JPS6141164B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6141164B2 JPS6141164B2 JP13301381A JP13301381A JPS6141164B2 JP S6141164 B2 JPS6141164 B2 JP S6141164B2 JP 13301381 A JP13301381 A JP 13301381A JP 13301381 A JP13301381 A JP 13301381A JP S6141164 B2 JPS6141164 B2 JP S6141164B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ground conductor
- dielectric substrate
- rectangular waveguide
- terminal
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 56
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、MIC（Microwave IntegratedCir
―cuit）で構成し、かつ、入出力端子を導波管と
したマイマロ波トランジスタ増幅器に関するもの
である。
―cuit）で構成し、かつ、入出力端子を導波管と
したマイマロ波トランジスタ増幅器に関するもの
である。
マイクロ波トランジスタ増幅器を構成する場
合、入出力整合回路をMICで構成し、かつ、入出
力端子を方形導波管とすることがある。
合、入出力整合回路をMICで構成し、かつ、入出
力端子を方形導波管とすることがある。
第１図はMICとしてマイクロストリツプを使用
した場合の従来のこの種装置の構造を示す図であ
り、トランジスタ１の第１の端子２、第２の端子
３、および第３の端子４は誘電体基板５上に設け
た第１のストリツプ導体６、第２のストリツプ導
体７、および第３のストリツプ導体８にそれぞれ
接続されており、上記第１のストリツプ導体６の
一端はMIC―同軸変換器１０ａに接続され、上記
第２のストリツプ導体７の一端はMIC―同軸変換
器１０ｂに接続されている。また、上記MIC―同
軸変換器１０ａはさらに同軸線路１１ａ、同軸―
導波管変換器１２ａを経て方形導波管１３ａに接
続されており、上記MIC―同軸変換器１０ｂも同
様に同軸線路１１ｂ，同軸―導波管変換器１２ｂ
を経て方形導波管１３ｂに接続されている。
した場合の従来のこの種装置の構造を示す図であ
り、トランジスタ１の第１の端子２、第２の端子
３、および第３の端子４は誘電体基板５上に設け
た第１のストリツプ導体６、第２のストリツプ導
体７、および第３のストリツプ導体８にそれぞれ
接続されており、上記第１のストリツプ導体６の
一端はMIC―同軸変換器１０ａに接続され、上記
第２のストリツプ導体７の一端はMIC―同軸変換
器１０ｂに接続されている。また、上記MIC―同
軸変換器１０ａはさらに同軸線路１１ａ、同軸―
導波管変換器１２ａを経て方形導波管１３ａに接
続されており、上記MIC―同軸変換器１０ｂも同
様に同軸線路１１ｂ，同軸―導波管変換器１２ｂ
を経て方形導波管１３ｂに接続されている。
なお、図において１４は入力端子、１５は出力
端子、１６は接地導体である。
端子、１６は接地導体である。
このように、従来のこの種の装置では、増幅器
の入力側および出力側にそれぞれ、MIC―同軸変
換器１０ａ，１０ｂ，同軸線路１１ａ，１１ｂ，
および同軸―導波管変換器１２ａ，１２ｂが別個
に必要であり、また、入力側および出力側にそれ
ぞれ別個の方形導波管１３ａ，１３ｂが必要であ
つた。
の入力側および出力側にそれぞれ、MIC―同軸変
換器１０ａ，１０ｂ，同軸線路１１ａ，１１ｂ，
および同軸―導波管変換器１２ａ，１２ｂが別個
に必要であり、また、入力側および出力側にそれ
ぞれ別個の方形導波管１３ａ，１３ｂが必要であ
つた。
このため装置が複雑になり、かつ、大きくなる
欠点があつた。
欠点があつた。
この発明は、これらの欠点を除去するために、
方形導波管中に、方形導波管幅狭面に平行に、増
幅回路部分およびプローブ部分を構成するための
MICを形成した所定の形状の１枚の誘電体基板を
装荷する構造としたものであり、以下、図面につ
いて詳細に説明する。
方形導波管中に、方形導波管幅狭面に平行に、増
幅回路部分およびプローブ部分を構成するための
MICを形成した所定の形状の１枚の誘電体基板を
装荷する構造としたものであり、以下、図面につ
いて詳細に説明する。
第２図はMICとしてマイクロストリツプを使用
した場合のこの発明になるマイクロ波トランジス
タ増幅器の実施例を示す斜視図であり、第３図は
方形導波管の幅狭面方向からみた断面図、第４図
は分解図である。
した場合のこの発明になるマイクロ波トランジス
タ増幅器の実施例を示す斜視図であり、第３図は
方形導波管の幅狭面方向からみた断面図、第４図
は分解図である。
入力端子１４と出力端子１５とを有する方形導
波管２０の幅広面の寸法Ｌをほぼ等分する位置に
所定の形状の開孔２１を設け、上記開孔２１から
誘電体基板５を挿入している。
波管２０の幅広面の寸法Ｌをほぼ等分する位置に
所定の形状の開孔２１を設け、上記開孔２１から
誘電体基板５を挿入している。
上記誘電体基板５の一方の面上に一端に導波管
の伝搬モード電磁界とマイクロストリツプの伝搬
モード電磁界とを変換可能ならしめる第１のプロ
ーブ部分２２を形成した所定の形状の第１のスト
リツプ導体２３，一端に導波管の伝搬モード電磁
界とマイクロストリツプの伝搬モード電磁界とを
変換可能ならしめる第２のプロープ部分２４を形
成した所定した所定の形状の第２のストリツプ導
体２５、および所定の形状の第３のストリツプ電
体２６を設け、上記第１のストリツプ導体２３の
上記第１のプローブ部分２２を形成した端でない
一端にトランジスタ１の第１の端子２を接続し、
上記第２のストリツプ導体２５の上記第２のプロ
ーブ部分２４を形成した端でない一端に上記トラ
ンジスタ１の第２の端子３を接続し、上記第３の
ストリツプ導体26の一端に上記トランジスタ１の
第３の端子４を接続している。また、上記誘電体
基板５の他方の面は、上記方形導波管２０中、上
記第１のプローブ部分２２と上記第２のプローブ
部分２４とではさまれた導波管のＡ部分を動作周
波数においてカツトオフ導波管とするような形状
とした接地導体２７で被覆している。なお、上記
接地導体２７と上記第１のストリツプ導体２３、
第２のストリツプ導体２５および第３のストリツ
プ導体２６とでマイクロトリツプを形成してい
る。
の伝搬モード電磁界とマイクロストリツプの伝搬
モード電磁界とを変換可能ならしめる第１のプロ
ーブ部分２２を形成した所定の形状の第１のスト
リツプ導体２３，一端に導波管の伝搬モード電磁
界とマイクロストリツプの伝搬モード電磁界とを
変換可能ならしめる第２のプロープ部分２４を形
成した所定した所定の形状の第２のストリツプ導
体２５、および所定の形状の第３のストリツプ電
体２６を設け、上記第１のストリツプ導体２３の
上記第１のプローブ部分２２を形成した端でない
一端にトランジスタ１の第１の端子２を接続し、
上記第２のストリツプ導体２５の上記第２のプロ
ーブ部分２４を形成した端でない一端に上記トラ
ンジスタ１の第２の端子３を接続し、上記第３の
ストリツプ導体26の一端に上記トランジスタ１の
第３の端子４を接続している。また、上記誘電体
基板５の他方の面は、上記方形導波管２０中、上
記第１のプローブ部分２２と上記第２のプローブ
部分２４とではさまれた導波管のＡ部分を動作周
波数においてカツトオフ導波管とするような形状
とした接地導体２７で被覆している。なお、上記
接地導体２７と上記第１のストリツプ導体２３、
第２のストリツプ導体２５および第３のストリツ
プ導体２６とでマイクロトリツプを形成してい
る。
入力端子１４から入射したマイクロ波信号は、
方形導波管２０中を導波管の基本伝搬モードで伝
搬し、上記第１のプローブ部分２２で導波管の基
本伝搬モード電磁界からマイクロストリツプの伝
搬モード電磁界に変換される。マイクロストリツ
プの伝搬モード電磁界に変換されたマイクロ波信
号は、上記第１のストリツプ導体２３、上記第１
の端子２を経てトランジスタ１に至り、そこで増
幅される。増幅されたマイクロ波信号はさらに上
記第２の端子３、浄上記第２のストリツプ導体２
５を経て、上記第２のプローブ部分２４に至り、
そこでマイクロストリツプの伝搬モード電磁界か
ら方形導波管の基本伝搬モード電磁界に変換さ
れ、方形導波管２０を経て、出力端子１５に至
る。なお、ここでは上記第３のストリツプ導体２
６はトランジスタ１の第３の端子４を動作周波数
において短絡させるような形状にしている。
方形導波管２０中を導波管の基本伝搬モードで伝
搬し、上記第１のプローブ部分２２で導波管の基
本伝搬モード電磁界からマイクロストリツプの伝
搬モード電磁界に変換される。マイクロストリツ
プの伝搬モード電磁界に変換されたマイクロ波信
号は、上記第１のストリツプ導体２３、上記第１
の端子２を経てトランジスタ１に至り、そこで増
幅される。増幅されたマイクロ波信号はさらに上
記第２の端子３、浄上記第２のストリツプ導体２
５を経て、上記第２のプローブ部分２４に至り、
そこでマイクロストリツプの伝搬モード電磁界か
ら方形導波管の基本伝搬モード電磁界に変換さ
れ、方形導波管２０を経て、出力端子１５に至
る。なお、ここでは上記第３のストリツプ導体２
６はトランジスタ１の第３の端子４を動作周波数
において短絡させるような形状にしている。
第５図はこの発明の他の実施例を示す斜視図で
あり、第６図は第５図の平面図である。
あり、第６図は第５図の平面図である。
ここでは、誘導体基板５の第１、第２および第
３のストリツプ導体２３，２５、および２６を設
けた面上にも接地導体３０を設け、かつ、上記接
地導体３０と上記誘電体基板５の他方の面を被覆
した接地導体２７とを貫通孔３１とを介して導体
３２で接続し、かつ、上記接地導体２７および３
０と上記方形導波管２０とを金属でなるリボン３
３で接続しており、上記第１のプローブ部分２２
が挿入されている開孔２１部分と上記第２のプロ
ーブ部分２４が挿入されている開孔２１部分とを
分離している。なお以上は、MICとしてマイクロ
ストリツプを使用する場合について説明したが、
この発明はこれに限らずMICとしてトリブレート
線路、コプレナー線路等の他の線路を使用しても
よい。また、ここでは、トランジスタ１個を使用
する場合について説明したが、この発明は、複数
個のトランジスタを使つた場合にも適用できる。
また、トランジスタの第３の端子は接地導体に直
接接続してもよい。
３のストリツプ導体２３，２５、および２６を設
けた面上にも接地導体３０を設け、かつ、上記接
地導体３０と上記誘電体基板５の他方の面を被覆
した接地導体２７とを貫通孔３１とを介して導体
３２で接続し、かつ、上記接地導体２７および３
０と上記方形導波管２０とを金属でなるリボン３
３で接続しており、上記第１のプローブ部分２２
が挿入されている開孔２１部分と上記第２のプロ
ーブ部分２４が挿入されている開孔２１部分とを
分離している。なお以上は、MICとしてマイクロ
ストリツプを使用する場合について説明したが、
この発明はこれに限らずMICとしてトリブレート
線路、コプレナー線路等の他の線路を使用しても
よい。また、ここでは、トランジスタ１個を使用
する場合について説明したが、この発明は、複数
個のトランジスタを使つた場合にも適用できる。
また、トランジスタの第３の端子は接地導体に直
接接続してもよい。
以上のように、この発明によるマイクロ波トラ
ンジスタ増幅器では、方形導波管中に上記方形導
波管の幅狭面に平行に、増幅回路およびプローブ
を構成するためのMICを形成した一枚の誘電体基
板を挿入することにより、入出力のMIC―導波管
変換器と入出力整合回路とを同時に形成できるの
で構成および製作が容易であり、かつ、小形にで
きる利点がある。
ンジスタ増幅器では、方形導波管中に上記方形導
波管の幅狭面に平行に、増幅回路およびプローブ
を構成するためのMICを形成した一枚の誘電体基
板を挿入することにより、入出力のMIC―導波管
変換器と入出力整合回路とを同時に形成できるの
で構成および製作が容易であり、かつ、小形にで
きる利点がある。
第１図は従来のマイクロ波トランジスタ増幅器
の斜視図、第２図はこの発明によるマイクロ波ト
ランジスタ増幅器の一実施例の斜視図、第３図は
第２図の断面図、第４図は第２図の分解図、第５
図はこの発明によるマイクロ波トランジスタ増幅
器の他の実施例の斜視図、第６図は第５図の平面
図である。 図中、１はトランジスタ、２は第１の端子、３
は第２の端子、４は第３の端子、５は誘電体基
板、６は第１のストリツプ導体、７は第２のスト
リツプ導体、８は第３のストリツプ導体、１０
ａ，１０ｂはMIC―同軸変換器、１１ａ，１１ｂ
は同軸線路、１２ａ，１２ｂは同軸―導波管変換
器、１３ａ，１３ｂは方形導波管、１４は入力端
子、１５は出力端子、１６は接地導体、２０は方
形導波管、２１は開孔、２２は第１のプローブ部
分、２３は第１のストリツプ導体、２４は第２の
プローブ部分、２５は第２のストリツプ導体、２
６は第３のストリツプ導体、２７は接地導体、３
０は接地導体、３１は貫通孔、３２は導体、３３
は金属でなるリボンである。なお、図中、同一あ
るいは相当部分には同一符号を付して示してあ
る。
の斜視図、第２図はこの発明によるマイクロ波ト
ランジスタ増幅器の一実施例の斜視図、第３図は
第２図の断面図、第４図は第２図の分解図、第５
図はこの発明によるマイクロ波トランジスタ増幅
器の他の実施例の斜視図、第６図は第５図の平面
図である。 図中、１はトランジスタ、２は第１の端子、３
は第２の端子、４は第３の端子、５は誘電体基
板、６は第１のストリツプ導体、７は第２のスト
リツプ導体、８は第３のストリツプ導体、１０
ａ，１０ｂはMIC―同軸変換器、１１ａ，１１ｂ
は同軸線路、１２ａ，１２ｂは同軸―導波管変換
器、１３ａ，１３ｂは方形導波管、１４は入力端
子、１５は出力端子、１６は接地導体、２０は方
形導波管、２１は開孔、２２は第１のプローブ部
分、２３は第１のストリツプ導体、２４は第２の
プローブ部分、２５は第２のストリツプ導体、２
６は第３のストリツプ導体、２７は接地導体、３
０は接地導体、３１は貫通孔、３２は導体、３３
は金属でなるリボンである。なお、図中、同一あ
るいは相当部分には同一符号を付して示してあ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ MIC（Microwave Integrated Circuit）で構
成し、かつ、入出力端子を導波管とするマイクロ
波トランジスタ増幅器において、方形導波管の幅
広面を形成する２つの管壁のうちの一方の管壁の
所定の位置に所要形状の開孔を設け、上記開孔を
介して所定の形状の誘電体基板を上記方形導波管
の幅狭面にほぼ平行な面にそつて挿入し、上記誘
電体基板の第１の面上に第１，および第２の所定
の形状のストリツプ導体を設け、上記第１のスト
リツプ導体とトランジスタの第１の端子とを接続
するとともに上記第２のストリツプ導体と上記ト
ランジスタの第２の端子とを接続し、上記トラン
ジスタの第３の端子を接地し、上記第１のストリ
ツプ導体の一端で方形導波管の伝搬モード電磁界
とMICの伝搬モード電磁界との結合を可能ならし
める第１のプローブ部分を形成し、上記第２のス
トリツプ導体の一端で方形導波管の伝搬モード電
磁界とMICの伝搬モード電磁界との結合を可能な
らしめる第２のブローブ部分を形成し、上記誘電
体基板の第２の面は上記第１のプローブ部分と上
記第２のプローブ部分とで挾まれる方形導波管部
分を動作周波数において所定の減衰量を有するカ
ツトオフ導波管をなすような所定の形状の接地導
体で被覆し、かつ、上記誘電体基板上の上記第１
および第２のストリツプ導体と上記接地導体とで
MICを構成したことを特徴とするマイクロ波トラ
ンジスタ増幅器。 ２ 上記誘電体基板の第１の面上に接地導体を設
け、上記接地導体と上記誘電体基板の第２の面に
設けた接地導体とを、貫通孔を介して金属で接続
し、かつ、上記方形導波管の管壁のうちの上記開
孔を設けた管壁と上記誘電体基板の第１の面上に
設けた接地導体と、上記誘電体基板の第２の面上
に設けた接地導体とを金属で接続し、かつ、上記
誘電体基板の第１の面上に設けた接地導体および
上記誘電体基板の第２の面上に設けた接地導体の
一方もしくは面方を上記第１のプローブ部分と上
記第２のプローブ部分とで挾まれる方形導波管部
分を動作周波数において所定の減衰量を有するカ
ツトオフ導波管をなすような形状としたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波
トランジスタ増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13301381A JPS5834610A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | マイクロ波トランジスタ増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13301381A JPS5834610A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | マイクロ波トランジスタ増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834610A JPS5834610A (ja) | 1983-03-01 |
| JPS6141164B2 true JPS6141164B2 (ja) | 1986-09-12 |
Family
ID=15094748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13301381A Granted JPS5834610A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | マイクロ波トランジスタ増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834610A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6062536U (ja) * | 1983-10-05 | 1985-05-01 | 株式会社神戸製鋼所 | 鋼製堰堤の支持装置 |
| JPS60144630U (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-25 | 株式会社神戸製鋼所 | 立体格子状鋼管製堰堤 |
-
1981
- 1981-08-25 JP JP13301381A patent/JPS5834610A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5834610A (ja) | 1983-03-01 |
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