JPS63108772A - 高解像度光学走査方法とその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 免肚立反生±１ 本発明は一般に像走査システム、より詳細には簿膜感光
素子アレーを含み、情報パターンを検出してそれに対応
する出力信号を提供するように構成された電子搬像シス
テムに係る。

１１五遭ｊ 本発明を理解する上で、「像走査器または飛点走査器」
とは情報またはデータのパターンを走査してそれに対応
する電気信号を発生するべく動作配列されている感光素
子アレーを１つまたはそれ以上含むシステムを指すもの
とする。

飛点走査器は多様多様なデータ入力にアドレスできるよ
うに容易に構成することができる。入力データは写真、
図面、織物の柄等のグラフィック情報のパターンでも良
いし、印刷物や手書き等の英数字情報も走査することが
できる。また立体の表面のような三次元パターンでも良
い。基本的に言って飛点走査器はデータパターンを電気
信号に変換し、その電気信りを下流の処理、記憶または
表示装はに送る。、像走査器はファクシミリ装置、複写
機、コンピュータ入力端子、ＣＡＤ−ＣＡＭシステム等
に組入れることができる。また生産工程に像走査器を利
用して合板、織物、プラスチック生地、金属のような材
料の表面検査を行うこともできる。典型的な像走査器は
、走査面の各部に同時または逐時にアドレスするように
構成配置されている光感応回路を１つまたはそれ以上含
んでいる。

現在、像走査器を動作させる基本的な方法がいくつか存
在し、電荷結合デバイス（ＣＯＤ）がそのような方法の
基本となるものである。ＣＯＤは通常単結晶ケイ素で形
成される固体デバイスであり、感光素子アレーを含む。

ＣＯＤは光電感度が高く、高い解像度を提供することが
できる。しかしＣＯＤは比較的小型で、典型的なＣＣＤ
アレーで約１Ｈの二次元マトリックスであり、現在製造
されている最大ＣＯＤは、長さ約３〜４インチに満たな
い一次元アレーである。ＣＯＤのもつこのような大き°
さの制約がＣＯＤを走査器に利用する上での障害となっ
ている。ＣＯＤより大寸法の情報パターンを走査するよ
うな場合、光学系を用いてその情報パターンを縮小した
上でＣＯＤの表面に投影しなければならなくなるが、光
学系の使用によってＣＯＤの解像度が確実に低下するた
めである。

光学系そのものによる解像度の損失だけでなく実際の縮
小工程も検出する情報パターンの有効解像度を劣化させ
る。例えば典型的な二次元ＣＣＤアレーは１ｃｌｉの中
に一般に画素と称される感光単位を２５６．０００個含
む。これを写真用語で云うと、１ｃ！ｉのＣＣＤアレー
に関する等価解像度が約５０本／！！Ｈということにな
る。面積が３５Ｘ　３５Ｍの情報パターンをこの１ｃｉ
のＣＯＤに投影したとすると、３５−の像の有効解像度
がほぼ５本／ｍにまで低下する。これに比較して中解像
度の写真フィルムの場合、はぼ１２０本／履の解像力を
有する。単結晶集積回路を用いて解像度を向上しようと
しても、少なくとも２つの深刻な問題に遭遇する。まず
、単結晶ケイ素ウェーハ上に集積回路チップを形成する
場合、チップの大きさをできるだけ小さくして収率を良
くし、好演的要件を満足させる必要がある。第２の問題
点として最初の問題とも関連するがチップ面積の小ざい
所で実装密痕を高くするためにはますます精緻なホトリ
ソグラフィーを使用しなければならず、製造コストが上
昇するという矛盾が生じる。特にこのような理由により
、現在のＣＯＤ技術を用いて実際の大きさ情報パターン
を高解像度検出する（高解像度とは写真能力に関して高
いことを指す）のは経済的に不可能であると言える。

リソグラフィー技術の向上と共に、１ｃｒｉのＣＯＤの
中に１４０万個の画素を含まゼることも不可能ではなく
なっている。これは解像度で云うと１ｃｌの装置におい
てほぼ１２０木／Ｍであり、その上に投影される３５Ｍ
Ｍの情報パターンに関して３４本／ｍｔｓの有効解像度
に相当する。ＣＯＤの解像度をこれ以上に増大するため
には、ＣＯＤの画素密度を大きくするか、装置そのもの
を大型化するしかない。

しかしどちらの方法にも重大な問題がある。まず、光の
回折限界が窮極的にＣＯＤのバターニングに使用するホ
トリソグラフィ一工程に限界を与えることになる。但し
、これより先に実用性やコスト的な拘束から画素密度に
限界が生じるのが普通である。他方、処理上の限界が製
ｉも可能な結晶質ＣＣＤの大きさに限界を与える。単結
晶ウェハーは大きさが直径６〜８インチを超えると経済
的に製造できないのが６通である。また、処理段階にお
いてデバイスに欠陥が生じるおそれもある。結晶質デバ
イスの大きさが大きくなると、そのホトリソグラフィー
構造の大きさに厳密な限界のある場合は特に、デバイス
の収率の激減と共に欠陥発生の可能性も指数関数的に増
加するため製造コストに大きな負担がかかる。そのため
最終製品のコストはデバイスの大きさの増大と共に指数
関数的に増大づる結果どなる。従って最も楽観的に選択
した画素密度と単結晶ＣＯＤの大きさを使用した場合で
も、このような技術を用いては、面積数平方インチを超
える情報パターンを検出し得る高解像度飛点検出器をＵ
汎的に製造することは不可能である。

堆積薄膜デバイスも飛点検出器の製造方法の１つである
。薄膜デバイスはいろいろな基板に適当な崖導体材料層
を蒸着することによって大面積に経済的に製造すること
ができる。現存のホトリソグラフィ技術を用いて半導体
層を適当にパターニングすることによ、す、いろいろな
構成のデバイスとすることができる。

近年、薄膜半導体の堆積方法が相当に進歩しており、半
導体材料を比較的大面積に堆積できる上、ドープを行う
ことによりｐ−１−ｎ形ボトダイオードのような半導体
デバイスをｌｕするためのｐ形およびｎ形半導体を形成
することができる。このような半導体デバイスは結晶質
デバイスに優るとも劣らないものである。特に有望な１
ｔｌＦＪ材料の１つに非晶質材料がある。ここで用いる
「非晶質」という用語は、短距離または中距離の秩序を
有したり、場合によっては結晶質含有物を含有すること
があっても長距離的に無秩序である全ての物質または合
金を指すものとする。また、ここで使用する「微結晶質
」という用語は前記非晶質材料の中で、結晶質含有物の
体積分率が、導電率、帯域、吸収率のようなある種の基
本パラメータの実質的変化がそこで始まるという圏値よ
り大きいことを特徴とづ−る物質を指すものとする。

現在ではグロー放電やその他の蒸着方法により非晶質の
ケイ素合金ゲルマニウム合金またはケイ系ゲルマニウム
合金の」膜を大面積に形成することが可能になっている
。これらの合金はエネルギーギャップの局在化状態密度
が低く、高品質の電気的特性を有する合金である。ｉ牧
牛導体合金は大ｆ生産方式により容易に大面積に形成す
ることができるため、大規模イメージセンサ−アレーの
経済的製造を可能にする。このような大型アレーを用い
ることによって、情報パターンの大きさを光学的に小さ
くして小面積センサーアレーに合わせる必要が無くなり
、従って上でＣＯＤアレーに関して記載したような解像
度損失も無くすることができる。さらに、薄膜センサー
アレーは走査する情報パターンより大きく形成すること
ができるため、アレーの上に情報パターンを光学的に拡
大して投影することができ、アレーの有効解像度が増大
する。このようにして精密なホトリソグラフィー技術を
用いることなく、従ってｌ！Ｊ造歩留りを高くかつ製造
コストを低く維持しながら高解像度の像再生を達成する
ことができる。

薄膜感光素子アレーを例えばピッチ５０ミクロンで、す
なわち隣接する感光素子の中心から中心までの距離を５
０ミクロンとして形成すると、そのアレーの解像度は２
０本／卿となる。このＷ？像度は現在あるＣＯＤを用い
て３５−の情報パターンを走査した場合に得られる解像
度より優れている。

５０ミクロンのピッチは従来のボトリソグラフィー技術
を用いても非常に高い歩留りで容易に達成することがで
きる。ピッチを同じにしたままで１辺がほぼ５４Ｍの感
光素子アレーを形成したとすると、１４０万個の画素の
アレーが実現されることになる。

以上から分かるように、感光素子アレーを大きくするこ
とによって現在使用可能な処理技術を用いてでも、単結
晶ＣＯＤに関して期待される最高の解像度と同等の解像
度が実現できる。薄膜感光素子アレーは数フィートに及
ぶ大きさに形成できるため、例え前記技術に新たな進歩
がなくてもａ９膜アレーの解像力はＣＯＤのそれより数
倍礒るものとなる。

以上の説明は５０ミクロンのピッチを使用した場合に基
いているが、２９ミクロンまたはそれより小さいビッヂ
でも薄膜感光素子アレーの製造においては容易に実現す
ることができる。ピッチを２９ミクロンとすると前記の
３５−アレーの画素の合計が１４０万個に増えるが、さ
らに大型のアレーを用いることによりさらに高い解像度
を達成できる。線形および二次元感光素子アレーの製造
技術については、　”−−１９８７年４月２１日発行の
米国特許第４，６６０．Ｑ９５号「接触形文書走査装置
および走査方法」にその記載がある。

前段落に記載したように二次元アレーを使用する他、本
発明の原理は線形アレーにも同様に利用することができ
る。感光素子の線形アレーを用いた場合、そのアレーに
情報パターンを横切って走査または通過させることによ
り妻滑云孝：中情報パターンの検出を行うことができる
。現在では数メートルを超える大ぎさの線形アレーを構
成することも可能である。拡大像の投影と関連してこの
ような線形アレーを用いることにより、情報パターンの
超高解像度検出が可能になる。上記参照文献に記載され
ているように、薄膜感光素子アレーにグレイスケールと
感色性を持たせることが可能であり、このようＸな能力
を利用して金色高解像度の像を容易に再生することがで
きる。

以上の説明から分かるように本発明は単結晶つ工−ハ装
置の上に形成した電荷結合形その他の集積回路を感光素
子として使用する従来の光学走査システムに見られるよ
うな拘束事項を無くすものである。

このように本発明は、製造が容易で低コストであり、し
かもグラフィックデータおよび／または英数字データの
走査に適する高ＦＩ？像度光学走査システムを実現する
ものである。

当業者には本発明の詳細な説明、添付図面、図面を参照
しての詳細な説明、特許請求の範囲から、本発明のその
他の利点についても明らかとなるでろ あう。

及Ｊ」と」且 ここに開示するのは、薄膜感光素子アレーを用いて情報
パターンを高解像度検出する方法と、その方法を実施づ
“る装置である。その方法は薄膜感光素子アレーを設け
る段階と、情報パターンの拡大像を生成するように構成
されている光学手段を設ける段階と、前記拡大像を前記
感光素子アレーに検出させるべく投影する段階と、薄膜
感光素子アレーによって、拡大像を検出してそれに対応
する信号を出す段階とを含む。

本発明の装置は情報パターンの拡大像を生成するように
構成されている光学手段と、該拡大像を検出してそれに
対応する信号を出すように配設されている薄膜感光素子
アレーを含む。１つの実施態様では、？Ｊ膜光学素子ア
レーが非晶質ケイ素合金材料と非晶質ゲルマニウムＸ合
金材ｒ↓と非晶質ケイ素ゲルマニウム合金材料から木質
的に成る群から選択した半導体材料の層を少なくとも１
つ含む。光学手段にはレンズまたは鏡を含ませることが
できる。場合により光学手段が薄膜感光素子アレー上に
直接拡大像を投影するように構成することもあるが、そ
の、他の場合は像を一旦スクリーン上に投影し、′ａ膜
悪感光素子アレースクリーン上に投影された像を検出す
るように該′Ｒ膜感光素子アレーを配設する。

情報パターンは透明画としてこれを光学手段により投影
して拡大像を形成づるようにできる。情報パターンは三
次元体としても良く、この時の光学手段はその三次元体
の表面の少なくとも一部分の拡大二次元像を生成するよ
うに構成することができる。薄膜感光素子アレーは平面
形アレーを含んでも良いし、あるいは光学手段の焦点面
に概ね沿うように輪郭取りした柔軟アレーとしても良い
。

薄膜感光素子アレーは感光素子の線形アレーとすること
ができ、その場合の装置は線形アレーにより拡大像を走
査するだめの手段をざらに含むことになる。その他の場
合の１１１２感光素子アレーは二次元アレーである。感
光素子アレーは、ホトダイオードと、ホトトランジスタ
と、光導電デバイスと、光起電メカデバイスとそれらの
組合せとからμ本質的に成る群から選択した感光素子を
含むことができる。場合によりアレーの光感応性デバイ
スに各々反対のＳｅｔ形にドクーブした２つの半導体材
料層を含ませても良く、また場合によってはそれらの間
に実質的に真性の半導体材料層を含ませることもできる
。

本発明の装置は検出する情報パターンに対応するディジ
タル信号またはアナログ信号を発生するように構成する
ことができ、さらに表示装置やプリンタを含ませても良
い。

本発明の特定実施態様の１つに、指紋に含まれる情報パ
ターンを表わす電子信号を出す方法および装置がある。

この装置は指紋の拡大像を投影するように構成されてい
る光学手段と、該拡大像を検出してそれに対応する出力
信号を出すように配設されている薄膜感光素子アレーを
含む。

１飢二二且互λ」 第１図を参照すると、本発明の実施において使用し１！
する薄膜感光素子アレーのすｌ！型としての薄膜感光素
子アレー１０が平面図で示されている。但し、これ以外
の感光素子アレーも同様に使用できることに留意が必要
である。

感光素子アレー１０は二次元マトリックスの形に配列さ
れた複数の感光素子１２ａ〜１２１から成る。

感光素子１２ａ〜１２ｉの各々がそれＩと関連して分離
装置１４ａ〜１４ｉを備えており、これを介して素子１
２とアドレス線のグリッドとが相互接続されてへ。図示
のようにグリッドは金属その他の導電性材料で形成され
る複数のＸアドレス線１Ｇ、　１８．２０と複数のＹア
ドレス線２２．２４．２６を含む。

感光素子アレー１０を形成する基板２８はガラスヤ金属
板のような剛性部材としても良いし、あるいは薄い金属
部材や合成ポリマー材料のような可撓性部材とすること
もできる。

基板２Ｂが導電性の場合、その上にアドレス線を堆積す
る前に基板上に絶縁性被膜を設けるのが望ましい。

感光素子１２８〜１２ｉは光感応素子、すなわち光の吸
収に応答して検出可能な信号を生成するＪ：うに構成さ
れた素子である。この信号は１流、電圧、抵抗率の変化
等と！することができる。感光素子１２として利用でき
る装置の中にホトダイオード、ホトトランジスタ、光導
電ｆバイス等があり、これらを１つずつまたは組合ばて
使用することができる。特にイＩ効な感光素子デバイス
の１つは、実質的に真性の半導体材料層をはさんで各々
反対の１７ｍ形にドープされた２つの半導体材料層を形
成して成るｐ−１−ｎ形光起電力デバイスである。

このようなデバイスを１つで、あるいは積重ねタンデム
結合として光の吸収に応答して電圧および／または電流
を生成させることができる。

各感光素子に関連して設【プられる分離装置１４を用い
て感光素子アレー１０から所定路に流れる電流を制限す
ることにより特定の感光素子１２へのアドレスが容易に
なる。分１１装冒１４はダイオード、トランジスタ、閾
スイッチ、リレー等の任意の制御装置で構成することが
できる。感光素子アレーの製造において特に有効なのは
ｐ−１−ｎ形ダイオードであることが分かっている。

アドレス線１６，１８，２０，２２，２４．２６がＸ−
Ｙ？トリックス状に配列され、交差点１９において絶縁
される。特定対のアドレス線にアドレスすることによっ
て、特定の感光素子に７７仁スすることができ４＝４＝
るのを防止することができる。

本発明に有効なセンサーアレの製造に利用できる材料は
多岐に亘るが、非晶質ケイ素合金材料と非晶質ゲルマニ
ウム合金材料と非晶質ケイ素ゲルマニウム合金材料とか
ら本質的に成る群から選択した薄膜半導体合金材料を使
用するのが特に有利であるという知見を１９た。この様
な材料は容易に大型の感光素子アレーに形成することが
できるためである。ここで用いる非晶質ケイ素合金材料
という用語はケイ素に対して水素、ハロゲン、炭素およ
び／または窒素のような補償または変更元素等の元素ま
たは物質を合金したものを指す。同様にゲルマニウム合
金材料という用語もゲルマニウムに他の元素または物質
を併合したものを指す。

非晶質ケイ素ゲルマニウム合金という用語はケイ素とゲ
ルマニウムの両方を任意の比率で含む全ての合金を指し
、その他の元素または物質は含む場合と含まない場合が
ある。

当業者には明らかなように、第１図の感光素子アレー１
０は９個の感光素子から成る二次元マトリックスとして
示されているが、実際にはこれよりはるかに多数の感光
素子から成るアレーが好んでなわち線形アレーとするこ
とができることも明らかであろう。−次元および二次元
センサーアレーの動作と製造方法に関する詳細な説明は
前出の特許に記載されており、その内容は本明細古中に
も含まれるものとする。

第２．３．４図を参照することにより本発明の動作と利
点を最も良く理解することができよう。

まず第２図を参照すると、電荷結合デバイスを用いて情
報パターンを検出するように構成された装置が概略的に
示されている。つまり第２図は先行技術を示すものであ
る。

第２図の方法では、例えば二次元単結晶電荷結合デバイ
ス３０のような電荷結合デバイスが、図中矢印で示され
る対象物３２上に含まれる情報パターンを検出するよう
に配設されている。対象物３２の方が電荷結合デバイス
３０の有効面積より大きいため、第２図ではレンズ３４
として概略的に表されている光学系を用いて対象物３２
の縮小像３６を電荷結合デバイス３０に投影する。

先にも述べたように、このような縮小は有効解像度を損
うものである。電荷結合デバイスの大ぎさが１ｃＩｄで
あり、２５６．０００個の画素を含む場合、その解゛像
力はほぼ５０本／調である。検出する対粂物３２の長さ
が３．５ｃｍであり、電荷結合デバイス３０の有効面積
いっばいの像３６を縮小した形で投影するとすると、対
象物３２はほぼ１５本／履の有効解像度で■像されるこ
とになる。

次に第３図を参照１“ると、情報パターンの高解像度検
出を行うように構成された本発明の一実施態様がやはり
概略的に示されている。図示の実施態様では対像物３２
とレンズ３４として示されＨる光学系が含まれており、
この光学系対象物３２の像３８を薄膜感光素子アレー４
０上に投影するように配設されている。第３図に関して
注目すべき点は、投影像３８の方が元の対象物３２より
相当大きくなっていることである。

感光素子アレー４０は第１図に関連して説明したのと概
ね同様の薄膜感光素子アレーである。拡大像３８を感光
素子アレー４０上に投影することにより、アレーの有効
解像度が高くなる。例えば約５０ミクロンのピッチ、す
なわち隣接する感光素子の中心から中心までの間隔を５
０ミクロンとした感光素子アレーを高い歩留りで製造す
るのは容易である。

これによって解像度が２０本／ｍ屑となり、その数は第
２図の実施態様の電荷結合デバイスの解像度を上回る。

検出する対象物３２の像３８を２倍の拡大率でアレー４
０に投影した場合、この解像度が２倍になる。拡大率を
さらに大きくするに従って有効解像度の数値も大きくな
る。大面積薄膜感光素子アレーが出現するまでの電子撮
像システムにおいては、このように高い解像度を達成づ
゛るのは容易ではなかった。像３８をさらに拡大し、セ
ンサーアレー４０をさらに大型化することによって極め
て高ＯＮ像度を獲得できることも明らかである。

第３図に示したように、感光素子アレー４０はそれと関
連して信号処理装置４２を下流側に備えている。このよ
うな下流処理装置としてセンサーアレーの生成する像を
増ｇかヱその他の方法で処理するコンピュータがある。

下流処理装置にはこの他にも検出する対象物の像を生成
するビデオ表示端子または印刷装置を含ませても良い。

同様に磁気ディスクや光学ディスクのような記憶装置を
含ませることもできる。

第４図は線形感光素子アレー４４を用いて対象物３２の
投影像３８を走査する本発明の別の実施態様を示してい
る。図示はしていないが、第４図の装置は破線の矢印Ａ
、Ａ’で示すように像３８の平面上を横切るように線形
感光素子アレー４４を前進させる駆動手段を含んでも良
い。あるいは光学システム３４が線形アレー４４を横切
って投影像３８の掃引を行うように構成しても良い。

本発明の基本的原理を考慮に入れると、そこから数多く
の装置や方法を考案できることが明らかであろう。例え
ば図では光学系をレンズ３４によって示しているが、そ
の代わりにｉｉ等の光学素子を用いて拡大像を形成する
ことも可能である。また撮像対象物を三次元の立体とし
てその二次元的描写を感光素子アレーに投影することも
できるが、その他の場合の撮像対象物は写真、テキスト
の頁、シート状材料の模様のような平面部材であり、そ
れを感光素子アレーに投影する。この他、走査する情報
パターンを右する対象物を透明画として、それをスライ
ド映写機に類似の光学系によって感光素子アレー上に投
影することもできる。場合によっては対象物の像を半透
明のスクリーンに投影した後、感光素子アレーを用いて
スクリーンを走査する方が好都合なこともある。

本発明はデータの走査、転送、処理を行う種々のシステ
ムなど、多くの撮像■連用途に利用できるものである。

そのような実７１１　Ｋ様の１つとして指紋に含まれる
情報パターンを検出してそれを示す電気信号を出−１指
紋走査装置がある。

指紋のパターンは指先の表面にインクを塗布し、それを
媒体に接触させると言った従来の方法で容易に紙、プラ
スチックフィルム、ガラス等の透明の株を走査する。

指紋など組織の形態学的特徴を表わす高解像度の通用画
像は短時間の光照射または熱パルス照射によって光分散
膜に瞬間的に記録することができる。

このような発明を実施する方法と装置については、米国
特許第４，２５１．５６４弓［パルスエネルギー源を用
いての生体皮四組織のヒートシンク撮像方法およびその
装置］に開示されており、その内容は水用１ｍ中にも含
まれるものとする。

上述の方法により生成された指紋透明画像を光学系の中
に適当に配着することよって、指紋パターンの高解像度
拡大像を容易に感光素子アレー上に投影して該像に対応
する電気信号を生成さぜることができる。一旦ディジタ
ル化した侵、指紋に関する情報を相互、参照法により分
析および符号化してその後の分析、検索に備えたり、遠
隔個所に送信して記憶または表示させることができる。

当業者には明らかなように、本発明のこの種の実施Ｓ様
は他にもいろいろと考案することができる。

薄膜感光素子アレーは可撓性基板の上に容易に大面積に
形成することができ、広範囲の搬像用途に適用すること
ができる。センサーアレーは必ずしも図示のような平坦
形とする必要はなく、使用する光学系に合わせて湾曲形
とづ″ることもできる。

例えば光学系の収差が焦点面が湾曲する程度のものであ
る場合、この湾曲した像面に対応するように可撓性感光
素子アレーを配設することができる。

成することができるため、拡大率の高い光学系と共に用
いて超高解像度走査を実現できる。データパターンの検
出前にそれを光学的に拡大することによって解惇度を向
上できることが本発明の大きな特徴である。このような
構成により非常に高い解像度での走査が可能になると共
に、センサーアレーの製造において比較的精巧性の低い
ホトリ゛／グラフィーを使用することが可能になる。

以上に挙げた例および記載は本発明のある面をも全て含
めての特許請求の範囲である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施に使用し得る薄膜感光素子アレー
の１つの形式を示す平面図である。 第２図は単結晶電荷結合デバイスを用いた先行技術の光
学走査システムを示す略図である。 第３図は二次元の薄膜感光素子アレーを用いる！ように
構成された本発明の光学走査システムの略図である。 第４図は線形の薄膜感光素子アレーを用いるように構成
された本発明の光学走査システムの略図である。 １０．４０・・・・・・二次元薄膜感光素子アレー、３
２・・・・・・対象物、３４・・・・・・光学系、３８
・・・・・・拡大像、４４・・・・・・線形感光素子ア
レー。 ｉｔｊ′’人７１」′［士　ｊ６片　　山　　　武ＦＩ
Ｇ、　　／ ＦＩｏ、　２

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. （１）薄膜感光素子アレーを用いて情報パターンを高解
   像度検出するための方法であって、 非晶質ケイ素合金材料と非晶質ゲルマニウム合金材料と
   非晶質ケイ素ゲルマニウム合金材料とから本質的に成る
   群から選択した半導体材料の層を少なくとも１つ含む前
   記薄膜感光素子アレーを設ける段階と、 前記情報パターンの拡大像を生成するように構成されて
   いる光学手段を設ける段階と、 前記拡大像を前記感光素子アレー上に投影する段階と、 前記薄膜感光素子アレーを用いて前記拡大像を検出し、
   それに対応する高解度像信号を出す段階とを含んで成る
   方法。
2. （２）前記光学手段を設ける段階がレンズを含む手段を
   設けることから成る、特許請求の範囲第１項に記載の方
   法。
3. （３）前記光学手段を設ける段階が鏡を含む手段を設け
   ることから成る、特許請求の範囲第１項に記載の方法。
4. （４）前記投影段階が拡大像を直接薄膜感光素子アレー
   上に投影することをさらに含んで成る、特許請求の範囲
   第１項に記載の方法。
5. （５）前記情報パターンが透明画であり、前記光学手段
   を設ける段階が前記透明画の拡大像を投影するように構
   成されている手段を設けることから成る特許請求の範囲
   第１項に記載の方法。
6. （６）前記光学手段がその焦点面に前記拡大像を生成す
   るように構成されており、前記薄膜感光素子アレーを設
   ける段階が光学手段の焦点面に概ね対応した輪郭をもつ
   可撓性アレーを設けることから成る、特許請求の範囲１
   項に記載の方法。
7. （７）前記薄膜感光素子アレーを設ける段階が、感光素
   子の線形アレーを設ける段階から成り、前記拡大像を検
   出する段階が線形感光素子アレーを用いて拡大像を走査
   することをさらに含んで成る、特許請求の範囲第１項に
   記載の方法。
8. （８）前記薄膜感光素子アレーを設ける段階が、ホトダ
   イオードとホトトランジスタと光導電デバイスと光起電
   力デバイスとそれらの組合せから本質的に成る群から選
   択される光感応性素子を含むアレーを設けることを含ん
   で成る、特許請求の範囲第１項に記載の方法。
9. （９）前記感光素子アレーを設ける段階が各々反対の導
   電形にドープされた２つの半導体材料層を含む光感応性
   デバイスのアレーを設けることを含んでいる、特許請求
   の範囲第１項に記載の方法。
10. （１０）前記拡大像に対応する信号を表示装置に印加す
    ることにより前記情報パターンの高解像度表示を行う段
    階をさらに含んで成る、特許請求の範囲第１項に記載の
    方法。
11. （１１）前記拡大像に対応する信号をプリンタに印加す
    ることにより前記情報パターンの高解像度ハードコピー
    を提供する段階をさらに含んで成る、特許請求の範囲第
    １項に記載の方法。
12. （１２）前記拡大像に対応する信号にさらに別の電子的
    処理を行う段階をさらに含んで成る、特許請求の範囲第
    １項に記載の方法。
13. （１３）情報パターンを高解像度検出するための装置で
    あつて、該装置が、 情報パターンの拡大像をその焦点において生成するよう
    に構成されている光学手段と、 前記拡大像を検出してそれに対応する信号を出すように
    配設されている薄膜感光素子アレーとを含んで成り、前
    記アレーが非晶質ケイ素合金材料と非晶質ゲルマニウム
    合金材料と非晶質ケイ素ゲルマニウム合金材料とから本
    質的に成る群から選択される半導体材料の層を少なくと
    も１つ含んでいる装置。
14. （１４）表示装置をさらに含んで成り、情報パターンの
    高解像度表示を行うように構成されている、特許請求の
    範囲第１３項に記載の装置。
15. （１５）プリンタをさらに含んで成り、情報パターンの
    高解像度ハードコピーを提供するように構成されている
    、特許請求の範囲第１３項に記載の装置。
16. （１６）指紋に含まれる情報パターンを示す電子信号を
    提供するための装置であって、該装置が、前記指紋の拡
    大像を投影するように構成されている光学手段と、 前記拡大像を検出してそれに対応する信号を出すように
    配設されている薄膜感光素子アレーを含んで成る装置。