JPS613410A - ドライ・エツチング法 - Google Patents
ドライ・エツチング法Info
- Publication number
- JPS613410A JPS613410A JP12375384A JP12375384A JPS613410A JP S613410 A JPS613410 A JP S613410A JP 12375384 A JP12375384 A JP 12375384A JP 12375384 A JP12375384 A JP 12375384A JP S613410 A JPS613410 A JP S613410A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processed
- wafer
- electron beam
- reaction chamber
- reaction gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 11
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 10
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子ビームで反応ガスを励起するドライ・エ
ッチング法に関する。
ッチング法に関する。
半導体装置を製造する際に適用されるドライ・エッチン
グ法の一つとしてプラズマ・エツチング法が知られてい
る。
グ法の一つとしてプラズマ・エツチング法が知られてい
る。
良く知られているように、プラズマ・エツチング法では
、ウェハを配置した反応室内を排気しっつ反応ガスを流
入させて一定の圧力、例えば、１〜１０−’ （Ｔｏ
ｒ ｒ）を維持し、且つ、該反応ガスに高周波電界を加
える等して励起することに依り活性ラジカルを生成し、
その活性ラジカルでシリコン等をエツチングするように
している。
、ウェハを配置した反応室内を排気しっつ反応ガスを流
入させて一定の圧力、例えば、１〜１０−’ （Ｔｏ
ｒ ｒ）を維持し、且つ、該反応ガスに高周波電界を加
える等して励起することに依り活性ラジカルを生成し、
その活性ラジカルでシリコン等をエツチングするように
している。
また、近年、反応ガス紫外線やレーザ光など光照射で励
起することも行われている。
起することも行われている。
前記説明したドライ・エッチング法のうち、レーザ光に
依る励起の場合を除き、他の多くはエツチングを局所的
並びに選択的に行うことが困難である。尚、レーザ光を
用いる場合、局所的並びに選択的なエツチングは可能で
はあるが、レーザ光自体の制御性が良くない。
依る励起の場合を除き、他の多くはエツチングを局所的
並びに選択的に行うことが困難である。尚、レーザ光を
用いる場合、局所的並びに選択的なエツチングは可能で
はあるが、レーザ光自体の制御性が良くない。
本発明は、エツチングを局所的並びに選択的に行うこと
ができ、且つ、実施が容易であるドライ・エッチング法
を提供する。
ができ、且つ、実施が容易であるドライ・エッチング法
を提供する。
本発明のドライ・エッチング法では、被加工ウェハが配
置された反応室内を所望圧力の反応ガス雰囲気とし、前
記被加工ウェハ上の所望パターンを電子ビームで走査し
て前記反応ガスの局所的励起を行うことに依り該パター
ンにしたがうエツチングをするようにしている。
置された反応室内を所望圧力の反応ガス雰囲気とし、前
記被加工ウェハ上の所望パターンを電子ビームで走査し
て前記反応ガスの局所的励起を行うことに依り該パター
ンにしたがうエツチングをするようにしている。
前記のように、被加工ウェハ上の所望パターンを電子ビ
ームで走査すると、その電子ビームが照射された部分に
存在している反応ガスのみが励起されて活性ラジカルが
生成され、被加工ウェハは該活性ラジカルでパターン通
り妃エツチングされることになる。
ームで走査すると、その電子ビームが照射された部分に
存在している反応ガスのみが励起されて活性ラジカルが
生成され、被加工ウェハは該活性ラジカルでパターン通
り妃エツチングされることになる。
図は本発明を実施する際に用いるドライ・エッチング装
置の一例を表す要部説明図である。
置の一例を表す要部説明図である。
図に於いて、１は反応室、２は排気管、３は送気管、４
はホルダ、５は被加工ウェハ、６は電子銃、７は偏向系
、８は電子ビームをそれぞれ示している。
はホルダ、５は被加工ウェハ、６は電子銃、７は偏向系
、８は電子ビームをそれぞれ示している。
この装置に於いては、反応室１内のホルダ４上に例えば
シリコンである被加工ウェハ５をｓｉ置してから排気管
２を真空ポンプ（図示せず）に接続して排気を行う。ま
た、電子銃６の部分は反応室１に比較して高真空を保つ
必要がある為、差動排気法を適用することに依り排気を
行っている。
シリコンである被加工ウェハ５をｓｉ置してから排気管
２を真空ポンプ（図示せず）に接続して排気を行う。ま
た、電子銃６の部分は反応室１に比較して高真空を保つ
必要がある為、差動排気法を適用することに依り排気を
行っている。
排気を継続しつつ、送気管３から例えばＣＦ４である反
応ガスを送入して反応室１内の圧力を１乃至１０−’
（Ｔｏ ｒ ｒ）とする。
応ガスを送入して反応室１内の圧力を１乃至１０−’
（Ｔｏ ｒ ｒ）とする。
電子銃６から放射された電子ビーム８を偏向系７で制御
して被加工ウェハ５上の所望パターンを走査する。尚、
この場合、電子ビームの加速エネルギは数（Ｋ ｅ Ｖ
）から数十（Ｋ ｅ Ｖ）の範囲で選択して良い。尚、
偏向系７は静電型、電磁型の何れであっても良い。
して被加工ウェハ５上の所望パターンを走査する。尚、
この場合、電子ビームの加速エネルギは数（Ｋ ｅ Ｖ
）から数十（Ｋ ｅ Ｖ）の範囲で選択して良い。尚、
偏向系７は静電型、電磁型の何れであっても良い。
電子ビーム８が衝突し゛た被加工ウェハ５の部分近傍に
在る反応ガスであるＣＦ４は、衝突の際、電子から得る
エネルギに依り励起状態となって活性化される。即ち、 ＣＦ４→ＣＦ３＋Ｆ” 一→ＣＦ２＋２Ｆ” →Ｃ＋４Ｆ” なる過程を経て活性ラジカルＦ１を生成し、この活性ラ
ジカルＦ１が被加工ウェハ５であるシリコンと、 Ｓｉ＋４Ｆ１１→ＳｉＦ４ なる反応をして揮発性が高いＳｉＦ４を生成する為、エ
ツチングが行われる。そして、該エツチングは電子ビー
ムの走査に従って行われるから、該走査パターン通りの
エツチングがなされる。
在る反応ガスであるＣＦ４は、衝突の際、電子から得る
エネルギに依り励起状態となって活性化される。即ち、 ＣＦ４→ＣＦ３＋Ｆ” 一→ＣＦ２＋２Ｆ” →Ｃ＋４Ｆ” なる過程を経て活性ラジカルＦ１を生成し、この活性ラ
ジカルＦ１が被加工ウェハ５であるシリコンと、 Ｓｉ＋４Ｆ１１→ＳｉＦ４ なる反応をして揮発性が高いＳｉＦ４を生成する為、エ
ツチングが行われる。そして、該エツチングは電子ビー
ムの走査に従って行われるから、該走査パターン通りの
エツチングがなされる。
電子ビーム８に依る走査は被加工ウェハ５上に於いて一
様である必要はなく、偏向系７を操作して局所的並びに
選択的に実施することができるからエツチングもそれに
応じて局所的且つ選択的に行われる。また、エツチング
の速度を制御するには、電子ビームの量或いは電子ビー
ムの加速エネルギを制御すれば良い。
様である必要はなく、偏向系７を操作して局所的並びに
選択的に実施することができるからエツチングもそれに
応じて局所的且つ選択的に行われる。また、エツチング
の速度を制御するには、電子ビームの量或いは電子ビー
ムの加速エネルギを制御すれば良い。
本発明のドライ・エッチング法に於いては、被加工ウェ
ハが配置された反応室内を所望圧力の反応ガス雰囲気と
し、前記被加工ウェハ上の所望パターンを電子ビームで
走査して前記反応ガスの局所的励起を行うことに依り該
パターンにしたがうエツチングをするようにしている。
ハが配置された反応室内を所望圧力の反応ガス雰囲気と
し、前記被加工ウェハ上の所望パターンを電子ビームで
走査して前記反応ガスの局所的励起を行うことに依り該
パターンにしたがうエツチングをするようにしている。
従って、例えば、従来のプラズマ・エツチング法等とは
異なり、局所的並びに選択的なドライ・エッチングが可
能であり、また、従来の反応ガスをレーザ光で励起する
ドライ・エッチング法とは異なり、電子ビームの量或い
は電子ビームの加速エネルギを制御することに依り、エ
ツチング速度をかなり自由に制御することができる。
異なり、局所的並びに選択的なドライ・エッチングが可
能であり、また、従来の反応ガスをレーザ光で励起する
ドライ・エッチング法とは異なり、電子ビームの量或い
は電子ビームの加速エネルギを制御することに依り、エ
ツチング速度をかなり自由に制御することができる。
図は本発明を実施する際に用いる装置の一例を表す要部
説明図である。 図に於いて、１は反応室、２は排気管、３は送気管、４
はホルダ、５は被加工ウェハ、６は電子銃、７は偏向系
、８は電子ビームをそれぞれ示している。
説明図である。 図に於いて、１は反応室、２は排気管、３は送気管、４
はホルダ、５は被加工ウェハ、６は電子銃、７は偏向系
、８は電子ビームをそれぞれ示している。
Claims (1)
- 被加工ウェハが配置された反応室内を所望圧力の反応ガ
ス雰囲気とし、前記被加工ウェハ上の所望パターンを電
子ビームで走査して前記反応ガスの局所的励起を行うこ
とに依り該パターンにしたがうエッチングをする工程が
含まれてなることを特徴とするドライ・エッチング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12375384A JPS613410A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | ドライ・エツチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12375384A JPS613410A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | ドライ・エツチング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS613410A true JPS613410A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=14868453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12375384A Pending JPS613410A (ja) | 1984-06-18 | 1984-06-18 | ドライ・エツチング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS613410A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116077A (en) * | 1977-03-22 | 1978-10-11 | Hitachi Ltd | Etching method |
| JPS57202732A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | Fine pattern formation |
-
1984
- 1984-06-18 JP JP12375384A patent/JPS613410A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116077A (en) * | 1977-03-22 | 1978-10-11 | Hitachi Ltd | Etching method |
| JPS57202732A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | Fine pattern formation |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0127188B1 (en) | Dry etching apparatus and method using reactive gas | |
| US5518595A (en) | Focused ion beam etching apparatus | |
| US4668337A (en) | Dry-etching method and apparatus therefor | |
| US5476182A (en) | Etching apparatus and method therefor | |
| JPS6173332A (ja) | 光処理装置 | |
| JPS613410A (ja) | ドライ・エツチング法 | |
| US7038364B2 (en) | Processor and method for processing | |
| JPS60153127A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPH0475336A (ja) | 表面加工方法および装置 | |
| RU2703773C1 (ru) | Способ изготовления массивов регулярных субмикронных отверстий в тонких металлических пленках на подложках | |
| JPH0354824A (ja) | 半導体加工方法と半導体加工装置 | |
| JPH01278023A (ja) | ドライエッチング方法及びその装置 | |
| JPH0481325B2 (ja) | ||
| KR100540519B1 (ko) | 처리 장치 및 처리 방법 | |
| JPS594506B2 (ja) | イオン・エッチング | |
| JPH0217638A (ja) | ドライエッチング方法および装置 | |
| JPS6134844A (ja) | 中性微細ビ−ムの照射装置 | |
| JPS62291923A (ja) | 分離溝形成装置 | |
| JP2000133652A (ja) | 金属配線形成方法および金属配線形成装置 | |
| JPH02177430A (ja) | 化合物半導体の加工方法 | |
| JPH0320897B2 (ja) | ||
| JPS5961123A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6347383A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPH08253860A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS62163333A (ja) | プラズマ酸化法とその装置 |