JPS6141129Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、浮上面をイオンエツチング加工した
高性能の磁気ヘツドに関するものである。

従来例の磁気ヘツドとして例えば第１図に示す
ようなモノリシツク形が知られている。同図に於
いて、１はスライダ浮上面幅、２はコアトラツク
幅、３はＵコア部、４はギヤツプ部である。しか
し、スライダ浮上面幅１及びコアトラツク幅２は
研削で形成する為、精度を高くすることが困難で
製造歩留りが低い欠点があつた。また、加工時の
強度的理由により20μｍ程度以下の幅に加工を行
うことは著しく困難で、狭トラツク幅を得ること
ができない欠点があつた。

本考案者らはこれらの欠点を改善し、加工精度
を高め、歩留りを良くし、また、狭トラツク幅を
得ることを目的としてイオンエツチングにより浮
上面及びトラツク幅の加工を行う磁気ヘツドの製
造方法を提案した。（特開昭51−114111号公報参
照。）第２図はこの方法で作られた磁気ヘツドを
示す。また、本考案者らは特開昭51−114111号公
報の発明を更に改良し、磁気ヘツドの浮上量を低
下させるための溝をイオンエツチング部に形成す
る磁気ヘツドの製造方法を提案した。（特開昭53
−37406号公報参照。）第３図はこの方法で作られ
た磁気ヘツドを示し、第２図，第３図において第
１図と同一符号は同一の名称部分である。

機械加工ヘツドにおいては、スライダ部とＵコ
ア部を融着した後、機械的研削によつて第１図に
示す如き形状に加工するが、通常トラツク幅は30
μｍ以上、Ｕコア部の最大幅は500μｍ程度と幅
が広いので、動作領域（センターレール）の両側
にギヤツプを生じないよう構成できる。一方第２
図及び第３図に示すイオンエツチングヘツドにお
いてはスライダ部とＵコア部を融着し、その表面
に必要なマスキングを行い、イオンエツチングに
よつてトラツク幅と浮上面の加工を行うのである
が、Ｕコア部材はマスク合せの精度上、トラツク
幅の数倍以上の幅を必要とする。従つてイオンエ
ツチングヘツドにおけるＵコア部はスライダ部の
浮上面と同一平面を必ず有し、動作領域の両側の
その部分に必ずギヤツプ部を生ずることになる。

イオンエツチングヘツドは、上述したように機
械加工ヘツドの欠点を改善し、加工精度を高め、
歩留りを良くし、数μｍ以下の狭トラツク幅を可
能にしたものであるが、動作領域のギヤツプ部の
ために次のような欠点を生ずる。すなわち、第３
図の丸印部分を拡大した第４図に示すように、イ
オンエツチングされた部分のギヤツプ部４ａを通
過する漏洩磁束５が存在することにより、従来の
機械加工ヘツドに比較してインダクタンスが大き
いと云う欠点があり、また、被イオンエツチング
部分に於けるギヤツプ部４ａにより、記録媒体上
に信号が記録或は再生されてそれがノイズとなる
と共に、実際の動作領域のギヤツプ部４を通過す
る磁束が低減することにより、それを防止するに
はイオンエツチング量を少なくとも４μｍ以上と
しなければならず、加工コストが嵩むと云う欠点
があつた。

本考案は、イオンエツチングヘツドの前述の如
き欠点を改善したもので、その目的は簡単な構成
により、被イオンエツチング部分のギヤツプ部の
影響を除くことにある。以下実施例について詳細
に説明する。

第５図は本考案の実施例の説明用斜視図であ
り、１１はスライダ浮上面幅、１２はコアトラツ
ク幅、１３はＵコア部、１４はギヤツプ部、１５
は被イオンエツチング部分の幅、１６は浮上量低
減用の溝である。

第６図は第５図の丸印内の拡大図を示し、動作
領域のギヤツプ部１４の両側の被イオンエツチン
グ部分の鎖線で示すギヤツプ部１４ａに溝１７を
形成したものである。従つて第４図について説明
したような漏洩磁束が著しく低減されることにな
り、それによつてインダクタンスが小さくなると
共にノイズも減少し、第２図〜第４図について説
明したイオンエツチング加工ヘツドに比較して、
イオンエツチング量を少なくしても、高精度且つ
高感度の磁気ヘツドを提供することができること
になる。

第７図は本考案の実施例をａ、従来例のイオン
エツチング加工ヘツドをｂ、従来例の機械加工ヘ
ツドをｃとした特性の比較図であり、本考案の実
施例ａのイオンエツチング量は２μｍ、ギヤツプ
部１４ａの溝１７の幅及び深さはそれぞれ10μｍ
でこの溝１７はレーザ加工により形成した。ま
た、従来例のイオンエツチング加工ヘツドｂはイ
オンエツチング量を本考案の実施例ａの２倍の４
μｍとした。又インダクタンスＬは20ターンで
0.5MHzに於ける値（μＨ）を示し、再生出力E₀
は、33.6m／secの速度に於ける尖頭値（mV_pp）
を示す。又クロストークＣ〔dB〕はトラツク幅
相当分オフトラツクした場合の出力減衰比を示
す。

この第７図に示すように、本考案の実施例ａ
は、従来例のイオンエツチング加工ヘツドｂに比
較してインダクタンスＬは約21％小さくなつてい
る。但し機械加工ヘツドｃに比較して大きいが、
これは溝１７の深さや長さ等を制御することによ
り、更にインダクタンスの低減を図ることができ
るもので、機械加工ヘツドｃに対して同等程度の
インダクタンスとすることも可能である。また、
本考案の実施例ａの再生出力E₀は機械加工ヘツ
ドｃよりもむしろ高くなつており、磁束効率は従
来のイオンエツチング加工ヘツドと少なくとも同
等以上である。

また、クロクトークＣは、本考案の実施例ａで
は機械加工ヘツドｃと同等以上であり、従来のイ
オンエツチング加工ヘツドｂよりも約13dB改善
されている。

また、前歴量Ｏ／Ｗ〔dB〕について、機械加
工ヘツドｃと同等以上で、従来のイオンエツチン
グ加工ヘツドｂより優れている。

以上説明したように、本考案は、被イオンエツ
チング部分のギヤツプ部１４ａに簡単な加工によ
りそのギヤツプ部１４ａより大きい溝１７を形成
したことによつて、ギヤツプ部１４ａを通る磁束
を減少させることができ、それによつてインダク
タンスの低減並びにＳ／Ｎの向上を図ることがで
きる。従つて、従来のイオンエツチング加工ヘツ
ドに比較して、イオンエツチング量を少なくして
も、それと同等以上の特性を得ることができ、更
にイオンエツチング量を従来のイオンエツチング
ヘツドと同程度にすれば、磁気ヘツドの特性を大
幅に向上することができることになる。

すなわち、本考案の簡単な構成により、従来の
イオンエツチングヘツドの長所である高精度，高
歩留り，狭トラツク幅化を生かしながら諸特性を
改善し、再生出力，クロストーク，前歴量におい
ては機械加工ヘツドをも上廻り、インダクタンス
も機械加工ヘツドと同等程度のものを得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のモノリシツク形の磁気ヘツドの
斜視図、第２図は従来のイオンエツチング加工ヘ
ツドの斜視図、第３図は従来の浮上量低減用溝を
形成したイオンエツチング加工の斜視図、第４図
は第３図の丸印の部分の拡大図、第５図は本考案
の実施例の斜視図、第６図は第５図の丸印の部分
の拡大図、第７図は性能比較図である。 １１はスライダ浮上面幅、１２はコアトラツク
幅、１３はＵコア部、１４，１４ａはギヤツプ
部、１５は被イオンエツチング部分の幅、１６は
浮上量低減用溝、１７は被イオンエツチング部分
のギヤツプ部に形成した溝である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 浮上の機能を発生せしむるスライダ部と、記録
   再生のための巻線を施すためのＵ形コア部と、該
   スライダ部と該Ｕ形コア部をガラス材などを介し
   て密着してなる記録再生ギヤツプ部を有し、か
   つ、浮上面およびセンターレール以外の部位をイ
   オンエツチング加工によつて一定深さ除去されて
   形成された磁気ヘツドにおいて、前記センターレ
   ールの両側の一定深さ除去されたる部位に残存せ
   るギヤツプ部に、該ギヤツプ部より大きい溝を形
   成したことを特徴とする磁気ヘツド。