JPH0812966B2 - フエリ磁性体薄膜共振器 - Google Patents
フエリ磁性体薄膜共振器Info
- Publication number
- JPH0812966B2 JPH0812966B2 JP62290254A JP29025487A JPH0812966B2 JP H0812966 B2 JPH0812966 B2 JP H0812966B2 JP 62290254 A JP62290254 A JP 62290254A JP 29025487 A JP29025487 A JP 29025487A JP H0812966 B2 JPH0812966 B2 JP H0812966B2
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- Japan
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- ferrimagnetic thin
- ferrimagnetic
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、フェリ磁性体薄膜を用いたマイクロ波・
ミリ波帯の共振器に関するものである。
ミリ波帯の共振器に関するものである。
第６図は、例えば超音波シンポジウム1986年（Ultras
onics Symposium 1986）,pp,187−190に示された従来の
フエリ磁性体薄膜共振器を示す斜視図であり、図におい
て、（１）は誘電体基板、（２）は誘電体基板（１）の
一方の面の全面に密着した地導体、（３）は誘電体基板
（１）の他方の面にエツチング加工などにより形成され
たストリツプ導体、（４）は誘電体基板（１）、地導体
（２）およびストリツプ導体（３）で形成されるマイク
ロストリツプ線路、（５）は地導体（２）とストリツプ
導体（３）とを短絡する短絡用導体、（６）はストリツ
プ導体（３）に密着し、短絡用導体（５）の近傍に配置
され、ストリツプ導体（３）の中心軸に対し左右対称形
状を有するフエリ磁性体薄膜、（７）はフエリ磁性体薄
膜（６）液相成長法などにより作成し保持するのに必要
なフエリ磁性体薄膜用誘電体基板、（８）は入力兼出力
端子である。
onics Symposium 1986）,pp,187−190に示された従来の
フエリ磁性体薄膜共振器を示す斜視図であり、図におい
て、（１）は誘電体基板、（２）は誘電体基板（１）の
一方の面の全面に密着した地導体、（３）は誘電体基板
（１）の他方の面にエツチング加工などにより形成され
たストリツプ導体、（４）は誘電体基板（１）、地導体
（２）およびストリツプ導体（３）で形成されるマイク
ロストリツプ線路、（５）は地導体（２）とストリツプ
導体（３）とを短絡する短絡用導体、（６）はストリツ
プ導体（３）に密着し、短絡用導体（５）の近傍に配置
され、ストリツプ導体（３）の中心軸に対し左右対称形
状を有するフエリ磁性体薄膜、（７）はフエリ磁性体薄
膜（６）液相成長法などにより作成し保持するのに必要
なフエリ磁性体薄膜用誘電体基板、（８）は入力兼出力
端子である。
また、フエリ磁性体薄膜（６）には膜面に垂直な直流
磁界を印加する必要があるが、この直流磁界を印加する
ための磁気回路については、この図では省略する。
磁界を印加する必要があるが、この直流磁界を印加する
ための磁気回路については、この図では省略する。
また、第７図は第６図の従来例の断面図である。
次に動作について説明する。入力兼出力端子（８）に
入射した電磁波はマイクロストリツプ線路（４）を伝搬
し、短絡用導体（５）で反射され定在波になるので、短
絡用導体（５）接続部のストリツプ導体（３）近傍で、
高周波磁界が最大になる。この高周波磁界のｙ−ｚ面内
の分布は第７図の破線矢印で示すようになる。
入射した電磁波はマイクロストリツプ線路（４）を伝搬
し、短絡用導体（５）で反射され定在波になるので、短
絡用導体（５）接続部のストリツプ導体（３）近傍で、
高周波磁界が最大になる。この高周波磁界のｙ−ｚ面内
の分布は第７図の破線矢印で示すようになる。
一方、膜面に垂直に直流磁界が印加されｙ方向の幅が
ｌのフエリ磁性体薄膜（６）における静磁波の基本共振
モードの高周波磁界分布は第８図に示すように、主にｙ
方向の高周波磁界がフエリ磁性体薄膜（６）のｙ−ｚ断
面の中心で最大になるように分布する。静磁波のｙ方向
の伝搬定数をknとすると、第〔１〕式の条件を満足する
周波数fnがｎ次の共振周波数である。ここでkn（fn）は
伝搬定数knが周波数fnの関数であることを示している。
なおｎ＝１の場合が基本共振モードである。
ｌのフエリ磁性体薄膜（６）における静磁波の基本共振
モードの高周波磁界分布は第８図に示すように、主にｙ
方向の高周波磁界がフエリ磁性体薄膜（６）のｙ−ｚ断
面の中心で最大になるように分布する。静磁波のｙ方向
の伝搬定数をknとすると、第〔１〕式の条件を満足する
周波数fnがｎ次の共振周波数である。ここでkn（fn）は
伝搬定数knが周波数fnの関数であることを示している。
なおｎ＝１の場合が基本共振モードである。
静磁波との結合に寄与するマイクロストリツプ線路
（４）における高周波磁界は、静磁波の共振モードの高
周波磁界分布に一致するｙ成分の高周波磁界である。
（４）における高周波磁界は、静磁波の共振モードの高
周波磁界分布に一致するｙ成分の高周波磁界である。
共振周波数とは異なる電磁波が入力兼出力端子（８）
から入射した場合には、電磁波は静磁波に変換されるこ
となく短絡用導体（５）で反射し、その後、直接、入力
兼出力端子（８）に戻る。入力兼出力端子（８）と短絡
用導体（５）との間の電気長が波長に比較して十分短い
とすると、入力権出力端子（８）からフエリ磁性体薄膜
共振器側を見たインピーダンス特性はほぼ短絡状態にな
る。一方、共振周波数近傍の周波数の電磁波が入射する
場合には、この電磁波は静磁波に変換され、さらに再び
電磁波に変換された後、入力兼出力端子（８）に戻る。
この場合には周波数変化に対しインピーダンスが大きく
変化し、とくに電磁波と静磁波の結合が密な場合には共
振周波数では開放状態に近いものとなる。
から入射した場合には、電磁波は静磁波に変換されるこ
となく短絡用導体（５）で反射し、その後、直接、入力
兼出力端子（８）に戻る。入力兼出力端子（８）と短絡
用導体（５）との間の電気長が波長に比較して十分短い
とすると、入力権出力端子（８）からフエリ磁性体薄膜
共振器側を見たインピーダンス特性はほぼ短絡状態にな
る。一方、共振周波数近傍の周波数の電磁波が入射する
場合には、この電磁波は静磁波に変換され、さらに再び
電磁波に変換された後、入力兼出力端子（８）に戻る。
この場合には周波数変化に対しインピーダンスが大きく
変化し、とくに電磁波と静磁波の結合が密な場合には共
振周波数では開放状態に近いものとなる。
この形式のフエリ磁性体薄膜共振器は、印加直流磁界
の調整により共振周波数を制御でき、第９図に示すよう
に能動回路と組合せて周波数が可変の発振器として用い
られる。このような用途では発振条件を満たすため第９
図の点Ａで示す入力兼出力端子（８）からフエリ磁性体
薄膜共振器側を見た反射係数が、共振時において、大き
いことが望ましい。このためには、共振時における入力
兼出力端子（８）の入力インピーダンスが十分に開放状
態に近いことが必要である。これを実現するには、マイ
クロストリツプ線路（４）を伝搬する電磁波と、フエリ
磁性体薄膜（６）で共振する静時波との結合を強くしな
ければならない。
の調整により共振周波数を制御でき、第９図に示すよう
に能動回路と組合せて周波数が可変の発振器として用い
られる。このような用途では発振条件を満たすため第９
図の点Ａで示す入力兼出力端子（８）からフエリ磁性体
薄膜共振器側を見た反射係数が、共振時において、大き
いことが望ましい。このためには、共振時における入力
兼出力端子（８）の入力インピーダンスが十分に開放状
態に近いことが必要である。これを実現するには、マイ
クロストリツプ線路（４）を伝搬する電磁波と、フエリ
磁性体薄膜（６）で共振する静時波との結合を強くしな
ければならない。
また、基本共振モード（ｎ＝１）以外の高次の共振モ
ードの発生量が大きいと、第９図に示す発振器では高次
の共振モードの共振周波数に一致する周波数においてス
プリアス発振が発生する恐れがある。この高次の共振を
抑えるには左右対称形状のフエリ磁性体薄膜（６）の対
称軸に対して精度良くストリツプ導体（３）を配置する
必要がある。
ードの発生量が大きいと、第９図に示す発振器では高次
の共振モードの共振周波数に一致する周波数においてス
プリアス発振が発生する恐れがある。この高次の共振を
抑えるには左右対称形状のフエリ磁性体薄膜（６）の対
称軸に対して精度良くストリツプ導体（３）を配置する
必要がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕 従来のフエリ磁性体薄膜共振器は以上のように構成さ
れているので、第７図に示すようにマイクロストリツプ
線路（４）を伝搬する高周波磁界が十分に密となる位置
にフエリ磁性体薄膜（６）を配置できず、所要の結合が
得られる周波数帯域が狭く限られるという問題点があつ
た。また、ストリツプ導体（３）とフエリ磁性体薄膜
（６）の位置合せ精度の不良により、高次の共振モード
の発生量が大きくなる問題点があつた。
れているので、第７図に示すようにマイクロストリツプ
線路（４）を伝搬する高周波磁界が十分に密となる位置
にフエリ磁性体薄膜（６）を配置できず、所要の結合が
得られる周波数帯域が狭く限られるという問題点があつ
た。また、ストリツプ導体（３）とフエリ磁性体薄膜
（６）の位置合せ精度の不良により、高次の共振モード
の発生量が大きくなる問題点があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、広い周波数帯域にわたり、マイクロストリ
ツプ線路を伝搬する電磁波とフエリ磁性体薄膜で共振す
る静磁波との結合を強くでき、高次の共振モードの発生
量を小さくできるフエリ磁性体薄膜共振器を得ることを
目的とする。
れたもので、広い周波数帯域にわたり、マイクロストリ
ツプ線路を伝搬する電磁波とフエリ磁性体薄膜で共振す
る静磁波との結合を強くでき、高次の共振モードの発生
量を小さくできるフエリ磁性体薄膜共振器を得ることを
目的とする。
この発明に係るフェリ磁性体薄膜共振器は、誘電体基
板と、該誘電体基板の上に直接形成された左右対称形状
のフェリ磁性体薄膜と、該フェリ磁性体薄膜の上に形成
された誘電体層と、該誘電体層の上に上記フェリ磁性体
薄膜の対称軸に対して左右対称に密着形成された単一の
ストリップ導体と、上記誘導体基板の裏面上に密着形成
された地導体とにより構成されたマイクロストリップ線
路と、上記誘導体基板および上記フェリ磁性体薄膜なら
びに上記誘電体層の側面に形成され上記ストリップ導体
と上記地導体とを接続する短絡用導体と、上記フェリ磁
性体薄膜に磁界を印加する磁界印加手段とを備えるよう
にしたものである。
板と、該誘電体基板の上に直接形成された左右対称形状
のフェリ磁性体薄膜と、該フェリ磁性体薄膜の上に形成
された誘電体層と、該誘電体層の上に上記フェリ磁性体
薄膜の対称軸に対して左右対称に密着形成された単一の
ストリップ導体と、上記誘導体基板の裏面上に密着形成
された地導体とにより構成されたマイクロストリップ線
路と、上記誘導体基板および上記フェリ磁性体薄膜なら
びに上記誘電体層の側面に形成され上記ストリップ導体
と上記地導体とを接続する短絡用導体と、上記フェリ磁
性体薄膜に磁界を印加する磁界印加手段とを備えるよう
にしたものである。
この発明におけるフェリ磁性体薄膜共振器では、スト
リップ導体と地導体との間に、ストリップ導体に密着し
た誘電体層を介在させてフェリ磁性体薄膜が配置される
ので、高周波磁界が最も密に分布する位置にフエリ磁性
体薄膜が配置されることになる。
リップ導体と地導体との間に、ストリップ導体に密着し
た誘電体層を介在させてフェリ磁性体薄膜が配置される
ので、高周波磁界が最も密に分布する位置にフエリ磁性
体薄膜が配置されることになる。
また、フエリ磁性体薄膜の外形を位置の基準としたエ
ツチング加工が可能になり、フエリ磁性体薄膜上の所定
の位置に高精度でストリツプ導体を配置できる。
ツチング加工が可能になり、フエリ磁性体薄膜上の所定
の位置に高精度でストリツプ導体を配置できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
１図において、（２），（３），（４），（５），
（６），（７），（８）は従来と同一、または相当部分
であり、ストリツプ導体（３）はフエリ磁性体薄膜
（６）の表面に、エツチング加工法などにより形成さ
れ、地導体（２）はフエリ磁性体薄膜用誘電体基板
（７）の表面に形成される。短絡用導体（５）はストリ
ツプ導体（３）と地導体（２）とを接続している。第１
図において、（９）はストリツプ導体（３）、地導体
（２）、フエリ磁性体薄膜（６）及びフエリ磁性体薄膜
用誘電体基板（７）から構成されるマイクロストリツプ
線路である。
１図において、（２），（３），（４），（５），
（６），（７），（８）は従来と同一、または相当部分
であり、ストリツプ導体（３）はフエリ磁性体薄膜
（６）の表面に、エツチング加工法などにより形成さ
れ、地導体（２）はフエリ磁性体薄膜用誘電体基板
（７）の表面に形成される。短絡用導体（５）はストリ
ツプ導体（３）と地導体（２）とを接続している。第１
図において、（９）はストリツプ導体（３）、地導体
（２）、フエリ磁性体薄膜（６）及びフエリ磁性体薄膜
用誘電体基板（７）から構成されるマイクロストリツプ
線路である。
この図においても従来例と同様、直流磁界を印加する
ための磁気回路については省略する。
ための磁気回路については省略する。
第１図において、従来と同様、入力兼出力端子（８）
から入射した電磁波は、共振時には、フエリ磁性体薄膜
（６）の静磁波に結合し、再びマイクロストリツプ線路
（９）を伝搬する電磁波に結合した後、入力兼出力端子
（８）に接続される外部回路に伝搬して行く。一方、非
共振時には電磁波は静磁波に結合することなく直接、短
絡用導体（５）で反射され、再び入力兼出力端子（８）
に戻る。
から入射した電磁波は、共振時には、フエリ磁性体薄膜
（６）の静磁波に結合し、再びマイクロストリツプ線路
（９）を伝搬する電磁波に結合した後、入力兼出力端子
（８）に接続される外部回路に伝搬して行く。一方、非
共振時には電磁波は静磁波に結合することなく直接、短
絡用導体（５）で反射され、再び入力兼出力端子（８）
に戻る。
第２図は第１図のｙ−ｚ面での断面図で、マイクロス
トリツプ線路（９）の高周波磁界は破線で示すように、
ストリツプ導体（３）と地導体（２）との間で、かつ、
ストリツプ導体（３）近傍において最も密に分布する。
ストリツプ導体（３）をフエリ磁性体薄膜（６）の表面
に形成しているので、フエリ磁性体薄膜（６）は、上記
の最も密に分布する高周波磁界の存在領域に配置される
ことになる。これにより、電磁波と静磁波との結合量は
従来に比較し大きくなる。
トリツプ線路（９）の高周波磁界は破線で示すように、
ストリツプ導体（３）と地導体（２）との間で、かつ、
ストリツプ導体（３）近傍において最も密に分布する。
ストリツプ導体（３）をフエリ磁性体薄膜（６）の表面
に形成しているので、フエリ磁性体薄膜（６）は、上記
の最も密に分布する高周波磁界の存在領域に配置される
ことになる。これにより、電磁波と静磁波との結合量は
従来に比較し大きくなる。
また、フエリ磁性体薄膜（６）上に直接ストリツプ導
体（３）を配置する構成であることから、フエリ磁性体
薄膜（６）の外形を位置の基準としたエツチング加工が
可能になり、フエリ磁生態薄膜（６）上の所定の位置に
高精度でストリツプ導体（３）を配置できる。これによ
り、フエリ磁性体薄膜（６）の対称軸に対して対称にス
トリツプ導体（３）を配置すると、２次（ｎ＝２）など
の偶数次の高次モード発生を抑圧することができる。
体（３）を配置する構成であることから、フエリ磁性体
薄膜（６）の外形を位置の基準としたエツチング加工が
可能になり、フエリ磁生態薄膜（６）上の所定の位置に
高精度でストリツプ導体（３）を配置できる。これによ
り、フエリ磁性体薄膜（６）の対称軸に対して対称にス
トリツプ導体（３）を配置すると、２次（ｎ＝２）など
の偶数次の高次モード発生を抑圧することができる。
なお、上記第１の実施例ではフエリ磁性体薄膜（６）
にストリツプ導体（３）を密着したものを示したが、結
合量の最適化を図るため、第３図に示す第２の実施例の
ように、フエリ磁性体薄膜（６）表面に誘電体層（10）
を形成し、該誘電体層（10）の表面にストリツプ導体
（３）を密着してマイクロストリツプ線路（11）を形成
してもよい。
にストリツプ導体（３）を密着したものを示したが、結
合量の最適化を図るため、第３図に示す第２の実施例の
ように、フエリ磁性体薄膜（６）表面に誘電体層（10）
を形成し、該誘電体層（10）の表面にストリツプ導体
（３）を密着してマイクロストリツプ線路（11）を形成
してもよい。
また、上記第１及び第２の実施例ではストリツプ導体
（３）が１本のものを示したが、偶数次の高次モード共
振以外に、３次（ｎ＝３）の高次モード共振などを抑制
するため第４図に示す第３の実施例のように３本など複
数のストリツプ導体（３）を用いてもよい。
（３）が１本のものを示したが、偶数次の高次モード共
振以外に、３次（ｎ＝３）の高次モード共振などを抑制
するため第４図に示す第３の実施例のように３本など複
数のストリツプ導体（３）を用いてもよい。
更に、第５図に示す第４の実施例はストリツプ導体は
１本であるが、フエリ磁性体薄膜（６）、同薄膜用誘電
体基板（７）及び地導体（２）に円形のものを用いた例
である。
１本であるが、フエリ磁性体薄膜（６）、同薄膜用誘電
体基板（７）及び地導体（２）に円形のものを用いた例
である。
以上のように、この発明によれば、誘電体基板と、該
誘電体基板の上に直接形成された左右対称形状のフェリ
磁性体薄膜と、該フェリ磁性体薄膜の上に形成された誘
電体層と、該誘電体層の上に上記フェリ磁性体薄膜の対
称軸に対して左右対称に密着形成された単一のストリツ
プ導体と、上記誘電体基板の裏面上に密着形成された地
導体とにより構成されたマイクロストリツプ線路と、上
記誘電体基体および上記フェリ磁性体薄膜ならびに上記
誘電体層の側面に形成され上記ストリップ導体と上記地
導体とを接続する短絡用導体と、上記フェリ磁性体薄膜
に磁界を印加する磁界印加手段とを備えるようにしたの
で、広い周波数帯域にわたり、マイクロストリップ線路
を伝搬する電磁波とフェリ磁性体薄膜で共振する静磁波
との結合を強くでき、高次の共振モードの発生量を小さ
くすることができるフェリ磁性体薄膜共振器を得られる
とともに、フェリ磁性体薄膜の外形を位置の基準として
エッチング加工が可能となり、フェリ磁性体薄膜上の所
定の位置に高精度でストリップ導体を配置できるフェリ
磁性体薄膜共振器を得ることができる効果がある。
誘電体基板の上に直接形成された左右対称形状のフェリ
磁性体薄膜と、該フェリ磁性体薄膜の上に形成された誘
電体層と、該誘電体層の上に上記フェリ磁性体薄膜の対
称軸に対して左右対称に密着形成された単一のストリツ
プ導体と、上記誘電体基板の裏面上に密着形成された地
導体とにより構成されたマイクロストリツプ線路と、上
記誘電体基体および上記フェリ磁性体薄膜ならびに上記
誘電体層の側面に形成され上記ストリップ導体と上記地
導体とを接続する短絡用導体と、上記フェリ磁性体薄膜
に磁界を印加する磁界印加手段とを備えるようにしたの
で、広い周波数帯域にわたり、マイクロストリップ線路
を伝搬する電磁波とフェリ磁性体薄膜で共振する静磁波
との結合を強くでき、高次の共振モードの発生量を小さ
くすることができるフェリ磁性体薄膜共振器を得られる
とともに、フェリ磁性体薄膜の外形を位置の基準として
エッチング加工が可能となり、フェリ磁性体薄膜上の所
定の位置に高精度でストリップ導体を配置できるフェリ
磁性体薄膜共振器を得ることができる効果がある。
第１図はこの発明の第１の実施例によるフエリ磁性体薄
膜共振器を示す斜視図、第２図は第１図に示す実施例の
断面図（但し、図示の都合で断面ハツチングを省略）、
第３図，第４図及び第５図はそれぞれこの発明の第2,第
３及び第４の実施例を示す斜視図、第６図は従来のフエ
リ磁性体薄膜共振器を示す斜視図、第７図は第６図に示
す従来例の断面図、第８図はフエリ磁性体薄膜内の静磁
波の共振モードを示す図、第９図はフエリ磁性体薄膜共
振器を応用した発振器の構成図である。 図において、（２）は地導体、（３）はストリツプ導
体、（５）は短絡用導体、（６）はフエリ磁性体薄膜、
（７）はフエリ磁性体薄膜用誘電体基板、（８）は入力
兼出力端子、（９）はマイクロスリツプ線路、（10）は
誘電体層、（11）はマイクロストリツプ線路。 なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
膜共振器を示す斜視図、第２図は第１図に示す実施例の
断面図（但し、図示の都合で断面ハツチングを省略）、
第３図，第４図及び第５図はそれぞれこの発明の第2,第
３及び第４の実施例を示す斜視図、第６図は従来のフエ
リ磁性体薄膜共振器を示す斜視図、第７図は第６図に示
す従来例の断面図、第８図はフエリ磁性体薄膜内の静磁
波の共振モードを示す図、第９図はフエリ磁性体薄膜共
振器を応用した発振器の構成図である。 図において、（２）は地導体、（３）はストリツプ導
体、（５）は短絡用導体、（６）はフエリ磁性体薄膜、
（７）はフエリ磁性体薄膜用誘電体基板、（８）は入力
兼出力端子、（９）はマイクロスリツプ線路、（10）は
誘電体層、（11）はマイクロストリツプ線路。 なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−228802（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−224702（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−65502（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−64802（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】誘電体基板と、該誘電体基板の上に直接形
成された左右対称形状のフェリ磁性体薄膜と、該フェリ
磁性体薄膜の上に形成された誘電体層と、該誘電体層の
上に上記フェリ磁性体薄膜の対称軸に対して左右対称に
密着形成された単一のストリップ導体と、上記誘電体基
板の裏面上に密着形成された地導体とにより構成された
マイクロストリップ線路と、 上記誘電体基板および上記フェリ磁性体薄膜ならびに上
記誘電体層の側面に形成され上記ストリップ導体と上記
地導体とを接続する短絡用導体と、 上記フェリ磁性体薄膜に磁界を印加する磁界印加手段と
を備えたことを特徴とするフェリ磁性体薄膜共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290254A JPH0812966B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | フエリ磁性体薄膜共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290254A JPH0812966B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | フエリ磁性体薄膜共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01130602A JPH01130602A (ja) | 1989-05-23 |
| JPH0812966B2 true JPH0812966B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=17753753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62290254A Expired - Fee Related JPH0812966B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | フエリ磁性体薄膜共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812966B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0310414A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-18 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4395686A (en) * | 1981-10-02 | 1983-07-26 | Westinghouse Electric Corp. | Attenuation of higher order width modes in magnetostatic wave devices |
| JPS6165502A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-04 | Sony Corp | 強磁性薄膜フイルタ |
| JPS61224702A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Sony Corp | 強磁性共鳴装置 |
| JP2523600B2 (ja) * | 1987-03-18 | 1996-08-14 | 株式会社日立製作所 | 静磁波発振回路 |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP62290254A patent/JPH0812966B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01130602A (ja) | 1989-05-23 |
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