JPS6137981A - レ−ザ併用ケミカルエツチング装置 - Google Patents

レ−ザ併用ケミカルエツチング装置

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Publication number
JPS6137981A
JPS6137981A JP15861184A JP15861184A JPS6137981A JP S6137981 A JPS6137981 A JP S6137981A JP 15861184 A JP15861184 A JP 15861184A JP 15861184 A JP15861184 A JP 15861184A JP S6137981 A JPS6137981 A JP S6137981A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
etching
lens
chemical etching
laser light
Prior art date
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Pending
Application number
JP15861184A
Other languages
English (en)
Inventor
Noboru Morita
昇 森田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP15861184A priority Critical patent/JPS6137981A/ja
Publication of JPS6137981A publication Critical patent/JPS6137981A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はレーザ併用ケミカルエツチング装置ニ関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
近年、シリコンやセラミック等の材料を水酸化カリニウ
ム溶液等の溶液に浸漬してエツチングする際、レーザ光
を浸漬中の上記材料のエツチング加工部分に集束照射し
てエツチング加工の加工速度を高める技術が各方面より
紹介されている。上記の加工においては、第４図に示す
ようにレーザ光（Ｉ４１を集光する集光レンズ（１）は
加工物（２）を浸漬しているエツチング液（３）の液面
（４）より上方に設置されている。
このような構成では第５図に示すように集光レンズ（１
）によって集光される集束ビーム（５）は大気中（屈折
率ル、）ではほぼ集光レンズ（１）の焦点位置に相当す
る集光点（Ｐｌ）に集光するが、エツチング液（３）（
屈折率ｒＬ、）に対して所定の入射角（θ１）で入射す
る際、角度（θ−で屈折し、エツチング液中における集
光位置は集光点（Ｐｌ）の前方（すなわち、液面（４）
から遠い位置）・・・・・・挿入となり、加工物（２）
への集束性が悪化する。また、エツチング液の液面（４
）でレーザ光（Ｌ）の一部が反射して散乱してしまう現
象も生じる。したがって第４図から明らかなように、エ
ツチング液中における集束ビーム（６）の光束が拡大し
液中を伝播する際にエツチング液（３）に吸収されるこ
ととを併せて、加工物（２）上に到達するまでのエネル
ギの損失は著しく大きくなり、ビーム強度が小さくなっ
てしまう結果、加工速度が大幅に低下してしまう問題が
めった。
〔発明の目的〕
本発明はエツチング液の液面におけるレーザ光の反射・
屈折・散乱の影響を緩和し、適正な集光性をもってエツ
チング加工を行うレーザ併用エツチング装置を提供する
ことを目的とする。
〔発明の概要〕
レーザ光を集光する集光し／イをその下面側がエツチン
グ液と接触する位置となる箇所に設置した構成により、
集光レンズとエツチング液との空間部による種々の不具
合を解消したものである。
〔発明の実施例〕
第１図は本発明の一実施例で、前述の第３図および第４
図と共通する部分には同一符号を付して説明する。
集光レンズ（１）はレンズホルダ（６）に内設されてい
て、その下面全面がエツチング液（３）の液面（４）に
接触する位置に配設されている。
上記のようシて構成することにより、集光レンズ（１）
と液面（４）との空間部は排除される。したがって、第
２図に示すように集光レンズ（１）を通過した集束ビー
ム（７）は第４図で示したと同じ集光点（Ｐ、　）より
後方、すなわち液面（４）側に近い位置の集光点（Ｐ、
）に集光する。なお、周知のように上記において、集光
レンズ（１）における屈折角をθ５．液中における屈折
角を０番とし、また、集光レンズ（１）およびエツチン
グ液（２）の屈折率をル、および−とすればｇｉｎθＨ
／Ｓ　ｌ　ｎθ４　＝＝　ｎ２　／ｎｓ　（ただし”＊
　＜’ｓ　）　ｆｘ　ル関係がある。
〔発明の効果〕
集光レンズとエツチング液の液面との間の空間が存在し
なくなったことにより、液面においてはレーザ光の反射
・散乱が極めて小さくなり、エツチング液中においては
レーザ光の集束光束が縮小するため、集束性の向上と、
エツチング液へのエネルギ吸収も減小した。これらの効
果の相乗により、エツチング加工速度が大幅に向上した
。
々お、実施例では集光レンズの位置をその下面全面がエ
ツチング液に接触させる位置に設けたが、第３図に示す
ように、集光レンズを通過する部分のレーザ光束の）と
同等以上の面積がエツチング液に接触する箇所に設置す
ることでも、上記実施例と同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す要部構成図、第２図は
上記実施例の作用を説明する図面、第３図は本発明の他
の実施例を示す要部構成図、第４図は従来例を示す構成
図、第５図は上記従来例の作用を説明する図面である。 （１）・・・集光レンズ、（２）・・・エツチング液。 （３）・・加工物、（４）・・・液面。 代理人　弁理士　則　近　憲　佑 （ほか１名） 才　ｌ　口 才３図 太２区 才４図 才５図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）エッチング液中に定置された被加工物の表面に集
    光レンズで集光したレーザ光を照射して行うレーザ併用
    ケミカルエッチング装置において、上記集光レンズは上
    記レーザ光の通過側になる下面側が、上記エッチング液
    に接触する位置に配置されたことを特徴とするレーザ併
    用ケミカルエッチング装置。
  2. （２）接触する位置はエッチング液に接触する部分の集
    光レンズの面積が集光レンズにおけるレーザ光通過部分
    のレーザ光断面面積と同等以上になる箇所になることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレーザ併用ケミ
    カルエッチング装置。
JP15861184A 1984-07-31 1984-07-31 レ−ザ併用ケミカルエツチング装置 Pending JPS6137981A (ja)

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JP (1) JPS6137981A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6136210A (en) * 1998-11-02 2000-10-24 Xerox Corporation Photoetching of acoustic lenses for acoustic ink printing
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US9452495B1 (en) * 2011-07-08 2016-09-27 Sixpoint Materials, Inc. Laser slicer of crystal ingots and a method of slicing gallium nitride ingots using a laser slicer

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