JPS6136987A - 光検出器付分布帰還形半導体レ−ザ - Google Patents
光検出器付分布帰還形半導体レ−ザInfo
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- JPS6136987A JPS6136987A JP15982284A JP15982284A JPS6136987A JP S6136987 A JPS6136987 A JP S6136987A JP 15982284 A JP15982284 A JP 15982284A JP 15982284 A JP15982284 A JP 15982284A JP S6136987 A JPS6136987 A JP S6136987A
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- semiconductor laser
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光検出器付分布帰還形手導体レーザに関う゛る
。
。
（従来技術とその問題点）
近年、光フアイバ通信を始めとして＃導体レーザの重装
性線ま寸ます高まっている。一般に半導体レーザは、牝
に周囲温度によって光出力將栢が大きく変化するために
、実際にこれを使用する場合には光出力の一部をモニタ
して適当ガンイードバックにより光出力を安定化させる
必要がある。
性線ま寸ます高まっている。一般に半導体レーザは、牝
に周囲温度によって光出力將栢が大きく変化するために
、実際にこれを使用する場合には光出力の一部をモニタ
して適当ガンイードバックにより光出力を安定化させる
必要がある。
このために通常半導体レーザにモニタ用の光検出器（以
下ＰＤという）を組合せて用いていた。したがって、半
導体レーザとＰＤが同一基板上に集積化された素子があ
れば、価格や信頼性等の点から非常に有利となる。
下ＰＤという）を組合せて用いていた。したがって、半
導体レーザとＰＤが同一基板上に集積化された素子があ
れば、価格や信頼性等の点から非常に有利となる。
従来、半導体レーザとＰＤの集積化は数多く試みられて
いたが、通常のファブリベロー形レーザを用いた場合に
平坦な端面を必要とするためその製作が極めて困難であ
った。これは、平坦なレーザ端面を形成するだめのエツ
チングが難しいためであり、これまで通常のへき開を利
用したレーザと比べて十分な豹性が得られていなかった
。
いたが、通常のファブリベロー形レーザを用いた場合に
平坦な端面を必要とするためその製作が極めて困難であ
った。これは、平坦なレーザ端面を形成するだめのエツ
チングが難しいためであり、これまで通常のへき開を利
用したレーザと比べて十分な豹性が得られていなかった
。
一方、分布帰還形半導体レーザ（以下ＤＦＢレーザとい
う）や分布反射形半導体レーザでは、原理的ｒコ平坦々
端面を磨製とし彦いために、このような集積化において
は非常に有利となる。しかし、ＤＦＢレーザとＰＤを集
秩化しようとする場合、次のような問題点が生ずる。す
なわち、ＤＦＢレーザとＰＤの１．的な絶縁を大きくと
りながら、いか罠光学的な結合効率を大きくするがとい
う問題である。
う）や分布反射形半導体レーザでは、原理的ｒコ平坦々
端面を磨製とし彦いために、このような集積化において
は非常に有利となる。しかし、ＤＦＢレーザとＰＤを集
秩化しようとする場合、次のような問題点が生ずる。す
なわち、ＤＦＢレーザとＰＤの１．的な絶縁を大きくと
りながら、いか罠光学的な結合効率を大きくするがとい
う問題である。
例えば、第５図に示したように、ＤＦＢレーザ部２０と
ＰＤ部２２の電極１０を分離しただけでは、光学的な結
合は良いが、電気的な分離はできない。それＦｉ電極の
下の半導体層がつながっているため、ＤＦＢレーザに注
入した電流が結合部２１を通してＰＤ部２２にもれてし
まうからである。
ＰＤ部２２の電極１０を分離しただけでは、光学的な結
合は良いが、電気的な分離はできない。それＦｉ電極の
下の半導体層がつながっているため、ＤＦＢレーザに注
入した電流が結合部２１を通してＰＤ部２２にもれてし
まうからである。
なお、第５図において、１はｎ形ＩｎＰ基版、２はｎ形
ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層、３はＩｎＧａＡｓＰ活性層
、４ｔｆｆ、Ｐ形ＩｎＰクラッド層、５はＰ形ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層、１５は光ガイド層に形成された回折
格子である。
ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層、３はＩｎＧａＡｓＰ活性層
、４ｔｆｆ、Ｐ形ＩｎＰクラッド層、５はＰ形ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層、１５は光ガイド層に形成された回折
格子である。
このようなりＦＢレーザとＰＤを集積化する場合の問題
点を解決する方法として、舅６図に示すような方法が提
案されている（特願昭５７−２０２６８０）。
点を解決する方法として、舅６図に示すような方法が提
案されている（特願昭５７−２０２６８０）。
この例ではＤＦＢレーザ部２０とＰＤ部２２は活性層３
および光ガイド層２まで除去された結合部２１でつなが
っている３、このため、電気的な分離は非常に良い。し
かし、光学的には、レーザ光は図中に矢印で示したよう
に結合部２１の溝部分を通してＦＤ部２２に入るか、あ
るいは基板側の電極で反射された後に入るために、レー
ザ光が広がってしまい、十分な結合効率が得られなかっ
た。
および光ガイド層２まで除去された結合部２１でつなが
っている３、このため、電気的な分離は非常に良い。し
かし、光学的には、レーザ光は図中に矢印で示したよう
に結合部２１の溝部分を通してＦＤ部２２に入るか、あ
るいは基板側の電極で反射された後に入るために、レー
ザ光が広がってしまい、十分な結合効率が得られなかっ
た。
（発明の目的）
本発明の目的は、ＤＦ１３レーザ部とＰＤ部との電気的
な分離が十分にとれ、かつ光学的な結合効率が大きく、
さらに比較的簡単な方法で製作可能なＦＤ付Ｄ Ｉ”
Ｂレーザを提供することにある。
な分離が十分にとれ、かつ光学的な結合効率が大きく、
さらに比較的簡単な方法で製作可能なＦＤ付Ｄ Ｉ”
Ｂレーザを提供することにある。
（発明の構成）
本発明の構成は、回折格子の形成された光ガイド層と活
性層とを有する分布ＮＩ還形半導体レしサおよび光検出
器を、それぞれ同一半導体基板上に集積化した光検出器
付分布帰還形半導体レーザにおいて、前記分布帰還形半
導体レーザと前記光検出器との間にこれらの光学的結合
を行う結合部を設け、この結合部は電極と前記活性層あ
るいをよ前記光ガイド層の上の半導体層を除去した構成
をとり、かつ前記結合部の活性層と前記分布帰還形半導
体レーザの発光領域とがほぼ同じ幅を有することを特徴
とする。
性層とを有する分布ＮＩ還形半導体レしサおよび光検出
器を、それぞれ同一半導体基板上に集積化した光検出器
付分布帰還形半導体レーザにおいて、前記分布帰還形半
導体レーザと前記光検出器との間にこれらの光学的結合
を行う結合部を設け、この結合部は電極と前記活性層あ
るいをよ前記光ガイド層の上の半導体層を除去した構成
をとり、かつ前記結合部の活性層と前記分布帰還形半導
体レーザの発光領域とがほぼ同じ幅を有することを特徴
とする。
（実施例）
次に本発明を図面により詳細に説明する。
第１図（ａ）、［有］）は本発明の実施例の基本構造を
示したＤＦＢレーザの発光領域に沿った断面図′ｔＳよ
びその平面図である。本実施例の番号で従来例と同一の
ものは同−構成賃素を示す。本実施例の従来例と異なる
点１ユ、結合部２１の４８導体層が活性層３の上まで除
去されていることと、結合部２１の活性層３と光ガイド
層２とＶｉＤＦＢレーザ部２０の発光領域２５とほぼ同
じ幅を有することである。
示したＤＦＢレーザの発光領域に沿った断面図′ｔＳよ
びその平面図である。本実施例の番号で従来例と同一の
ものは同−構成賃素を示す。本実施例の従来例と異なる
点１ユ、結合部２１の４８導体層が活性層３の上まで除
去されていることと、結合部２１の活性層３と光ガイド
層２とＶｉＤＦＢレーザ部２０の発光領域２５とほぼ同
じ幅を有することである。
この構造におい′Ｃ，は、光ガイド層２によってＤＦＢ
レーザ部２０とＰＤ部２２とが結合しているために結合
効率が非常に良い。しかも、これらは電気的にはｐ形Ｉ
ｎ Ｐクラ、ド／ｉｉ４からオートドーピングされた、
ごく薄＜（＝Ｏ，１μｍ）かつ幅の狭い（＝２μｙｙ＋
）ｐ形の活性層３だけでつながっているため、その間の
抵抗が大きい。実際、この部分の抵抗率を０．１Ω釧、
厚さを０．１μｍ２幅を２μｍ長さを２０μｍとすると
抵抗は１００にΩとなる。
レーザ部２０とＰＤ部２２とが結合しているために結合
効率が非常に良い。しかも、これらは電気的にはｐ形Ｉ
ｎ Ｐクラ、ド／ｉｉ４からオートドーピングされた、
ごく薄＜（＝Ｏ，１μｍ）かつ幅の狭い（＝２μｙｙ＋
）ｐ形の活性層３だけでつながっているため、その間の
抵抗が大きい。実際、この部分の抵抗率を０．１Ω釧、
厚さを０．１μｍ２幅を２μｍ長さを２０μｍとすると
抵抗は１００にΩとなる。
通常レーザの駆動電圧はＩＶ程度であるから、ＰＤ部に
もれる電流は１０μＡ程度となり、１ｍＡ程度の光電流
に対して１％以下となる。以上のように、この構造は光
の結合効率を減することなく、電気的な絶縁が可能であ
り、かつ簡単なフォトリソグラフィーとエツチングによ
って製作できるという利点を有している。この構造では
結合部２１の活性／ｉｉ３を残しておいたが、活性層３
まで除去しても良い。この場合には結合効率は若干減少
するが電気的な絶縁はさらに大きくとれる。
もれる電流は１０μＡ程度となり、１ｍＡ程度の光電流
に対して１％以下となる。以上のように、この構造は光
の結合効率を減することなく、電気的な絶縁が可能であ
り、かつ簡単なフォトリソグラフィーとエツチングによ
って製作できるという利点を有している。この構造では
結合部２１の活性／ｉｉ３を残しておいたが、活性層３
まで除去しても良い。この場合には結合効率は若干減少
するが電気的な絶縁はさらに大きくとれる。
第２図、第３図は本発明の第２．第３の実施例の断面図
であり、その動作原理は同じである。第２図においては
、結合部２１およびＦＤ部２２の光ガイド層２に回折格
子１５が形成されていない場合である。この場合は第１
図の構造よりも、結合部２１における損失が小さくなり
、結合効率が良くなる。また、第３図においては、ＰＤ
部２２に活性層３よりエネルギーキャップの小さな吸収
層３０を設けた構造である。この場合は、結合効率が第
１図とほぼ同じあるが、ＰＤ部２２におけるレーザ光の
吸収が太きいため、大きな光電流がとれ、そのためＰＤ
部の長さを短くすることもできる。
であり、その動作原理は同じである。第２図においては
、結合部２１およびＦＤ部２２の光ガイド層２に回折格
子１５が形成されていない場合である。この場合は第１
図の構造よりも、結合部２１における損失が小さくなり
、結合効率が良くなる。また、第３図においては、ＰＤ
部２２に活性層３よりエネルギーキャップの小さな吸収
層３０を設けた構造である。この場合は、結合効率が第
１図とほぼ同じあるが、ＰＤ部２２におけるレーザ光の
吸収が太きいため、大きな光電流がとれ、そのためＰＤ
部の長さを短くすることもできる。
（具体例）
第４図（ａ） 、 （ｂ）は第１図の実施例の具体例を
示す斜視図およびそのＡ−Ａ’断面図である。ＤＦＢレ
ーザ部２０は、電流および光の閉じ込め方法として、二
重チャンネルプレーナ埋め込みへテロ（ＤＣ−ＰＢＨ）
構造を使用している。
示す斜視図およびそのＡ−Ａ’断面図である。ＤＦＢレ
ーザ部２０は、電流および光の閉じ込め方法として、二
重チャンネルプレーナ埋め込みへテロ（ＤＣ−ＰＢＨ）
構造を使用している。
この実施例の製作法は次の通りである。まず、Ｈｅ−Ｃ
ｄレーザを用いた三光束干渉露光法によってｎ形ＩｎＰ
基板１の上に周期２４０ｎｍの回折格子１５を形成する
。次に、１回目の液相エピタキシャル成長法によってダ
ブルへテロ構造を作る。
ｄレーザを用いた三光束干渉露光法によってｎ形ＩｎＰ
基板１の上に周期２４０ｎｍの回折格子１５を形成する
。次に、１回目の液相エピタキシャル成長法によってダ
ブルへテロ構造を作る。
すなわち、ｎ形ＩｎＱａＡｓＰ光ガイド層２（組成は発
光波長λｇが１．３ｐｍで、厚さ０．２ μｔｎ ）
、 ＩｎＱａＡｓＰ活性層３（λ、＝１．５５１１ｍ厚
さ０１μｍ）ｔｐ形ＩｎＰクラッド［４（厚さ１μｍ）
を順次成長する。次に、ＤＣ−ＰＢＨ構造を形成するが
、この構造については水戸らにより雑誌「エレクトロニ
クスｅＬｚターズＪ （Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ
、（１９８２）９５３）等に報告されているので簡単に
説明する。
光波長λｇが１．３ｐｍで、厚さ０．２ μｔｎ ）
、 ＩｎＱａＡｓＰ活性層３（λ、＝１．５５１１ｍ厚
さ０１μｍ）ｔｐ形ＩｎＰクラッド［４（厚さ１μｍ）
を順次成長する。次に、ＤＣ−ＰＢＨ構造を形成するが
、この構造については水戸らにより雑誌「エレクトロニ
クスｅＬｚターズＪ （Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ
、（１９８２）９５３）等に報告されているので簡単に
説明する。
まず、ダプレヘテロ構造のウェーハにフォトリソクラフ
ィーとエツチングにより、２本の平行な溝３１．３２で
はさまれたメサ形の発光領域３３を形成する。次に、２
回目の液相エピタキシャル成長法により、ｐ形ＩｎＰＩ
３６．ｎ形ＩｎＰＩｉＳ ７ｔ Ｉ’形ＩｎＰ層８？Ｐ
形ＩｎＧａＡｓＰ＄９ （２ｇ ＝ １．２ Ａｍ ）
を順次成長する。次に、ｐＯｉｌｌおよびｎ側の電極１
０゜１１を形成した蕾、結合部２１を形成する。この結
合部２１Ｖｉ、まずｐ ｆｉｌｌ電極１０の一部を除去
した後、Ｈ２ＳＯ，系のエツチング液によってｐ形Ｉｎ
ＧａＡｓＰ１ｉｉ９をエツチングし、つづいて、Ｈ（Ｊ
系のエツチング液でＩｎＰ層を活性Ｎ４３の上まで選択
エツチングする。次に中央のメサ領域３３の上だけを歿
して溝の両側の活性層３と光ガイド層２を選択エツチン
グする。
ィーとエツチングにより、２本の平行な溝３１．３２で
はさまれたメサ形の発光領域３３を形成する。次に、２
回目の液相エピタキシャル成長法により、ｐ形ＩｎＰＩ
３６．ｎ形ＩｎＰＩｉＳ ７ｔ Ｉ’形ＩｎＰ層８？Ｐ
形ＩｎＧａＡｓＰ＄９ （２ｇ ＝ １．２ Ａｍ ）
を順次成長する。次に、ｐＯｉｌｌおよびｎ側の電極１
０゜１１を形成した蕾、結合部２１を形成する。この結
合部２１Ｖｉ、まずｐ ｆｉｌｌ電極１０の一部を除去
した後、Ｈ２ＳＯ，系のエツチング液によってｐ形Ｉｎ
ＧａＡｓＰ１ｉｉ９をエツチングし、つづいて、Ｈ（Ｊ
系のエツチング液でＩｎＰ層を活性Ｎ４３の上まで選択
エツチングする。次に中央のメサ領域３３の上だけを歿
して溝の両側の活性層３と光ガイド層２を選択エツチン
グする。
第４図（ｂ）Ｈ第４図（ａ）の破線人Ａ’に沿った結合
部２１の断面図であり、中央のメサ領域３３だけに活性
１！ｔ３と光ガイド層２が残っていることを示している
。結合部２１の２本の溝３１，３２は、ＨＣＪ系の選択
エツチングり際にエツチングされて両側の部分より深く
なっている。この結合部２１の長さけ３０；ｔｍ、メサ
領域３３の幅は１．５μｍである。最後にＤＦＢレーザ
部２０およびＰＤ部２２の長さが、それぞれ３００μ”
＊ ２００μｍとなるようにして素子を切り出す。
部２１の断面図であり、中央のメサ領域３３だけに活性
１！ｔ３と光ガイド層２が残っていることを示している
。結合部２１の２本の溝３１，３２は、ＨＣＪ系の選択
エツチングり際にエツチングされて両側の部分より深く
なっている。この結合部２１の長さけ３０；ｔｍ、メサ
領域３３の幅は１．５μｍである。最後にＤＦＢレーザ
部２０およびＰＤ部２２の長さが、それぞれ３００μ”
＊ ２００μｍとなるようにして素子を切り出す。
この素子の特性は次の通りである。まず、結合部の抵抗
は３００〜５００にΩ、ＤＦＢレーザからのもれ電流は
５μＡ以下であった。このＤＦＢレーザはしきい値電流
が２０〜３０？ｎＡｙ前面からの光出力の外部微分量子
効率が１５〜２０％と良好な特性を示した。ＰＤの光電
流はもれ電流が小さいために、光出力と良く比例してお
り、光出力１ｍＷに対して０．９ ｍ Ａの光電流が得
られた。
は３００〜５００にΩ、ＤＦＢレーザからのもれ電流は
５μＡ以下であった。このＤＦＢレーザはしきい値電流
が２０〜３０？ｎＡｙ前面からの光出力の外部微分量子
効率が１５〜２０％と良好な特性を示した。ＰＤの光電
流はもれ電流が小さいために、光出力と良く比例してお
り、光出力１ｍＷに対して０．９ ｍ Ａの光電流が得
られた。
これは７０％以上の結合効率が得られ°Ｃいることを示
している。
している。
この実施例では、電流および光の閉じ込め方法としてＤ
Ｃ−ＰＢＨ構造の例を示したが、他のストライブ構造あ
るいは埋め込み構造でも本発明の構造が適用できること
はもちろんである。また、第２図、第３図の構造のＰＤ
付ＤＦＢレーザでも、前述の各種の電流および光の閉じ
込め方法を適用した構造が可能であることは言うまでも
ない。
Ｃ−ＰＢＨ構造の例を示したが、他のストライブ構造あ
るいは埋め込み構造でも本発明の構造が適用できること
はもちろんである。また、第２図、第３図の構造のＰＤ
付ＤＦＢレーザでも、前述の各種の電流および光の閉じ
込め方法を適用した構造が可能であることは言うまでも
ない。
（発明の効果）
本発明のモノリシックに集積化されたＰＤ付ＤＦＢレー
ザは、ＤＦＢレーザ部とＰＤ部との効果的な電気的絶縁
と、高い結合効率を実現でき、かつ結合部は選択エツチ
ング法によって比較的容易に形成できる。さらに、埋め
込み構造を適用することによって、高性能のＤＦＢレー
ザと高効率のＰＤを実現できる。このような集積化され
たＰＤ付ＤＦＢレーザけ、価格力信頼性等の点で有用で
ある他光枦能素子としての応用も期待できる。
ザは、ＤＦＢレーザ部とＰＤ部との効果的な電気的絶縁
と、高い結合効率を実現でき、かつ結合部は選択エツチ
ング法によって比較的容易に形成できる。さらに、埋め
込み構造を適用することによって、高性能のＤＦＢレー
ザと高効率のＰＤを実現できる。このような集積化され
たＰＤ付ＤＦＢレーザけ、価格力信頼性等の点で有用で
ある他光枦能素子としての応用も期待できる。
第１図ｆａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例の断面図
およびその千画図、第２図、第３図は本発明の第２およ
び第３の実施例の断面図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は
第１図の丈施例の具体例を示す斜視図およびそのＡＡ’
断面図、第５図、第６図は従来のＤＦＢレーザとＦＤと
の構成例を示す断面図である。図において１・・・・・
・半導体基板、２・・・・・・光ガイド層、３・・・・
・・活性層、４・・・・・・クラッド層、１０，１１・
・・−・・電極、１５・・・・・・回折格子、２０・・
・・・・ＤＦＢレーザ部、２１・・・・・・結合部、２
２・・・・・・ＰＤ部、２５・・・・・・発光領域、３
０・・・・・・吸収層、３１，３２・・・・・・２本の
平行な溝、３３・・・・・・メサ状の発光領域であるっ ８１区（７２） ぞ尤角鍼゛
およびその千画図、第２図、第３図は本発明の第２およ
び第３の実施例の断面図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は
第１図の丈施例の具体例を示す斜視図およびそのＡＡ’
断面図、第５図、第６図は従来のＤＦＢレーザとＦＤと
の構成例を示す断面図である。図において１・・・・・
・半導体基板、２・・・・・・光ガイド層、３・・・・
・・活性層、４・・・・・・クラッド層、１０，１１・
・・−・・電極、１５・・・・・・回折格子、２０・・
・・・・ＤＦＢレーザ部、２１・・・・・・結合部、２
２・・・・・・ＰＤ部、２５・・・・・・発光領域、３
０・・・・・・吸収層、３１，３２・・・・・・２本の
平行な溝、３３・・・・・・メサ状の発光領域であるっ ８１区（７２） ぞ尤角鍼゛
Claims (1)
- 回折格子の形成された光ガイド層と活性層とを有する分
布帰還形半導体レーザおよび光検出器を、それぞれ同一
半導体基板上に集積化した光検出器付分布帰還形半導体
レーザにおいて、前記分布帰還形半導体レーザと前記光
検出器との間にこれらの光学的結合を行う結合部を設け
、この結合部は電極と前記活性層あるいは前記光ガイド
層の上の半導体層を除去した構成をとり、かつ前記結合
部の活性層と前記分布帰還形半導体レーザの発光領域と
がほぼ同じ幅を有することを特徴とする光検出器付分布
帰還形半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15982284A JPS6136987A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 光検出器付分布帰還形半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15982284A JPS6136987A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 光検出器付分布帰還形半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6136987A true JPS6136987A (ja) | 1986-02-21 |
Family
ID=15702006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15982284A Pending JPS6136987A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 光検出器付分布帰還形半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6136987A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06142553A (ja) * | 1992-11-13 | 1994-05-24 | Toyo Tekko:Kk | 上下水用液体サイクロン器 |
| JP2005216954A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子 |
| JP2009093833A (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-30 | Toshiba Corp | 誘導加熱調理器 |
| JP2012186419A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光パワーモニタ集積ｄｆｂレーザ |
| WO2020065744A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ、半導体レーザアレイおよび半導体レーザの製造方法 |
| CN111193183A (zh) * | 2020-03-01 | 2020-05-22 | 福建中科光芯光电科技有限公司 | 一种单片集成的平衡探测器芯片及其制备方法 |
-
1984
- 1984-07-30 JP JP15982284A patent/JPS6136987A/ja active Pending
Cited By (7)
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