JP2004104382A - マイクロ波移相器 - Google Patents
マイクロ波移相器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004104382A JP2004104382A JP2002262271A JP2002262271A JP2004104382A JP 2004104382 A JP2004104382 A JP 2004104382A JP 2002262271 A JP2002262271 A JP 2002262271A JP 2002262271 A JP2002262271 A JP 2002262271A JP 2004104382 A JP2004104382 A JP 2004104382A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric substrate
- conductor
- conductors
- microwave
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Images
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
【解決手段】液晶を材料とした誘電体基板2上に信号用導体3を形成し、信号用導体3を挟んで補助接地導体4a、4b、4c及び4dを形成する。更に、この誘電体基板2を囲うように接地用導体5a、5b、6a及び6bを形成して、インバーテッド構造及びサスペンデッド構造のマイクロストリップ伝送線路1を構成する。そして、誘電体基板2に印加するバイアス電圧7を変化させることにより誘電体基板2の誘電率を変化させ、移相量を制御する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波帯において使用されるマイクロ波移相器に関わる。
【0002】
【従来の技術】
移相器は、信号の位相を制御する機能モジュールとして、フェーズドアレーアンテナや電力合成型の増幅装置等に使用されている。
【0003】
マイクロ波帯において、伝送線路を構成する誘電体材料に液晶を用いた移相器が特開2001−237606号公報に開示されている。この公報に開示された移相器は、対向する一対の伝送線路の間に液晶を封入して液晶を誘電体基板と見なしたマイクロ波伝送線路を構成し、この液晶に電圧を印加して誘電率を変化させた時に、マイクロ波伝送線路を伝搬する信号の伝搬遅延時間が変化することを利用している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記公報に記載される移相器は、他のマイクロ波回路との集積化等により高密度実装した場合には、近接する回路間において互いにクロストーク等の干渉が発生するおそれがある。即ち、マイクロ波の伝送特性に起因して信号の一部が伝送線路の外部に放射され、近接する外部回路に影響を与えることがある。これとは逆に、近接する外部回路から不要な信号の影響を受けることもある。
【0005】
本発明は、上述の事情を考慮してなされたものであり、近接する回路との干渉が少ないマイクロ波移相器を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のマイクロ波移相器は、印加電圧により誘電率が変化する誘電体基板と、この誘電体基板の一方の面上に形成された第1の導体と、前記誘電体基板上で前記第1の導体と距離をおいて前記第1の導体を挟むように形成された第2及び第3の導体と、前記誘電体基板の他方の面上に前記第2の導体に対向して形成された第4の導体と、前記誘電体基板の他方の面上に前記第3の導体に対向して形成された第5の導体と、前記誘電体基板を囲い、前記誘電体基板の両面との間にそれぞれ距離を設けて前記誘電体基板に固定された第6の導体と、前記第1の導体と前記第2乃至第6の導体との間に電圧を印加するための電圧印加手段と、前記第2乃至第5の導体と前記第6の導体とをそれぞれ電気的に接続する手段とを具備したことを特徴とする。
【0007】
本発明のマイクロ波移相器によれば、第1の導体を第6の導体で囲うことにより、近接する回路との干渉が少ないマイクロ波移相器を得ることができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態について、図1乃至図3を参照して説明する。図1は、本発明に係るマイクロ波移相器の一実施の形態を示す斜視図である。また、図2は図1のA−Aに沿った断面を拡大した図である。
【0009】
本実施の形態においては、誘電体基板2の材料は、周囲を絶縁材料により封止した薄い2枚の絶縁性基板2a及び2b間に印加電圧に応じて誘電率が変化する液晶2cを封入したものであり、その平面形状は方形である。
【0010】
絶縁性基板2aの上面には第1の導体として、マイクロ波伝送線路の信号用導体3が直線状に形成されている。また、絶縁性基板2aの両端部上には、信号用導体3と距離をおいてそれを挟むように、第2及び第3の導体として補助接地導体4a及び4bが直線状に形成されている。
【0011】
絶縁性基板2bの下面には、第4及び第5の導体として補助接地導体4c及び4dが、それぞれ補助接地導体4a及び4bに対向してこれと同一形状に形成されている。
【0012】
また、誘電体基板2を囲うように、第6の導体として接地用導体5a、5b、6a及び6bが配置されている。接地用導体5aは補助接地導体4a及び4cと誘電体基板2の端部で接触し、その接触部は半田付け等で固定されている。接地用導体5bは補助接地導体4b及び4dと誘電体基板2の端部で接触し、その接触部は半田付け等で固定されている。接地用導体6a及び6bは、誘電体基板2と平行にそれぞれ誘電体基板2の上面及び下面との間に距離を設けて配置され、接地用導体5a及び5bの端部に接続されて固定されている。
【0013】
すなわち、本実施の形態においては、信号用導体3が形成された誘電体基板2を、接地用導体5a、5b、6a及び6bで方形に囲うことにより、インバーテッド構造及びサスペンデッド構造のマイクロストリップ伝送線路1が構成されており、マイクロ波信号は信号用導体3を伝搬していく。バイアス電圧7は信号用導体3と接地用導体5a、5b、6a及び6bとの間に印加される。
【0014】
上述の構成において、信号用導体3にバイアス電圧7が印加されると、誘電体基板2にも同じ電圧が印加され、誘電体基板2は印加電圧に応じて誘電率が変化する。この変化に伴って、マイクロストリップ伝送線路1を伝搬する信号の伝送速度も変化する。その結果、信号用導体3を伝搬するマイクロ波信号の位相を変化させることができる。
【0015】
信号用導体3を伝搬するマイクロ波信号の伝搬位相θは次式で示される。
【0016】
【数1】
ここで、Lは信号用導体3の線路長、λ0は信号用導体3を伝搬するマイクロ波の自由空間における波長、εはマイクロストリップ伝送線路1を構成する誘電体の誘電率である。すなわち、伝搬位相θは誘電率εの1/2乗に比例する。従って、バイアス電圧7がある基準値(例えば0ボルト)の時の伝搬位相をθ1とし、バイアス電圧7を基準値から変化させて誘電体基板2の誘電率を変化させた時の伝搬位相をθ2とすると、θ2とθ1との差分を移相量とする移相器として動作させることができる。しかもその移相量はバイアス電圧7の連続的な変化に対応して、連続的に変化させることができる。
【0017】
上述した実施の形態のマイクロ波移相器は、マイクロ波信号の伝搬経路がマイクロストリップ伝送線路1のみで構成されているため、マイクロ波回路間あるいはマイクロ波モジュール間等を接続する伝送線路を兼ねることができ、例えば他のマイクロ素子やマイクロ波回路と一体化あるいはハイブリッド集積化するなど、移相器を活用した装置を小型化あるいは高密度実装化することができる。しかも、信号用導体3を接地用導体5a、5b、6a及び6bで囲うことによりシールドの効果を持つため、マイクロ波の伝送特性に起因する近接回路間との干渉を効果的に防止できる。
【0018】
また、伝送線路をインバーテッド構造及びサスペンデッド構造のマイクロストリップ伝送線路としているので、次に説明する効果を奏する。図3は、信号用導体3にバイアス電圧7を印加した時に発生する電気力線の概念図である。図3によれば、電気力線8は接地用導体6aに向かって進むものが多く、誘電体基板2への電界集中が弱まる。従って信号用導体3を伝搬するマイクロ波信号の損失が低減され、移相器の挿入損失を低減することができる。
【0019】
更に、移相量の制御には信号用導体3に印加するバイアス電圧7を変化させているが、このバイアス電圧7は誘電体基板2の誘電率を変化させるためのものであり、電流はほとんど流れない。従って、電力を消費することなく連続的に位相制御を行なうことができる。
【0020】
なお、本実施の形態においては、誘電体基板2を絶縁性基板2a及び2bの間に液晶を封入したものとしたが、電界強度によって誘電率が変化する絶縁性物質であれば、チタン酸バリウム(BaTiO3)やニオブ酸リチウム(LiNbO3)等の種々の材料を用いることができる。
【0021】
また、信号用導体3、補助接地導体4a、4b、4c及び4dは直線状に限定されず、補助接地導体4a、4b、4c及び4dは接地導体5a及び5bから離れていてもよい。更に、接地導体5a、5b、6a及び6bは個別に成形された接地用導体としたが、一体に成形された接地用導体でもよい。また、金属板で構成してもよいし、金属膜を被覆した絶縁材料あるいは半絶縁性基板上に蒸着した金属膜で少なくとも一部を構成してもよい。
【0022】
【発明の効果】
本発明によれば、近接する回路との干渉が少なく、挿入損失の少ないマイクロ波移相器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るマイクロ波移相器の実施の形態を説明する斜視図。
【図2】本発明に係るマイクロ波移相器の実施の形態を説明する斜視図におけるA−A線に沿った断面を拡大して示す図。
【図3】信号用導体3にバイアス電圧7を印加した時に発生する電気力線の概念図。
【符号の説明】
1…マイクロストリップ伝送線路
2…誘電体基板
2a、2b…絶縁性基板
2c…液晶
3…信号用導体
4a、4b、4c、4d…補助接地導体
5a、5b、6a、6b…接地用導体
7…バイアス電圧
8…電気力線
Claims (2)
- 印加電圧により誘電率が変化する誘電体基板と、
この誘電体基板の一方の面上に形成された第1の導体と、
前記誘電体基板上で前記第1の導体と距離をおいて前記第1の導体を挟むように形成された第2及び第3の導体と、
前記誘電体基板の他方の面上に前記第2の導体に対向して形成された第4の導体と、
前記誘電体基板の他方の面上に前記第3の導体に対向して形成された第5の導体と、
前記誘電体基板を囲い、前記誘電体基板の両面との間にそれぞれ距離を設けて前記誘電体基板に固定された第6の導体と、
前記第1の導体と前記第2乃至第6の導体との間に電圧を印加するための電圧印加手段と、
前記第2乃至第5の導体と前記第6の導体とをそれぞれ電気的に接続する手段と
を具備したことを特徴とするマイクロ波移相器。 - 前記誘電体基板を、2枚の絶縁板間に液晶を封入した構造としたことを特徴とする請求項1に記載のマイクロ波移相器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002262271A JP2004104382A (ja) | 2002-09-09 | 2002-09-09 | マイクロ波移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002262271A JP2004104382A (ja) | 2002-09-09 | 2002-09-09 | マイクロ波移相器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004104382A true JP2004104382A (ja) | 2004-04-02 |
JP2004104382A5 JP2004104382A5 (ja) | 2005-06-09 |
Family
ID=32262357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002262271A Abandoned JP2004104382A (ja) | 2002-09-09 | 2002-09-09 | マイクロ波移相器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004104382A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100764604B1 (ko) | 2005-08-24 | 2007-10-19 | 센싱테크 주식회사 | 그라운드판을 가진 비방사마이크로스트립선로 |
WO2008007545A1 (fr) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Yamaguchi University | Ligne composite de système droite/gauche de type circuit à bande ou ligne de système de gauche et antenne les utilisant |
WO2012076745A1 (en) * | 2010-12-09 | 2012-06-14 | Nokia Corporation | A voltage-tunable phase shifter and associated methods |
RU2510551C1 (ru) * | 2012-09-11 | 2014-03-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Малогабаритный фазовращатель свч-диапазона |
WO2014099389A1 (en) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | 3M Innovative Properties Company | Floating connector shield |
CN104466307A (zh) * | 2014-11-24 | 2015-03-25 | 电子科技大学 | 移相器 |
WO2016086851A1 (en) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | Huawei Technologies Co., Ltd. | System and method for variable microwave phase shifter |
US20180217456A1 (en) * | 2017-01-31 | 2018-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd | Liquid crystal-based high-frequency device and high-frequency switch |
CN108828811A (zh) * | 2018-07-02 | 2018-11-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微波幅相控制器及微波幅度和/或相位的控制方法 |
CN109193162A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-01-11 | 合肥工业大学 | 一种太赫兹反射式移相单元及其内部液晶的快速调控方法 |
WO2020015452A1 (zh) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 成都天马微电子有限公司 | 一种液晶移相单元及其制作方法、液晶移相器、天线 |
CN113540766A (zh) * | 2020-04-15 | 2021-10-22 | 上海天马微电子有限公司 | 相控阵天线及其控制方法 |
-
2002
- 2002-09-09 JP JP2002262271A patent/JP2004104382A/ja not_active Abandoned
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100764604B1 (ko) | 2005-08-24 | 2007-10-19 | 센싱테크 주식회사 | 그라운드판을 가진 비방사마이크로스트립선로 |
WO2008007545A1 (fr) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Yamaguchi University | Ligne composite de système droite/gauche de type circuit à bande ou ligne de système de gauche et antenne les utilisant |
US8026854B2 (en) | 2006-07-14 | 2011-09-27 | Yamaguchi University | Stripline-type composite right/left-handed transmission line or left-handed transmission line, and antenna that uses same |
US8803636B2 (en) | 2010-12-09 | 2014-08-12 | Nokia Corporation | Apparatus and associated methods |
WO2012076745A1 (en) * | 2010-12-09 | 2012-06-14 | Nokia Corporation | A voltage-tunable phase shifter and associated methods |
RU2510551C1 (ru) * | 2012-09-11 | 2014-03-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Малогабаритный фазовращатель свч-диапазона |
US9894750B2 (en) | 2012-12-20 | 2018-02-13 | 3M Innovative Properties Company | Floating connector shield |
WO2014099389A1 (en) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | 3M Innovative Properties Company | Floating connector shield |
CN104466307A (zh) * | 2014-11-24 | 2015-03-25 | 电子科技大学 | 移相器 |
WO2016086851A1 (en) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | Huawei Technologies Co., Ltd. | System and method for variable microwave phase shifter |
US9755286B2 (en) | 2014-12-05 | 2017-09-05 | Huawei Technologies Co., Ltd. | System and method for variable microwave phase shifter |
US20180217456A1 (en) * | 2017-01-31 | 2018-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd | Liquid crystal-based high-frequency device and high-frequency switch |
US10921654B2 (en) * | 2017-01-31 | 2021-02-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal-based high-frequency device and high-frequency switch |
CN108828811B (zh) * | 2018-07-02 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微波幅相控制器及微波幅度和/或相位的控制方法 |
WO2020007044A1 (zh) * | 2018-07-02 | 2020-01-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微波幅相控制器及微波幅度和/或相位的控制方法 |
CN108828811A (zh) * | 2018-07-02 | 2018-11-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微波幅相控制器及微波幅度和/或相位的控制方法 |
US11061296B2 (en) | 2018-07-02 | 2021-07-13 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Microwave amplitude-phase controller and method of controlling amplitude and/or phase of microwave |
WO2020015452A1 (zh) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 成都天马微电子有限公司 | 一种液晶移相单元及其制作方法、液晶移相器、天线 |
US11342641B2 (en) | 2018-07-20 | 2022-05-24 | Chengdu Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal phase shifting device including protrusions formed therein, a manufacturing method thereof, and a phase shifter matrix formed by the phase shifting devices |
CN109193162A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-01-11 | 合肥工业大学 | 一种太赫兹反射式移相单元及其内部液晶的快速调控方法 |
CN113540766A (zh) * | 2020-04-15 | 2021-10-22 | 上海天马微电子有限公司 | 相控阵天线及其控制方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3835853B1 (en) | Liquid crystal phase shifter and operating method therefor, liquid crystal antenna, and communication device | |
JP4133747B2 (ja) | 誘電体導波管の入出力結合構造 | |
US5214724A (en) | Optical waveguide device with suppressed dc drift | |
KR960009529B1 (ko) | 전압 제어식 유전체 사용하는 이상 장치 | |
JP2007116573A (ja) | アレーアンテナ | |
JPH11103201A (ja) | 移相器、移相器アレイおよびフェーズドアレイアンテナ装置 | |
JP2004104382A (ja) | マイクロ波移相器 | |
EP1128459A3 (en) | Variable phase shifter | |
JPWO2008114519A1 (ja) | 伝送線路フィルタ | |
US8279129B1 (en) | Transverse device phase shifter | |
EP3745526A1 (en) | Radio frequency phase shift device | |
CN108693665B (zh) | 光器件 | |
JPH10200311A (ja) | 裏面接地導体付きコプレーナウエーブガイド線路 | |
EP1708018B1 (en) | Optical modulator and communications system including the optical modulator | |
JPH05173099A (ja) | 光制御素子 | |
JPH02113702A (ja) | マイクロストリップ線路 | |
JP2885218B2 (ja) | 光制御デバイス | |
JP7035704B2 (ja) | 光導波路素子 | |
EP0527173A1 (en) | Optical modulators | |
CN218524976U (zh) | 光波导元件、光调制器件与光发送装置 | |
JPH0346561Y2 (ja) | ||
JP3778551B2 (ja) | マイクロ波移相器 | |
SU1030889A1 (ru) | Сверхвысокочастотный фазовращатель | |
JP2010124217A (ja) | 高周波機能素子構造及び高周波機能部品 | |
JPS5991701A (ja) | ダイオ−ド移相器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040830 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040830 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050415 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050606 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060217 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20060417 |