JPH02113702A - マイクロストリップ線路 - Google Patents
マイクロストリップ線路Info
- Publication number
- JPH02113702A JPH02113702A JP63267707A JP26770788A JPH02113702A JP H02113702 A JPH02113702 A JP H02113702A JP 63267707 A JP63267707 A JP 63267707A JP 26770788 A JP26770788 A JP 26770788A JP H02113702 A JPH02113702 A JP H02113702A
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- JP
- Japan
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- conductor
- groove
- side walls
- wavelength
- interval
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
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- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 abstract 1
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- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業−にの利用分野]
この発明は、マイクロ波帯やミリ波帯で用いられるマイ
クロストリップ線路に係わり、特にその特性改善に関す
るものである。
クロストリップ線路に係わり、特にその特性改善に関す
るものである。
[従来の技術]
第4図は、例えば昭和59年4月30日にコロナ社から
発行された。藤澤和男著「マイクロ波回路」の第56頁
から第58頁に示された従来のマイクロストリップ線路
を示す概略構成図である。
発行された。藤澤和男著「マイクロ波回路」の第56頁
から第58頁に示された従来のマイクロストリップ線路
を示す概略構成図である。
図において、1は幅の広い誘電体基板、2は誘電体基板
1の上面側中央に帯状に設けられた幅の狭いストリップ
導体、3は誘電体基板1の下面側全体に設けられた地導
体であり、ストリップ導体2と地導体3は誘電体基板1
に密着した導体膜で形成されている。
1の上面側中央に帯状に設けられた幅の狭いストリップ
導体、3は誘電体基板1の下面側全体に設けられた地導
体であり、ストリップ導体2と地導体3は誘電体基板1
に密着した導体膜で形成されている。
このマイクロストリップ線路は、ストリップ導体2と地
導体3の間に電磁界の集中した準T E 1.A波とし
て電磁波を伝送するので、波形ひずみの非常に少ない伝
送が可能となる。また、開放線路となっているため、ホ
トエツチングの技術を適用して容易に製作でき、低コス
ト化が図れる。
導体3の間に電磁界の集中した準T E 1.A波とし
て電磁波を伝送するので、波形ひずみの非常に少ない伝
送が可能となる。また、開放線路となっているため、ホ
トエツチングの技術を適用して容易に製作でき、低コス
ト化が図れる。
[発明が解決しようとする課題]
従来のマイクロストリップ線路は以」二のように構成さ
れているが、遮蔽手段のない開放線路となっているため
、低コス1〜化が図れる反面、誘電体基板1の誘電率が
低い場合や分岐や曲がりがある場合には、電磁波が放射
されて伝送損失が大きくなるという課題があった。
れているが、遮蔽手段のない開放線路となっているため
、低コス1〜化が図れる反面、誘電体基板1の誘電率が
低い場合や分岐や曲がりがある場合には、電磁波が放射
されて伝送損失が大きくなるという課題があった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、開放構造は維持したままで放射による損失をな
くすことができるマイクロスhr1 ) リップ線路を得ることを目的とする。
もので、開放構造は維持したままで放射による損失をな
くすことができるマイクロスhr1 ) リップ線路を得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明に係わるマイクロス1〜リツプ線路は。
側壁間隔が1/2波長以下の導体壁で囲まれた溝中に、
その底面から顯に地導体と誘電対基板とストリップ導体
とを設けたものである。
その底面から顯に地導体と誘電対基板とストリップ導体
とを設けたものである。
[作用コ
この発明においては、間隔が172波長以下の側壁によ
ってストリップ導体から放射される電磁波が遮断され、
放射による損失がなくなる。
ってストリップ導体から放射される電磁波が遮断され、
放射による損失がなくなる。
[実施例]
以1ぐ、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図はこの発明によるマイクロストリップ線路の一実
施例を示す概略構成図であり、第4図の従来例と同一符
号は同一、又は相当部分を示す。
施例を示す概略構成図であり、第4図の従来例と同一符
号は同一、又は相当部分を示す。
図において、4は板厚の薄いシールド導体板を凹ませる
ことによって溝5が形成されたシールド導体であり、誘
電体基板1と地導体3は溝5の両側壁6,6の間隔Wと
同一幅に形成され、溝5の底面7から地導体3.誘電体
基板]、ス]〜リップ導体2の順で設けられている。
ことによって溝5が形成されたシールド導体であり、誘
電体基板1と地導体3は溝5の両側壁6,6の間隔Wと
同一幅に形成され、溝5の底面7から地導体3.誘電体
基板]、ス]〜リップ導体2の順で設けられている。
上記ストリップ導体2と地導体3は従来同様。
誘電体基板1に密着した導体膜で形成され、幅の狭いス
トリップ導体2が側壁6,6間の中央となるような配置
で溝5中に設けられている。一方、地導体3は半[)]
あるいは導電性接着剤などによって電気的に底面7との
導通を得るとともに、機械的に固定している。また、側
壁6,6の間隔Wは1/2波長以下としている。
トリップ導体2が側壁6,6間の中央となるような配置
で溝5中に設けられている。一方、地導体3は半[)]
あるいは導電性接着剤などによって電気的に底面7との
導通を得るとともに、機械的に固定している。また、側
壁6,6の間隔Wは1/2波長以下としている。
以上のように構成された本実施例のマイクロス1へリッ
プ線路では、従来のマイタロス1へリップ線路と同様に
ストリップ導体2と地導体3間に電磁界が集中した準T
E M波として電磁波が伝送される。
プ線路では、従来のマイタロス1へリップ線路と同様に
ストリップ導体2と地導体3間に電磁界が集中した準T
E M波として電磁波が伝送される。
また、誘電体基板1の誘電率が低い場合や分岐や曲がり
がある場合には、電磁波の広がりが生じ、側壁6,6に
よって形成される平行平板導波路のモードが励振される
が、対称性から’rE 1.Aモードは励振されず、最
低次のモードはTM、。
がある場合には、電磁波の広がりが生じ、側壁6,6に
よって形成される平行平板導波路のモードが励振される
が、対称性から’rE 1.Aモードは励振されず、最
低次のモードはTM、。
モードである(1111435年にJohn blil
ey & 5ons、Inc。
ey & 5ons、Inc。
より発行されたS、Ramo他著” Fields a
nd Wavesin Communication
Electronics” 、pp、385−393参
照)。このモードの遮断波長は2wであり、側壁6.6
の間隔Wが1/2波長以下となっているために遮断とな
って溝5中を伝搬できない。従って、電磁波は溝5から
放射されず、低損失に伝送される。
nd Wavesin Communication
Electronics” 、pp、385−393参
照)。このモードの遮断波長は2wであり、側壁6.6
の間隔Wが1/2波長以下となっているために遮断とな
って溝5中を伝搬できない。従って、電磁波は溝5から
放射されず、低損失に伝送される。
また、溝5は上方が開いており、マイクロストリップ線
路の開放構造という特徴は維持されている。
路の開放構造という特徴は維持されている。
なお、組立および調整が完了した時点には、第2図に断
面図を示すように溝5に発砲性の誘電体など誘電率の低
い誘電体8を詰め、更に誘電体の蓋9をしてもよい。こ
のようにすれば、地導体3は底面7に押し付けられて電
気的導通も得られるので、半[−TIや導電性接着剤は
不要となる。
面図を示すように溝5に発砲性の誘電体など誘電率の低
い誘電体8を詰め、更に誘電体の蓋9をしてもよい。こ
のようにすれば、地導体3は底面7に押し付けられて電
気的導通も得られるので、半[−TIや導電性接着剤は
不要となる。
第3図は、この発明のマイクロストリップ線路の平面ア
ンテナへの適用例を示す図であり、図中1〜7は前記第
1図のものと同様なもの、10はこれらにより構成され
るマイタロス1〜リツプ線路、1]はT分岐、12.1
2は側壁間隔が1/2波長以上の矩形状の溝5a、5a
にストリップ導体2よりも幅広の略正方形状に形成され
たマイクロストリップアンテナ、■〕]−は端子である
。
ンテナへの適用例を示す図であり、図中1〜7は前記第
1図のものと同様なもの、10はこれらにより構成され
るマイタロス1〜リツプ線路、1]はT分岐、12.1
2は側壁間隔が1/2波長以上の矩形状の溝5a、5a
にストリップ導体2よりも幅広の略正方形状に形成され
たマイクロストリップアンテナ、■〕]−は端子である
。
マイクロストリップアンテナ12は、ストリップ導体2
と同一誘電体基板上に連続して形成されている。このた
め、部品点数が少なく、ホトエツチングの技術が適用で
きるので承産に適しており、低コストで製作することが
できる。
と同一誘電体基板上に連続して形成されている。このた
め、部品点数が少なく、ホトエツチングの技術が適用で
きるので承産に適しており、低コストで製作することが
できる。
以上の構成において、端子P1から入射した電磁波は、
マイクロストリップ線路10に沿って伝搬し、T分岐1
1で1分されてマイクロストリップアンテナ12に給電
される。マイクロス1〜リツプアンテナ12を囲むシー
ルド導体4の側壁間隔は]/2波長より広いので、マイ
クロストリップアンテナ12に給電された電磁波は支障
なく放射される。一方、途中のマイクロス1〜リツプ線
路]0での電磁波の放射がないので、低損失であり、ま
た、放射パターンが劣化することもない。
マイクロストリップ線路10に沿って伝搬し、T分岐1
1で1分されてマイクロストリップアンテナ12に給電
される。マイクロス1〜リツプアンテナ12を囲むシー
ルド導体4の側壁間隔は]/2波長より広いので、マイ
クロストリップアンテナ12に給電された電磁波は支障
なく放射される。一方、途中のマイクロス1〜リツプ線
路]0での電磁波の放射がないので、低損失であり、ま
た、放射パターンが劣化することもない。
なお、」1記実施例では、マイクロストリップアンテナ
12が二つの場合について示したが、これ以外の場合で
も同様な効果を奏する。
12が二つの場合について示したが、これ以外の場合で
も同様な効果を奏する。
また、」二記各実施例では、シールド導体4の溝5.5
aを板厚の薄いシールド導体板を凹ませて形成したもの
について示したが、厚い導体板に削り込んで同様の溝を
形成してもよい。
aを板厚の薄いシールド導体板を凹ませて形成したもの
について示したが、厚い導体板に削り込んで同様の溝を
形成してもよい。
[発明の効果]
以」二のようにこの発明によれば、マイクロストリップ
線路を、側壁間隔が1/2波長以下の導体壁で囲まれた
溝中に、その底面から順に地導体と誘電対基板とストリ
ップ導体とを設けて構成したので、伝送損失を小さくで
き、また、開放構造も維持されるので低コストなものが
得られる効果がある。
線路を、側壁間隔が1/2波長以下の導体壁で囲まれた
溝中に、その底面から順に地導体と誘電対基板とストリ
ップ導体とを設けて構成したので、伝送損失を小さくで
き、また、開放構造も維持されるので低コストなものが
得られる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例によるマイクロストリップ
線路を示す概略構成図、第2図はこの発明の他の実施例
を示すマイクロストリップ線路の断面図、第3図はこの
発明の一適用例な示す平面アンテナの概略構成図、第4
図は従来のマイクロストリップ線路を示す概略構成図で
ある。 1は誘電体基板、2はストリップ導体、3は地導体、4
はシールド導体、5,5aは溝、6は側壁、7は底面、
]0はマイクロストリップ線路、11はT分岐、〕2は
マイクロストリップアンテナ、Plは端子。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄(ばか2名)書(自発)
線路を示す概略構成図、第2図はこの発明の他の実施例
を示すマイクロストリップ線路の断面図、第3図はこの
発明の一適用例な示す平面アンテナの概略構成図、第4
図は従来のマイクロストリップ線路を示す概略構成図で
ある。 1は誘電体基板、2はストリップ導体、3は地導体、4
はシールド導体、5,5aは溝、6は側壁、7は底面、
]0はマイクロストリップ線路、11はT分岐、〕2は
マイクロストリップアンテナ、Plは端子。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄(ばか2名)書(自発)
Claims (1)
- 側壁間隔が1/2波長以下の導体壁で囲まれた溝中に、
その底面から順に地導体と誘電対基板とストリップ導体
とを設けたことを特徴とするマイクロストリップ線路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63267707A JPH02113702A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | マイクロストリップ線路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63267707A JPH02113702A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | マイクロストリップ線路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02113702A true JPH02113702A (ja) | 1990-04-25 |
Family
ID=17448428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63267707A Pending JPH02113702A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | マイクロストリップ線路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02113702A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04330804A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-11-18 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置 |
EP2105988A1 (en) * | 2008-03-19 | 2009-09-30 | Powerwave Technologies Sweden AB | Transmission line and a method for production of a transmission line |
US8228139B2 (en) | 2008-03-19 | 2012-07-24 | Powerwave Technologies Sweden Ab | Transmission line comprised of a center conductor on a printed circuit board disposed within a groove |
JP2013160913A (ja) * | 2012-02-03 | 2013-08-19 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 信号伝送路および光変調装置 |
JP2015133580A (ja) * | 2014-01-10 | 2015-07-23 | 古河電気工業株式会社 | 平面伝送線路導波管変換器 |
WO2020258036A1 (zh) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 线材组件和电子设备 |
WO2020258038A1 (zh) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 线材组件和电子设备 |
-
1988
- 1988-10-24 JP JP63267707A patent/JPH02113702A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04330804A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-11-18 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置 |
EP2105988A1 (en) * | 2008-03-19 | 2009-09-30 | Powerwave Technologies Sweden AB | Transmission line and a method for production of a transmission line |
US8228139B2 (en) | 2008-03-19 | 2012-07-24 | Powerwave Technologies Sweden Ab | Transmission line comprised of a center conductor on a printed circuit board disposed within a groove |
EP3128605A1 (en) * | 2008-03-19 | 2017-02-08 | Intel Corporation | Transmission line and a method for production of a transmission line |
JP2013160913A (ja) * | 2012-02-03 | 2013-08-19 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 信号伝送路および光変調装置 |
JP2015133580A (ja) * | 2014-01-10 | 2015-07-23 | 古河電気工業株式会社 | 平面伝送線路導波管変換器 |
WO2020258036A1 (zh) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 线材组件和电子设备 |
WO2020258038A1 (zh) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 线材组件和电子设备 |
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