JPS6138615B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6138615B2
JPS6138615B2 JP2309678A JP2309678A JPS6138615B2 JP S6138615 B2 JPS6138615 B2 JP S6138615B2 JP 2309678 A JP2309678 A JP 2309678A JP 2309678 A JP2309678 A JP 2309678A JP S6138615 B2 JPS6138615 B2 JP S6138615B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat pipe
semiconductor element
output
output transistor
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP2309678A
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English (en)
Other versions
JPS54116178A (en
Inventor
Hirokatsu Ogawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2309678A priority Critical patent/JPS54116178A/ja
Publication of JPS54116178A publication Critical patent/JPS54116178A/ja
Publication of JPS6138615B2 publication Critical patent/JPS6138615B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は種々の電子機器の出力トランジスタ等
の半導体素子の発熱に依る破壊を防止する様にし
た半導体素子の保護装置に関し、特に冷却効率の
良いヒートパイプを良好に使用できる様にしたも
である。
従来種々の電子機器の出力トランジスタ等の発
熱に依る破壊を防止する保護装置として熱伝導の
良いアルミニウム、銅等の押出し材又は板材を加
工したものが利用されているが、現在、この熱伝
導の良いアルミニウム、銅等の押出し材又は板材
よりも冷却効率の良いヒートパイプが開発されて
いる。
本発明は斯る冷却効率の良いヒートパイプをこ
の出力トランジスタ等の半導体素子の熱破壊保護
装置として良好に使用し得る様にしたものであ
る。
以下図面を参照しながら本発明半導体素子の保
護装置の一実施例につき説明しよう。
第1図はヒートパイプ1の一側に熱伝導率の良
い電気的絶縁体よりなるブロツク2を介して例え
ばステレオ装置の出力トランジスタ3を固定した
ものを示す。このヒートパイプ1としては例えば
第1図に示す如く、銅より成る密閉した管1a内
にその管1aの壁に作動液例えば水の浸み込んだ
ウイツク1bを内張したもので、このウイツク1
bは毛細管現象を利用したポンプの働きをし、こ
の管1aの一側に加わる熱により作動液が蒸発し
て管1a内を動いて行き、温度に低いこの管1a
の他側で凝縮して液体に戻り、この作動液がウイ
ツク1bの毛細管現象によつて熱源即ち管1aの
一側へ還流し、略等温の蒸発凝縮プロセスを通じ
て例えば出力トランジスタ3より発生した熱が連
続的にこの管1a他側に運ばれ放熱されるもので
ある。第1図に於いて1cは放熱フインである。
斯るヒートパイプ1は冷却効率は極めて良いの
であるが、上述の如く作動液を使用しているの
で、このヒートパイプ1の出力トランジスタ3の
固定側即ち一側が水平方向に対して冗側に所定角
例えだ10度以上傾いたときは、この作動液のウイ
ツク1bの毛細管現象による還流が悪く又はしな
くなり冷却効率が劣化し、例えば出力トランジス
タ3を破壊する懼れがある。
そこで本例に於いては以下述べる如く構成す
る。
即ち第1図に示す如く例えばステレオ装置の出
力トランジスタ3を一側に固定したヒートパイプ
1を第2図に示す如くステレオ装置の筐体4内に
配する場合、筐体4の正面→背面方向に底面に平
行に配すると共にヒートパイプ1の出力トランジ
スタ3を固定した一側がこの背面側に、ヒートパ
イプ1の他側が正面側となる如く配する。第2図
に於いて4aは筐体4の正面に配された操作摘子
である。
本発明に於いては例えばこの筐体4内にこのヒ
ートパイプ1の出力トランジスタ3の固定側が上
側となり且つ水平方向に対し所定角例えば10度以
上傾いたときを検出する検出手段を設ける。本例
に於いては上端を支点とし下端を重心として振子
動作をする作動杆5を設け、この作動杆5の下端
に対向してマイクロスイツチ6を設け、この筐体
4の背面側が正面側に対して持ち上り、この背面
側が正面側に対して10度以上持ち上つたときこの
作動杆5の下端によりこのマイクロスイツチ6を
オフする如くする。このマイクロスイツチ6は例
えば第3図に示す如く回路位置に挿入する。即ち
第3図に於いて3a及び3bは夫々出力トランジ
スタを構成するnpn形トランジスタ及びpnp形ト
ランジスタを示し、このトランジスタ3aのエミ
ツタを2個の抵抗器7a及び7bの直列回路を介
してトランジスタ3bのエミツタに接続し、この
抵抗器7a及び7bの接続点即ち出力端をマイク
ロスイツチ6が構成する接続スイツチ及び負荷例
えばスピーカ8を介して接地する、即ちこの筐体
4が傾いてマイクロスイツチ6をオフとしたとき
出力トランジスタ3a,3bが不動作となる如く
する。
本発明は上述の如く構成されているので通常時
はマイクロスイツチ6はオンとされ通常のステレ
オ装置と同様に動作すると共にヒートパイプ1に
より出力トランジスタ3を冷却しているので、こ
の出力トランジスタ3が発熱により破壊すること
がない。又ヒートパイプ1の出力トランジスタ3
の固定側が上側となり且つ水平方向に対し所定角
例えば10度以上傾いたときは検出手段を構成する
作動杆5の下端によりマイクロスイツチ6をフと
し、出力増巾器の出力端より負荷8を切り離し出
力を遮断しているので、この出力トランジスタ3
は不動作となり、この出力トランジスタ3より発
熱することがなく、このヒートパイプ1が良好に
動作しない場合にも、発熱により出力トランジス
タ3を破壊することがない。
以上述べた如く本発明に依れば冷却効率の良い
ヒートパイプ1を出力トランジスタ等の半導体素
子の熱破壊保護装置として良好に使用することが
できる。
尚上述実施例に於いてはステレオ装置の出力ト
ランジスタ3を保護する例につき述べたが同様に
してその他の半導体素子を保護する様にしても良
いことは勿論である。又上述例では作動杆5及び
マイクロスイツチ6によりヒートパイプ1の半導
体素子3の固定側が上側となり且つ水平方向に対
し所定角傾いたときを検出する検出手段を構成し
たが、この検出手段としてその他の構成が取り得
ることは勿論である。又上述例では検出手段によ
り半導体素子3の出力を遮断する例につき述べた
がこの検出手段により半導体素子3の出力レベル
を低下する様にしたり、この半導体素子3の入力
信号を遮断する様にしたり、又この半導体素子3
の電源を遮断する様にしても上述同様の作用効果
が得られることは容易に理解できよう。
又本発明は上述実施例に限らず本発の明要旨を
逸脱することなく他種々の構成が取り得ることは
勿論である。
【図面の簡単な説明】
第1図はヒートパイプの例を示す断面図、第2
図は本発明半導体素子の保護装置の一実施例を示
す略線的構成図、第3図は本発明の説明に供する
線図である。 1はヒートパイプ、3は出力トランジスタ、4
は筐体、5は作動杆、6はマイクロスイツチ、8
は負荷である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 半導体素子をヒートパイプの一側に固定し、
    上記ヒートパイプの半導体素子固定側が上側とな
    り且つ水平方向に対し所定角傾いたときその状態
    を検出する傾斜検出手段を設け、該傾斜検出手段
    により上記半導体素子の出力を低下、又は出力を
    遮断、又は上記半導体素子の入力信号を遮断、又
    は上記半導体素子に対する電源を遮断する様にし
    たことを特徴とする半導体素子の保護装置。
JP2309678A 1978-03-01 1978-03-01 Protective unit for semiconductor element Granted JPS54116178A (en)

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JP2309678A JPS54116178A (en) 1978-03-01 1978-03-01 Protective unit for semiconductor element

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JP2309678A JPS54116178A (en) 1978-03-01 1978-03-01 Protective unit for semiconductor element

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JPS54116178A JPS54116178A (en) 1979-09-10
JPS6138615B2 true JPS6138615B2 (ja) 1986-08-30

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