JPS6135140B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6135140B2 JPS6135140B2 JP53146413A JP14641378A JPS6135140B2 JP S6135140 B2 JPS6135140 B2 JP S6135140B2 JP 53146413 A JP53146413 A JP 53146413A JP 14641378 A JP14641378 A JP 14641378A JP S6135140 B2 JPS6135140 B2 JP S6135140B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sio
- refractive index
- cladding
- core
- support layer
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 20
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- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/045—Silica-containing oxide glass compositions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光通信で用いられるグレーテツドイン
デツクス型オプテイカルフアイバに関するもので
ある。
デツクス型オプテイカルフアイバに関するもので
ある。
内付けMCVD法により得られたプリフオーム
ロツドを紡糸してグレーテツドインデツクス型
（GI型）のオプテイカルフアイバを製造する場合
において、LD（半導体レーザダイオード）の0.8
〜0.9μｍ帯に対応した発振波長或のものでは、
コア、クラツド、サポート層におけるクラツドの
厚さが小さくても問題にならないが、長波長帯で
低損失のものを実現するにはプリフオームロツド
の製造段階においてクラツドとなるべき層の厚さ
を充分大きくし、サポート層となるべき石英ガラ
スからのOH拡散を阻止しなければならないこと
になつている。
ロツドを紡糸してグレーテツドインデツクス型
（GI型）のオプテイカルフアイバを製造する場合
において、LD（半導体レーザダイオード）の0.8
〜0.9μｍ帯に対応した発振波長或のものでは、
コア、クラツド、サポート層におけるクラツドの
厚さが小さくても問題にならないが、長波長帯で
低損失のものを実現するにはプリフオームロツド
の製造段階においてクラツドとなるべき層の厚さ
を充分大きくし、サポート層となるべき石英ガラ
スからのOH拡散を阻止しなければならないこと
になつている。
こゝで一般的に用いられているクラツドの組成
物としてはB2O3を含むSiO2か、あるいは高純度
のSiO2であつたが、これらはつぎのような問題
点を有していた。
物としてはB2O3を含むSiO2か、あるいは高純度
のSiO2であつたが、これらはつぎのような問題
点を有していた。
まず、B2O3を含むSiO2とした場合、B2O3をコ
アとなるべき層へ一部含ませることにより、クラ
ツド、コア間のプロフアイルをなめらかに形成す
ることができるが、長波長帯域においては、
B2O3のロス増がＢ−Ｏボンドの振動により、Si
−Ｏ，Ｐ−Ｏボンドよりも短波長側であらわれる
ようになり、かつ、プリフオームロツドの状態と
オプテイカルフアイバの状態とで屈折率が異なる
といつた問題が生じていた。
アとなるべき層へ一部含ませることにより、クラ
ツド、コア間のプロフアイルをなめらかに形成す
ることができるが、長波長帯域においては、
B2O3のロス増がＢ−Ｏボンドの振動により、Si
−Ｏ，Ｐ−Ｏボンドよりも短波長側であらわれる
ようになり、かつ、プリフオームロツドの状態と
オプテイカルフアイバの状態とで屈折率が異なる
といつた問題が生じていた。
さらに、B2O3を含まないSiO2の場合では、該
B2O3を含まないことで逆にコア、クラツド間の
プロフアイル連続性が得難くなりしかもプリフオ
ーム製造時におけるデポジシヨン温度が約200℃
程度高くなると共にそのデポジシヨンレートも低
いものになつていた。
B2O3を含まないことで逆にコア、クラツド間の
プロフアイル連続性が得難くなりしかもプリフオ
ーム製造時におけるデポジシヨン温度が約200℃
程度高くなると共にそのデポジシヨンレートも低
いものになつていた。
上述したごとく、従来例の場合には伝送特性生
産性に問題点がありながらもこれを満足に解決で
きなかつたのであつて、サポート層よりも大きな
屈折率のクラツドをもつGI型オプテイカルフア
イバでは広帯域が計れないといつた既成観念が、
上記の問題点を解消する上での大きなネツクにな
つている。
産性に問題点がありながらもこれを満足に解決で
きなかつたのであつて、サポート層よりも大きな
屈折率のクラツドをもつGI型オプテイカルフア
イバでは広帯域が計れないといつた既成観念が、
上記の問題点を解消する上での大きなネツクにな
つている。
本発明は既成の技術常識から脱脚し、クラツド
の屈折率をサポート層の屈折率よりも大きくする
といつた着想に基いてコア、クラツド、サポート
層の屈折率、組成に工夫をもたせることにより、
長波長帯での伝送特性、ならびに生産性を改善せ
んとするものである。
の屈折率をサポート層の屈折率よりも大きくする
といつた着想に基いてコア、クラツド、サポート
層の屈折率、組成に工夫をもたせることにより、
長波長帯での伝送特性、ならびに生産性を改善せ
んとするものである。
以下その構成を図示の実施例により説明すると
第１図において、１はコア、２はクラツド、３は
サポート層である。
第１図において、１はコア、２はクラツド、３は
サポート層である。
上記におけるコア１はP2O5−SiO2またはGeO2
−SiO2を主成分とする二成分ガラス、または
P2O5−GeO2−SiO2を主成分とする三成分ガラス
からなり、クラツド２はP2O5−SiO2またはGeO2
−SiO2を主成分とする二成分ガラス、または
P2O5−GeO2−SiO2を主成分とする三成分ガラス
からなり、さらにサポート層３は石英ガラスより
なるのであつて、内付けMCVD法により上記構
成のオプテイカルフアイバを製造する場合では、
既知のごとくサポート層３となり得る石英ガラス
管内にクラツドとなり得る気相原料を煤化状態で
堆積させ、さらにコア１となり得る気相原料を煤
化状態で堆積させた後、上記石英ガラス管を熱処
理して煤化物をガラス化すると共に同管の中空部
を消去加工してプリフオームロツドとなし、さら
に該ロツドを高温加熱下で延伸する紡糸加工によ
り所望線径のオプテイカルフアイバを得るのであ
る。
−SiO2を主成分とする二成分ガラス、または
P2O5−GeO2−SiO2を主成分とする三成分ガラス
からなり、クラツド２はP2O5−SiO2またはGeO2
−SiO2を主成分とする二成分ガラス、または
P2O5−GeO2−SiO2を主成分とする三成分ガラス
からなり、さらにサポート層３は石英ガラスより
なるのであつて、内付けMCVD法により上記構
成のオプテイカルフアイバを製造する場合では、
既知のごとくサポート層３となり得る石英ガラス
管内にクラツドとなり得る気相原料を煤化状態で
堆積させ、さらにコア１となり得る気相原料を煤
化状態で堆積させた後、上記石英ガラス管を熱処
理して煤化物をガラス化すると共に同管の中空部
を消去加工してプリフオームロツドとなし、さら
に該ロツドを高温加熱下で延伸する紡糸加工によ
り所望線径のオプテイカルフアイバを得るのであ
る。
このようにして得られる本発明オプテイカルフ
アイバの屈折率分布を示したのが第２図であり、
同図において半径r1を有するコア１は最大屈折率
n0を有した集束型となつており、かつ、半径r2を
有するクラツド２の屈折率n2と、半径r3を有する
サポート層３の屈折率n2との関係では、n0＞n1＞
n2になつていると共にn0−n1の値に比べ、n1−n2
の値はきわめて小さいものになつている。
アイバの屈折率分布を示したのが第２図であり、
同図において半径r1を有するコア１は最大屈折率
n0を有した集束型となつており、かつ、半径r2を
有するクラツド２の屈折率n2と、半径r3を有する
サポート層３の屈折率n2との関係では、n0＞n1＞
n2になつていると共にn0−n1の値に比べ、n1−n2
の値はきわめて小さいものになつている。
以上説明した通り、本発明のオプテイカルフア
イバは、クラツド２がP2O5−SiO2またはGeO2−
SiO2を主成分とする二成分ガラス、またはP2O5
−GeO2−SiO2を主成分とする三成分ガラスから
なるので、プリフオームロツド製作段階でのデポ
ジシヨン温度が1500〜1600℃であるSiO2クラツ
ドに比べ、同温度を1300〜1400℃程度にまで下げ
ることができ、該デポジシヨン速度も上記SiO2
に比べ４〜５倍速くすることができる。
イバは、クラツド２がP2O5−SiO2またはGeO2−
SiO2を主成分とする二成分ガラス、またはP2O5
−GeO2−SiO2を主成分とする三成分ガラスから
なるので、プリフオームロツド製作段階でのデポ
ジシヨン温度が1500〜1600℃であるSiO2クラツ
ドに比べ、同温度を1300〜1400℃程度にまで下げ
ることができ、該デポジシヨン速度も上記SiO2
に比べ４〜５倍速くすることができる。
さらにクラツド２にB2O5が含んでいなくと
も、該クラツド２の屈折率n1がサポート層３の屈
折率n2よりわずかに大きくなつているので、コア
１、クラツド２間のプロフアイル連続性が得ら
れ、しかもB2O5が含んでいないことにより長波
長帯での伝送損失増もなくなるのである。
も、該クラツド２の屈折率n1がサポート層３の屈
折率n2よりわずかに大きくなつているので、コア
１、クラツド２間のプロフアイル連続性が得ら
れ、しかもB2O5が含んでいないことにより長波
長帯での伝送損失増もなくなるのである。
また、クラツド２の屈折率n1がサポート層３の
屈折率n2よりも高くはなつているが、両屈折率差
はわずかな値であり、実用上においてカツトオフ
近くのモードはわずかな曲がりにより急激に減衰
されるのであるから、n1＞n2としたことによる帯
域上の問題もなく、充分に広帯域なオプテイカル
フアイバとなり得る。
屈折率n2よりも高くはなつているが、両屈折率差
はわずかな値であり、実用上においてカツトオフ
近くのモードはわずかな曲がりにより急激に減衰
されるのであるから、n1＞n2としたことによる帯
域上の問題もなく、充分に広帯域なオプテイカル
フアイバとなり得る。
第１図は本発明オプテイカルフアイバの断面
図、第２図は同フアイバの屈折率分布図である。 １……コア、２……クラツド、３……サポート
層。
図、第２図は同フアイバの屈折率分布図である。 １……コア、２……クラツド、３……サポート
層。
Claims (1)
- １ 中心部にコア、その外周にクラツド、さらに
その外周にサポート層が形成されたグレーテツド
インデツクス型オプテイカルフアイバにおいて、
コアはP2O5−SiO2またはGeO2−SiO2を主成分と
する二成分ガラス、またはP2O5−GeO2−SiO2を
主成分とする三成分ガラスからなり、クラツドは
P2O5−SiO2またはGeO2−SiO2を主成分とする二
成分ガラス、またはP2O5−GeO2−SiO2を主成分
とする三成分ガラスからなり、さらにサポート層
は石英ガラスからなり、コアの最大屈折率をn0、
クラツドの屈折率をn1、サポート層の屈折率をn2
とした場合、これら屈折率がn0＞n1＞n2となるよ
うに形成され、かつ、コアの屈折率がn0からn1の
範囲内において集束型に形成されたオプテイカル
フアイバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14641378A JPS5571644A (en) | 1978-11-27 | 1978-11-27 | Optical fiber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14641378A JPS5571644A (en) | 1978-11-27 | 1978-11-27 | Optical fiber |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5571644A JPS5571644A (en) | 1980-05-29 |
| JPS6135140B2 true JPS6135140B2 (ja) | 1986-08-11 |
Family
ID=15407124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14641378A Granted JPS5571644A (en) | 1978-11-27 | 1978-11-27 | Optical fiber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5571644A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6417958U (ja) * | 1987-07-21 | 1989-01-30 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4139953B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2008-08-27 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバの製造方法およびこれに用いられる光ファイバ製造装置 |
| JP2008242012A (ja) | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | レーザーガイド用光ファイバ及びそれを備えたレーザーガイド |
-
1978
- 1978-11-27 JP JP14641378A patent/JPS5571644A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6417958U (ja) * | 1987-07-21 | 1989-01-30 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5571644A (en) | 1980-05-29 |
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