JPS6137782B2 - - Google Patents
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- JPS6137782B2 JPS6137782B2 JP12934585A JP12934585A JPS6137782B2 JP S6137782 B2 JPS6137782 B2 JP S6137782B2 JP 12934585 A JP12934585 A JP 12934585A JP 12934585 A JP12934585 A JP 12934585A JP S6137782 B2 JPS6137782 B2 JP S6137782B2
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法にかかり、特
に半導体集積回路装置における半導体基板上の配
線路の形成方法に関する。
に半導体集積回路装置における半導体基板上の配
線路の形成方法に関する。
従来の半導体集積回路装置における配線は所定
の回路素子が半導体基板の一主平面上に形成さ
れ、この主平面上に覆われた絶縁層上にアルミニ
ウム等の金属層や、シリコン等の半導体層を蒸着
法、スパツタリング法、あるいは気相成長法等に
よつて形成し、しかる後写真蝕刻法等で配線路と
なるべき部分の金属層あるいは半導体層のみを残
し他の部分の金属層あるいは半導体層を除去する
ことにより配線を形成していた。必要に応じて上
記半導体装置の表面が直接外気に触れるのを避け
る為、外部電極の取り出し部分を除いて全面に絶
縁物層を更に被覆していた。
の回路素子が半導体基板の一主平面上に形成さ
れ、この主平面上に覆われた絶縁層上にアルミニ
ウム等の金属層や、シリコン等の半導体層を蒸着
法、スパツタリング法、あるいは気相成長法等に
よつて形成し、しかる後写真蝕刻法等で配線路と
なるべき部分の金属層あるいは半導体層のみを残
し他の部分の金属層あるいは半導体層を除去する
ことにより配線を形成していた。必要に応じて上
記半導体装置の表面が直接外気に触れるのを避け
る為、外部電極の取り出し部分を除いて全面に絶
縁物層を更に被覆していた。
この従来の半導体装置の配線では、少くとも配
線路を形成してから絶縁物層を被覆するまでの製
造工程に於いて配線路の側面が露出しており、さ
らに装置完成後も配線路上を被覆する絶縁物層を
有しないものは勿論のこと、配線路上に絶縁物層
を有するものでも完全に強固で緻密な絶縁物層が
得難い為、この配線路の側面から汚れが侵入し、
半導体基板内の素子の安定性を損ね半導体集積回
路装置の信頼性を低下させていた。又、所定の不
純物領域にコンタクトさせるのに困難な場合もあ
つた。
線路を形成してから絶縁物層を被覆するまでの製
造工程に於いて配線路の側面が露出しており、さ
らに装置完成後も配線路上を被覆する絶縁物層を
有しないものは勿論のこと、配線路上に絶縁物層
を有するものでも完全に強固で緻密な絶縁物層が
得難い為、この配線路の側面から汚れが侵入し、
半導体基板内の素子の安定性を損ね半導体集積回
路装置の信頼性を低下させていた。又、所定の不
純物領域にコンタクトさせるのに困難な場合もあ
つた。
この発明の目的は、半導体基板内のある導電型
を有する領域と配線路とのオーミツクな接触を、
たとえ該配線路の一部が接触すべき領域から外れ
ても良好に行なうことが出来、かつ半導体装置の
製造工程に於いて、あるいは装置完成後の外部か
らの汚れが侵入し難く、安定かつ信頼性の高い半
導体装置の製造方法を提供することにある。
を有する領域と配線路とのオーミツクな接触を、
たとえ該配線路の一部が接触すべき領域から外れ
ても良好に行なうことが出来、かつ半導体装置の
製造工程に於いて、あるいは装置完成後の外部か
らの汚れが侵入し難く、安定かつ信頼性の高い半
導体装置の製造方法を提供することにある。
この発明の特徴は、半導体基板に設けられた不
純物領域に接続せる半導体層がこの半導体基板上
に設けられた絶縁層上を延在し、その半導体層は
絶縁層上でPN接合によつて分離されて配線路で
あつて、かつ半導体基板内のある導電型を有する
領域と配線路とのオーミツクな接触を取る場合、
半導体層内に配線路を決定するために添加する不
純物の導電型を上記領域の導電型と同一型に選ぶ
ことにより、配線路を通しての半導体基板内部へ
のこの不純物の添加が可能となり、上記領域と接
触する配線路の部分が一部上記領域から外れても
首尾よく上記領域と配線路とのオーミツクな接触
が取れる半導体装置の製造方法にある。これによ
り素子配置に余裕度を持たせ、又素子自体の面積
を減少させることができる。更にこの発明の半導
体装置の配線は絶縁膜を介して設けられたシリコ
ンゲート電極に接続することもできる。従つてこ
の発明によれば、より素子面積が小さくより集積
度の高い半導体装置をより大きい余裕度を持つて
実現することが可能である。
純物領域に接続せる半導体層がこの半導体基板上
に設けられた絶縁層上を延在し、その半導体層は
絶縁層上でPN接合によつて分離されて配線路で
あつて、かつ半導体基板内のある導電型を有する
領域と配線路とのオーミツクな接触を取る場合、
半導体層内に配線路を決定するために添加する不
純物の導電型を上記領域の導電型と同一型に選ぶ
ことにより、配線路を通しての半導体基板内部へ
のこの不純物の添加が可能となり、上記領域と接
触する配線路の部分が一部上記領域から外れても
首尾よく上記領域と配線路とのオーミツクな接触
が取れる半導体装置の製造方法にある。これによ
り素子配置に余裕度を持たせ、又素子自体の面積
を減少させることができる。更にこの発明の半導
体装置の配線は絶縁膜を介して設けられたシリコ
ンゲート電極に接続することもできる。従つてこ
の発明によれば、より素子面積が小さくより集積
度の高い半導体装置をより大きい余裕度を持つて
実現することが可能である。
上述の説明より解る様に、この発明は特に絶縁
ゲート型電解効果半導体装置に適用した場合に極
めて大きな効果をあげることができる。以下にい
くつかの実施例を挙げて図面を参照しながら詳し
く説明しよう。
ゲート型電解効果半導体装置に適用した場合に極
めて大きな効果をあげることができる。以下にい
くつかの実施例を挙げて図面を参照しながら詳し
く説明しよう。
実施例
Ｐチヤンネル絶縁ゲート型電界効果トランジス
タの製造を示す。Ｎ型の単結晶シリコン基板１中
のＰ型拡散領域（ソース領域２、ドレイン領域
３）（第１の不純物領域）を形成し、その上に絶
縁物層４のうすい部分が形成される。配線路との
オーミツクな接術を取るため、領域２，３上の絶
縁物層４のうすい部分中に開孔を穿つ際、この開
孔の位置が領域２，３上に正確に入つておらず、
第１図に示すように多少はみ出していても、Ｎ型
のシリコン層５中にＰ型の配線路７，９、Ｐ型の
ゲート電極８配線８を形成するための拡散を行う
時シリコン層を通して単結晶シリコン基板１中へ
Ｐ型の拡散領域（第２の不純物領域）１５，１６
が形成される。よつて領域２，３と配線路２，３
と配線路７，８，９とが同一の導電型となるよう
に選定しておけば配線路７，８，９と領域２，３
のオーミツクな接触が領域１５，１６をそれぞれ
通じて取られた。このように拡散領域と配線路の
オーミツクな接触を取るための位置決定の余裕度
が大きくなり又拡散領域の面積を必要最小限に小
さく出来るので素子の集積度は大巾に向上した。
そして上部に半導体層の熱酸化膜（二酸化シリコ
ン膜Ｎが被着される）。
タの製造を示す。Ｎ型の単結晶シリコン基板１中
のＰ型拡散領域（ソース領域２、ドレイン領域
３）（第１の不純物領域）を形成し、その上に絶
縁物層４のうすい部分が形成される。配線路との
オーミツクな接術を取るため、領域２，３上の絶
縁物層４のうすい部分中に開孔を穿つ際、この開
孔の位置が領域２，３上に正確に入つておらず、
第１図に示すように多少はみ出していても、Ｎ型
のシリコン層５中にＰ型の配線路７，９、Ｐ型の
ゲート電極８配線８を形成するための拡散を行う
時シリコン層を通して単結晶シリコン基板１中へ
Ｐ型の拡散領域（第２の不純物領域）１５，１６
が形成される。よつて領域２，３と配線路２，３
と配線路７，８，９とが同一の導電型となるよう
に選定しておけば配線路７，８，９と領域２，３
のオーミツクな接触が領域１５，１６をそれぞれ
通じて取られた。このように拡散領域と配線路の
オーミツクな接触を取るための位置決定の余裕度
が大きくなり又拡散領域の面積を必要最小限に小
さく出来るので素子の集積度は大巾に向上した。
そして上部に半導体層の熱酸化膜（二酸化シリコ
ン膜Ｎが被着される）。
この様にして作製した絶縁ゲート型電界効果半
導体装置では、配線路７，８，９はシリコン層５
の中に埋つていて配線路７，８，９の側面が露出
していない。更に配線路７，８，９上は熱酸化に
よる二酸化シリコン１０が被覆され、この熱酸化
二酸化シリコン１０は蒸着、スパツタリング、気
相成長等の方法により形成した絶縁層に比べはる
かに強固で緻密であることから、この半導体装置
は非常にすぐれた安定性及び高い信頼性を示し
た。
導体装置では、配線路７，８，９はシリコン層５
の中に埋つていて配線路７，８，９の側面が露出
していない。更に配線路７，８，９上は熱酸化に
よる二酸化シリコン１０が被覆され、この熱酸化
二酸化シリコン１０は蒸着、スパツタリング、気
相成長等の方法により形成した絶縁層に比べはる
かに強固で緻密であることから、この半導体装置
は非常にすぐれた安定性及び高い信頼性を示し
た。
上記実施例では本発明を絶縁ゲート型電界効果
トランジスタに適用したが一般に電界効果型半導
体装置、電界効果型半導体集積回路装置等のユニ
ポーラ型装置等いわゆるプレーナ型装置に対して
は何れへも適用可能である。又単結晶シリコン基
体の代りに、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半
導体材料を用いることが出来、絶縁物層４として
は熱酸化による二酸化シリコンの代りに、熱酸
化、蒸着、スパツタリング、気相成長等により形
成した一酸化シリコン、二酸化シリコン、シリコ
ン窒化物、アルミナ、リンガラス等を用いること
も出来る。さらに配線層として用いるシリコン層
５代りに他のゲルマニウヰ、ガリウム砒素等の半
導体層を、蒸着、スパツタリング、気相成長等の
方法により形成したものを用いることも出来る。
本発明の配線構造と従来の配線構造とを一つの半
導体装置内で部分的に組み合わせて用いることも
可能である。
トランジスタに適用したが一般に電界効果型半導
体装置、電界効果型半導体集積回路装置等のユニ
ポーラ型装置等いわゆるプレーナ型装置に対して
は何れへも適用可能である。又単結晶シリコン基
体の代りに、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半
導体材料を用いることが出来、絶縁物層４として
は熱酸化による二酸化シリコンの代りに、熱酸
化、蒸着、スパツタリング、気相成長等により形
成した一酸化シリコン、二酸化シリコン、シリコ
ン窒化物、アルミナ、リンガラス等を用いること
も出来る。さらに配線層として用いるシリコン層
５代りに他のゲルマニウヰ、ガリウム砒素等の半
導体層を、蒸着、スパツタリング、気相成長等の
方法により形成したものを用いることも出来る。
本発明の配線構造と従来の配線構造とを一つの半
導体装置内で部分的に組み合わせて用いることも
可能である。
第１図は本発明の実施例を示す電界効果型トラ
ンジスタの断面図である。 なお図において、１：半導体基板、２：ソース
領域、３：ドレイン領域、４：絶縁層、５：配線
用半導体層、７，８，９：配線、１０：熱酸化
物、１５，１６：拡散領域である。
ンジスタの断面図である。 なお図において、１：半導体基板、２：ソース
領域、３：ドレイン領域、４：絶縁層、５：配線
用半導体層、７，８，９：配線、１０：熱酸化
物、１５，１６：拡散領域である。
Claims (1)
- １ 半導体基板の一導電型の半導体領域に逆導電
型の不純物領域を設ける工程と、該半導体基板上
の絶縁膜上に一導電型の半導体層を設ける工程
と、該半導体層の所定部分に逆導電型の不純物を
導入してPN接合により区画された該不純物領域
に対する配線路を形成し、かつ該半導体層から逆
導電型の不純物を該絶縁膜に設けられた開孔を通
して該半導体基板に導入する工程とを有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12934585A JPS6163041A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12934585A JPS6163041A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP367481A Division JPS56158455A (en) | 1981-01-12 | 1981-01-12 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163041A JPS6163041A (ja) | 1986-04-01 |
| JPS6137782B2 true JPS6137782B2 (ja) | 1986-08-26 |
Family
ID=15007311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12934585A Granted JPS6163041A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163041A (ja) |
-
1985
- 1985-06-14 JP JP12934585A patent/JPS6163041A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6163041A (ja) | 1986-04-01 |
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