JPS6154662A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
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- JPS6154662A JPS6154662A JP59176050A JP17605084A JPS6154662A JP S6154662 A JPS6154662 A JP S6154662A JP 59176050 A JP59176050 A JP 59176050A JP 17605084 A JP17605084 A JP 17605084A JP S6154662 A JPS6154662 A JP S6154662A
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- barrier layer
- organic semiconductor
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ファクシミリ等における原稿読取装置に用い
られるイメージセンサに関するものである。
られるイメージセンサに関するものである。
（従来の技術）
従来のイメージセンサは、ＭＯＳ、ＣＣ：ＤなどのＩＣ
技術を用いているが、それらのチップサイズは一般に２
０〜３Ｑｍｍと小さいので、読取画像の反射光像を縮小
投影するための光学系を必要とする。そのため、原稿か
らイメージセンサとしてのＩＣセンサ迄の光路長が大き
くなり、装置の小型化が困難であり、また結像調整が複
雑である等の欠点を有している。
技術を用いているが、それらのチップサイズは一般に２
０〜３Ｑｍｍと小さいので、読取画像の反射光像を縮小
投影するための光学系を必要とする。そのため、原稿か
らイメージセンサとしてのＩＣセンサ迄の光路長が大き
くなり、装置の小型化が困難であり、また結像調整が複
雑である等の欠点を有している。
これらの欠点を解決するために、イメージセンサのサイ
ズを読取原稿の幅と同一となして、読取原稿の表面にイ
メージセンサをほぼ密着させて画像を読み取るようにし
た、いわゆる密着型イメージセンサの開発が活発化して
いる。このような密着型センサでは、Ｓｅ −Ａｓ−Ｔ
ｅＳＣａＳ −ＣｄＳｅＳａ −Ｓｉ：Ｈを真空蒸着法
、プラズマＣＶＤ法等によって成膜させた無機系光導電
薄膜を、光電変換部に用いている。
ズを読取原稿の幅と同一となして、読取原稿の表面にイ
メージセンサをほぼ密着させて画像を読み取るようにし
た、いわゆる密着型イメージセンサの開発が活発化して
いる。このような密着型センサでは、Ｓｅ −Ａｓ−Ｔ
ｅＳＣａＳ −ＣｄＳｅＳａ −Ｓｉ：Ｈを真空蒸着法
、プラズマＣＶＤ法等によって成膜させた無機系光導電
薄膜を、光電変換部に用いている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このような従来の密着型イメージセンサ
においては、無機系光導電薄膜を形成するためのいずれ
の方法においても高い真空雰囲気が必要とされるために
、成膜コストが高く、均一な長尺の一次元イメージセン
サ、あるいは均一な広面積の二次元イメージセンサを作
成することは困難であった。
においては、無機系光導電薄膜を形成するためのいずれ
の方法においても高い真空雰囲気が必要とされるために
、成膜コストが高く、均一な長尺の一次元イメージセン
サ、あるいは均一な広面積の二次元イメージセンサを作
成することは困難であった。
本発明の目的は、かかる従来技術の問題点を解決し、廉
価に密着型イメージセンサを提供することにある。
価に密着型イメージセンサを提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、有機半導体と金属板電極との界面に形成され
るショットキー障壁層に光を照射したときに生ずる光起
電力効果を利用して、このショットキー障壁層を光電変
換部としてイメージセンサを構成している。
るショットキー障壁層に光を照射したときに生ずる光起
電力効果を利用して、このショットキー障壁層を光電変
換部としてイメージセンサを構成している。
すなわち、第１図において、基体１に形成された有機半
導体２と透明な表面金属電極３との界面にショットキー
障壁層が生成される。また、有機半導体２と裏面金属電
極４とはオーム接触されている。これは、ｐ型有機半導
体２に対しては、より大きな仕事関数もつ裏面金属電極
４とより小さな仕事関数をもつ表面金属電極３を組み合
わせることによって実現され、ｎ型有機半導体２に対し
ては、上記と逆の組み合わせによって実現される。
導体２と透明な表面金属電極３との界面にショットキー
障壁層が生成される。また、有機半導体２と裏面金属電
極４とはオーム接触されている。これは、ｐ型有機半導
体２に対しては、より大きな仕事関数もつ裏面金属電極
４とより小さな仕事関数をもつ表面金属電極３を組み合
わせることによって実現され、ｎ型有機半導体２に対し
ては、上記と逆の組み合わせによって実現される。
有機半導体としては、アントラセン、テトラセン、Ｃｕ
フタロシアニン、Ｍｇフタロシアニン、メタルフリーフ
タロシアニン、スフウニアリウム、メロシアニン、クロ
ロフィル等を用いることができる。
フタロシアニン、Ｍｇフタロシアニン、メタルフリーフ
タロシアニン、スフウニアリウム、メロシアニン、クロ
ロフィル等を用いることができる。
第２図は、かかる構成の光電変換部を表面金属電極３側
から見たものであり、−列に配列された複雑のビットの
うち４ビツトに１〜に４だけ示したものである。
から見たものであり、−列に配列された複雑のビットの
うち４ビツトに１〜に４だけ示したものである。
（作 用）
このように構成した密着型イメージセンサにおいて、原
稿の読取画像面で反射した光源からの光は、透明な表面
金属電極３を通って、ショットキー障壁層に吸収される
。この結果、光起電力効果に１つて起電力が発生する。
稿の読取画像面で反射した光源からの光は、透明な表面
金属電極３を通って、ショットキー障壁層に吸収される
。この結果、光起電力効果に１つて起電力が発生する。
従って、各ビットを構成する表面金属電極３と裏面金属
電極４とを結線しておけば、各ビットには原稿画像の対
応する画素ビットの情報に応じた電流が流れるので、こ
れらを画像信号として取り出すことができる。なお、こ
の信号検出方法としては、実時間型および蓄積型のいず
れであっても良い。
電極４とを結線しておけば、各ビットには原稿画像の対
応する画素ビットの情報に応じた電流が流れるので、こ
れらを画像信号として取り出すことができる。なお、こ
の信号検出方法としては、実時間型および蓄積型のいず
れであっても良い。
（発明の効果）
本発明によれば、光電変換部を有機半導体を用いて構成
しているので、安価でしかも大面積のイメージセンサを
作製することができる。すなわち、有機半導体は、無機
半導体と違って、塗布によって成膜でき、柔軟性に富む
ので基体を自由に選ぶことができるので、安価なイメー
ジセンサを得ることができる。そして、塗布によって、
長尺、あるいは広面積の均一な有機半導体の層を簡単に
形成できるので、長尺−次元あるいは広面積二次元の密
着型イメージセンサを容易に作成することができる。
しているので、安価でしかも大面積のイメージセンサを
作製することができる。すなわち、有機半導体は、無機
半導体と違って、塗布によって成膜でき、柔軟性に富む
ので基体を自由に選ぶことができるので、安価なイメー
ジセンサを得ることができる。そして、塗布によって、
長尺、あるいは広面積の均一な有機半導体の層を簡単に
形成できるので、長尺−次元あるいは広面積二次元の密
着型イメージセンサを容易に作成することができる。
また、本発明によれば、色素の添加によってカラーセン
サへの展開を容易に行なうことができる。
サへの展開を容易に行なうことができる。
（実施例）
ガラス基体１上に、第２図に示す様なパターンのＩＴ○
裏面金属電極４をスパッタリング法により形成した。こ
の電極４の表面積を１００μｍ平方とし、相互の間隔を
２５μｍとした。次に、Ｘ型のメタルフリーフタロシア
ニン粉末（８００人径）をポリカーボネート樹脂に５
Ｑｗｔ％の割合で分散させた有機半導体膜２を、ＩＴＯ
電極４上に塗布により形成し、その膜厚を１．５μｍと
した。次に、インジウム（Ｉｎ）を、上記の膜２上に、
真空蒸着法により付着させて、膜厚が１０００人の表面
金属電極３を形成した。
裏面金属電極４をスパッタリング法により形成した。こ
の電極４の表面積を１００μｍ平方とし、相互の間隔を
２５μｍとした。次に、Ｘ型のメタルフリーフタロシア
ニン粉末（８００人径）をポリカーボネート樹脂に５
Ｑｗｔ％の割合で分散させた有機半導体膜２を、ＩＴＯ
電極４上に塗布により形成し、その膜厚を１．５μｍと
した。次に、インジウム（Ｉｎ）を、上記の膜２上に、
真空蒸着法により付着させて、膜厚が１０００人の表面
金属電極３を形成した。
上記層構成の受光部を蓄積型の続出回路に組み込んで密
着型イメージセンサを作成して、その性能を評価した。
着型イメージセンサを作成して、その性能を評価した。
その結果、白色蛍光灯を光源とし、１００１ＬＩＸの光
を照射した時に、光応答性１ ｍ５ｅｃ 。
を照射した時に、光応答性１ ｍ５ｅｃ 。
光電流１ｍＡ／ビット、明暗電流比１０３ を得、Ａ４
判原稿を２５秒（１０ｍ５ｅｃ、／ ライン）で読み取
った。
判原稿を２５秒（１０ｍ５ｅｃ、／ ライン）で読み取
った。
第１図は本発明による密着型イメージセンサの断面図、
第２図はその平面図である。 １・・・基体、２・・・有機半導体、３・・・表面金属
電極、４・・・裏面金属電極。 特許出願人 富士ゼロックス株式会社第１図 第２図 −）７Ｆ＋−
第２図はその平面図である。 １・・・基体、２・・・有機半導体、３・・・表面金属
電極、４・・・裏面金属電極。 特許出願人 富士ゼロックス株式会社第１図 第２図 −）７Ｆ＋−
Claims (1)
- 有機半導体の層と、該層の上、下に積層された表面金
属電極と裏面金属電極とを有し、前記有機半導体の層と
前記表面金属電極との界面に形成されるショットキー障
壁面を光電変換部としたことを特徴とするイメージセン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59176050A JPS6154662A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59176050A JPS6154662A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154662A true JPS6154662A (ja) | 1986-03-18 |
Family
ID=16006838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59176050A Pending JPS6154662A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6154662A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334856A (en) * | 1990-07-03 | 1994-08-02 | Mitsubishi Kasei Corporation | Image readout element with oxytitanium phthalocyanine |
| WO2003067677A2 (en) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Politecnico Di Milano | Organic semiconductor photodetector |
| JP2004335610A (ja) * | 2003-05-02 | 2004-11-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 有機半導体デバイス |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58141246A (ja) * | 1981-09-25 | 1983-08-22 | インペリアル・ケミカル・インダストリ−ズ・ピ−エルシ− | 基板上のフタロシアニン薄膜の製法 |
-
1984
- 1984-08-24 JP JP59176050A patent/JPS6154662A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58141246A (ja) * | 1981-09-25 | 1983-08-22 | インペリアル・ケミカル・インダストリ−ズ・ピ−エルシ− | 基板上のフタロシアニン薄膜の製法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334856A (en) * | 1990-07-03 | 1994-08-02 | Mitsubishi Kasei Corporation | Image readout element with oxytitanium phthalocyanine |
| WO2003067677A2 (en) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Politecnico Di Milano | Organic semiconductor photodetector |
| WO2003067677A3 (en) * | 2002-02-08 | 2004-01-22 | Milano Politecnico | Organic semiconductor photodetector |
| JP2004335610A (ja) * | 2003-05-02 | 2004-11-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 有機半導体デバイス |
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