JPS6363121B2 - - Google Patents
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- JPS6363121B2 JPS6363121B2 JP56027211A JP2721181A JPS6363121B2 JP S6363121 B2 JPS6363121 B2 JP S6363121B2 JP 56027211 A JP56027211 A JP 56027211A JP 2721181 A JP2721181 A JP 2721181A JP S6363121 B2 JPS6363121 B2 JP S6363121B2
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/64—Impedance arrangements
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、導波線路としてイメージ線路を使
用したマイクロ波半導体装置に関するものであ
る。
用したマイクロ波半導体装置に関するものであ
る。
従来技術の延長で考えられるこの種装置の構造
を説明するために、たとえば透過形ダイオードス
イツチの場合を例に第1図を用いて説明する。
を説明するために、たとえば透過形ダイオードス
イツチの場合を例に第1図を用いて説明する。
接地導体1上の所定の位置に、誘電体でなる2
つの線路を配置し、互いに対向した、第1のイメ
ージ線路2aおよび第2のイメージ線路2bを形
成し、上記第1のイメージ線路2aおよび第2の
イメージ線路2bの一部を、バイアス印加機構を
有する第1のストリツプ導体3aおよび第2のス
トリツプ導体3bでそれぞれ被覆し、上記第1の
ストリツプ導体3aとダイオード4の第1の電極
5aとを金属ワイヤ6等で接続し、上記第2のス
トリツプ導体3bとダイオード4の第2の電極5
bとを金属ワイヤ6等で接続している。
つの線路を配置し、互いに対向した、第1のイメ
ージ線路2aおよび第2のイメージ線路2bを形
成し、上記第1のイメージ線路2aおよび第2の
イメージ線路2bの一部を、バイアス印加機構を
有する第1のストリツプ導体3aおよび第2のス
トリツプ導体3bでそれぞれ被覆し、上記第1の
ストリツプ導体3aとダイオード4の第1の電極
5aとを金属ワイヤ6等で接続し、上記第2のス
トリツプ導体3bとダイオード4の第2の電極5
bとを金属ワイヤ6等で接続している。
なお、上記構造のマイクロ波半導体装置が、特
に透過形ダイオードスイツチである場合にはダイ
オード4の第1の電極5aと第2の電極5bの間
に印加するバイアス電圧を適当に変化させること
により、上記ダイオード4をマイクロ波的に開放
状態にしたり、短絡状態にしたりすることが可能
である。
に透過形ダイオードスイツチである場合にはダイ
オード4の第1の電極5aと第2の電極5bの間
に印加するバイアス電圧を適当に変化させること
により、上記ダイオード4をマイクロ波的に開放
状態にしたり、短絡状態にしたりすることが可能
である。
上記構造のマイクロ波半導体装置の第1の端子
7aに印加されたマイクロ波信号は、第1のイメ
ージ線路2aをイメージ線路の伝搬モードで伝搬
し、さらに第1のストリツプ導体3a、金属ワイ
ヤ6をへて、第1の電極5aを介してダイオード
4に至る。ここで、ダイオード4がマイクロ波的
に開放状態であるならば、ダイオード4に入力さ
れたマイクロ波信号はそこで全反射される。一
方、ダイオード4がマイクロ波的に短絡状態であ
るならば入力されたマイクロ波信号はダイオード
4の第2の電極5bを介して出力され、金属ワイ
ヤ6および第2のストリツプ導体3bをへて、第
2のイメージ線路2bに至り、そこをイメージ線
路の伝搬モードで伝搬し、上記マイクロ波半導体
装置の第2の端子7bに至る。
7aに印加されたマイクロ波信号は、第1のイメ
ージ線路2aをイメージ線路の伝搬モードで伝搬
し、さらに第1のストリツプ導体3a、金属ワイ
ヤ6をへて、第1の電極5aを介してダイオード
4に至る。ここで、ダイオード4がマイクロ波的
に開放状態であるならば、ダイオード4に入力さ
れたマイクロ波信号はそこで全反射される。一
方、ダイオード4がマイクロ波的に短絡状態であ
るならば入力されたマイクロ波信号はダイオード
4の第2の電極5bを介して出力され、金属ワイ
ヤ6および第2のストリツプ導体3bをへて、第
2のイメージ線路2bに至り、そこをイメージ線
路の伝搬モードで伝搬し、上記マイクロ波半導体
装置の第2の端子7bに至る。
ところで、第2図はイメージ線路の基本伝搬モ
ードの電界分布をモデル的に示したものである。
第2図で8はイメージ線路であり、Eは電界であ
る。
ードの電界分布をモデル的に示したものである。
第2図で8はイメージ線路であり、Eは電界であ
る。
第2図に示すようにイメージ線路の電界の一部
は空気中においても存在し、かつ、そこでマイク
ロ波信号の伝搬方向とほぼ平行な電界成分を有す
る。このため、第1図に示す従来のこの種装置で
は第1のイメージ線路2aを伝搬するマイクロ波
信号の一部は直接第2のイメージ線路2bと結合
してしまう。このため第1のイメージ線路2aと
第2のイメージ線路2bとの間に十分なアイソレ
ーシヨンが得られない問題があつた。
は空気中においても存在し、かつ、そこでマイク
ロ波信号の伝搬方向とほぼ平行な電界成分を有す
る。このため、第1図に示す従来のこの種装置で
は第1のイメージ線路2aを伝搬するマイクロ波
信号の一部は直接第2のイメージ線路2bと結合
してしまう。このため第1のイメージ線路2aと
第2のイメージ線路2bとの間に十分なアイソレ
ーシヨンが得られない問題があつた。
この発明は、この欠点を除去するため、第1の
イメージ線路と第2のイメージ線路との間の所定
の位置に、接地導体と導通した所定の形状の導体
を装荷し、第1のイメージ線路と、第2イメージ
線路とがイメージ線路の伝搬モードで直接結合す
ることを防いでいる。
イメージ線路と第2のイメージ線路との間の所定
の位置に、接地導体と導通した所定の形状の導体
を装荷し、第1のイメージ線路と、第2イメージ
線路とがイメージ線路の伝搬モードで直接結合す
ることを防いでいる。
第3図は、たとえば透過形ダイオードスイツチ
に適用したこの発明の一実施例である。
に適用したこの発明の一実施例である。
接地導体1を導通した所定の形状の金属10を
装荷し、ダイオード4、第1のストリツプ導体3
aの一部および第2のストリツプ導体3bの一部
を含んだ部分を取りかこむ面のうち、第1のイメ
ージ線路2aと第2のイメージ線路2bとが対向
する面以外の面を導体でおおつている。ここで上
記接地導体1と上記金属10とで形成される開口
11の寸法L1およびL2は信号に対する導波管モ
ード電磁界をカツトオフするような形状に選ぶと
よい。この時、伝搬方向にも電界成分を有するイ
メージ線路の伝搬モード電磁界は上記開口11中
を伝搬することはない。このため、第1のイメー
ジ線路2aと第2のイメージ線路2bとが、イメ
ージ線路の伝搬モード電磁界のまま直接結合する
ことを防ぐことができ、第1のイメージ線路2a
と第2のイメージ線路2bとの間のアイソレーシ
ヨン特性を改善できる。第4図は透過形ダイオー
ドスイツチに適用したこの発明の他の実施例であ
り、ダイオード4の部分のみをおおう金属10を
装荷している。第5図および第6図はたとえばト
ランジスタ増幅器に適用した場合のこの発明の実
施例であり、第6図bは第6図aのA―A′断面
図である。第5図でトランジスタ20の第1の電
極21aは第1のストリツプ導体3aに、第2の
電極21bは第2のストリツプ導体3bに、第3
の電極21cは接地導体1に、金属ワイヤ6等で
接続されている。第6図で、22はフリツプチツ
プタイプのトランジスタである。
装荷し、ダイオード4、第1のストリツプ導体3
aの一部および第2のストリツプ導体3bの一部
を含んだ部分を取りかこむ面のうち、第1のイメ
ージ線路2aと第2のイメージ線路2bとが対向
する面以外の面を導体でおおつている。ここで上
記接地導体1と上記金属10とで形成される開口
11の寸法L1およびL2は信号に対する導波管モ
ード電磁界をカツトオフするような形状に選ぶと
よい。この時、伝搬方向にも電界成分を有するイ
メージ線路の伝搬モード電磁界は上記開口11中
を伝搬することはない。このため、第1のイメー
ジ線路2aと第2のイメージ線路2bとが、イメ
ージ線路の伝搬モード電磁界のまま直接結合する
ことを防ぐことができ、第1のイメージ線路2a
と第2のイメージ線路2bとの間のアイソレーシ
ヨン特性を改善できる。第4図は透過形ダイオー
ドスイツチに適用したこの発明の他の実施例であ
り、ダイオード4の部分のみをおおう金属10を
装荷している。第5図および第6図はたとえばト
ランジスタ増幅器に適用した場合のこの発明の実
施例であり、第6図bは第6図aのA―A′断面
図である。第5図でトランジスタ20の第1の電
極21aは第1のストリツプ導体3aに、第2の
電極21bは第2のストリツプ導体3bに、第3
の電極21cは接地導体1に、金属ワイヤ6等で
接続されている。第6図で、22はフリツプチツ
プタイプのトランジスタである。
なお、以上は、マイクロ波半導体装置として、
透過形ダイオードスイツチおよびトランジスタ増
幅器の場合について説明したが、この発明はこれ
に限らずミクサ・リミツタ、減衰器、てい倍器、
発振器(注入同期発振器)等のマイクロ波半導体
装置に使用することができる。
透過形ダイオードスイツチおよびトランジスタ増
幅器の場合について説明したが、この発明はこれ
に限らずミクサ・リミツタ、減衰器、てい倍器、
発振器(注入同期発振器)等のマイクロ波半導体
装置に使用することができる。
以上のように、この発明に係るマイクロ波半導
体装置では第1のイメージ線路と第2のイメージ
線路との間を接地導体と導通した所定の形状の開
口を有する金属でおおうことにより、第1のイメ
ージ線路と第2のイメージ線路とがイメージ線路
の伝搬モードで直接結合することを防ぐことがで
き、両線路間のアイソレーシヨン特性を改善でき
る利点がある。
体装置では第1のイメージ線路と第2のイメージ
線路との間を接地導体と導通した所定の形状の開
口を有する金属でおおうことにより、第1のイメ
ージ線路と第2のイメージ線路とがイメージ線路
の伝搬モードで直接結合することを防ぐことがで
き、両線路間のアイソレーシヨン特性を改善でき
る利点がある。
第1図は透過形ダイオードスイツチを例にとつ
た場合の従来のマイクロ波半導体装置の一例を示
す斜視図、第2図はイメージ線路の電界分布をモ
デル的に示す図、第3図、第4図は透過形ダイオ
ードスイツチに適用したこの発明のマイクロ波半
導体装置の斜視図、第5図、第6図aはトランジ
スタ増幅器に適用したこの発明によるマイクロ波
半導体装置の実施例の斜視図、第6図bは第6図
aのA―A′断面図である。 図中、1は接地導体、2aは第1のイメージ線
路、2bは第2のイメージ線路、3aは第1のス
トリツプ導体、3bは第2のストリツプ導体、4
はダイオード、5aは第1の電極、5bは第2の
電極、6は金属、7aは第1の端子、7bは第2
の端子、8はイメージ線路、10は金属、11は
開口、20はトランジスタ、21aは第1の電
極、21bは第2の電極、21cは第3の電極、
22はフリツプチツプタイプトランジスタであ
る。なお、図中、同一あるいは相当部分には同一
符号を付して示してある。
た場合の従来のマイクロ波半導体装置の一例を示
す斜視図、第2図はイメージ線路の電界分布をモ
デル的に示す図、第3図、第4図は透過形ダイオ
ードスイツチに適用したこの発明のマイクロ波半
導体装置の斜視図、第5図、第6図aはトランジ
スタ増幅器に適用したこの発明によるマイクロ波
半導体装置の実施例の斜視図、第6図bは第6図
aのA―A′断面図である。 図中、1は接地導体、2aは第1のイメージ線
路、2bは第2のイメージ線路、3aは第1のス
トリツプ導体、3bは第2のストリツプ導体、4
はダイオード、5aは第1の電極、5bは第2の
電極、6は金属、7aは第1の端子、7bは第2
の端子、8はイメージ線路、10は金属、11は
開口、20はトランジスタ、21aは第1の電
極、21bは第2の電極、21cは第3の電極、
22はフリツプチツプタイプトランジスタであ
る。なお、図中、同一あるいは相当部分には同一
符号を付して示してある。
Claims (1)
- 1 導波線路としてイメージ線路を使用したマイ
クロ波半導体装置において、接地導体上の所定の
位置に、互いに対向した第1および第2のイメー
ジ線路を形成し、この第1および第2のイメージ
線路間にマイクロ波半導体を装荷し、かつ、上記
マイクロ波半導体を取りかこむ面のうち、上記第
1および第2のイメージ線路と対向する面以外の
面を、上記接地導体と導通し、上記第1および第
2のイメージ線路の電磁界モードが互いに結合す
ることを抑制する所定の形状の導体でおおつたこ
とを特徴とするマイクロ波半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56027211A JPS57141944A (en) | 1981-02-26 | 1981-02-26 | Microwave semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56027211A JPS57141944A (en) | 1981-02-26 | 1981-02-26 | Microwave semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57141944A JPS57141944A (en) | 1982-09-02 |
JPS6363121B2 true JPS6363121B2 (ja) | 1988-12-06 |
Family
ID=12214763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56027211A Granted JPS57141944A (en) | 1981-02-26 | 1981-02-26 | Microwave semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57141944A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3034714U (ja) * | 1996-08-13 | 1997-03-07 | 有限会社日医商事 | 間仕切り装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59221015A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | Nippon Ueebu Gaido Kk | 導波管形増幅器 |
JPH1079623A (ja) | 1996-09-02 | 1998-03-24 | Olympus Optical Co Ltd | アンテナ素子を内蔵する半導体モジュール |
US9780834B2 (en) * | 2014-10-21 | 2017-10-03 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Method and apparatus for transmitting electromagnetic waves |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5112753A (ja) * | 1974-07-22 | 1976-01-31 | Nippon Electric Co | Hyomenhaimeejisenro |
JPS5112754A (ja) * | 1974-07-22 | 1976-01-31 | Nippon Electric Co | Hyomenhaimeejisenro |
-
1981
- 1981-02-26 JP JP56027211A patent/JPS57141944A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5112753A (ja) * | 1974-07-22 | 1976-01-31 | Nippon Electric Co | Hyomenhaimeejisenro |
JPS5112754A (ja) * | 1974-07-22 | 1976-01-31 | Nippon Electric Co | Hyomenhaimeejisenro |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3034714U (ja) * | 1996-08-13 | 1997-03-07 | 有限会社日医商事 | 間仕切り装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57141944A (en) | 1982-09-02 |
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