JPH0227622Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は高周波信号の信号強度を可変するアツ
テネータ回路に関し、特にピンダイオードを用い
たアツテネータ回路に関する。

［従来の技術］ 第２図は従来核磁気共鳴装置に用いられている
ピンダイオードを用いた高周波アツテネータ回路
の一例を示す。このアツテネータ回路は、高周波
入出力端子１，２間に接続されるピンダイオード
Ｄ１と、このピンダイオードＤ１に流す直流電流
を制御するトランジスタＱ１とを主な構成要素と
しており、トランジスタＱ１のベースに供給され
る制御電圧Vbを変化させることによりピンダイ
オードＤ１に流す直流バイアス電流を変化させれ
ば、ピンダイオードのインピーダンスが変化し、
高周波出力端子から取出される高周波信号のレベ
ルを変化させることができる。

ピンダイオードＤ１の両端に接続されるピンダ
イオードＤ２，Ｄ３は、ピンダイオードＤ１が遮
断状態の時にその両端を交流的に接地し、それに
より遮断特性を向上させ高周波信号の漏れを減少
させるためのものである。

［考案が解決しようとする問題点］ ところが、第２図に示す回路では、トランジス
タＱ１のV_BEが周囲の温度変化に対し極めて敏感
に変化するため、トランジスタＱ１に流れるコレ
クタ電流Icが変化し、それに伴つてピンダイオー
ドＤ１に流れるバイアス電流が変化し、アツテネ
ータの減衰量が変化してしまうことは避けられな
い。

又、ピンダイオード自体も温度特性を持ち、そ
の温度特性により順方向電圧が変化するので、や
はりアツテネータの減衰量が変化してしまう。

本考案は上述した点に鑑みてなされたものであ
り、温度安定度の良い高周波アツテネータ回路を
提供することを目的としている。

［問題点を解決するための手段］ この目的を達成するため、本考案は、高周波入
出力端子間に接続されるピンダイオードと、制御
電圧に応じて該ピンダイオードに流す電流を可変
するためのトランジスタを備えた高周波アツテネ
ータ回路において、前記ピンダイオードと同様の
温度特性を示すダイオードと抵抗の直列回路に電
流を流すことにより制御電圧を発生する回路と、
該制御電圧が正入力端子に供給され該制御電圧を
増幅して前記トランジスタへ送る誤差増幅器を設
け、前記トランジスタの出力として得られる前記
ピンダイオードのバイアス電流に対応する電圧を
前記誤差増幅器の負入力端子にフイードバツクす
るように構成したことを特徴としている。

［作用］ 誤差増幅器にピンダイオードのバイアス電流に
対応する電圧をフイードバツクし、該電圧と制御
電圧との差に基づいて制御用トランジスタを駆動
するため、温度変化によりトランジスタのV_BEが
変化してもその変化量は誤差増幅器に負帰還さ
れ、実際の変化量は誤差増幅器の利得分の１に圧
縮される。それと同時に、誤差増幅器の入力部に
付加されているダイオードの温度特性により制御
電圧が温度と共に変化するため、このダイオード
として高周波入出力端子間に接続されるピンダイ
オードと同様の温度特性を示すものを選べば、該
ピンダイオードの温度特性に起因するアツテネー
タの減衰量変化がキヤンセルされる。以下、図面
を用いて本考案の一実施例を詳説する。

［実施例］ 第１図は本考案を実施した高周波アツテネータ
回路の一例を示す。第１図において、ピンダイオ
ードＤ４と可変抵抗Ｒ１を直列接続した回路３に
抵抗Ｒ２を介して電流を流すことにより制御電圧
Vbが得られ、この制御電圧はＲ２の抵抗値を変
えることにより適宜な値に設定できる。そして、
この制御電圧Vbは誤差増幅器４を介してトラン
ジスタＱ１へ送られ、ピンダイオードＤ１にはこ
の制御電圧Vbに対応したバイアス電流が流れる。
又、前記誤差増幅器４にはトランジスタＱ１のエ
ミツタ電圧Veが負帰還される。

上記構成において、トランジスタＱ１のエミツ
タ−アース間の電圧VeはピンダイオードＤ１に
流れるバイアス電流に対応する。そして、誤差増
幅器４は、この電圧Veと抵抗Ｒ１，Ｒ２及びピ
ンダイオードＤ４によつて電源電圧Vccを分圧し
て得られる制御電圧Vbとが等しくなるように動
作する。

従つて、周囲の温度の変化によりトランジスタ
Ｑ１のV_BEが変化しても、その変化量は誤差増幅
器４への負帰還によつて圧縮される。実際の変化
量は誤差増幅器４の利得をＡとすれば、１／Ａに
圧縮される。誤差増幅器として通常用いられる演
算増幅器のループゲインは10³以上あるので実際
の変化量は極めて小さくなる。

更に、温度変化によりピンダイオードＤ１の順
方向電圧が変化しても、誤差増幅器４の入力部に
付加されているピンダイオードＤ４の順方向電圧
も同様に変化し、それにより制御電圧が温度と共
に変化するため、該ピンダイオードＤ１の温度特
性に起因するアツテネータの減衰量変化がキヤン
セルされる。このキヤンセルを理想的に行うため
には、ピンダイオードＤ１，Ｄ４として特性の揃
つたものを使用し、Ｄ４にＤ１と同じバイアス電
流を流すようにすれば良い。

尚、このダイオードＤ４としては必ずしもピン
ダイオードを使用する必要はなく、シリコンダイ
オードでもシヨツトキバリアダイオードを用いて
も良い。ただし、その場合には、ダイオードの特
性が若干違うことから、前述したキヤンセルが理
想的に行かず、温度変化に対応して多少アツテネ
ータの減衰量が変化してしまうが、従来に比べれ
ばはるかに改善されることは言うまでもない。

前記上記実施例では連続可変の可変抵抗Ｒ１を
用いて制御電圧Vbを連続的に変えられるように
したが、複数の固定抵抗を切換スイツチで切換え
るようにすれば、減衰量設定をステツプ的に行う
ことができ、設定の再現性が向上するしコンピユ
ータ制御に適している。

［考案の効果］ 以上詳述した如く、本考案によれば、ピンダイ
オードを用いた高周波アツテネータ回路における
温度安定性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案を実施した高周波アツテネータ
回路の一例を示す図、第２図は従来例を説明する
ための図である。 １，２：高周波入出力端子、３：ダイオードと
抵抗を直列接続した回路、４：誤差増幅器、Ｑ
１：トランジスタ、Ｄ１〜Ｄ４：ピンダイオー
ド。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 高周波入出力端子間に接続されるピンダイオ
   ードと、制御電圧に応じて該ピンダイオードに
   流す電流を可変するためのトランジスタを備え
   た高周波アツテネータ回路において、前記ピン
   ダイオードと同様の温度特性を示すダイオード
   と抵抗の直列回路に電流を流すことにより制御
   電圧を発生する回路と、該制御電圧が正入力端
   子に供給され該制御電圧を増幅して前記トラン
   ジスタへ送る誤差増幅器を設け、前記トランジ
   スタの出力として得られる前記ピンダイオード
   のバイアス電流に対応する電圧を前記誤差増幅
   器の負入力端子にフイードバツクするように構
   成したことを特徴とする高周波アツテネータ回
   路。 (2) 前記制御電圧を発生するための回路に用いら
   れるダイオードはピンダイオードである実用新
   案登録請求の範囲第１項記載の高周波アツテネ
   ータ回路。