JPS6363121B2 - - Google Patents
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- JPS6363121B2 JPS6363121B2 JP56027211A JP2721181A JPS6363121B2 JP S6363121 B2 JPS6363121 B2 JP S6363121B2 JP 56027211 A JP56027211 A JP 56027211A JP 2721181 A JP2721181 A JP 2721181A JP S6363121 B2 JPS6363121 B2 JP S6363121B2
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/64—Impedance arrangements
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、導波線路としてイメージ線路を使
用したマイクロ波半導体装置に関するものであ
る。
用したマイクロ波半導体装置に関するものであ
る。
従来技術の延長で考えられるこの種装置の構造
を説明するために、たとえば透過形ダイオードス
イツチの場合を例に第１図を用いて説明する。
を説明するために、たとえば透過形ダイオードス
イツチの場合を例に第１図を用いて説明する。
接地導体１上の所定の位置に、誘電体でなる２
つの線路を配置し、互いに対向した、第１のイメ
ージ線路２ａおよび第２のイメージ線路２ｂを形
成し、上記第１のイメージ線路２ａおよび第２の
イメージ線路２ｂの一部を、バイアス印加機構を
有する第１のストリツプ導体３ａおよび第２のス
トリツプ導体３ｂでそれぞれ被覆し、上記第１の
ストリツプ導体３ａとダイオード４の第１の電極
５ａとを金属ワイヤ６等で接続し、上記第２のス
トリツプ導体３ｂとダイオード４の第２の電極５
ｂとを金属ワイヤ６等で接続している。
つの線路を配置し、互いに対向した、第１のイメ
ージ線路２ａおよび第２のイメージ線路２ｂを形
成し、上記第１のイメージ線路２ａおよび第２の
イメージ線路２ｂの一部を、バイアス印加機構を
有する第１のストリツプ導体３ａおよび第２のス
トリツプ導体３ｂでそれぞれ被覆し、上記第１の
ストリツプ導体３ａとダイオード４の第１の電極
５ａとを金属ワイヤ６等で接続し、上記第２のス
トリツプ導体３ｂとダイオード４の第２の電極５
ｂとを金属ワイヤ６等で接続している。
なお、上記構造のマイクロ波半導体装置が、特
に透過形ダイオードスイツチである場合にはダイ
オード４の第１の電極５ａと第２の電極５ｂの間
に印加するバイアス電圧を適当に変化させること
により、上記ダイオード４をマイクロ波的に開放
状態にしたり、短絡状態にしたりすることが可能
である。
に透過形ダイオードスイツチである場合にはダイ
オード４の第１の電極５ａと第２の電極５ｂの間
に印加するバイアス電圧を適当に変化させること
により、上記ダイオード４をマイクロ波的に開放
状態にしたり、短絡状態にしたりすることが可能
である。
上記構造のマイクロ波半導体装置の第１の端子
７ａに印加されたマイクロ波信号は、第１のイメ
ージ線路２ａをイメージ線路の伝搬モードで伝搬
し、さらに第１のストリツプ導体３ａ、金属ワイ
ヤ６をへて、第１の電極５ａを介してダイオード
４に至る。ここで、ダイオード４がマイクロ波的
に開放状態であるならば、ダイオード４に入力さ
れたマイクロ波信号はそこで全反射される。一
方、ダイオード４がマイクロ波的に短絡状態であ
るならば入力されたマイクロ波信号はダイオード
４の第２の電極５ｂを介して出力され、金属ワイ
ヤ６および第２のストリツプ導体３ｂをへて、第
２のイメージ線路２ｂに至り、そこをイメージ線
路の伝搬モードで伝搬し、上記マイクロ波半導体
装置の第２の端子７ｂに至る。
７ａに印加されたマイクロ波信号は、第１のイメ
ージ線路２ａをイメージ線路の伝搬モードで伝搬
し、さらに第１のストリツプ導体３ａ、金属ワイ
ヤ６をへて、第１の電極５ａを介してダイオード
４に至る。ここで、ダイオード４がマイクロ波的
に開放状態であるならば、ダイオード４に入力さ
れたマイクロ波信号はそこで全反射される。一
方、ダイオード４がマイクロ波的に短絡状態であ
るならば入力されたマイクロ波信号はダイオード
４の第２の電極５ｂを介して出力され、金属ワイ
ヤ６および第２のストリツプ導体３ｂをへて、第
２のイメージ線路２ｂに至り、そこをイメージ線
路の伝搬モードで伝搬し、上記マイクロ波半導体
装置の第２の端子７ｂに至る。
ところで、第２図はイメージ線路の基本伝搬モ
ードの電界分布をモデル的に示したものである。
第２図で８はイメージ線路であり、Ｅは電界であ
る。
ードの電界分布をモデル的に示したものである。
第２図で８はイメージ線路であり、Ｅは電界であ
る。
第２図に示すようにイメージ線路の電界の一部
は空気中においても存在し、かつ、そこでマイク
ロ波信号の伝搬方向とほぼ平行な電界成分を有す
る。このため、第１図に示す従来のこの種装置で
は第１のイメージ線路２ａを伝搬するマイクロ波
信号の一部は直接第２のイメージ線路２ｂと結合
してしまう。このため第１のイメージ線路２ａと
第２のイメージ線路２ｂとの間に十分なアイソレ
ーシヨンが得られない問題があつた。
は空気中においても存在し、かつ、そこでマイク
ロ波信号の伝搬方向とほぼ平行な電界成分を有す
る。このため、第１図に示す従来のこの種装置で
は第１のイメージ線路２ａを伝搬するマイクロ波
信号の一部は直接第２のイメージ線路２ｂと結合
してしまう。このため第１のイメージ線路２ａと
第２のイメージ線路２ｂとの間に十分なアイソレ
ーシヨンが得られない問題があつた。
この発明は、この欠点を除去するため、第１の
イメージ線路と第２のイメージ線路との間の所定
の位置に、接地導体と導通した所定の形状の導体
を装荷し、第１のイメージ線路と、第２イメージ
線路とがイメージ線路の伝搬モードで直接結合す
ることを防いでいる。
イメージ線路と第２のイメージ線路との間の所定
の位置に、接地導体と導通した所定の形状の導体
を装荷し、第１のイメージ線路と、第２イメージ
線路とがイメージ線路の伝搬モードで直接結合す
ることを防いでいる。
第３図は、たとえば透過形ダイオードスイツチ
に適用したこの発明の一実施例である。
に適用したこの発明の一実施例である。
接地導体１を導通した所定の形状の金属１０を
装荷し、ダイオード４、第１のストリツプ導体３
ａの一部および第２のストリツプ導体３ｂの一部
を含んだ部分を取りかこむ面のうち、第１のイメ
ージ線路２ａと第２のイメージ線路２ｂとが対向
する面以外の面を導体でおおつている。ここで上
記接地導体１と上記金属１０とで形成される開口
１１の寸法L1およびL2は信号に対する導波管モ
ード電磁界をカツトオフするような形状に選ぶと
よい。この時、伝搬方向にも電界成分を有するイ
メージ線路の伝搬モード電磁界は上記開口１１中
を伝搬することはない。このため、第１のイメー
ジ線路２ａと第２のイメージ線路２ｂとが、イメ
ージ線路の伝搬モード電磁界のまま直接結合する
ことを防ぐことができ、第１のイメージ線路２ａ
と第２のイメージ線路２ｂとの間のアイソレーシ
ヨン特性を改善できる。第４図は透過形ダイオー
ドスイツチに適用したこの発明の他の実施例であ
り、ダイオード４の部分のみをおおう金属１０を
装荷している。第５図および第６図はたとえばト
ランジスタ増幅器に適用した場合のこの発明の実
施例であり、第６図ｂは第６図ａのＡ―A′断面
図である。第５図でトランジスタ２０の第１の電
極２１ａは第１のストリツプ導体３ａに、第２の
電極２１ｂは第２のストリツプ導体３ｂに、第３
の電極２１ｃは接地導体１に、金属ワイヤ６等で
接続されている。第６図で、２２はフリツプチツ
プタイプのトランジスタである。
装荷し、ダイオード４、第１のストリツプ導体３
ａの一部および第２のストリツプ導体３ｂの一部
を含んだ部分を取りかこむ面のうち、第１のイメ
ージ線路２ａと第２のイメージ線路２ｂとが対向
する面以外の面を導体でおおつている。ここで上
記接地導体１と上記金属１０とで形成される開口
１１の寸法L1およびL2は信号に対する導波管モ
ード電磁界をカツトオフするような形状に選ぶと
よい。この時、伝搬方向にも電界成分を有するイ
メージ線路の伝搬モード電磁界は上記開口１１中
を伝搬することはない。このため、第１のイメー
ジ線路２ａと第２のイメージ線路２ｂとが、イメ
ージ線路の伝搬モード電磁界のまま直接結合する
ことを防ぐことができ、第１のイメージ線路２ａ
と第２のイメージ線路２ｂとの間のアイソレーシ
ヨン特性を改善できる。第４図は透過形ダイオー
ドスイツチに適用したこの発明の他の実施例であ
り、ダイオード４の部分のみをおおう金属１０を
装荷している。第５図および第６図はたとえばト
ランジスタ増幅器に適用した場合のこの発明の実
施例であり、第６図ｂは第６図ａのＡ―A′断面
図である。第５図でトランジスタ２０の第１の電
極２１ａは第１のストリツプ導体３ａに、第２の
電極２１ｂは第２のストリツプ導体３ｂに、第３
の電極２１ｃは接地導体１に、金属ワイヤ６等で
接続されている。第６図で、２２はフリツプチツ
プタイプのトランジスタである。
なお、以上は、マイクロ波半導体装置として、
透過形ダイオードスイツチおよびトランジスタ増
幅器の場合について説明したが、この発明はこれ
に限らずミクサ・リミツタ、減衰器、てい倍器、
発振器（注入同期発振器）等のマイクロ波半導体
装置に使用することができる。
透過形ダイオードスイツチおよびトランジスタ増
幅器の場合について説明したが、この発明はこれ
に限らずミクサ・リミツタ、減衰器、てい倍器、
発振器（注入同期発振器）等のマイクロ波半導体
装置に使用することができる。
以上のように、この発明に係るマイクロ波半導
体装置では第１のイメージ線路と第２のイメージ
線路との間を接地導体と導通した所定の形状の開
口を有する金属でおおうことにより、第１のイメ
ージ線路と第２のイメージ線路とがイメージ線路
の伝搬モードで直接結合することを防ぐことがで
き、両線路間のアイソレーシヨン特性を改善でき
る利点がある。
体装置では第１のイメージ線路と第２のイメージ
線路との間を接地導体と導通した所定の形状の開
口を有する金属でおおうことにより、第１のイメ
ージ線路と第２のイメージ線路とがイメージ線路
の伝搬モードで直接結合することを防ぐことがで
き、両線路間のアイソレーシヨン特性を改善でき
る利点がある。
第１図は透過形ダイオードスイツチを例にとつ
た場合の従来のマイクロ波半導体装置の一例を示
す斜視図、第２図はイメージ線路の電界分布をモ
デル的に示す図、第３図、第４図は透過形ダイオ
ードスイツチに適用したこの発明のマイクロ波半
導体装置の斜視図、第５図、第６図ａはトランジ
スタ増幅器に適用したこの発明によるマイクロ波
半導体装置の実施例の斜視図、第６図ｂは第６図
ａのＡ―A′断面図である。 図中、１は接地導体、２ａは第１のイメージ線
路、２ｂは第２のイメージ線路、３ａは第１のス
トリツプ導体、３ｂは第２のストリツプ導体、４
はダイオード、５ａは第１の電極、５ｂは第２の
電極、６は金属、７ａは第１の端子、７ｂは第２
の端子、８はイメージ線路、１０は金属、１１は
開口、２０はトランジスタ、２１ａは第１の電
極、２１ｂは第２の電極、２１ｃは第３の電極、
２２はフリツプチツプタイプトランジスタであ
る。なお、図中、同一あるいは相当部分には同一
符号を付して示してある。
た場合の従来のマイクロ波半導体装置の一例を示
す斜視図、第２図はイメージ線路の電界分布をモ
デル的に示す図、第３図、第４図は透過形ダイオ
ードスイツチに適用したこの発明のマイクロ波半
導体装置の斜視図、第５図、第６図ａはトランジ
スタ増幅器に適用したこの発明によるマイクロ波
半導体装置の実施例の斜視図、第６図ｂは第６図
ａのＡ―A′断面図である。 図中、１は接地導体、２ａは第１のイメージ線
路、２ｂは第２のイメージ線路、３ａは第１のス
トリツプ導体、３ｂは第２のストリツプ導体、４
はダイオード、５ａは第１の電極、５ｂは第２の
電極、６は金属、７ａは第１の端子、７ｂは第２
の端子、８はイメージ線路、１０は金属、１１は
開口、２０はトランジスタ、２１ａは第１の電
極、２１ｂは第２の電極、２１ｃは第３の電極、
２２はフリツプチツプタイプトランジスタであ
る。なお、図中、同一あるいは相当部分には同一
符号を付して示してある。
Claims (1)
- １ 導波線路としてイメージ線路を使用したマイ
クロ波半導体装置において、接地導体上の所定の
位置に、互いに対向した第１および第２のイメー
ジ線路を形成し、この第１および第２のイメージ
線路間にマイクロ波半導体を装荷し、かつ、上記
マイクロ波半導体を取りかこむ面のうち、上記第
１および第２のイメージ線路と対向する面以外の
面を、上記接地導体と導通し、上記第１および第
２のイメージ線路の電磁界モードが互いに結合す
ることを抑制する所定の形状の導体でおおつたこ
とを特徴とするマイクロ波半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56027211A JPS57141944A (en) | 1981-02-26 | 1981-02-26 | Microwave semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56027211A JPS57141944A (en) | 1981-02-26 | 1981-02-26 | Microwave semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57141944A JPS57141944A (en) | 1982-09-02 |
| JPS6363121B2 true JPS6363121B2 (ja) | 1988-12-06 |
Family
ID=12214763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56027211A Granted JPS57141944A (en) | 1981-02-26 | 1981-02-26 | Microwave semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57141944A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3034714U (ja) * | 1996-08-13 | 1997-03-07 | 有限会社日医商事 | 間仕切り装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59221015A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | Nippon Ueebu Gaido Kk | 導波管形増幅器 |
| JPH1079623A (ja) | 1996-09-02 | 1998-03-24 | Olympus Optical Co Ltd | アンテナ素子を内蔵する半導体モジュール |
| US9780834B2 (en) * | 2014-10-21 | 2017-10-03 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Method and apparatus for transmitting electromagnetic waves |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5112753A (ja) * | 1974-07-22 | 1976-01-31 | Nippon Electric Co | Hyomenhaimeejisenro |
| JPS5112754A (ja) * | 1974-07-22 | 1976-01-31 | Nippon Electric Co | Hyomenhaimeejisenro |
-
1981
- 1981-02-26 JP JP56027211A patent/JPS57141944A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5112753A (ja) * | 1974-07-22 | 1976-01-31 | Nippon Electric Co | Hyomenhaimeejisenro |
| JPS5112754A (ja) * | 1974-07-22 | 1976-01-31 | Nippon Electric Co | Hyomenhaimeejisenro |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3034714U (ja) * | 1996-08-13 | 1997-03-07 | 有限会社日医商事 | 間仕切り装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57141944A (en) | 1982-09-02 |
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