JPS6146020A - 荷電粒子線描画装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、被描画材料に照射される荷電粒子線の断面形
状を任意に変化させて該材料上に任意のパターンを描画
するようにした荷電粒子線描画装置の改良に関する。

［従来の技術］ 特開昭５２−５１８７１号公報には、電子線通路に沿っ
て第１と第２のスリットを配置し、該両スリットの間に
偏向器を設け、該偏向器に供給する信号に応じて任意の
矩形断面の電子線を整形する技術が示されている。この
ような整形電子線を電子線描画装置に用いれば、高速の
描画が可能となる。

第３図は、電子線の整形の状態を示しており、３は第１
スリット、４は第２スリットで、該両スリットの間には
、Ｘ方向偏向器５が配置されている。尚、該Ｘ方向偏向
器５と第２スリット４との間には、Ｙ（＆ｉ向器が配置
されているが、この図では省略されている。該第１スリ
ット３の矩形状間口Ｓ１を透過した電子線は偏向器５に
印加される電圧に応じて偏向されるが、無偏向の場合に
は、該電子線は直進し、該開口Ｓ１を透過した電子線は
全て第２のスリット４の開口Ｓ２を透過し、最大の大き
さの矩形断面の電子線を得ることができる。又、所望の
電圧を該偏向器に印加すれば、図中点線で示すように、
電子線は偏向され、一部の電子線は第２スリット４によ
ってカットされるため、所望の大きざの矩形断面の電子
線を得ることができる。尚、図示していないが、該第１
スリット３と第２スリット４との間には、結像レンズが
設けられており、該第１スリットの開口Ｓ１の像を縮小
率１で第２スリット４上に結像するようにしている。

［発明が解決しようとする問題点］ 第３図において、無偏向の場合に直進する電子線が形成
する矩形断面の電子線の中心が、光軸Ｏと一致するよう
に調整されている。ここで、偏向器５によって偏向され
、第２スリット４を透過した図中点線で示した矩形断面
の電子線ＥＢについて考察すると、該Ｍ２スリット上の
像の中心Ｃは、光軸Ｏから離れており、該整形された電
子線を被描画材料上に結像投影すると像のボケが生じた
り、あるいは、所望の位置に電子線を照射するために該
電子線を偏向しても、正確に所望位置に電子線を投射す
ることができない。

本発明は、上述した点に鑑みてなされたちので、材料上
にボケのない電子線を正確に投射することが可能な荷電
粒子線描画装置を提供することを目的としている。

［問題点を解決するための手段］ 本発明に基づく荷電粒子線描画装置は、荷電粒子線通路
に沿って配置された第１と第２のスリットと、該スリッ
ト圓に配回された第１の偏向手段とより成る荷電粒子線
断面形状可変手段と、該荷電粒子線断面可変手段によっ
て形成された矩形状断面の荷電粒子線の材料上の照射位
置を変化させるための第２の偏向手段とを備えた荷電粒
子線描画装置において、該第２のスリットを懺械的に移
動する手段を設け、形成すべき荷電粒子線の矩形断面の
大きさに応じて該第２スリットの位置を変化させるよう
に構成したことを特徴としている。

［作用］ 第１スリットと第２スリットとの間に配置された偏向器
には、整形すべき矩形の大きさに応じた信号が供給され
るが、更に、該第２スリットの位置は、該整形すべき矩
形の大きさに応じて機械的に移動させられ、その結果、
整形される矩形状電子線の第２スリット上での中心と光
軸とは常に一致させられる。

［実施例］ 以下本発明の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。

第１図において、１は電子銃である。該電子銃１から発
生した電子線は、照射レンズ２によって第１スリット３
．第２スリット４．Ｘ偏向器５゜Ｙ偏向器６から成る断
面形状可変手段７に照射される。該断面形状可変手段７
によって所望の形状及び大きざの断面形状が与えられた
電子線は、投影レンズ８によって被描画材料上に投射さ
れるが、その投射位置はレンズ８と材ｒＦ９との間に設
けられたＸ偏向器１０．Ｙ（Ｅｌ向器１１によって指定
される。

１２は予め描画すべきパターンのデータが記憶された制
御用のディジタルコンピュータであり、該コンピュータ
１２は上記データに基づいて形状指定信号と位置指定信
号とを作成し、前者はＤ−へ変換器１３．１４に、又、
後者はＤ−Ａ変換器１５．１６に供給される。該Ｄ−Ａ
変換器１３に供給され、アナログ信号に変換された信号
は、増幅器１７を介してＸ偏向器５に供給され、該Ｄ−
Ａ変換器１４に供給されてアナログ信号に変換された信
号は、増幅器１８を介してＹ偏向器６に供給される。該
Ｄ−Ａ変換器１５．１６によってアナログ信号に変換さ
れた信号は、夫々増幅器１９゜２０を介して、Ｘ偏向器
１０．Ｙ偏向器１１に供給される。該コンピュータ１２
からは、更に、Ｄ−Ａ変換器２１を介して第２スリット
移動ぼ構２２に移動信号が供給される。該移動機構２２
は該第２スリット４をＸ、Ｙ両方向に独立して移動する
ことができる構成となっている。

上述した毎き構成において、断面形状可変手段７によっ
て電子線の断面形状を所望の形状に整形しつつ、Ｘ偏向
器１０．Ｙ偏向器１１に所望の偏向信号を印加すれば、
被描画材料９上に所望パターンの描画を行うことができ
る。ここで、第３図に点線で示した電子線によって形成
される大きさの矩形を本発明によって整形する場合、コ
ンピュータ１２から偏向器５には、第３図の場合と比べ
て電子線の偏向量が半分となる偏向信号が印加される。

更に、該コンピュータ１２から第２スリット移動ｇ１構
２２には、第２スリット４上の電子線の偏向による移動
量と等しい距離だけ、該電子線の偏向の向きと反対の向
きに該第２スリットを移動させる信号が供給される。そ
の結果、第２図に示す如く、該第２スリット４の開口Ｓ
２を通過する矩形断面の電子線ＥＢの該第２スリット上
の像の中心Ｃは、光軸０と一致することになる。従って
、被描画材料９上に投刺される矩形断面の電子線は、中
心が光軸と一致している像が結像されたものであるため
、ボケがなく、正確なパターンを該材料上に描画するこ
とができる。

尚、本発明においては、矩形断面の電子線の整形を行う
に際して、第２スリットの橙械的移動を伴うため、従来
の電子線の偏向のみによる方法と比べて描画速度が遅く
なることが考えられる。しかしながら、単一のフィール
ドに多数の矩形を描画する場合、各矩形を大きさに応じ
てランク分けし、同様な大きさの矩形を連続して描画し
、特定の大きさの矩形を描画した侵に、異なった大きざ
の矩形を連続して描画することにより、第２スリットの
機械的な移動を著しく少なくすることができ、描画速度
が遅くなることは防止される。

以上本発明を詳述したが、本発明は上述した実施例に限
定されず幾多の変形が可能である。例えば、電子線描画
装置を例に本発明を説明したが、本発明はイオンビーム
描画装置にも適用することができる。

［効果］ このように、本発明においては、整形する電子線の矩形
断面の大きさに応じて、第１と第２のスリットの間の偏
向器と、第２スリットの移動機構に信号を供給し、電子
線の偏向と第２スリットの機械的移動とによって所望断
面の電子線を整形してるため、第２スリット上の整形電
子線像の中心と光軸と一致させることができ、正確な描
画を行うことかできる。

【図面の簡単な説明】

１１図は本考案の一実施例である電子線ＩＦｉ画装置の
全体構成を示す図、第２図は電子線の偏向と第２スリッ
トの位置との関係を示す図、第３図は従来の矩形断面の
電子線の整形の状態を示す図である。 １・・・電子銃　　　２・・・電子レンズ３．４・・・
スリット ５．６．１０．１１・・・偏向器 ８・・・投影レンズ ９・・・被描画材料 １２・・・コンピュータ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 荷電粒子線通路に沿つて配置された第１と第２のスリッ
   トと、該スリット間に配置された第１の偏向手段とより
   成る荷電粒子線断面形状可変手段と、該荷電粒子線断面
   可変手段によって形成された矩形状断面の荷電粒子線の
   材料上の照射位置を変化させるための第２の偏向手段と
   を備えた荷電粒子線描画装置において、該第２のスリッ
   トを機械的に移動する手段を設け、形成すべき荷電粒子
   線の矩形断面の大きさに応じて該第２スリットの位置を
   変化させるように構成した荷電粒子線描画装置。