JPS6141223A - 超伝導循環電流を用いたセルフリセット超伝導ル−プ回路 - Google Patents
超伝導循環電流を用いたセルフリセット超伝導ル−プ回路Info
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- JPS6141223A JPS6141223A JP16152984A JP16152984A JPS6141223A JP S6141223 A JPS6141223 A JP S6141223A JP 16152984 A JP16152984 A JP 16152984A JP 16152984 A JP16152984 A JP 16152984A JP S6141223 A JPS6141223 A JP S6141223A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はジョセフソン接合と超伝導ストリップラインを
用いて構成されるセルフリセｙ ）Ｍ伝導ループ回路番
こ関するものである。
用いて構成されるセルフリセｙ ）Ｍ伝導ループ回路番
こ関するものである。
（従来技術とその問題点）
従来ジョセフソン記憶回路等ζこ用いられるジｉの超伝
導ループ回路は以下のように動作する。ゲート電流路１
２からゲート電流Ｉｇを流した状態で入力電流Ｉｓを入
力線路１１に流すと、ゲート１ｏが電圧状態にスイッチ
する。グー目０が電圧状態にスイッチすると、ゲート電
流Ｉｇは超伝導ループ回路１３を通って流れる。ゲート
１０はバイアス電流が減少し零電圧状態にリセットする
。一方超伝導ループ回路１３はインダクタンスを持ち、
抵抗成分は零であるので次式が成立する。
導ループ回路は以下のように動作する。ゲート電流路１
２からゲート電流Ｉｇを流した状態で入力電流Ｉｓを入
力線路１１に流すと、ゲート１ｏが電圧状態にスイッチ
する。グー目０が電圧状態にスイッチすると、ゲート電
流Ｉｇは超伝導ループ回路１３を通って流れる。ゲート
１０はバイアス電流が減少し零電圧状態にリセットする
。一方超伝導ループ回路１３はインダクタンスを持ち、
抵抗成分は零であるので次式が成立する。
１鉦材タンスの両端１こ電圧を発生させ上記閉回路に流
１悩舒る循環電流を零状態にリセットしていた。ここ−
敦いう電流零状態とは、その後の回路の動作に与える影
響が電流が零の場合と変わらないほど小さな電流の状態
のことである。
１悩舒る循環電流を零状態にリセットしていた。ここ−
敦いう電流零状態とは、その後の回路の動作に与える影
響が電流が零の場合と変わらないほど小さな電流の状態
のことである。
しかし第１図１こ示すリセットゲート１４を用いるリセ
ット方法では外部にリセット信号を発生する回路が必要
になる。−このリセット信号を発生する回路は前記ゲー
ト１０を駆動したゲート電流Ｉｇの電源が零である期間
に駆動せねばならずゲート１Ｇを駆動したｔ源と別の時
間依存性を持つ電源を用いなければならない。またリセ
ット信号を与える時刻を決定するためのタイミング制御
回路も必要となり回路が複雑になる欠点を有していた。
ット方法では外部にリセット信号を発生する回路が必要
になる。−このリセット信号を発生する回路は前記ゲー
ト１０を駆動したゲート電流Ｉｇの電源が零である期間
に駆動せねばならずゲート１Ｇを駆動したｔ源と別の時
間依存性を持つ電源を用いなければならない。またリセ
ット信号を与える時刻を決定するためのタイミング制御
回路も必要となり回路が複雑になる欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明の目的は前記従来の欠点を除去せしめた超伝導循
環電流を用いたセルフリセット超伝導ループ回路を提供
することζこある。
環電流を用いたセルフリセット超伝導ループ回路を提供
することζこある。
（発明の構成）
本発明によれはジョセフソン接合を用いたスイッチが１
個または複数個直列（こ結合されて構成され入力線路番
こ印加される電流でスイッチする第１のゲートと、磁気
的に結合された入力線路を持つジョセフソン接合を用い
た第２のゲートと、イン＝ｌ−クタンスを有する超伝導
ストリップラインからなる超伝導ループ回路と、前記第
１のゲートと前麦超伝導ループ回路Ｇこゲート電流を供
給するゲート電流路から構成され、前記第１のゲートと
前記第１２のゲートの入力線路が直列Ｏこ結合された第
１の４流路と、超伝導ループ回路と、第２のゲートが直
列に結合された第２の電流路が並列（こ結合されること
を特徴とする超伝導循環電流を用いたセルフリセット超
伝導ループ回路が得られる。
個または複数個直列（こ結合されて構成され入力線路番
こ印加される電流でスイッチする第１のゲートと、磁気
的に結合された入力線路を持つジョセフソン接合を用い
た第２のゲートと、イン＝ｌ−クタンスを有する超伝導
ストリップラインからなる超伝導ループ回路と、前記第
１のゲートと前麦超伝導ループ回路Ｇこゲート電流を供
給するゲート電流路から構成され、前記第１のゲートと
前記第１２のゲートの入力線路が直列Ｏこ結合された第
１の４流路と、超伝導ループ回路と、第２のゲートが直
列に結合された第２の電流路が並列（こ結合されること
を特徴とする超伝導循環電流を用いたセルフリセット超
伝導ループ回路が得られる。
（実施例）
以下図面を用いて本発明の詳細な説明
う。
第２図は本発明の第１の実施例を示すための図で、図中
２０ 、 ２４は砒気結合型斌子干渉計ケー計である。
２０ 、 ２４は砒気結合型斌子干渉計ケー計である。
２２はゲート電流路でゲート電′ｆ！Ｆ．Ｉ ｇが流れ
る。２１はゲート２０の入力線路でグー１２（）と磁気
的に結合されている。２５はグー１−２０に直列ｔこ結
合んｉ 伝導ループ回路で、ゲート２４と直列に結合され′Ｃい
る。またゲート２０およびグー１−２４の入力線路２５
が直列に結合された第１の電流路と超伝導ルーズ回路２
３およびゲート２４が直列に結合された第２の電流路が
並列に結合されている。
る。２１はゲート２０の入力線路でグー１２（）と磁気
的に結合されている。２５はグー１−２０に直列ｔこ結
合んｉ 伝導ループ回路で、ゲート２４と直列に結合され′Ｃい
る。またゲート２０およびグー１−２４の入力線路２５
が直列に結合された第１の電流路と超伝導ルーズ回路２
３およびゲート２４が直列に結合された第２の電流路が
並列に結合されている。
第２図に示す回路｛こゲート電流■ｇ、入力電流−ｉ［
Ｓをそれぞれ第３図に示す時間関係で流す。ゲート電流
Ｉｇを時刻ｔ１で流した後、時刻ｔ，で入力電流Ｉｓが
入力されると、ゲート２０ハスイツチをはじめ、時刻ｔ
，よりゲート２０のスイッチ時間と電流の転送時間の和
の時間℃，だけおくれて時刻ｔｓｆこ超伝導ループ回路
％およびゲートｕの入力線路番こ２５に電流Ｉｒ，が現
われる。一方グーー〜″乙λ ゲート電流Ｉｇが超伝導ループ回路２３−の万に舖れ□
る時刻ｔＩ１で零Ｃこなる。ＩＡが減少すること番こよ
Ｑでゲート２０が超伝導状態ヘリセットされると、舶伝
導ループ回路器のインダクタンスの両端の電圧は零とな
るため電流工Ｌは保存される。よって、時刻１４番こ入
力電流Ｉｓが零（こなりても電流ＩＬ。
Ｓをそれぞれ第３図に示す時間関係で流す。ゲート電流
Ｉｇを時刻ｔ１で流した後、時刻ｔ，で入力電流Ｉｓが
入力されると、ゲート２０ハスイツチをはじめ、時刻ｔ
，よりゲート２０のスイッチ時間と電流の転送時間の和
の時間℃，だけおくれて時刻ｔｓｆこ超伝導ループ回路
％およびゲートｕの入力線路番こ２５に電流Ｉｒ，が現
われる。一方グーー〜″乙λ ゲート電流Ｉｇが超伝導ループ回路２３−の万に舖れ□
る時刻ｔＩ１で零Ｃこなる。ＩＡが減少すること番こよ
Ｑでゲート２０が超伝導状態ヘリセットされると、舶伝
導ループ回路器のインダクタンスの両端の電圧は零とな
るため電流工Ｌは保存される。よって、時刻１４番こ入
力電流Ｉｓが零（こなりても電流ＩＬ。
■いは影響を受けない。時刻ｔ，でゲート電流１ｇが零
Ｃこなると超伝導ループ回路′２：３ｌこ流れる電流は
保存されるため超伝導ループ回路２３とゲート２（１
。
Ｃこなると超伝導ループ回路′２：３ｌこ流れる電流は
保存されるため超伝導ループ回路２３とゲート２（１
。
２４を直列をこ接続した閉回路に循環電流が流れる。
この循環電流によりＩＬとＩＡは工えー−Ｉ， とな
る。その結果ケ−１−２４Ｉこはゲート電流と、入力線
路２５を通して入力電流が流れ、ゲート２４は電圧状態
番こスイッチする。ケー１−２４に電圧が発生すると一
ヒ記閉回路に流れる循環室゜流は時刻ｔ．より時間′ｃ
２だけ遅れて零状態になり回路のリセットが行なわれる
。ここで時間で，はゲート２４のスイッチ時間と上記閉
回路の回路定数から決定される。またゲート２４はその
ゲート電流ＩＬが零をこなるので超伝導状態ヘリセット
ざれる。
る。その結果ケ−１−２４Ｉこはゲート電流と、入力線
路２５を通して入力電流が流れ、ゲート２４は電圧状態
番こスイッチする。ケー１−２４に電圧が発生すると一
ヒ記閉回路に流れる循環室゜流は時刻ｔ．より時間′ｃ
２だけ遅れて零状態になり回路のリセットが行なわれる
。ここで時間で，はゲート２４のスイッチ時間と上記閉
回路の回路定数から決定される。またゲート２４はその
ゲート電流ＩＬが零をこなるので超伝導状態ヘリセット
ざれる。
第４図は電流ＩＬを縦軸にとり電流ＩＡを横軸にとった
ゲート２４のしきい値特性である。上記第２図に示す回
路における第３図に示すゲート電流Ｉｇ入力電流ＩＳの
時間関係のもとての動作を第４図を用いて説明すると、
最初時刻ｔｏでポインＪ４０にあった動作点はゲート電
流Ｉｇの入力によ４時刻ｔ１にはポイント４１に移り、
時刻１．にはぜ−ト２０のスイッチ番こよりポイン目２
に移る。ゲ・−ト電流Ｉｇが零になることによって時刻
ｔ、には動作点はポイント４３に移りゲート２４はスイ
ッチする。ゲート２４がスイッチすると電流■□、工、
はともに零となるので動作点はポイント４０１こ戻る。
ゲート２４のしきい値特性である。上記第２図に示す回
路における第３図に示すゲート電流Ｉｇ入力電流ＩＳの
時間関係のもとての動作を第４図を用いて説明すると、
最初時刻ｔｏでポインＪ４０にあった動作点はゲート電
流Ｉｇの入力によ４時刻ｔ１にはポイント４１に移り、
時刻１．にはぜ−ト２０のスイッチ番こよりポイン目２
に移る。ゲ・−ト電流Ｉｇが零になることによって時刻
ｔ、には動作点はポイント４３に移りゲート２４はスイ
ッチする。ゲート２４がスイッチすると電流■□、工、
はともに零となるので動作点はポイント４０１こ戻る。
第５図は本発明の第２の実施例を示す。ゲート５０は電
流注入方式の量子干渉計ゲートで、５２はゲート電流Ｉ
ｇをゲート５０に供給するゲート電流路、５１はゲート
５０１こ入力電流を供給する入力線路、５３はインダク
タンスＬを有する超伝導ストリップラインからなる超伝
導ループ回路、５４は超伝導ル−プ回路５３と直列に結
合された単一のジョセフソン素子からなるゲート、５５
はゲート５４の入力線路でゲート５０と直列に結合され
ている。抵抗５６ 、５７はゲート５０のスイッチによ
る超伝導ループ回路５３への電流の転送およびゲート５
４のスイッチによる電流の零状態へのリセットを確実に
行うためのそれぞれゲート５０ 、５４に並列に結合さ
れたダンピング抵抗である。第２図に示す第１の実施例
と第５図の実施例とを比較して異なる点はゲート２０の
磁気結合型量子干渉計ゲートがゲート５０の電流注入方
、平量子干渉計ゲートｆこなっている点、ゲート２４の
磁隼結台型量子干渉計ゲートがゲート５４の単一のジ、
ｉｌセフンン接合となっている点、ダンピング抵抗ｄ６
がゲート５引こダンピング抵抗５７がゲート５４に並：
列に結合されている点である。従って第２の実施・例の
回路動作は第１の実施例と同様である。
流注入方式の量子干渉計ゲートで、５２はゲート電流Ｉ
ｇをゲート５０に供給するゲート電流路、５１はゲート
５０１こ入力電流を供給する入力線路、５３はインダク
タンスＬを有する超伝導ストリップラインからなる超伝
導ループ回路、５４は超伝導ル−プ回路５３と直列に結
合された単一のジョセフソン素子からなるゲート、５５
はゲート５４の入力線路でゲート５０と直列に結合され
ている。抵抗５６ 、５７はゲート５０のスイッチによ
る超伝導ループ回路５３への電流の転送およびゲート５
４のスイッチによる電流の零状態へのリセットを確実に
行うためのそれぞれゲート５０ 、５４に並列に結合さ
れたダンピング抵抗である。第２図に示す第１の実施例
と第５図の実施例とを比較して異なる点はゲート２０の
磁気結合型量子干渉計ゲートがゲート５０の電流注入方
、平量子干渉計ゲートｆこなっている点、ゲート２４の
磁隼結台型量子干渉計ゲートがゲート５４の単一のジ、
ｉｌセフンン接合となっている点、ダンピング抵抗ｄ６
がゲート５引こダンピング抵抗５７がゲート５４に並：
列に結合されている点である。従って第２の実施・例の
回路動作は第１の実施例と同様である。
以上述べてきた実施例の説明では超伝導ループ回路器と
グー）２４とのインダクタンスの和が、ゲート２０とゲ
ートＵの入力線路２５とのインダクタンスの和より十分
大きいものと仮定して行った。実際に本発明の回路をメ
モリ回路のドライバ回路やセンスバス回路に用いると、
超伝導ループ回路２３のインダクタンスはゲート２０お
よびゲート２４の入力線路２５のインダクタンスの和よ
り数百倍大きくなり近似的に上記仮定が成立する。一方
上記仮定が成立しない場合つまり超伝導ル−プ回路とゲ
ート冴とのインダクタンスの和をａＬ６とし、ゲート加
とゲート２４の入力線路２５とのインダクタンスの和を
ｂＬｏとしてａとｂが同程度の値を持つ場合を考える。
グー）２４とのインダクタンスの和が、ゲート２０とゲ
ートＵの入力線路２５とのインダクタンスの和より十分
大きいものと仮定して行った。実際に本発明の回路をメ
モリ回路のドライバ回路やセンスバス回路に用いると、
超伝導ループ回路２３のインダクタンスはゲート２０お
よびゲート２４の入力線路２５のインダクタンスの和よ
り数百倍大きくなり近似的に上記仮定が成立する。一方
上記仮定が成立しない場合つまり超伝導ル−プ回路とゲ
ート冴とのインダクタンスの和をａＬ６とし、ゲート加
とゲート２４の入力線路２５とのインダクタンスの和を
ｂＬｏとしてａとｂが同程度の値を持つ場合を考える。
ゲート電流１ｇは第３図に示す時刻ｔ１には両方のイン
ダクタンス番こインダクタンスの比に反比例して流れる
のでａＬ６のインダクタンス番こ流れる電流を一■。と
するとｂＬＯのインダクタンスには−Ｉｔｏの電流が流
れる。時刻ｔ８には電流す 一珂すべてａＬ６のインダクタンスの方正こ流れるので
％ｌ、％Ｌ、ｏのインダクタンスに流れるｔｉ４こよっ
て作ら掛る磁束はａ：ＬＯ（、＋ ｂ ） Ｉｏ とな
る。時刻ｔｓ−たおいては超伝導ループ回路の磁束は保
存される番こ示すゲート２４は、ゲート２０の方からゲ
ート２４の入力線路２５の万ｔこ向かつて流れる電流を
正とすれは、時刻ｔ１ においてゲート電流が−ＩＯで
入力電流が−Ｉｏのときスイッチせす、時刻ｔ３におり いてゲート電流がｌ■ｏで入力電流が−１１０のｂ
ｂ、ときスイッチする
必要がある。このためａ＞ｂのときはゲート２４はその
ま蓉でよいが、ａ＜ｂのときは第６図に示す非対称なし
きい値特性を持つゲートにゲートｕを置きかえる必要が
ある。第６図はゲート２４に用いる非対称なしきい仮性
を持つゲートを示したもので、第４図と同じく横軸にゲ
ート２０．ゲートｕの入力線路２５を流れる電流Ｉム、
縦軸に超伝導ループ回路２３、ゲート２４を流れる電流
ＩＬをとっている。第６図のポイント６０は第３図の時
刻ｔｏにおける動作点ポイント６１は時刻ｔ１における
動作点ポイント６２は時刻ｔ３における動作点、ポイン
ト６３は時刻ｔ６における動作点である。また第６図Ｅ
こ示す非対称なしきい値特性を持、−２，ゲートは動作
マージンを広げる目的等でａ、＞ｂ、０７ときでもゲー
ト別に用いることができる。
ダクタンス番こインダクタンスの比に反比例して流れる
のでａＬ６のインダクタンス番こ流れる電流を一■。と
するとｂＬＯのインダクタンスには−Ｉｔｏの電流が流
れる。時刻ｔ８には電流す 一珂すべてａＬ６のインダクタンスの方正こ流れるので
％ｌ、％Ｌ、ｏのインダクタンスに流れるｔｉ４こよっ
て作ら掛る磁束はａ：ＬＯ（、＋ ｂ ） Ｉｏ とな
る。時刻ｔｓ−たおいては超伝導ループ回路の磁束は保
存される番こ示すゲート２４は、ゲート２０の方からゲ
ート２４の入力線路２５の万ｔこ向かつて流れる電流を
正とすれは、時刻ｔ１ においてゲート電流が−ＩＯで
入力電流が−Ｉｏのときスイッチせす、時刻ｔ３におり いてゲート電流がｌ■ｏで入力電流が−１１０のｂ
ｂ、ときスイッチする
必要がある。このためａ＞ｂのときはゲート２４はその
ま蓉でよいが、ａ＜ｂのときは第６図に示す非対称なし
きい値特性を持つゲートにゲートｕを置きかえる必要が
ある。第６図はゲート２４に用いる非対称なしきい仮性
を持つゲートを示したもので、第４図と同じく横軸にゲ
ート２０．ゲートｕの入力線路２５を流れる電流Ｉム、
縦軸に超伝導ループ回路２３、ゲート２４を流れる電流
ＩＬをとっている。第６図のポイント６０は第３図の時
刻ｔｏにおける動作点ポイント６１は時刻ｔ１における
動作点ポイント６２は時刻ｔ３における動作点、ポイン
ト６３は時刻ｔ６における動作点である。また第６図Ｅ
こ示す非対称なしきい値特性を持、−２，ゲートは動作
マージンを広げる目的等でａ、＞ｂ、０７ときでもゲー
ト別に用いることができる。
第７図は本発明の第３の実施例を示す。第３の屓施例は
、第２図の第１の実施例と同じく、それぞれ第１のゲー
ト７０、第１のゲートの入力線路７１、ゲート電流路７
２、インダクタンスよりなる超伝導ループ回路７３、第
２のゲート７４、第２のゲートの第１の入力線路７５で
ある。７６は第２のゲートの第２の入力線路で外部から
入力電流が供給される。
、第２図の第１の実施例と同じく、それぞれ第１のゲー
ト７０、第１のゲートの入力線路７１、ゲート電流路７
２、インダクタンスよりなる超伝導ループ回路７３、第
２のゲート７４、第２のゲートの第１の入力線路７５で
ある。７６は第２のゲートの第２の入力線路で外部から
入力電流が供給される。
第３の実施例は第２のゲート７４に第２の入力線路７６
を設は外部から、一定の値の入力電流を常に流してやる
ことで動作マージンを第１、第２の実施例より広げたも
のである。この方法は第２のゲート７４１こ非対称なし
きい値特性を持つゲートを用いた場合、特に有効である
。
を設は外部から、一定の値の入力電流を常に流してやる
ことで動作マージンを第１、第２の実施例より広げたも
のである。この方法は第２のゲート７４１こ非対称なし
きい値特性を持つゲートを用いた場合、特に有効である
。
以上の説明から明らかＩＳよう（こ、第１のゲートには
二接合あるいは三接合の磁気結合型量子干渉計ゲートや
電流注入型量子干渉計ゲート、単一のジョセフソン素子
からなるゲート等、抵抗を有しないジョセフソン接合を
用いたゲートを使用することができる。また第２のゲ、
−Ｈこは二接合あるいは三接合の磁気結合型量子干渉側
ゲート、単一のジョセフソン接合からなるゲート等、抵
抗を有しない磁気的に結合した入力線路を持つジョセフ
ソン接合を用いたゲートを使用することができる。
二接合あるいは三接合の磁気結合型量子干渉計ゲートや
電流注入型量子干渉計ゲート、単一のジョセフソン素子
からなるゲート等、抵抗を有しないジョセフソン接合を
用いたゲートを使用することができる。また第２のゲ、
−Ｈこは二接合あるいは三接合の磁気結合型量子干渉側
ゲート、単一のジョセフソン接合からなるゲート等、抵
抗を有しない磁気的に結合した入力線路を持つジョセフ
ソン接合を用いたゲートを使用することができる。
（発明の効果）
以上説明した如く本発明による超伝導循環電流不用いた
セルフリセット超伝導ループ回路は従来、゛」」に比べ
、外部リセット信号を発生する回路やり肴ット信号発生
回路を駆動する電源、リセット信号を発生するタイミン
グを与えるタイミンク回路が不要になり、回路の小型化
、設割の容易さ、動作マージンの増大、タイミング回路
不要のため動作時間の短縮等の利点を有する。
セルフリセット超伝導ループ回路は従来、゛」」に比べ
、外部リセット信号を発生する回路やり肴ット信号発生
回路を駆動する電源、リセット信号を発生するタイミン
グを与えるタイミンク回路が不要になり、回路の小型化
、設割の容易さ、動作マージンの増大、タイミング回路
不要のため動作時間の短縮等の利点を有する。
第１図は従来例を歌、明するための図である。第２図は
本発明の第１の実施例を示すものである。 第３図は実施例１こおけるゲート電流１ｇ、入力電流Ｉ
８、超伝導ループを流れる電流ＩＬ、第１のゲートを流
れる電流工えの時間依存性を示すものである。第４図は
第１の実施例における第２のゲートに用いるケートのし
きい値特性を示したもので横軸は第１のゲートを流れる
電流１人、縦軸は超伝導ループを流れる電流ＩＬである
。第５図は、本発明の第２の実施例を示すものである。 第６図は非対称なしきい値特性をもつゲートのしきい値
特性を示したもので、縦軸は超伝導ループに流れる電流
■Ｌ、横軸は第１のゲートｔこ流れる電流ＩＡである。 第７図は本発明の第３の実施例を示すものである。 図番こおいて、 １０・・・・・・ジョセフソン接合を用いたゲート、１
１・・・力線路、１２・・・・・・ゲート電流路、１３
・・・・・・超伝導ループ回路、１４・・・・・・リセ
ットゲ−１・、１５・・・・・・リセッｈ入力線路、２
０・・・・・−第１のゲート、２１・・・・・・第１の
？−トの入力線路、２２・・・・・・ゲート電流路、２
：、３・・・・・・超伝導ループ回路、２４・・・・・
・第２のゲート、２５・・・・パ第２のゲートの入力線
路、４０・・・・・・第３図の時刻ｔ。 番こおける動作点、４１・・・−・・第３図の時刻ｔ１
における動作点、４２・・・・・・第３図の時刻ｔ３ｆ
こおける動作点、４３−・・・・・第３図の時刻１．
番こおける動作点、５０°°°°゛。 第１のケート、５１・・・・・・第１のゲートの入力線
路、５２・・・・・・ゲート電流路、５３゛・・・“・
超伝導ループ回路、５４・・・・・・第２のゲート、５
５・・・−ａＺのゲートの入力線路、５６・・・・・・
ダンピング抵抗、５７・・・・・・ダンピング抵抗、６
０・・・・・・第３図の時刻ｔｏＩこおける動作点、６
１−−−−°−第３図の時刻ｔ１における動作点、６２
・・・・・・第７２−・・・・・ゲート電流路、７３・
・・・・・超伝導ループ回路、７４・・・・・・第２の
ゲート、７５・・・・・・第２のゲートの第１の入力線
路、７４・・・・・・第２のゲートの第２の入力線路Ｏ 工業技術院長 川 １）裕部
本発明の第１の実施例を示すものである。 第３図は実施例１こおけるゲート電流１ｇ、入力電流Ｉ
８、超伝導ループを流れる電流ＩＬ、第１のゲートを流
れる電流工えの時間依存性を示すものである。第４図は
第１の実施例における第２のゲートに用いるケートのし
きい値特性を示したもので横軸は第１のゲートを流れる
電流１人、縦軸は超伝導ループを流れる電流ＩＬである
。第５図は、本発明の第２の実施例を示すものである。 第６図は非対称なしきい値特性をもつゲートのしきい値
特性を示したもので、縦軸は超伝導ループに流れる電流
■Ｌ、横軸は第１のゲートｔこ流れる電流ＩＡである。 第７図は本発明の第３の実施例を示すものである。 図番こおいて、 １０・・・・・・ジョセフソン接合を用いたゲート、１
１・・・力線路、１２・・・・・・ゲート電流路、１３
・・・・・・超伝導ループ回路、１４・・・・・・リセ
ットゲ−１・、１５・・・・・・リセッｈ入力線路、２
０・・・・・−第１のゲート、２１・・・・・・第１の
？−トの入力線路、２２・・・・・・ゲート電流路、２
：、３・・・・・・超伝導ループ回路、２４・・・・・
・第２のゲート、２５・・・・パ第２のゲートの入力線
路、４０・・・・・・第３図の時刻ｔ。 番こおける動作点、４１・・・−・・第３図の時刻ｔ１
における動作点、４２・・・・・・第３図の時刻ｔ３ｆ
こおける動作点、４３−・・・・・第３図の時刻１．
番こおける動作点、５０°°°°゛。 第１のケート、５１・・・・・・第１のゲートの入力線
路、５２・・・・・・ゲート電流路、５３゛・・・“・
超伝導ループ回路、５４・・・・・・第２のゲート、５
５・・・−ａＺのゲートの入力線路、５６・・・・・・
ダンピング抵抗、５７・・・・・・ダンピング抵抗、６
０・・・・・・第３図の時刻ｔｏＩこおける動作点、６
１−−−−°−第３図の時刻ｔ１における動作点、６２
・・・・・・第７２−・・・・・ゲート電流路、７３・
・・・・・超伝導ループ回路、７４・・・・・・第２の
ゲート、７５・・・・・・第２のゲートの第１の入力線
路、７４・・・・・・第２のゲートの第２の入力線路Ｏ 工業技術院長 川 １）裕部
Claims (1)
- ジョセフソン接合を用いたスイッチが一個または複数個
直列に結合されて構成され入力線路に印加される電流で
スイッチする第１のゲートと、磁気的に結合された入力
線路を持つジョセフソン接合を用いた第２のゲートと、
インダクタンスを有する超伝導ストリップラインからな
る超伝導ループ回路と、前記第１のゲートと前記超伝導
ループ回路にゲート電流を供給するゲート電流路から構
成され、前記第２のゲートの入力線路と前記第１のゲー
トが直列に結合された第１の電流路と、前記超伝導ルー
プ回路と前記第２のゲートが直列に結合された第２の電
流路が並列に結合されることを特徴とする超伝導循環電
流を用いたセルフリセット超伝導ループ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16152984A JPS6141223A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 超伝導循環電流を用いたセルフリセット超伝導ル−プ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16152984A JPS6141223A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 超伝導循環電流を用いたセルフリセット超伝導ル−プ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6141223A true JPS6141223A (ja) | 1986-02-27 |
| JPH0342019B2 JPH0342019B2 (ja) | 1991-06-25 |
Family
ID=15736819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16152984A Granted JPS6141223A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 超伝導循環電流を用いたセルフリセット超伝導ル−プ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6141223A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184963B1 (en) | 1987-06-10 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix LCD devices employing two superposed conductive films having different dimensions for the scanning signal lines |
-
1984
- 1984-08-02 JP JP16152984A patent/JPS6141223A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184963B1 (en) | 1987-06-10 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix LCD devices employing two superposed conductive films having different dimensions for the scanning signal lines |
| US6384879B2 (en) | 1987-06-10 | 2002-05-07 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device including thin film transistors having gate electrodes completely covering the semiconductor |
| US6839098B2 (en) | 1987-06-10 | 2005-01-04 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix liquid crystal display devices |
| US6992744B2 (en) | 1987-06-10 | 2006-01-31 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix liquid crystal display devices |
| US7196762B2 (en) | 1987-06-10 | 2007-03-27 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix liquid crystal display devices |
| US7450210B2 (en) | 1987-06-10 | 2008-11-11 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix liquid crystal display devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0342019B2 (ja) | 1991-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |