s ・・・(4)となる。ここ
で、(Eta/(R,+Re))((R7+Rs)/R
s)は定数であるからこれをKとおき、VR1”?/R
eをVR2とすれば(4)式は、 ■R=KR4■D+■R2・・・(5)と表わされる。
この(5)式を(3)式に代入すると、となり、(1)
式よりIth= ID−I、/ABであるから(6)式
は次式となる。
式よりIth= ID−I、/ABであるから(6)式
は次式となる。
・・・(7)
(7)式においてK −It、、/I(,2として■1
を求めれば、L −”+ VR2= VR+・馬/R’
s ・・・(8)となる。
を求めれば、L −”+ VR2= VR+・馬/R’
s ・・・(8)となる。
すなわち、モニタダイオード3の設定電流■、は(8)
式のように基準電圧■R3と抵抗R,、R8とによって
のみ決定され一定となるから、レーザダイオード1の光
出力の制御目標値を一定とすることが可能となる。
式のように基準電圧■R3と抵抗R,、R8とによって
のみ決定され一定となるから、レーザダイオード1の光
出力の制御目標値を一定とすることが可能となる。
第5図は第4図の回路を機能的に表現したブロック図で
あり、レーザダイオードに流れる電流■Dに応じて光出
力目標値決定用パラメータVRをコントロールし、レー
ザダイオードのスレッシュボールド電流変動を打消すよ
うにしたものである。
あり、レーザダイオードに流れる電流■Dに応じて光出
力目標値決定用パラメータVRをコントロールし、レー
ザダイオードのスレッシュボールド電流変動を打消すよ
うにしたものである。
第6図は本発明の他の実施例の回路図であり、第4図と
同等部分は同一符号により示されている。
同等部分は同一符号により示されている。
本例ではレーザダイオード1に流れる電流IDを検出し
てこの電流に応じて、モニタダイオード3の電流変換用
抵抗R1の値をコントロールするようにしたものである
。そのために、差動アンプ7が設けられており、このア
ングアの正相入力に抵抗几。
てこの電流に応じて、モニタダイオード3の電流変換用
抵抗R1の値をコントロールするようにしたものである
。そのために、差動アンプ7が設けられており、このア
ングアの正相入力に抵抗几。
の電圧が抵抗R,、R,6により分圧されて印加されて
おり、その逆相入力は抵抗R8を介して接地されている
。このアンプ7の出力により可変インピーダンス素子と
してのFET (電界効果トランジスタ)8のゲート電
圧が制御され、モニタダイオード3の負荷抵抗のインピ
ーダンスをコントロールスルようにしている。尚、FE
T sは他の可変インピーダンス素子を用い得る。
おり、その逆相入力は抵抗R8を介して接地されている
。このアンプ7の出力により可変インピーダンス素子と
してのFET (電界効果トランジスタ)8のゲート電
圧が制御され、モニタダイオード3の負荷抵抗のインピ
ーダンスをコントロールスルようにしている。尚、FE
T sは他の可変インピーダンス素子を用い得る。
こうすることにより、(3)式におけるI4Aの変化を
馬の値により打ち消し、回路の目標電流■1を一定に維
持するものである。尚、第7図は第6図の回路の機能ブ
ロック図である。
馬の値により打ち消し、回路の目標電流■1を一定に維
持するものである。尚、第7図は第6図の回路の機能ブ
ロック図である。
第8図は本発明の別の実施例を示す1部回路図であり、
モニタダイオード3の負荷抵抗R1へ、抵抗R4(第6
図参照)による電圧に応じた電流をアンプ7によって注
入して、ItAの変化を打消すように11を補償し一定
化せんとするものである。
モニタダイオード3の負荷抵抗R1へ、抵抗R4(第6
図参照)による電圧に応じた電流をアンプ7によって注
入して、ItAの変化を打消すように11を補償し一定
化せんとするものである。
このように、本発明によればレーザダイオードのスレッ
シュホールド電流変化に応じてその光出力制御目標値を
一定になるようにその目標値決定パラメータをコントロ
ールしているので、光出力は常に一定に維持可能となる
。
シュホールド電流変化に応じてその光出力制御目標値を
一定になるようにその目標値決定パラメータをコントロ
ールしているので、光出力は常に一定に維持可能となる
。
尚、図示の各回路例はこれに限定されることなく種々の
改変が可能である。
改変が可能である。
第1図は従来の光出力制御回路の例を示す図、第2図は
レーザダイオードの特性を示す図、第3図は第1図の回
路のブロック図、第4図は本発明の実施例の回路図、第
5図は第4図の回路のブロック図、第6図は本発明の他
の実施例の回路図、第7図は第6図のブロック図、第8
図は本発明の別の実施例の一部回路図である。 主要部分の符号の説明 1・・・レーザダイオード 2・・・駆動トランジスタ
3・・・モニタダイオード 4・・・差動アンプ■R・
・・基準電圧 R1・・・モニタダイオード負荷抵抗 出願人 パイオニア株式会社 代理人 弁理士 藤村元彦 応/121 巻4図 乳5V
レーザダイオードの特性を示す図、第3図は第1図の回
路のブロック図、第4図は本発明の実施例の回路図、第
5図は第4図の回路のブロック図、第6図は本発明の他
の実施例の回路図、第7図は第6図のブロック図、第8
図は本発明の別の実施例の一部回路図である。 主要部分の符号の説明 1・・・レーザダイオード 2・・・駆動トランジスタ
3・・・モニタダイオード 4・・・差動アンプ■R・
・・基準電圧 R1・・・モニタダイオード負荷抵抗 出願人 パイオニア株式会社 代理人 弁理士 藤村元彦 応/121 巻4図 乳5V
Claims (1)
- 発光機能を有するダイオードの光出力を一定に制御する
光出力制御回路であって、前記光出力の制御目標値を決
定するパラメータを前記ダイオードの動作電流に応じて
制御するようにしたことを特徴とする光出力制御回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57105866A JPS58222580A (ja) | 1982-06-19 | 1982-06-19 | 発光機能を有するダイオ−ドの光出力制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57105866A JPS58222580A (ja) | 1982-06-19 | 1982-06-19 | 発光機能を有するダイオ−ドの光出力制御回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58222580A true JPS58222580A (ja) | 1983-12-24 |
JPH0530077B2 JPH0530077B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=14418879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57105866A Granted JPS58222580A (ja) | 1982-06-19 | 1982-06-19 | 発光機能を有するダイオ−ドの光出力制御回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58222580A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6044095A (en) * | 1996-10-30 | 2000-03-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light emitting device drive circuit |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56105685A (en) * | 1980-01-26 | 1981-08-22 | Agency Of Ind Science & Technol | Monitoring circuit for semiconductor luminous element |
-
1982
- 1982-06-19 JP JP57105866A patent/JPS58222580A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56105685A (en) * | 1980-01-26 | 1981-08-22 | Agency Of Ind Science & Technol | Monitoring circuit for semiconductor luminous element |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6044095A (en) * | 1996-10-30 | 2000-03-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light emitting device drive circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0530077B2 (ja) | 1993-05-07 |
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