JPS6134748A - 光磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPS6134748A JPS6134748A JP15626484A JP15626484A JPS6134748A JP S6134748 A JPS6134748 A JP S6134748A JP 15626484 A JP15626484 A JP 15626484A JP 15626484 A JP15626484 A JP 15626484A JP S6134748 A JPS6134748 A JP S6134748A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はトラッキングガイドとして凹溝を形成した光磁
気記録媒体忙関するものである。
気記録媒体忙関するものである。
第７図にトラッキングガイドとしての凹溝（４）を形成
した光磁気記録媒体０１を示す。図において（１）はガ
ラス基板であり、該ガラス基板（１）上にはＧｄ−Ｆｅ
、 Ｔｅ−Ｆｅ等の非晶質合金からなる磁性薄膜（２）
と該磁性薄膜（２）を被覆するＳｉＯ３からなる保護膜
（３）とからなる凸條（５）が形成され、該凸條（５）
の間には凹溝（４）が形成されている。
した光磁気記録媒体０１を示す。図において（１）はガ
ラス基板であり、該ガラス基板（１）上にはＧｄ−Ｆｅ
、 Ｔｅ−Ｆｅ等の非晶質合金からなる磁性薄膜（２）
と該磁性薄膜（２）を被覆するＳｉＯ３からなる保護膜
（３）とからなる凸條（５）が形成され、該凸條（５）
の間には凹溝（４）が形成されている。
上記光磁気記録媒体α１においては、上方から光スポッ
トを照射し、その光路や反射光の量が凹溝（４）と凸條
（５）とで異なることを利用してトラッキングを行うも
のである。
トを照射し、その光路や反射光の量が凹溝（４）と凸條
（５）とで異なることを利用してトラッキングを行うも
のである。
７ 上記したのは従来からのトラッキ
ングガイドの一つの方法であるが、この方法では光磁気
記録媒体軸の表面からレーザー光を照射するためにレー
ザー光は保護膜（３）を介して磁性薄膜（２）に達する
。
ングガイドの一つの方法であるが、この方法では光磁気
記録媒体軸の表面からレーザー光を照射するためにレー
ザー光は保護膜（３）を介して磁性薄膜（２）に達する
。
しかし保護膜（３）は８ ｉ０２からなり磁性薄膜（２
）の保護膜（３）接触面を酸化変性させ易く、磁性薄膜
（２）が酸化変性すると光磁気記録性能が変化すると言
う問題点があった。
）の保護膜（３）接触面を酸化変性させ易く、磁性薄膜
（２）が酸化変性すると光磁気記録性能が変化すると言
う問題点があった。
本発明は上記従来の問題点を解決するために透明基板上
に磁性薄膜からなる凸條を形成し、該６條間には凹溝を
形成し、かつ表面を反射保護膜で被覆した構成を有する
ものである。
に磁性薄膜からなる凸條を形成し、該６條間には凹溝を
形成し、かつ表面を反射保護膜で被覆した構成を有する
ものである。
上記構成にもとづき、本発明では光磁気記録媒体の裏面
、即ち基板側からレーザー光線を照射すると該レーザー
光線は反射保護膜により反射され、情報読み出しの際は
該反射光のカー効果による偏光面の回転角を検出すると
言う作用を生ずる。
、即ち基板側からレーザー光線を照射すると該レーザー
光線は反射保護膜により反射され、情報読み出しの際は
該反射光のカー効果による偏光面の回転角を検出すると
言う作用を生ずる。
上記構成９作用にもとづき本発明では光磁気記録媒体の
裏面からレーザー光線を照射して情報の書き込み、読み
出しを行うことが出来、ガラス等からなる基板は磁性薄
膜を酸化しないので磁性薄膜の基板との接触面は変性す
ることなく安定であり、光磁気記録性能も長時間にわた
って安定なものが得られると言う効果が発現される。
裏面からレーザー光線を照射して情報の書き込み、読み
出しを行うことが出来、ガラス等からなる基板は磁性薄
膜を酸化しないので磁性薄膜の基板との接触面は変性す
ることなく安定であり、光磁気記録性能も長時間にわた
って安定なものが得られると言う効果が発現される。
本発明を第１図に示す一実施例により説明すれば、光磁
気記録媒体ａ１において、（１）は基板であり、基板（
１）上には磁性薄膜（２）と該磁性薄膜（２）を被覆す
る保護膜（３）とからなる凸條（５）が形成せられ、該
凸條（５）の間には凹溝（４）が形成される。基板（１
）としてはガラス、セラミクス、プラスチック等の透明
なかつ酸化作用のない非磁性体が用いられ、磁性薄膜（
２）としてけＧｄ−Ｆｅ、 Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｄｙ−Ｆｅ
、Ｇｄ−ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ −Ｃｏ等の非晶質合金が用
いられ、保護膜（３）としては８ ｉｏｎが用いられる
。上記光磁気記録媒体ＯＱの表面には反射膜（３）Ａが
被覆される。
気記録媒体ａ１において、（１）は基板であり、基板（
１）上には磁性薄膜（２）と該磁性薄膜（２）を被覆す
る保護膜（３）とからなる凸條（５）が形成せられ、該
凸條（５）の間には凹溝（４）が形成される。基板（１
）としてはガラス、セラミクス、プラスチック等の透明
なかつ酸化作用のない非磁性体が用いられ、磁性薄膜（
２）としてけＧｄ−Ｆｅ、 Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｄｙ−Ｆｅ
、Ｇｄ−ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ −Ｃｏ等の非晶質合金が用
いられ、保護膜（３）としては８ ｉｏｎが用いられる
。上記光磁気記録媒体ＯＱの表面には反射膜（３）Ａが
被覆される。
本発明の磁性薄膜（２）として望ましい構成は垂直磁気
異方性を有し低キーリ一点を有する高保磁力層と、垂直
磁気異方性を有し高キーリ一点を有する低保磁力層とを
交換結合した複合膜である。このような複合膜では低キ
ユリ一点を有する高保磁力層の存在によって小さな書き
込みパワーが適用出来ること、書き込み速度が早くなる
こと、書き込まれた情報が安定に保存されること、光ダ
イスフ程度までの高密度の記録が可能であること等の利
点が得られる（特願昭５５−１５４２９１号参照）。
異方性を有し低キーリ一点を有する高保磁力層と、垂直
磁気異方性を有し高キーリ一点を有する低保磁力層とを
交換結合した複合膜である。このような複合膜では低キ
ユリ一点を有する高保磁力層の存在によって小さな書き
込みパワーが適用出来ること、書き込み速度が早くなる
こと、書き込まれた情報が安定に保存されること、光ダ
イスフ程度までの高密度の記録が可能であること等の利
点が得られる（特願昭５５−１５４２９１号参照）。
上記光磁気記録媒体は下記の６つの工程からなる製造方
法によって製造されることが望ましい。
法によって製造されることが望ましい。
透明基板上に磁性薄膜を形成する工程１゜該磁性薄膜表
面に感光性樹脂層を形成する工程２゜ 該感光性樹脂層の所定位置に活性光線を照射して硬化せ
しめる工程３゜ 該感光性樹脂層に除去剤を接触せしめて該感光性樹脂層
の活性光線未照射部分を除去して現像を行う工程４゜ 表面に腐蝕剤を接触せしめて感光性樹脂層除去部分の磁
性薄膜を腐蝕除去して磁性薄膜からなる凸條を形成し、
該６條間には凹溝を形成する工程５゜ 表面を反射保護膜で被覆する工程６゜ 本発明にかかる上記製造方法を以下に説明する。
面に感光性樹脂層を形成する工程２゜ 該感光性樹脂層の所定位置に活性光線を照射して硬化せ
しめる工程３゜ 該感光性樹脂層に除去剤を接触せしめて該感光性樹脂層
の活性光線未照射部分を除去して現像を行う工程４゜ 表面に腐蝕剤を接触せしめて感光性樹脂層除去部分の磁
性薄膜を腐蝕除去して磁性薄膜からなる凸條を形成し、
該６條間には凹溝を形成する工程５゜ 表面を反射保護膜で被覆する工程６゜ 本発明にかかる上記製造方法を以下に説明する。
工程１．においてはまず基板（１）上にスパッタリング
、蒸着等の手段によって磁性薄膜（２）を形成する。
、蒸着等の手段によって磁性薄膜（２）を形成する。
工程１．において所望なれば８ｉ０２．８ｎＯ等からな
る保護膜（３）を磁性薄膜（２）上に形成する。゛保護
膜（３）を磁性薄膜（２）上に形成するには一般にコー
ディングの方法が用いられる。
る保護膜（３）を磁性薄膜（２）上に形成する。゛保護
膜（３）を磁性薄膜（２）上に形成するには一般にコー
ディングの方法が用いられる。
工程２．においては感光性樹脂の溶液、エマμショア’
４Ｈｔ例ｊｔＪｄスピンコーター、ナイフコーター。
４Ｈｔ例ｊｔＪｄスピンコーター、ナイフコーター。
スプレー等のコーティング手段によってコーティングし
て乾燥することによって保護膜（３）表面に感光性樹脂
層（８）を形成する（第２図）。感光性樹脂層に用いら
れる感光性樹脂とはポリエステル系。
て乾燥することによって保護膜（３）表面に感光性樹脂
層（８）を形成する（第２図）。感光性樹脂層に用いら
れる感光性樹脂とはポリエステル系。
ポリウレタン系、フェノール系、エポキシ系、環化コム
系、ポリけい皮酸系、アクリル系、メタクリル系、ポリ
メチルイソプロペニルケトン系の公知のものであり通常
、溶液、エマ〜ジ３ン等の形斗 状で提供され、ビスアジド、Ｎ−アセチ／Ｌ／＃ニトロ
１ナフチμアミン、２．４．６−）リニトロアニリン、
０−キノンジアジド、ビスアジド等の増感剤が所望によ
り添加される。
系、ポリけい皮酸系、アクリル系、メタクリル系、ポリ
メチルイソプロペニルケトン系の公知のものであり通常
、溶液、エマ〜ジ３ン等の形斗 状で提供され、ビスアジド、Ｎ−アセチ／Ｌ／＃ニトロ
１ナフチμアミン、２．４．６−）リニトロアニリン、
０−キノンジアジド、ビスアジド等の増感剤が所望によ
り添加される。
工程３．においては電子線、Ｘ線、紫外線等の活性光線
を上記感光性樹脂＃ （８）Ｋ照射する。この際。
を上記感光性樹脂＃ （８）Ｋ照射する。この際。
例えばＸ線照射の場合はＸ線吸収の小さいシリコーン酸
化膜、 ５ｉｌｌＮ４．マイラフィルム、ポリイミド等
の支持嘆上にＸ線吸収の大きいＡｕ、 ＡｕＰｄ等で所
定のパターンを形成したマスクを介在させる。
化膜、 ５ｉｌｌＮ４．マイラフィルム、ポリイミド等
の支持嘆上にＸ線吸収の大きいＡｕ、 ＡｕＰｄ等で所
定のパターンを形成したマスクを介在させる。
このようにして感光性樹脂層（８）の活性光線照射部分
のみが架橋硬化して除去剤に対して抵抗性を有するに至
る。
のみが架橋硬化して除去剤に対して抵抗性を有するに至
る。
工程４．においては除去剤を感光性樹脂層（８）に接触
せしめて感光性樹脂層（８）の活性光線未照射部分を除
去する（第３図）。除去剤は該感光性樹脂の溶剤であり
、感光性樹脂層（８）の活性光線未照射部分は架橋が生
じていないから該溶剤に溶解して除去されるのである。
せしめて感光性樹脂層（８）の活性光線未照射部分を除
去する（第３図）。除去剤は該感光性樹脂の溶剤であり
、感光性樹脂層（８）の活性光線未照射部分は架橋が生
じていないから該溶剤に溶解して除去されるのである。
この工程は現像工程である。
工程５．においては表面に腐蝕剤を接触せしめて感光性
樹脂層（８）の除去部分（８）Ａの保護膜（３）と磁性
薄膜（２）とを腐蝕除去し、かく１．て第４図に示すよ
うな保護膜（３）と磁性薄膜（２）とからなる凸條（５
）および該凸條（５）間に凹溝（４）を形成する。上記
腐蝕工程には乾式と湿式とがあり、乾式の場合は腐蝕剤
ととしてＯＦ４．ＯＣ］ 、 、αＥｌｌ、Ｆ、 、０
ＣＩＦ、 、Ｃ，Ｆ、 、ＣＢｒＦ、 。
樹脂層（８）の除去部分（８）Ａの保護膜（３）と磁性
薄膜（２）とを腐蝕除去し、かく１．て第４図に示すよ
うな保護膜（３）と磁性薄膜（２）とからなる凸條（５
）および該凸條（５）間に凹溝（４）を形成する。上記
腐蝕工程には乾式と湿式とがあり、乾式の場合は腐蝕剤
ととしてＯＦ４．ＯＣ］ 、 、αＥｌｌ、Ｆ、 、０
ＣＩＦ、 、Ｃ，Ｆ、 、ＣＢｒＦ、 。
８Ｆ、、ＰＩＦ等のガスを用い、湿式の場合はＴ（Ｆ＋
Ｅｌｔす。
Ｅｌｔす。
＋ ＣＨｓ ＣＸＸＪｆｌ、ＫＯＨ、Ｎ２Ｈ４＋ ＣＨ
ｓ ＣＲ圓１ｎ 、ＥＬＦ＋ ＮＩ（Ｊ’、ＨＦ。
ｓ ＣＲ圓１ｎ 、ＥＬＦ＋ ＮＩ（Ｊ’、ＨＦ。
）ＴＥｉ’＋ＨＮＯ，等の溶液を用いる。更に所望なれ
は凸條（５）の上面を被覆している感光性樹脂層（８）
の活性光線照射部分を１２０〜］３０°Ｃに加熱したフ
ェノ−μとハロゲン系の有機溶剤を主体にした剥離剤や
熱濃硫酸９発煙硝酸、硝酸−過酸化水素などの強酸に浸
漬するかもし、＜ハプラズマ灰化法により剥離除去する
（第５図参照）。磁性薄膜（２）に影響のない点で１ｄ
プラズマ灰化法が望ましい。
は凸條（５）の上面を被覆している感光性樹脂層（８）
の活性光線照射部分を１２０〜］３０°Ｃに加熱したフ
ェノ−μとハロゲン系の有機溶剤を主体にした剥離剤や
熱濃硫酸９発煙硝酸、硝酸−過酸化水素などの強酸に浸
漬するかもし、＜ハプラズマ灰化法により剥離除去する
（第５図参照）。磁性薄膜（２）に影響のない点で１ｄ
プラズマ灰化法が望ましい。
工程６．においては凸條（５）および凹溝（４）の表面
を反射膜で被覆する。反射膜（３）ＡとしてはＡｅ、Ａ
ｕ。
を反射膜で被覆する。反射膜（３）ＡとしてはＡｅ、Ａ
ｕ。
紹等の金属をスパッタリングもしくは蒸着でコーティン
グする。
グする。
このようにして第１図に示す光磁気記録媒体が製造され
る。
る。
本発明の光磁気記録媒体においては凹溝（４）の巾は０
．５〜０．７μｍ、凸條（５）と凹溝（４）との巾の和
は１．６〜１．６５μｍ、凹溝（４）の深さく凸條（５
）の高さ）は３００±１０１、反射膜（３）Ａの厚み２
０００Ａ以上、基板（１）の厚み１．２±０．０５Ｈと
されるのが一般的である。
．５〜０．７μｍ、凸條（５）と凹溝（４）との巾の和
は１．６〜１．６５μｍ、凹溝（４）の深さく凸條（５
）の高さ）は３００±１０１、反射膜（３）Ａの厚み２
０００Ａ以上、基板（１）の厚み１．２±０．０５Ｈと
されるのが一般的である。
本発明の光磁気記録媒体に情報の書き込みを行うだめの
望ましい方法としてはガスレーザ、半導体レーザ等から
出力１〜１００ｍＷで近赤外ないしは可視領域の波長の
光を発振せしめ、対物レンズを通して光磁気記録媒体α
Ｑの基板（１）側から磁性薄膜（２）上にスポットを結
像して局部的に磁性薄膜（２）をそのキュリ一点近傍に
加熱する。前記したように磁性薄膜（２）が複合膜の場
合は高保磁力層のキュリ一点近傍に加熱する。そして該
加熱点を含む領域に５０〜１５００４度のバイアス磁界
をかけれは加熱点の磁性薄膜（２）は該バイアス磁界に
よって他の部分とけ反対方向に磁化される。このように
して情報が磁性薄膜（２）に書き込まれるが、前記複合
膜の場合には情報は高保磁力層に書き込まれると同時に
低保磁力層にも書き込まれる。
望ましい方法としてはガスレーザ、半導体レーザ等から
出力１〜１００ｍＷで近赤外ないしは可視領域の波長の
光を発振せしめ、対物レンズを通して光磁気記録媒体α
Ｑの基板（１）側から磁性薄膜（２）上にスポットを結
像して局部的に磁性薄膜（２）をそのキュリ一点近傍に
加熱する。前記したように磁性薄膜（２）が複合膜の場
合は高保磁力層のキュリ一点近傍に加熱する。そして該
加熱点を含む領域に５０〜１５００４度のバイアス磁界
をかけれは加熱点の磁性薄膜（２）は該バイアス磁界に
よって他の部分とけ反対方向に磁化される。このように
して情報が磁性薄膜（２）に書き込まれるが、前記複合
膜の場合には情報は高保磁力層に書き込まれると同時に
低保磁力層にも書き込まれる。
次いで上記書き込まれた情報の読み出しを行うＫは別の
レーザからの直線偏光した光を対物レンズを通して光磁
気記録媒体α０の基板（１）側から磁性薄膜（２）上に
スポットを結像し、該光は反射膜（３）Ａに反射され、
該反射光のカー効果による偏光面の回転をホトダイオー
ド等で検出する。
レーザからの直線偏光した光を対物レンズを通して光磁
気記録媒体α０の基板（１）側から磁性薄膜（２）上に
スポットを結像し、該光は反射膜（３）Ａに反射され、
該反射光のカー効果による偏光面の回転をホトダイオー
ド等で検出する。
以下に本発明を更に詳細に説明するための実施例をあげ
る。
る。
〔実施例１〕
第６図に示すような中央に径３５十０．１ｆｌｙの孔（
９）Ａを設けた径２００±０．３ＬＪ’の円盤状の光磁
気記録媒体（１０を前記工程１．により作成する。上記
光磁気記録媒体αｑの基板（１）はガラス、磁性薄膜（
２）は高保磁力層としてＴｈ−Ｆｅ非晶質合金を用い（
厚さ３００＾）、低保磁力層としてＧｄ −Ｆｅ非晶質
合金を用いた（厚さ４００＾）。工程２．においては該
光磁気記録媒体００を３００ Ｏｒｐｍで回転させつつ
、０ＤＵＩ’Ｌ−１０１，３（東京応化製感光性樹脂：
商標）を媒体００表面に垂らして塗布して１ ｐｍの感
光性樹脂層（８）を形成する。工程３においては該媒体
００表面に波長３２５ＭＭ、出力１０ｍＷのヘリウムカ
ドミウムレーザを所定のパターンを形成したマスクを介
して照射する。工程４．においては除去剤（現像液）と
して０ＤＵＲ−１０１０Ｈ（東京応化製現像液：商標）
に該媒体αＱを２３°Ｃで２分浸漬する。
９）Ａを設けた径２００±０．３ＬＪ’の円盤状の光磁
気記録媒体（１０を前記工程１．により作成する。上記
光磁気記録媒体αｑの基板（１）はガラス、磁性薄膜（
２）は高保磁力層としてＴｈ−Ｆｅ非晶質合金を用い（
厚さ３００＾）、低保磁力層としてＧｄ −Ｆｅ非晶質
合金を用いた（厚さ４００＾）。工程２．においては該
光磁気記録媒体００を３００ Ｏｒｐｍで回転させつつ
、０ＤＵＩ’Ｌ−１０１，３（東京応化製感光性樹脂：
商標）を媒体００表面に垂らして塗布して１ ｐｍの感
光性樹脂層（８）を形成する。工程３においては該媒体
００表面に波長３２５ＭＭ、出力１０ｍＷのヘリウムカ
ドミウムレーザを所定のパターンを形成したマスクを介
して照射する。工程４．においては除去剤（現像液）と
して０ＤＵＲ−１０１０Ｈ（東京応化製現像液：商標）
に該媒体αＱを２３°Ｃで２分浸漬する。
かくして感光性樹脂層（８）の活性光線未照射部分を除
去した後、工程５．において媒体００表面にＣ！Ｆ。
去した後、工程５．において媒体００表面にＣ！Ｆ。
ガスを接触せしめて反応性イオン腐蝕を行い凹溝（４）
と凸條（５）を形成する。凹溝（４）と凸條（５）は螺
旋状であり凹溝（４）の巾は０．６μｍ、凹溝（４）と
凸條（５）の巾の和は１．６ＩＩｍとする。次いで酸素
プラズマ灰化法により残存する感光性樹脂層（８）の活
性光線照射部分を除去する。工程６．においては反射膜
（３）ＡとしてＭを媒体Ｑ□表面にスパッタリングによ
ってコーティングする。かくして第１図に示すような光
磁気記録媒体０１を得る。
と凸條（５）を形成する。凹溝（４）と凸條（５）は螺
旋状であり凹溝（４）の巾は０．６μｍ、凹溝（４）と
凸條（５）の巾の和は１．６ＩＩｍとする。次いで酸素
プラズマ灰化法により残存する感光性樹脂層（８）の活
性光線照射部分を除去する。工程６．においては反射膜
（３）ＡとしてＭを媒体Ｑ□表面にスパッタリングによ
ってコーティングする。かくして第１図に示すような光
磁気記録媒体０１を得る。
〔実施例２〕
実施例１と同様な光磁気記録媒体軸を感光性樹脂として
０ＤＵＲ−１０３０（東京応化製感光性樹脂：商標）を
用い（感光性樹脂層厚０．３μｍ）、現像液として０Ｅ
ＢＲ−１０３０ＤＥ （東京応化製現像液：商標）を用
いて製造する。本実施例の場合には工程３、において加
速電圧２０ＫＶ、照射電流４Ｘ１０Ａ、走査速度ｌ ３
１ｎｌ ／ ６ｅ（の電子ビームを用いた。
０ＤＵＲ−１０３０（東京応化製感光性樹脂：商標）を
用い（感光性樹脂層厚０．３μｍ）、現像液として０Ｅ
ＢＲ−１０３０ＤＥ （東京応化製現像液：商標）を用
いて製造する。本実施例の場合には工程３、において加
速電圧２０ＫＶ、照射電流４Ｘ１０Ａ、走査速度ｌ ３
１ｎｌ ／ ６ｅ（の電子ビームを用いた。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は工程２．
における断面図、第３図は工程４、における断面図、第
４図は工程５．における断面図、第５図は感光性樹脂層
除去後の断面図、第６図は実施例１．２における光磁気
記録媒体の平面図、第７図は従来の光磁気記録媒体の断
面図である。 図中、（１）・・・・基板、（２）・・・・磁性薄膜、
（３）Ａ・・・・反射膜、（４）・・・・凹溝、（５）
・・・・凸條オ １ 反 ＼１（基板） 鉢２図 牙 ３ 閥 牙 ４ 閃 牙 ５ 図 井 ６ 閃
における断面図、第３図は工程４、における断面図、第
４図は工程５．における断面図、第５図は感光性樹脂層
除去後の断面図、第６図は実施例１．２における光磁気
記録媒体の平面図、第７図は従来の光磁気記録媒体の断
面図である。 図中、（１）・・・・基板、（２）・・・・磁性薄膜、
（３）Ａ・・・・反射膜、（４）・・・・凹溝、（５）
・・・・凸條オ １ 反 ＼１（基板） 鉢２図 牙 ３ 閥 牙 ４ 閃 牙 ５ 図 井 ６ 閃
Claims (2)
- （１）透明基板上に磁性薄膜からなる凸條を形成し、該
凸條間には凹溝を形成し、かつ表面を反射保護膜で被覆
した光磁気記録媒体 - （２）透明基板上に磁性薄膜を形成する工程１．該磁性
薄膜表面に感光性樹脂層を形成する工程２． 該感光性樹脂層の所定位置に活性光線を照射して硬化せ
しめる工程３． 該感光性樹脂層に除去剤を接触せしめて該感光性樹脂層
の活性光線未照射部分を除去して現像を行う工程４． 表面に腐蝕剤を接触せしめて感光性樹脂層除去部分の磁
性薄膜を腐蝕除去して磁性薄膜からなる凸條を形成し、
該凸條間には凹溝を形成する工程５． 表面を反射膜で被覆する工程６． 以上の工程１．、２．、３．、４．、５．、６．よりな
る光磁気記録媒体の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15626484A JPS6134748A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15626484A JPS6134748A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134748A true JPS6134748A (ja) | 1986-02-19 |
Family
ID=15624002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15626484A Pending JPS6134748A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6134748A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5774852A (en) * | 1980-10-23 | 1982-05-11 | Sharp Corp | Magnetic optical storing element |
| JPS586541A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-14 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP15626484A patent/JPS6134748A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5774852A (en) * | 1980-10-23 | 1982-05-11 | Sharp Corp | Magnetic optical storing element |
| JPS586541A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-14 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
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